CN103304781A - 萘并二呋喃基的半导体聚合物及其制备方法、用途 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种萘并二呋喃基的半导体聚合物及其制备方法、用途；所述半导体聚合物的结构式如式（Ⅰ）或（II）所示：
Figure DDA00003185488900011
其中,50＞n＞1；本发明还涉及前述萘并二呋喃基的半导体聚合物的制备方法以及其作为半导体有机层在聚合物太阳能电池测试中的用途。本发明披露的合成方法简单有效；原料易于合成制备，合成的成本低，得到的目标化合物纯度高；本发明的萘并二呋喃基的半导体聚合物主链具有刚性平面的大π共轭体系和侧链为柔性促溶的烷基链，材料可溶液加工处理，且具有低的能带隙，可以应用于光伏器件。

Description

萘并二呋喃基的半导体聚合物及其制备方法、用途
技术领域
本发明涉及一种可溶液加工的有机半导体材料，尤其是一种萘并二呋喃基的半导体聚合物及其制备方法、用途。
背景技术
近年来，随着新材料的不断涌现以及在器件加工方面取得的进展，聚合物半导体材料以其独特的多样化结构和优异的光、磁、电等物理性能在有机电致发光二极管、有机太阳能电池、有机场效应晶体管、有机光信息存储、有机传感器等领域得到了广泛的研究，展示了广阔的应用前景。这些器件的发现和发展严重依赖于性能优异的有机光电材料的发展，尤其是可溶液加工的共轭聚合物光电材料的应用和开发。因此，对共轭聚合物材料的设计、合成及光电性能的研究，一直是科研人员关注的焦点。
自20世纪90年代发现从共轭聚合物材料向富勒烯存在光诱导电荷转移现象，以及建立本体异质结构型以来，基于共轭聚合物材料/富勒烯为光电转换活性层的聚合物太阳能电池（PSC）获得了长足的进步。聚合物结构设计变化多端；具有重量轻、柔韧性好，可制备成大面积柔性器件；太阳能电池器件制作工艺简单，可采取印刷、喷墨、打印等溶液加工方法，而且具有成本低等突出的优势，是近年来科研人员研究的热点，也逐渐成为未来太阳能电池的发展趋势。
但相对于无机太阳能电池，聚合物太阳能电池的光电转换效率仍然较低，且性能不稳定。为获得高效稳定的聚合物太阳能电池，国内外科研人员在改进光伏材料、优化器件制备等方面进行了深入的研究工作。作为聚合物太阳能电池的主要组成部分，光活性层材料的改进，尤其是共轭聚合物光伏材料的改进对提高太阳能电池综合性能具有非常重要的意义。在设计和合成高性能的共轭聚合物光伏材料方面，因为低能带隙共轭聚合物与太阳光谱有更好的匹配而一直是研究的热点。因此设计和合成综合性能优良的新型共轭聚合物材料对提高太阳能电池综合性能具有非常重要的意义。
发明内容
本发明的目的是提供一种萘并二呋喃基的半导体聚合物及其制备方法、用途。本发明的萘并二呋喃基的半导体聚合物含有刚性平面的大π共轭的可溶性的萘并二呋喃单元和异靛蓝单元，是可溶液加工的主链共轭低能隙聚合物，初步聚合物太阳能电池研究表明这类材料具有薄膜光伏应用潜力。
本发明的目的是通过以下的技术方案实现的：
第一方面，一种萘并二呋喃基的半导体聚合物，所述半导体聚合物的结构式如式（Ⅰ）或（II）所示：
Figure BDA00003185488700021
Figure BDA00003185488700022
其中,50＞n＞1。
第二方面，本发明还涉及前述萘并二呋喃基的半导体聚合物的制备方法，所述方法包含如下步骤：
结构式为式（Ⅰ）的半导体聚合物，制备方法如下：
步骤一，1,5-二羟基萘与1-溴辛-2酮，在碳酸钾为催化剂、N,N-二甲基甲酰胺为溶剂条件下，生成化合物1；
步骤二，化合物1在甲基磺酸为催化剂、二氯甲烷为溶剂条件下，生成化合物NDF1；
步骤三，化合物NDF1依次与正丁基锂、三甲基氯化锡反应生成化合物2；
步骤四，化合物2与异靛蓝，在Pd(dba)3为催化剂、P(o-tol)3为配体、无水甲苯为溶剂条件下，生成结构式（Ⅰ）的半导体聚合物；
结构式为式（II）的半导体聚合物，制备方法如下：
步骤A，2,6-二羟基萘与1-溴辛-2酮，在碳酸钾为催化剂、N,N-二甲基甲酰胺为溶剂条件下，生成化合物3；
步骤B，化合物3在甲基磺酸为催化剂、二氯甲烷为溶剂的条件下，生成化合物NDF2；
步骤C，化合物NDF2依次与正丁基锂、三甲基氯化锡反应生成化合物4；
步骤D，化合物4与异靛蓝，在Pd(dba)3为催化剂、P(o-tol)3为配体、无水甲苯为溶剂条件下，生成结构式（II）的半导体聚合物。
优选地，步骤一中，所述1,5-二羟基萘与1-溴辛-2酮的摩尔比为1:2～1:3，反应温度为40～90℃。
优选地，步骤二中，所述化合物1与甲基磺酸的摩尔比为1:5～1:20，反应温度为20～50℃。
优选地，步骤四中，所述化合物2与异靛蓝的摩尔比为1:1，反应时间为6～48小时,反应温度为80～120℃。
优选地，步骤A中，所述2,6-二羟基萘与1-溴辛-2酮的摩尔比为1:2～1:3，反应温度为40～90℃。
优选地，步骤B中，所述化合物3与甲基磺酸的摩尔比为1:5～1:20，采用的反应温度为20～50℃。
优选地，步骤D中，所述化合物4与异靛蓝的摩尔比为1:1，反应时间为6～48小时,反应温度为80～120℃。
第三方面，本发明还涉及前述萘并二呋喃基的半导体聚合物与PC61BM共混作为半导体有机层在聚合物太阳能电池测试中的用途。
本发明具有如下的有益效果：本发明披露的合成方法简单有效；原料易于合成制备，合成的成本低，得到的目标化合物纯度高；本发明的萘并二呋喃基的半导体聚合物主链具有刚性平面的大π共轭体系和侧链为柔性促溶的烷基链，材料可溶液加工处理，且具有低的能带隙，可以应用于光伏器件。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为实施例1化合物1、2、3、4、NDF1和NDF2合成路线图；
图2为实施例1聚合物PIDNDF1和聚合物式PIDNDF2合成路线图；
图3为聚合物PIDNDF1和聚合物PIDNDF2在氯仿中(a)与薄膜(b)的紫外吸收光谱图；
图4为聚合物PIDNDF1和聚合物PIDNDF2的循环伏安曲线图；
图5为聚合物PIDNDF1和聚合物PIDNDF2的热重分析曲线图；
图6为聚合物PIDNDF1/PC61BM和聚合物PIDNDF2/PC61BM为半导体层的薄膜太阳能电池器件的I-V曲线图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
实施例1
本实施例提供了2种可溶性的萘并二呋喃基的半导体聚合物PIDNDF1和PIDNDF2，其结构式如表1所示（其中，50＞n＞1），其合成路线参见图1所示。
表1
Figure BDA00003185488700041
本实施例还涉及聚合物PIDNDF1和PIDNDF2的制备方法，包括如下步骤：
（a）中间体化合物异靛蓝的合成
异靛蓝的结构式为
Figure BDA00003185488700042
其详细制备方法见文献《Mei,J.;Graham,K.R.;Stalder,R.;Reynolds,J.R.Synthesis of isoindigo-based oligothiophenes for molecularbulk heterojunction solar cells.Org.Lett.12,660(2010)》。
（b）化合物1的合成
化合物1的结构式为
其基本制备方法包括如下步骤：
在氮气保护下，将1,5-二羟基萘（3.2g，20mmol）、碳酸钾（13.8g，100mmol）、N,N-二甲基甲酰胺（80mL）加入到两口瓶中，升温至60°C，滴加1-溴辛-2酮（12.4g，40mmol、30mmol或60mmol）,在60°C条件下（可为40～90°C中的任意值）反应24h。将反应液冷却到室温，加入二氯甲烷和水，分液，水相用二氯甲烷萃取，合并有机相，水洗，饱和氯化钠溶液洗，硫酸镁干燥，蒸除溶剂，用石油醚：二氯甲烷=1:1～4:1为洗脱剂，硅胶为吸附剂过柱分离、真空干燥得到棕黄色固体1（6.28g，76.1%）。
（c）化合物NDF1的合成
化合物2的结构式为
Figure BDA00003185488700052
其基本制备方法包括如下步骤：
在氮气保护下，在二口烧瓶中将化合物1(2.00g，4.85mmol)溶解于二氯甲烷(100mL)中，然后滴加甲基磺酸(4.66g，24.25mmol、48.5mmol或97mmol)。反应体系在室温下反应8h。然后加入水，二氯甲烷萃取3次，合并有机相。硫酸镁干燥，蒸除溶剂，用石油醚为洗脱剂，硅胶为吸附剂过柱分离、真空干燥得到黄色固体NDF1（(1.35g，74.2%）。（d）化合物2的合成
化合物2的结构式为
Figure BDA00003185488700053
其基本制备方法包括如下步骤：
在氮气保护下，将NDF1(1.04g,2.54mmol)加入到含有四氢呋喃(100mL)溶液中，溶液在-78°C冷却30分钟，缓慢滴加n-BuLi(2.2mL，2.4M，5.3mmol)溶液，然后室温搅拌30分钟。放入-78°C低温槽中，恒温30分钟。缓慢滴加三甲基氯化锡(5.6mL1M,5.6mmol)溶液。在-78°C条件下反应2小时，然后自然恢复至室温。加入饱和氯化钠溶液，乙醚萃取3次，合并有机相。硫酸镁干燥，蒸除溶剂。异丙醇重结晶后得到黄色固体2(1.23g,69.2%）。
（e）化合物3的合成
化合物3的结构式为
Figure BDA00003185488700061
其基本制备方法包括如下步骤：
在氮气保护下，将2,6-二羟基萘(3.20g，20.0mmol)、碳酸钾（13.8g，100mmol）、N,N-二甲基甲酰胺（80mL）加入到两口瓶中，升温至60°C，滴加1-溴辛-2酮（12.4g，40mmol、30mmol或60mmol），在60°C条件下（可为40～90°C中的任意值）反应6h；将反应液冷却到室温，加入二氯甲烷和水，分液，水相用二氯甲烷萃取，合并有机相，水洗，饱和氯化钠溶液洗，硫酸镁干燥，蒸除溶剂，用石油醚：二氯甲烷=1:1～4:1为洗脱剂，硅胶为吸附剂过柱分离、真空干燥得到棕黄色固体3(5.70g，69.1%)。
（f）化合物NDF2的合成
化合物NDF2的结构式为
其基本制备方法包括如下步骤：
在氮气保护下，在二口烧瓶中将化合物3(2.00，4.85mmol)溶解于二氯甲烷(100mL)中，然后滴加甲基磺酸(4.66g，24.25mmol、48.5mmol或97mmol)；将体系在-20℃反应2小时，然后在室温下反应6h。然后加入水，二氯甲烷萃取3次。合并有机相。硫酸镁干燥，蒸除溶剂，用石油醚为洗脱剂，硅胶为吸附剂过柱分离、真空干燥得到黄色固体NDF2(1.40g，76.9%)。
（g）化合物4的合成
化合物4的结构式为
Figure BDA00003185488700071
其基本制备方法包括如下步骤：
在氮气保护下，将NDF2(1.04g，2.54mmol)加入到含有四氢呋喃(200mL)溶液中，溶液在-78°C冷却30分钟，缓慢滴加n-BuLi(2.3mL，2.4M，5.6mmol)溶液，然后室温搅拌30分钟。放入-78°C低温槽中，恒温30分钟。缓慢滴加三甲基氯化锡(6.4mL，1.0M，6.4mmol)溶液。在-78°C条件下反应2h，然后自然恢复至室温。加入饱和氯化钠溶液，乙醚萃取3次，合并有机相，硫酸镁干燥，蒸除溶剂。异丙醇重结晶后得到黄色固体4(1.17g，65.4%）。
（j）聚合物PIDNDF1和PIDNDF2的合成
在氮气保护下，将双锡单体化合物2或4(均是0.3mmol)和双溴单体化合物异靛蓝(0.3mmol)催化剂Pd2(dba)3(6mg，2mol%)、配体P(o-toly)3(7mg，8%)，无水甲苯（10mL）加入反应瓶中，于110°C（可为80～120°C中的任意值）反应24h（可为6～48小时中的任意值），将反应液冷却到室温，加入100mL甲醇沉淀，过滤出固体，依次用甲醇、正己烷和氯仿索氏提取，收集氯仿溶液，旋干后再用甲醇沉淀得蓝色聚合物。PIDNDF1为0.26g，产率为71.2%，数均分子量为24.9kDa，分子量分布为2.58，n=20.8；PIDNDF2为0.28g，产率为74.8%，数均分子量为19.9kDa，分子量分布为2.28，n=16.6。
实施例2
本实施例涉及聚合物PIDNDF1与PIDNDF2的凝胶渗透色谱、紫外吸收光谱和电化学性质，如图3（a）给出了聚合物PIDNDF1与PIDNDF2在氯仿中的紫外吸收光谱，它的最大吸收峰位置分别在628nm、598nm左右；图3（b）给出了聚合物PIDNDF1与PIDNDF2薄膜的紫外吸收光谱，它的最大吸收峰位置分别在623nm、600nm左右，光学带隙分别为1.66eV、1.72eV。图4给出了化合物聚合物PIDNDF1与PIDNDF2的循环伏安曲线。循环伏安法测试在计算机控制的CHI610D电话线分析仪上进行，采用传统的三电极测试体系，铂电极为工作电极，银/银离子电极为参比电极，电解质为四正丁基六氟磷酸铵的二氯甲烷溶液（0.1M），扫描速度为50mV/s，以二茂铁为参比。二茂铁在该体系下测得的氧化电位为0.09eV，因真空条件下二茂铁的能级为4.8eV，材料的能级可以由以下能级的公式计算得到：ELUMO=-（Ered,onset-0.09+4.8）eV=-（Ered,onset+4.71）eV。电化学测试显示它的起始还原电位分别在-1.14V、-1.09V，由此计算的LUMO能级分别为-3.57eV、-3.62eV，材料的能级可以由以下能级的公式计算得到：EHOMO=-（Eox,onset-0.09+4.8）eV=-（Eox,onset+4.71）eV。由此计算的HOMO能级均为-5.40eV。图6显示聚合物PIDNDF1与PIDNDF2具有很好的热稳定性。
实施例3
本实施例涉及聚合物PIDNDF1和PIDNDF2作为空穴传输材料在薄膜太阳能电池中的用途。
采用聚合物PIDNDF1和PIDNDF2作为给体材料，富勒烯（PC61BM）作为受体材料，1,8-二碘辛烷（DIO）作为改性剂，采用本体异质结结构测试材料光伏性能。聚合物太阳能电池器件测试I-V曲线见图6，转化效率数据见表2，初步测试的PIDNDF1转化效率最高为1.83%，PIDNDF2转化效率最高为0.83%。两个聚合物均具有较高的开路电压。如表2所示，为以聚合物PIDNDF1和PIDNDF2/PC61BM为半导体层的薄膜太阳能电池器件的参数数据。
表2
Figure BDA00003185488700081
综上所述，本发明涉及的萘并二呋喃基的半导体聚合物。结构特征具有刚性平面的大π共轭主链体和柔性促溶的烷基侧链链。合成方法简单有效；原料易于合成制备，合成的成本低。是主链共轭的可溶液加工的低能隙聚合物，聚合物太阳能电池研究表明这类材料具有薄膜光伏应用潜力。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质内容。

Claims (9)

1.一种萘并二呋喃基的半导体聚合物，其特征在于，所述半导体聚合物的结构式如式（Ⅰ）或（II）所示：
Figure FDA00003185488600011
其中,50＞n＞1。
2.一种如权利要求1所述的萘并二呋喃基的半导体聚合物的制备方法，其特征在于，所述方法包含如下步骤：
结构式为式（Ⅰ）的半导体聚合物，制备方法如下：
步骤一，1,5-二羟基萘与1-溴辛-2酮，在碳酸钾为催化剂、N,N-二甲基甲酰胺为溶剂条件下，生成化合物1；
步骤二，化合物1在甲基磺酸为催化剂、二氯甲烷为溶剂条件下，生成化合物NDF1；
步骤三，化合物NDF1依次与正丁基锂、三甲基氯化锡反应生成化合物2；
步骤四，化合物2与异靛蓝，在Pd(dba)3为催化剂、P(o-tol)3为配体、无水甲苯为溶剂条件下，生成结构式（Ⅰ）的半导体聚合物；
结构式为式（II）的半导体聚合物，制备方法如下：
步骤A，2,6-二羟基萘与1-溴辛-2酮，在碳酸钾为催化剂、N,N-二甲基甲酰胺为溶剂条件下，生成化合物3；
步骤B，化合物3在甲基磺酸为催化剂、二氯甲烷为溶剂的条件下，生成化合物NDF2；
步骤C，化合物NDF2依次与正丁基锂、三甲基氯化锡反应生成化合物4；
步骤D，化合物4与异靛蓝，在Pd(dba)3为催化剂、P(o-tol)3为配体、无水甲苯为溶剂条件下，生成结构式（II）的半导体聚合物。
3.根据权利要求2所述的萘并二呋喃基的半导体聚合物的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述1,5-二羟基萘与1-溴辛-2酮的摩尔比为1:2～1:3，反应温度为40～90℃。
4.根据权利要求2所述的萘并二呋喃基的半导体聚合物的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述化合物1与甲基磺酸的摩尔比为1:5～1:20，反应温度为20～50℃。
5.根据权利要求2所述的萘并二呋喃基的半导体聚合物的制备方法，其特征在于，步骤四中，所述化合物2与异靛蓝的摩尔比为1:1，反应时间为6～48小时,反应温度为80～120℃。
6.根据权利要求2所述的萘并二呋喃基的半导体聚合物的制备方法，其特征在于，步骤A中，所述2,6-二羟基萘与1-溴辛-2酮的摩尔比为1:2～1:3，反应温度为40～90℃。
7.根据权利要求2所述的萘并二呋喃基的半导体聚合物的制备方法，其特征在于，步骤B中，所述化合物3与甲基磺酸的摩尔比为1:5～1:20，采用的反应温度为20～50℃。
8.根据权利要求2所述的萘并二呋喃基的半导体聚合物的制备方法，其特征在于，步骤D中，所述化合物4与异靛蓝的摩尔比为1:1，反应时间为6～48小时,反应温度为80～120℃。
9.一种如权利要求1所述的萘并二呋喃基的半导体聚合物与PC61BM共混作为半导体有机层在聚合物太阳能电池测试中的用途。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106103436A (zh) * 2014-03-17 2016-11-09 默克专利股份有限公司 有机半导体化合物
CN106946912A (zh) * 2017-03-29 2017-07-14 湖南文理学院 一种萘并二呋喃类光伏材料及其制备方法和应用
CN107118335A (zh) * 2017-06-05 2017-09-01 华中科技大学 异靛青‑双键‑异靛青类聚合物及其合成方法与应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0534904A (ja) * 1990-07-24 1993-02-12 Konica Corp 感光性組成物
CN102964570A (zh) * 2012-11-09 2013-03-13 中南大学 一种萘并二呋喃类化合物和聚合物及制备方法和应用

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0534904A (ja) * 1990-07-24 1993-02-12 Konica Corp 感光性組成物
CN102964570A (zh) * 2012-11-09 2013-03-13 中南大学 一种萘并二呋喃类化合物和聚合物及制备方法和应用

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106103436A (zh) * 2014-03-17 2016-11-09 默克专利股份有限公司 有机半导体化合物
CN106103436B (zh) * 2014-03-17 2019-07-09 默克专利股份有限公司 有机半导体化合物
US10367143B2 (en) 2014-03-17 2019-07-30 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting compounds
TWI700286B (zh) * 2014-03-17 2020-08-01 德商馬克專利公司 有機半導性化合物
CN106946912A (zh) * 2017-03-29 2017-07-14 湖南文理学院 一种萘并二呋喃类光伏材料及其制备方法和应用
CN107118335A (zh) * 2017-06-05 2017-09-01 华中科技大学 异靛青‑双键‑异靛青类聚合物及其合成方法与应用

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