CN103309104A - 薄膜晶体管像素结构以及亮点修复方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种薄膜晶体管像素结构以及亮点修复方法，涉及液晶显示领域，提高了亮点缺陷修复的成功率，使得亮点缺陷修复效果更好。本发明实施例的薄膜晶体管像素结构，薄膜晶体管像素结构包括栅电极层、像素电极层以及位于两者之间的第一绝缘层，薄膜晶体管像素结构还包括设置在像素电极层与第一绝缘层之间的第一导电层，第一导电层与像素电极层电连接。

Description

薄膜晶体管像素结构以及亮点修复方法

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管像素结构以及亮点修复方法。

背景技术

随着光电显示技术的日益成熟发展，显示装置的应用领域越来越广泛。其中因为拥有寿命长、光效高、辐射低、低功耗等特点，基于液晶面板的显示装置逐渐取代了传统射线管显示装置而成为了近年来显示设备产品主流的发展方向。

然而受限于生产流程的复杂程度，制备生成的液晶面板存在良品率不高的问题。作为一种最常见的显示缺陷，亮点缺陷是指液晶面板中存在不受控的亮像素点。例如，以常白画面显示模式的液晶面板为例，此类液晶面板中像素点在不通电的情况下呈现白色，正常情况下像素点在通电后呈现黑色，如果像素点在通电后还呈现白色而不能变为黑色的话，该像素点则称之为亮像素点。

以一种现有技术液晶面板为例，其中如图1所示，该液晶面板薄膜晶体管像素结构包括由下到上依次设置的栅极金属层102和/或公共电极层（图1中未示出）、第一绝缘层103、像素电极层104，当然该薄膜晶体管像素结构还包括最下层的基板101。为修复该液晶面板中存在的亮点缺陷，通常利用激光焊接工艺对存在亮点缺陷的像素点进行暗化处理，具体为对存在亮点缺陷的像素点中像素电极层104进行激光焊接，使得像素电极层104与栅极金属层102和/或公共电极层电连接导通。此时，存在亮点缺陷的像素点的驱动电压随信号电压的变化而改变，该像素点的液晶分子始终处于旋转状态而呈现暗像素点的效果。

在上述修复亮点缺陷的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：现有技术修复方法是对存在亮点缺陷的像素点中像素电极层区域进行激光焊接。然而像素电极层相比于绝缘层来说厚度比较薄，因此在焊接后会发生像素电极层与栅极金属层和/或公共电极层电连接连接不上或者连接效果不佳的情况；另外像素电极层的像素电极材料与栅极金属层和/或公共电极层的金属材料在激光焊接时焊接的产生导通效果不佳，最终导致亮点缺陷修复的成功率不高，亮点缺陷修复效果不好。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管像素结构以及亮点修复方法，提高了亮点缺陷修复的成功率，使得亮点缺陷修复效果更好。

为解决上述技术问题，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种薄膜晶体管像素结构，所述薄膜晶体管像素结构包括栅电极层、像素电极层以及位于两者之间的第一绝缘层，所述薄膜晶体管像素结构还包括设置在所述像素电极层与所述第一绝缘层之间的第一导电层，所述第一导电层与所述像素电极层电连接。

进一步的，所述栅电极层包括公共电极。

优选的，所述第一导电层的材料为金属。

进一步的，所述第一导电层与所述像素电极层之间还设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层上设置有过孔，所述第一导电层与所述像素电极层通过所述过孔电连接。

进一步的，所述第一导电层上设置有激光焊接标识。

另一方面，本发明实施例提供一种亮点修复方法，使用上述薄膜晶体管像素结构进行亮点修复，所述薄膜晶体管像素结构包括栅电极层、像素电极层以及位于两者之间的第一绝缘层，所述薄膜晶体管像素结构还包括设置在所述像素电极层与所述第一绝缘层之间的第一导电层，所述第一导电层与所述像素电极层电连接；

所述方法包括：激光焊接所述第一导电层，以使所述第一导电层与所述栅电极层电连接。

本发明实施例提供的一种薄膜晶体管像素结构以及亮点修复方法，在像素电极层与第一绝缘层之间设置第一导电层，第一导电层与像素电极层电连接；亮点缺陷修复时利用激光焊接第一导电层，使得第一导电层与栅电极层电连接，将亮像素点暗点化，该亮点修复方法成功率高，修复效果好。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术薄膜晶体管像素结构层间结构示意图；

图2为本发明实施例薄膜晶体管像素结构层间结构示意图之一；

图3为本发明实施例薄膜晶体管像素结构层间结构示意图之二；

图4为对图3所示薄膜晶体管像素结构进行激光焊接的示意图。

具体实施方式

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管像素结构以及亮点修复方法，提高了亮点缺陷修复的成功率，使得亮点缺陷修复效果更好。

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透切理解本发明。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本发明。在其它情况中，省略对众所周知的装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本发明的描述。

下面结合下述附图对本发明实施例做详细描述。

本发明实施例提供一种薄膜晶体管像素结构，如图2所示，薄膜晶体管像素结构包括栅电极层102、像素电极层104以及位于两者之间的第一绝缘层103，薄膜晶体管像素结构还包括设置在像素电极层104与第一绝缘层103之间的第一导电层105，第一导电层105与像素电极层104电连接；当然还可包括位于最下层的基板101。

进一步的，另一种薄膜晶体管像素结构，如图3所示，第一导电层105与像素电极层104之间还设置有第二绝缘层106，第二绝缘层106上设置有过孔，第一导电层105与像素电极层104通过过孔电连接。

需要说明的是，进一步的，如图2或图3所示的薄膜晶体管像素结构，栅电极层包括公共电极。另外，第一导电层105的材料为金属，当然，本领域技术人员可以理解的是，第一导电层的材料为金属只是本发明实施例的一种较为优选的实施方式。事实上，第一导电层的材料也可为非金属的其他导电材料。

优选的，所述第一导电层上设置有激光焊接标识。其中，激光焊接标识指示了激光焊接的位置。需要特别说明的一点，当像素电极层与第一导电层通过过孔电连接时，可将过孔位置定义为激光焊接标识位置，直接对过孔进行激光焊接。

需要说明的是，图2或图3所示的薄膜晶体管像素结构层间示意图仅为两种可能的层间结构。事实上，由于阵列基板的制备工艺的不同，形成的薄膜晶体管像素结构的层间结构也会有所不同。以常白模式为例，为了达到亮点缺陷修复的效果，本发明实施例的薄膜晶体管像素结构在像素电极层与第一绝缘层之间设置有第一导电层，第一导电层与像素电极层电连接；而且由于第一绝缘层的绝缘效果，第一导电层与栅电极层是不存在电连接的。当像素显示正常时，本领域技术人员无需对第一导电层进行操作，第一导电层也不会对像素的显示产生影响。当像素为亮点像素，即像素存在亮点缺陷时，通过对第一导电层进行激光焊接。以对图3所示的薄膜晶体管像素结构进行焊接为例，如图4所示，图4中的箭头位置指示了激光焊接的所在位置，将第一导电层105与栅电极层102之间的层熔穿，使得第一导电层105与栅电极层102之间形成电连接；由于第一导电层105与像素电极层104本来就处于电连接的状态，由此像素电极层104与栅电极层102之间通过第一导电层105也形成了电连接。此时，对于存在亮点缺陷的像素点来说，由于像素电极层与栅电极层电连接导通，因此该像素点的驱动电压随信号电压的变化而改变，该像素点的液晶分子始终处于旋转状态而呈现暗像素点的效果，最终完成了对亮点像素暗像素化的修复过程。上述图示均以栅电极层为例，事实上，本领域技术人员可以理解的是，当薄膜晶体管像素结构栅电极层中包括公共电极层时，通过设置第一导电层并对第一导电层焊接使得公共电极层与像素电极层电连接，同样可以起到修复亮点缺陷的效果。除此以外，对于常黑模式的液晶显示装置而言，本发明实施例的薄膜晶体管像素结构同样也可以实现修复亮点缺陷的效果。

再次补充一点说明，当本发明实施例的薄膜晶体管像素结构在像素电极层与第一绝缘层之间设置有金属材料的第一导电层时，第一导电层与像素电极层电连接，在出现亮点缺陷时利用激光焊接第一导电层，使得第一导电层与栅电极层电连接导通。由于第一导电层中使用了金属材料，因此第一导电层与栅电极层产生的焊接效果必然大于现有技术像素电极层与栅电极层产生的焊接效果；另外，根据需要还可进一步的增加第一导电层的厚度以提高焊接的成功率，而现有技术像素电极层的厚度受限，无法通过增加像素电极层的厚度达到提高焊接的成功率的技术效果。因此本发明实施例提供的一种薄膜晶体管像素结构，通过在像素电极层与第一绝缘层之间设置第一导电层，第一导电层与像素电极层电连接；亮点缺陷修复时利用激光焊接第一导电层，使得第一导电层与栅电极层电连接，将亮像素点暗点化，该亮点修复方法成功率高，修复效果好。

另一方面，从本发明实施例薄膜晶体管像素结构的制备角度入手，进一步对本发明实施例进行补充说明。其中，制备生成的薄膜晶体管像素结构可参考上述实施例。在此主要描述薄膜晶体管像素结构中镭射区域的形成方式，而薄膜晶体管像素结构的其他结构单元可参考现有技术，在此不做赘述。（需要说明的是，镭射区域指的是本发明实施例薄膜晶体管像素结构在亮点缺陷修复过程中接受激光焊接的对应区域；更进一步的，由于在亮点缺陷修复过程中激光焊接的是第一导电层所处区域，镭射区域也可以看作为第一导电层所处区域。）

在此之前，先提供一种常见的现有技术阵列基板的制备过程。

步骤S101：首先形成阵列基板所需的基板；在基板上形成一层栅电极层，通过构图工艺形成栅极图形以及栅极线图形。

步骤S102：在完成上述步骤的基板上形成一层栅绝缘层。

步骤S103：在完成上述步骤的基板上形成一层源漏金属层，通过构图工艺形成源漏极图形以及数据线图形。

步骤S104：在完成上述步骤的基板上形成一层保护层。

步骤S105：在完成上述步骤的基板上通过构图工艺形成栅极线通孔以及数据线通孔。

步骤S106：在完成上述步骤的基板上形成一层像素电极层，通过构图工艺形成像素电极图形。

作为本发明实施例的一种优选实施方式，以形成如图3所示的薄膜晶体管像素结构为例，在不增加阵列基板制备步骤的情况下，形成本发明实施例的薄膜晶体管像素结构。

具体的，举例来说，如图3所示的薄膜晶体管像素结构中的栅电极层102，可与现有技术阵列基板制备过程中步骤S101的栅极图形与栅极线图形同层制备形成；

如图3所示的薄膜晶体管像素结构中的第一绝缘层103，可与现有技术阵列基板制备过程中步骤S102的栅绝缘层同层制备形成；

如图3所示的薄膜晶体管像素结构中的第一导电层105，可与现有技术阵列基板制备过程中步骤S103的源漏极图形以及数据线图形同层制备形成；

如图3所示的薄膜晶体管像素结构中的第二绝缘层106，可与现有技术阵列基板制备过程中步骤S104的保护层同层制备形成；

如图3所示的薄膜晶体管像素结构中的过孔，可与现有技术阵列基板制备过程中步骤S105的栅极线通孔以及数据线通孔同层制备形成；

如图3所示的薄膜晶体管像素结构中的像素电极层104，可与现有技术阵列基板制备过程中步骤S106的像素电极图形同层制备形成；

分析观察后可以发现，本发明实施例的薄膜晶体管像素结构中镭射区域结构单元的制备过程可与现有技术阵列基板制备过程相融合，在不增加制备步骤的情况即可得到；而本发明实施例的薄膜晶体管像素结构剩余结构单元也可在现有技术阵列基板制备过程中完成。因此，通过调整现有技术阵列基板制备过程，在不增加制备步骤的情况得到本发明实施例的薄膜晶体管像素结构是一种较为优选的选择。当然，本发明实施例的薄膜晶体管像素结构有多种可能的形态，而薄膜晶体管像素结构的制备方法亦有多种可能，在此不再一一赘述。

再一方面，本发明实施例还提供了一种亮点修复方法，该亮点修复方法使用了上述实施例的薄膜晶体管像素结构进行亮点修复，举例来说，亮点修复方法使用如图3所示的薄膜晶体管像素结构，该薄膜晶体管像素结构包括设置在像素电极层104与第一绝缘层103之间的第一导电层105，第一导电层105与像素电极层104电连接；且由于第一绝缘层103的存在，第一导电层105与栅电极层102不存在电连接。

所述亮点修复方法，具体包括：当需要进行亮点修复时，激光焊接第一导电属层，使得第一导电层与栅电极层电连接。此时像素电极层与栅电极层之间通过第一导电层形成电连接，从而完成了亮点修复过程。

其中，关于亮点修复方法的具体修复过程与上述实施例中介绍的修复过程相类似，基于篇幅限制在此不再重复描述。

本发明实施例提供的一种亮点修复方法，该修复方法利用下述薄膜晶体管像素结构进行亮点修复过程。该薄膜晶体管像素结构中像素电极层与第一绝缘层之间设置第一导电层，第一导电层与像素电极层电连接；亮点缺陷修复时利用激光焊接第一导电层，使得第一导电层与栅电极层电连接，将亮像素点暗点化，该亮点修复方法成功率高，修复效果好。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (6)

1.一种薄膜晶体管像素结构，所述薄膜晶体管像素结构包括栅电极层、像素电极层以及位于两者之间的第一绝缘层，其特征在于，所述薄膜晶体管像素结构还包括设置在所述像素电极层与所述第一绝缘层之间的第一导电层，所述第一导电层与所述像素电极层电连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管像素结构，其特征在于，所述栅电极层包括公共电极。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管像素结构，其特征在于，所述第一导电层的材料为金属。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管像素结构，其特征在于，所述第一导电层与所述像素电极层之间还设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层上设置有过孔，所述第一导电层与所述像素电极层通过所述过孔电连接。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管像素结构，其特征在于，所述第一导电层上设置有激光焊接标识。

6.一种亮点修复方法，其特征在于，使用权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管像素结构进行亮点修复，所述薄膜晶体管像素结构包括栅电极层、像素电极层以及位于两者之间的第一绝缘层，所述薄膜晶体管像素结构还包括设置在所述像素电极层与所述第一绝缘层之间的第一导电层，所述第一导电层与所述像素电极层电连接；

所述方法包括：激光焊接所述第一导电层，以使所述第一导电层与所述栅电极层电连接。

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