KR20000046822A - 반도체 웨이퍼의 세정방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼의 세정방법에 관한 것으로, 린스작업을 실시한 다음에 베스(12)에 남아 있는 순수를 완전히 배출하고, 베스(12)의 하측에서 내부로 아이 피 에이 증기(18)를 유입시켜서, 유입되는 아이 피 에이 증기(18)가 베스(12)의 내부 위쪽으로 날라가면서 웨이퍼(11)들의 전면에 접촉되어 치환되고, 이때 발생되는 물방울에 미세한 이물질들이 묻어서 떨어지도록 함으로서, 건조작업과 아울러 완전한 이물질 게거가 이루어지게 된다.

Description

반도체 웨이퍼의 세정방법

본 발명은 반도체 웨이퍼의 세정방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼의 전면에 균일하게 아이 피 에이의 치환이 일어나도록 하여 이물질의 발생을 감소시키도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼의 세정방법에 관한 것이다.

1개의 베스 내에서 세정과 건조를 실시하도록 되어 있는 종래의 세정장치가 도 1에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.

도시된 바와 같이, 종래 세정장치는 식각, 린스, 건조시에서 웨이퍼(1)가 로딩되는 베스(2)와, 그 베스(2)에 공급하기 위한 아이 피 에이를 용액상태를 저장하기 위한 온 스팩 리시버(3)와, 그 용액상태의 아이 피 에이를 기화시키기 위한 베이퍼라이저(4)로 구성되어 있다.

도면중 미설명 부호 5는 리보일러이고, 6은 오프 스팩 리시버이다.

상기와 같이 구성되어 있는 종래 세정장치에서 세정작업이 진행되는 동작을 설명하면 다음과 같다.

먼저, 베스(2)의 내측에 웨이퍼(1)들을 로딩하고, 베스(2)의 내측으로 케미컬을 유입시킨 다음, 일정시간을 경과시켜서 웨이퍼(1)의 일정부분을 식각함과 아울러 이물질들을 제거한다.

그런 다음, 베스(2)에 담겨있는 케미컬을 배출시키고, 베스(2)에 다시 순수를 유입시켜서 웨이퍼(1)에 묻어 있는 케미컬을 씻어낸다.

상기와 같은 린스작업을 실시한 다음에는 도 2에서와 같이 베스(2)의 상단부 유입구(2a)를 통하여 베스(2)의 내부로 아이 피 에이증기(7)를 유입시키는 상태에서 베스(2)의 하단부 유출구(2b)를 통하여 순수(8)를 배출시켜서, 웨이퍼(1)에 묻어 있는 이물질을 제거함과 동시에 웨이퍼(1)에 묻은 물기를 건조하였다.

그러나, 상기와 같은 종래 세정장치에서는 웨이퍼(1)에 부착되어 있는 이물질들이 순수(8)가 배출되면서 어느정도 제거되나, 아이 피 에이 증기(7)가 날라가는 성질 때문에 웨이퍼(1)의 하단부까지는 도달하지 못하여 아이 피 에이의 치환에 의한 이물질 제거는 웨이퍼(1)의 전면에 걸쳐서 이루어지지 못하여, 웨이퍼(1)에 일정부분에 아주 미세한 이물질들이 상당량 존재함으로서, 이물질에 의한 품질불량이 발생되는 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 발명의 목적은 건조시 웨이퍼의 전면에 아이 피 에이 증기가 접촉되도록 하여 건조 및 아이 피 에이의 치환에 의한 이물질 제거가 충분히 이루어지도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼의 세정방법을 제공함에 있다.

도 1은 종래 세정장치의 구성을 개략적으로 보인 배관도.

도 2는 종래 세정장치에서의 건조 메카니즘을 설명하기 위한 단면도.

도 3은 본 발명에 따른 세정방법을 실시하기 위한 장치를 개략적으로 보인 배관도.

도 4는 본 발명의 건조방법에 의하여 건조가 이루어지는 상태를 보인 단면도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

11 : 웨이퍼 12 : 베스

12b : 유출구 18 : 아이 피 에이 증기

상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 1개의 베스에 웨이퍼를 로딩한 상태에서 식각공정, 린스공정, 건조공정를 차례로 진행하여 웨이퍼의 세정작업을 진행하는 반도체 웨이퍼의 세정방법에 있어서, 상기 건조공정에서는 베스에 남아 있는 순수를 완전히 배출한 다음, 하측에 설치된 유출구를 통하여 베스의 내부로 아이 피 에이 증기를 공급하여, 건조와 동시에 아이 피 에이의 치환에 의하여 미세한 이물질들의 제거가 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 세정방법이 제공된다.

이하, 상기와 같은 반도체 웨이퍼의 세정방법을 첨부된 도면을 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 발명에 따른 세정방법을 실시하기 위한 장치를 개략적으로 보인 배관도로서, 도시된 바와 같이, 본 발명의 세정방법을 실시하기 위한 세정장치는 식각, 린스, 건조작업의 진행시에 웨이퍼(11)가 로딩되어 있는 베스(12)와, 그 베스(12)에 공급하기 위한 아이 피 에이를 용액상태로 저장하기 위한 온 스팩 리시버(13)와, 그 용액상태의 아이 피 에이를 기화시키기 위한 베이퍼라이저(14)로 구성되어 있는 것은 종래와 유사하다.

여기서, 본 발명에서는 상기 베이퍼라이저(14)에 기화되는 아이 피 에이 증기가 베스(12)의 하측으로 공급되도록 연결되어 있고, 그와 같이 공급되는 아이 피 에이 증기가 베스(12)의 상측으로 유출된 다음 다시 액화시켜서 온 스팩 리시버(13)로 회수하기 위한 쿨링 시스템(15)이 구비되어 있다.

도면중 미설명부호 16은 리보일러이고, 17은 오프 스팩 리시버이다.

상기와 같이 구성되어 있는 세정장치에서 베스(12)의 내부에 세정작업을 실시하기 위하여 웨이퍼(11)들을 로딩한 다음, 베스(12)의 내부로 케미컬을 공급하여 일정시간 지체시켜서 웨이퍼(11)의 일정부분을 식각하는 식각작업을 실시하고, 그와 같이 식각작업을 마친 다음에는 케미컬을 배출하고 베스(12)의 내부로 순수를 공급하여 웨이퍼(11)에 묻어 있는 케미컬을 씻어내는 린스작업을 실시한다.

그런 다음, 베스(12)에 남아있는 순수를 완전히 배출하고, 도 4에서와 같이 베스(12)의 하측에 연결된 유출구(12b)를 통하여 베스(12)의 내부로 아이 피 에이 증기(18)를 공급한다. 이와 같이 공급되는 아이 피 에이 증기(18)는 상측으로 날라가면서 웨이퍼(11)의 전면에 접촉되어 남아있는 순수와 치환되면서 물방울이 되어 이물질과 함께 베스(12)의 하측으로 떨어진다.

즉, 상기와 같이 공급되는 아이 피 에이 증기(18)는 웨이퍼(11)의 전면에 접촉되어 치환되면서 남아 있는 미세한 이물질을 완전히 제거함과 동시에 웨이퍼(11)를 건조하게 된다.

그리고, 상기와 같이 공급되는 아이 이 에이 증기(18)는 쿨링 시스템(15)으로 보내져서 액화시킨 다음, 온 스팩 리시버(13)에 저장된다.

상기와 같이 건조작업을 일정시간 실시한 다음에는 아이 피 에이 증기(18)의 공급을 멈추고 베스(12)의 내측으로 질소가스를 공급하여 물기가 남아 있는 웨이퍼(11)들을 완전히 건조시킨다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명 반도체 웨이퍼의 세정방법은 린스작업을 실시한 다음에 베스에 남아 있는 순수를 완전히 배출하고, 베스의 하측에서 내부로 아이 피 에이 증기를 유입시켜서, 유입되는 아이 피 에이 증기가 베스의 내부 위쪽으로 날라가면서 웨이퍼들의 전면에 접촉되어 치환되고, 이때 발생되는 물방울에 미세한 이물질들이 묻어서 떨어지도록 함으로서, 건조작업과 아울러 완전한 이물질 게거가 이루어지게 된다.

Claims (1)

1개의 베스에 웨이퍼를 로딩한 상태에서 식각공정, 린스공정, 건조공정을 차례로 실시하며 웨이퍼의 세정작업을 진행하는 반도체 웨이퍼의 세정방법에 있어서, 상기 건조공정에서는 베스에 남아 있는 순수를 완전히 배출한 다음, 하측에 설치된 유출구를 통하여 베스의 내부로 아이 피 에이 증기를 공급하여, 건조와 동시에 아이 피 에이의 치환에 의하여 미세한 이물질들의 제거가 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 세정방법.