CN103295643A

CN103295643A - 移位寄存器

Info

Publication number: CN103295643A
Application number: CN2012105643338A
Authority: CN
Inventors: 简守甫; 夏志强
Original assignee: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd
Current assignee: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd
Priority date: 2012-12-21
Filing date: 2012-12-21
Publication date: 2013-09-11
Anticipated expiration: 2032-12-21
Also published as: CN103295643B

Abstract

本发明提供了一种移位寄存器，通过在每行扫描线上相应配置两个移位寄存电路，并通过相应开关选择接通与每行扫描线连接的其中一个移位寄存电路进行正常工作，当某一移位寄存电路工作异常或失效，则相应开关控制关闭该移位寄存电路，并接通该行扫描线上配置的另一移位寄存电路，从而保障整个移位寄存器的正常工作，保持显示面板的正常显示，提高产品合格率，降低生产成本。进一步的，本发明所述移位寄存器中，控制移位寄存电路关闭和接通的开关组中的每一开关采用多级并联及交流驱动的方式，避免在长时间接通单一开关导致开关信号开启漂移的问题，进一步保持移位寄存器的正常工作。

Description

移位寄存器

技术领域

本发明涉及移位寄存装置，尤其涉及一种移位寄存器。

背景技术

近年来，随着半导体科技蓬勃发展，便携式电子产品及平面显示器产品也随之兴起。而在众多平面显示器的类型当中，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)基于其低电压操作、无辐射线散射、重量轻以及体积小等优点，已成为显示器产品的主流。也亦因如此，无不驱使着各家厂商针对液晶显示器的开发技术要朝微型化及低制作成本的方向发展。其中，以薄膜晶体管液晶显示面板(TFT-LCD)为代表的平板显示器件(FPD)技术自20世纪90年代开始迅速发展并逐步走向成熟。由于TFT-LCD具有高清晰、低功耗、轻薄、便于携带等优点，已被广泛应用于上述信息显示产品中，具有广阔的市场前景。

为了要将液晶显示器的制作成本压低，已有厂商开始采用栅极驱动电路基板技术(Gate OnArray，GOA)，即通过非晶硅工艺直接在玻璃基板上制作多级非晶硅移位寄存器(A-Si Shift Register)，以取代惯用的栅极驱动器(Gate Driver)，从而进一步降低液晶显示器的制作成本。

图1为现有技术中具有移位寄存器的液晶显示器的方框图。如图1所示，液晶显示器中移位寄存器10以串行方式为液晶显示面板30的扫描线G提供扫面信号，以控制液晶显示面板30中多条扫描线的开启和关闭。然而，图1所示的移位寄存器10中每一移位寄存电路SR1～SRn与一条扫描线一一对应，由于移位寄存电路的失效不良较高，因此当液晶显示器长时间工作之后，搭载在液晶显示面板30上的移位寄存器10中某个或某些移位寄存电路很可能出现缺陷，例如充电效益变差、漂移、甚至失效的问题，使该移位寄存电路对应的扫描线不能正常开启和电路，进而导致液晶显示面板的显示异常。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够避免因某个或某些移位寄存电路很可能出现缺陷影响液晶显示面板的正常显示的移位寄存器。

为解决上述问题，本发明提供一种移位寄存器，用于控制显示面板的扫描线，所述移位寄存器包括：

第一移位寄存电路区，包括若干依次级联连接的第一移位寄存电路，所述第一移位寄存电路与所述显示面板的扫描线一一对应；

第一开关组，包括若干第一开关，每一所述第一移位寄存电路通过一第一开关与显示面板的一条扫描线连接；

第二移位寄存电路区，包括若干依次级联连接的第二移位寄存电路，所述第二移位寄存电路与所述显示面板的扫描线一一对应；

第二开关组，包括若干第二开关，每一所述第二移位寄存电路通过一第二开关与一显示面板的一条扫描线连接。

进一步的，所述第一开关均为一薄膜场效应晶体管，所述第二开关均为一薄膜场效应晶体管。

进一步的，所述移位寄存器还包括第一信号线和第二信号线，所述第一信号线用以控制所述第一开关组的开启和关闭；所述第二信号线用以控制所述第二开关组的开启和关闭。

进一步的，所述第一开关的栅极均连接所述第一信号线，源极与所述第一移位寄存电路的输出端连接，漏极与所述显示面板的扫描线的一端连接；所述第二开关的栅极均连接所述第二信号线，源极与所述第二移位寄存电路的输出端连接，漏极与所述显示面板的扫描线的另一端连接。

进一步的，所述第一开关均包括至少两个薄膜场效应晶体管，所述第二开关均包括至少两个薄膜场效应晶体管。

进一步的，所述第一开关均由两个的薄膜场效应晶体管组成，所述第二开关均由两个薄膜场效应晶体管组成。

进一步的，所述移位寄存器还包括第一信号线、第二信号线、第三信号线和第四信号线，每一所述第一开关中两个薄膜场效应晶体管的源极相连并连接所述第一移位寄存电路的输出端，所述第一开关中两个薄膜场效应晶体管的漏极相连并连接所述显示面板的扫描线，每一所述第一开关中第一个薄膜场效应晶体管的栅极接第一信号线，第二个薄膜场效应晶体管的栅极接第二信号线；每一所述第二开关中两个薄膜场效应晶体管的源极相连并连接所述第二移位寄存电路的输出端，所述第二开关中两个薄膜场效应晶体管的漏极相连并连接所述显示面板的扫描线，每一所述第二开关中第一个薄膜场效应晶体管的栅极接第三信号线，第二个薄膜场效应晶体管的栅极接第四信号线。

进一步的，所述第一信号线和第二信号线用以交替控制所述第一开关组的开启和关闭；所述第三信号线和第四信号线用以交替控制所述第二开关组的开启和关闭。

进一步的，所述第一移位寄存电路区和第二移位寄存电路区分列于所述显示面板的两侧。

进一步的，在依次级联的第一移位寄存电路与依次级联的第二移位寄存电路中，级数排列次序相同的第一移位寄存电路与第二移位寄存电路分别连接于所述显示面板的同一条扫描线的两端。

进一步的，在所述第一移位寄存电路区中，第一级第一移位寄存电路的开启设置端接收初始开启信号，其后每一级第一移位寄存电路的开启设置端接收其前一级第一移位寄存电路的输出信号；最后一级第一移位寄存电路的复位设置端接收最终复位信号，其前每一级第一移位寄存电路的复位设置端接收其后一级第一移位寄存电路的输出信号；并且奇数级的第一移位寄存电路接收第一时钟信号，偶数级的第一移位寄存电路接收第二时钟信号，所述第一时钟信号与所述第二时钟信号反相；

在所述第二移位寄存电路区中，第一级第二移位寄存电路的开启设置端接收初始开启信号，其后每一级第二移位寄存电路的开启设置端接收其前一级第二移位寄存电路的输出信号，最后一个第二移位寄存电路的复位设置端接收最终复位信号，其前每一级第二移位寄存电路的复位设置端接收其后一级第二移位寄存电路的输出信号，并且奇数级的第二移位寄存电路接收所述第一时钟信号，偶数级的第二移位寄存电路接收所述第二时钟信号。

进一步的，当所述第一开关组开启时，第二开关组关闭；当所述第一开关组关闭时，所述第二开关组开启。

本发明还提供一种移位寄存器，用于控制显示面板的扫描线，所述移位寄存器包括：

移位寄存电路区，包括若干级联连接的移位寄存电路组，所述移位寄存电路组与所述显示面板的扫描线一一对应，每一移位寄存电路组包括两个并联连接的移位寄存子电路；

双向开关组，包括若干双向开关，每一移位寄存电路组通过一双向开关与所述显示面板的一条扫描线连接。

进一步的，当一移位寄存电路组中一个移位寄存子电路损坏后，与所述移位寄存电路组连接的双向开关指向所述移位寄存电路组中另一未损坏的移位寄存子电路。

进一步的，所述双向开关组中每一所述双向开关控制每一移位寄存电路组的第一个移位寄存子电路或控制每一移位寄存电路组的第二个移位寄存子电路。

进一步的，所述双向开关均包括两个薄膜晶体场效应管。

进一步的，所述移位寄存器还包括第一信号线和第二信号线，每一所述双向开关中第一个薄膜场效应晶体管的栅极均接所述第一信号线，源极与所述移位寄存电路组中第一个移位寄存子电路的输出端连接；每一所述双向开关中第二个薄膜场效应晶体管的栅极均接所述第二信号线，源极与所述移位寄存电路组中第二个移位寄存子电路的输出端连接；每一所述双向开关中第一个薄膜场效应晶体管的漏极和第二个薄膜场效应晶体管的漏极共同与所述显示面板的一条扫描线连接。

进一步的，所述第一信号线用以控制每一所述双向开关中第一个薄膜场效应晶体管的开启和关闭；所述第二信号线用以控制每一所述双向开关中第二个薄膜场效应晶体管的开启和关闭。

进一步的，所述双向开关均包括第一薄膜晶体场效应管组和第二薄膜场效应晶体管组，第一薄膜晶体场效应管组和第二薄膜场效应晶体管组各包括至少两个并联的薄膜场效应晶体管。

进一步的，第一薄膜晶体场效应管组和第二薄膜场效应晶体管组各由两个并联的薄膜场效应晶体管组成。

进一步的，所述移位寄存器还包括第一信号线、第二信号线、第三信号线和第四信号线，每一所述第一个薄膜场效应晶体管组中两个薄膜场效应晶体管的源极相连且均与所述移位寄存电路组中第一个移位寄存子电路的输出端连接，漏极相连且与所述显示面板的一条扫描线连接，并且每一所述第一个薄膜场效应晶体管组中第一个薄膜场效应晶体管的栅极均接第一信号线，第二个薄膜场效应晶体管的栅极均接第二信号线；每一所述第二个薄膜场效应晶体管组中两个薄膜场效应晶体管的源极相连且均与所述移位寄存电路组中第二个移位寄存子电路的输出端连接，漏极相连且与所述显示面板的一条扫描线连接，并且每一所述第二个薄膜场效应晶体管组中第一个薄膜场效应晶体管的栅极均接第三信号线，第四个薄膜场效应晶体管的栅极均接第四信号线；每一所述双向开关中两个薄膜场效应晶体管组共同与显示面板的一条扫描线连接。

进一步的，所述第一信号线和第二信号线用以交替控制所述双向开关的第一薄膜晶体场效应管组的开启和关闭；所述第三信号线和第四信号线用以交替控制所述双向开关的第二薄膜晶体场效应管组的开启和关闭。

进一步的，每一级移位寄存电路组中两个移位寄存子电路的输出端分别与一双向开关的两个选择端相连接，所述双向开关的输出端与显示面板的一条扫描线连接；第一级移位寄存电路组中两个移位寄存子电路的开启设置端均接收初始开启信号，其后每一级移位寄存电路组中两个移位寄存子电路的开启设置端均接其前一级移位寄存电路组对应的双向开关的输出端的输出信号；最后一级移位寄存电路组中两个移位寄存子电路的复位设置端均接收最终复位信号，其前每一级移位寄存电路组中两个移位寄存子电路的复位设置端均接收其后一级移位寄存电路组对应的双向开关的输出端的输出信号；并且奇数级的移位寄存电路组中两个移位寄存子电路均接收第一时钟信号，偶数级的移位寄存电路组中两个移位寄存子电路均接收第二时钟信号，所述第一时钟信号与所述第二时钟信号反相。

本发明所述移位寄存器通过在每行扫描线上相应配置两个移位寄存电路，并通过相应开关选择接通与每行扫描线连接的其中一个移位寄存电路进行正常工作，当某一移位寄存电路工作异常或失效，则相应开关控制关闭该移位寄存电路，并接通该行扫描线上配置的另一移位寄存电路，从而保障整个移位寄存器的正常工作，保持显示面板的正常显示，提高产品合格率，降低生产成本。

进一步的，本发明所述移位寄存器中，控制移位寄存电路关闭和接通的开关组中的每一开关采用多级并联及交流驱动的方式，避免在长时间接通单一开关导致开关信号开启漂移的问题，进一步保持移位寄存器的正常工作。

附图说明

图1为现有技术中具有移位寄存器的液晶显示器的方框图。

图2为本发明一实施例中移位寄存器的结构示意图。

图3为本发明另一实施例中移位寄存器的第一开关组和第二开关组结构示意图。

图4为本发明再一实施例中移位寄存器的结构示意图。

图5为本发明又一实施例中移位寄存器的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。

其次，本发明利用示意图进行了详细的表述，在详述本发明实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应以此作为对本发明的限定。

本发明的核心思想是通过提供一种移位寄存器，用于控制显示面板的扫描线，所述移位寄存器在每行扫描线上相应配置两个移位寄存电路，并通过相应开关选择接通控制每行扫描线的其中一个移位寄存电路，若某一移位寄存电路工作异常或失效，则相应开关控制关闭该移位寄存电路，并接通该行扫描线上配置的另一移位寄存电路，从而保障整个移位寄存器的正常工作，进而保持显示面板的正常显示。

以下结合本发明的核心思想详细说明本发明所提供的移位寄存器。

【实施例一】

图2为本发明一实施例中移位寄存器的结构示意图。如图2所示，在本实施例中，本发明提供一种移位寄存器，用于控制显示面板300的扫描线G1～Gn。所述移位寄存器包括：第一移位寄存电路区101，包括若干依次级联连接的第一移位寄存电路SR1L～SRnL，所述第一移位寄存电路SR1L～SRnL与所述显示面板300的扫描线G1～Gn一一对应；第一开关组201，包括若干第一开关，每一所述第一移位寄存电路SR1L～SRnL通过一第一开关与显示面板300的一条扫描线G1～Gn连接；第二移位寄存电路区103，包括若干依次级联连接的第二移位寄存电路SR1R～SRnR，所述第二移位寄存电路SR1R～SRnR与所述显示面板300的扫描线G1～Gn一一对应；第二开关组203，包括若干第二开关，每一所述第二移位寄存电路SR1R～SRnR通过一第二开关与一显示面板300的一条扫描线G1～Gn连接。

当所述第一开关组201开启时，第二开关组203关闭；当所述第一开关组201关闭时，所述第二开关组203开启。第一开关组201开启时，第一移位寄存电路区101工作，当第二开关组203开启时，第二移位寄存电路区103工作，从而保障移位寄存器的正常工作。

在本实施例中，所述第一移位寄存电路区101和第二移位寄存电路103区分列于所述显示面板300的两侧。其中，在依次级联的第一移位寄存电路SR1L～SRnL与依次级联的第二移位寄存电路SR1R～SRnR中，级数排列次序相同的第一移位寄存电路SR1L～SRnL与第二移位寄存电路SR1R～SRnR分别连接于所述显示面板300的同一条扫描线G1～Gn的两端。

在一实施例中，每个所述第一开关均为一薄膜场效应晶体管，每个所述第二开关均为一薄膜场效应晶体管。则进一步的，所述移位寄存器还包括第一信号线SW1和第二信号线SW2，所述第一信号线SW1用以控制所述第一开关组201的开启和关闭；所述第二信号线SW2用以控制所述第二开关组203的开启和关闭。所述第一开关包括栅极，源极和漏极。所述第一开关的栅极均连接所述第一信号线SW1，源极与所述第一移位寄存电路SR1L～SRnL的输出端连接，漏极与所述显示面板300的扫描线G1～Gn的一端连接。所述第二开关包括栅极、源极和漏极。所述第二开关的栅极均连接所述第二信号线SW2，源极与所述第二移位寄存电路SR1R～SRnR的输出端连接，漏极与所述显示面板300的扫描线G1～Gn的另一端连接。

进一步的，在所述第一移位寄存电路区101中，第一级第一移位寄存电路SR1L的开启设置端STR接收初始开启信号STP，其后每一级第一移位寄存电路SR2L～SRnL的开启设置端STR接收其前一级第一移位寄存电路SR1L～SR(n-1)L的输出信号；最后一级第一移位寄存电路SRnL的复位设置端RST接收最终复位信号Reset，其前每一级第一移位寄存电路SR1L～SR(n-1)L的复位设置端RST接收其后一级第一移位寄存电路SR2L～SRnL的输出信号；并且奇数级的第一移位寄存电路接收第一时钟信号CLK1，偶数级的第一移位寄存电路接收第二时钟信号CLK2，所述第一时钟信号CLK1与所述第二时钟信号CLK2反相；

在所述第二移位寄存电路区103中，第一级第二移位寄存电路SR1R的开启设置端STR接收初始开启信号STP，其后每一级第二移位寄存电路SR2R～SRnR的开启设置端STR接收其前一级第二移位寄存电路SR1R～SR(n-1)R的输出信号，最后一个第二移位寄存电路SRnR的复位设置端RST接收最终复位信号Reset，其前每一级第二移位寄存电路SR1R～SR(n-1)R的复位设置端接收其后一级第二移位寄存电路SR2R～SRnR的输出信号，并且奇数级的第二移位寄存电路接收所述第一时钟信号CLK1，偶数级的第二移位寄存电路接收所述第二时钟信号CLK2。

【实施例二】

图3为本发明另一实施例中移位寄存器的第一开关组和第二开关组结构示意图。结合图1和图3所示，在实施例一的基础上，所述第一移位寄存电路区101和第二移位寄存电路区103的结构相同，所述第一开关组201和第二开关组203做以改变，即如图3所示，在所述第一开关组201中，每一所述第一开关均包括至少两个并联连接的薄膜场效应晶体管，在所述第一开关组203中，所述第二开关均包括至少两个并联连接的薄膜场效应晶体管。在较佳的实施例中，所述第一开关均由两个的薄膜场效应晶体管组成，所述第二开关均由两个薄膜场效应晶体管组成。所述移位寄存器还包括第一信号线SW1a、第二信号线SW1b、第三信号线SW2a和第四信号线SW2b，每一所述第一开关中两个薄膜场效应晶体管的源极相连并连接所述第一移位寄存电路SR1L～SRnL的输出端，所述第一开关中两个薄膜场效应晶体管的漏极相连并连接所述显示面板300的扫描线G1～Gn，每一所述第一开关中第一个薄膜场效应晶体管的栅极接第一信号线SW1a，第二个薄膜场效应晶体管的栅极接第二信号线SW1b；每一所述第二开关中两个薄膜场效应晶体管的源极相连并连接所述第二移位寄存电路SR1R～SRnR的输出端，所述第二开关中两个薄膜场效应晶体管的漏极相连并连接所述显示面板300的扫描线G1～Gn，每一所述第二开关中第一个薄膜场效应晶体管的栅极接第三信号线SW2a，第二个薄膜场效应晶体管的栅极接第四信号线SW2b。所述第一信号线SW1a和第二信号线SW1b用以交替控制所述第一开关组201的开启和关闭；所述第三信号线SW2a和第四信号线SW2b用以交替控制所述第二开关组203的开启和关闭。采用所述第一信号线SW1a和第二信号线SW1b用以交替控制所述第一开关组201的开启和关闭，以及采用所述第三信号线SW2a和第四信号线SW2b用以交替控制所述第二开关组203的开启和关闭，从而通过采用多级并联及交流驱动的方式，能够避免在长时间接通单一开关导致开关信号开启漂移的问题，进而保持移位寄存器的正常工作。

进一步的，当所述第一开关组201开启时，第二开关组203关闭；当所述第一开关组201关闭时，所述第二开关组203开启。第一开关组201开启时，第一移位寄存电路区101工作，当第二开关组203开启时，第二移位寄存电路区103工作。

【实施例三】

图4为本发明再一实施例中移位寄存器的结构示意图。如图4所示，在本实施例中，所述移位寄存器包括：移位寄存电路区101，包括若干级联连接的移位寄存电路组1011，所述移位寄存电路组1011与所述显示面板300的扫描线G1～Gn一一对应，每一移位寄存电路组1011包括两个并联连接的移位寄存子电路SR1a与SR1b、SR2a与SR2b……SRna与SRnb；双向开关组201，包括若干双向开关2011，每一移位寄存电路组1011通过一双向开关2011与所述显示面板300的一条扫描线G1～Gn连接。

进一步的，当一移位寄存电路组1011中一个移位寄存子电路损坏后，与所述移位寄存电路组101连接的双向开关201指向所述移位寄存电路组中另一未损坏的移位寄存子电路。例如，与所述显示面板300第二条扫描线G2连接的移位寄存电路组1011和双向开关2011中，当一移位寄存电路SR2a在接通中失效时，则双向开关转为关闭移位寄存电路SR2a并接通另一移位寄存电路SR2b。

进一步的，所述双向开关组2011中每一所述双向开关控制每一移位寄存电路组1011的第一个移位寄存子电路SR1a、SR2a……SRna或控制每一移位寄存电路组的第二个移位寄存子电路SR1b、SR2b……SRnb。

进一步的，如图3所示，所述双向开关2011包括两个薄膜晶体场效应管。进一步的，所述移位寄存器还包括第一信号线SW1a和第二信号线SW1b，每一所述双向开关2011中第一个薄膜场效应晶体管的栅极均接所述第一信号线SW1a、源极与所述移位寄存电路组101中第一个移位寄存子电路SR1a、SR2a……SRna的输出端连接；每一所述双向开关中第二个薄膜场效应晶体管的栅极均接所述第二信号线SW1b、源极与所述移位寄存电路组101中第二个移位寄存子电路SR1b、SR2b……SRnb的输出端连接；每一所述双向开关中第一个薄膜场效应晶体管的漏极和第二个薄膜场效应晶体管的漏极共同与所述显示面板300的一条扫描线G1～Gn连接。

进一步的，所述第一信号线SW1a用以控制每一所述双向开关2011中第一个薄膜场效应晶体管的开启和关闭；所述第二信号线SW1b用以控制每一所述双向开关2011中第二个薄膜场效应晶体管的开启和关闭。

在本实施例中，每一级移位寄存电路组1011中两个移位寄存子电路的输出端分别与一双向开关201的两个选择端相连接，所述双向开关201的输出端与显示面板300的一条扫描线G1～Gn连接；第一级移位寄存电路组1011中两个移位寄存子电路SR1a和SR1b的开启设置端STR均接收初始开启信号STP，其后每一级移位寄存电路组1011中两个移位寄存子电路SR2a和SR2b、SR3a和SR3b～SRna和SRnb的开启设置端均接其前一级移位寄存电路组SR1a和SR1b、SR2a和SR2b～SR(n-1)a和SR(n-1)b对应的双向开关2011的输出端的输出信号；最后一级移位寄存电路组1011中两个移位寄存子电路SRna和SRnb的复位设置端RST均接收最终复位信号Reset，其前每一级移位寄存电路组1011中两个移位寄存子电路SR1a和SR1b、SR2a和SR2b～SR(n-1)a和SR(n-1)b的复位设置端RST均接收其后一级移位寄存电路组SR2a和SR2b、SR3a和SR3b～SRna和SRnb对应的双向开关1011的输出端的输出信号；并且奇数级的移位寄存电路组中两个移位寄存子电路均接收第一时钟信号CLK1，偶数级的移位寄存电路组中两个移位寄存子电路均接收第二时钟信号CLK1，所述第一时钟信号CLK1与所述第二时钟信号CLK2反相。

【实施例四】

图5为本发明又一实施例中移位寄存器的结构示意图。如图5所示，本实施例在实施例三和实施例四的基础上，即所述移位寄存电路区的结构如图4所示，将实施例四中双向开关组201中的每一双向开关2011中的两个的薄膜晶体场效应管组均结构替换为包括如图3中所示的两个以上的薄膜晶体场效应管组，即所述双向开关2011均包括第一薄膜晶体场效应管组和第二薄膜场效应晶体管组，第一薄膜晶体场效应管组和第二薄膜场效应晶体管组各包括至少两个并联的薄膜场效应晶体管。

如图5所示，第一薄膜晶体场效应管组和第二薄膜场效应晶体管组各由两个并联的薄膜场效应晶体管组成。所述移位寄存器还包括第一信号线SW1a、第二信号线SW1b、第三信号线SW2a和第四信号线SW2b，每一所述第一个薄膜场效应晶体管组中两个薄膜场效应晶体管的源极相连且均与所述移位寄存电路组中第一个移位寄存子电路SR1a、SR2a……SRna的输出端连接，漏极相连且与所述显示面板300的一条扫描线G1～Gn连接，并且每一所述第一个薄膜场效应晶体管组中第一个薄膜场效应晶体管的栅极均接第一信号线SW1a，第二个薄膜场效应晶体管的栅极均接第二信号线SW1b；每一所述第二个薄膜场效应晶体管组中两个薄膜场效应晶体管的源极相连且均与所述移位寄存电路组中第二个移位寄存子电路SR1n、SR2n……SRnb的输出端连接，漏极相连且与所述显示面板300的一条扫描线G1～Gn连接，并且每一所述第二个薄膜场效应晶体管组中第一个薄膜场效应晶体管的栅极均接第三信号线SW3a，第四个薄膜场效应晶体管的栅极均接第四信号线SW4a；每一所述双向开关中两个薄膜场效应晶体管组共同与显示面板300的一条扫描线G1～Gn连接。所述第一信号线SW1a和第二信号线SW1b用以交替控制所述双向开关2011的第一薄膜晶体场效应管组的开启和关闭；所述第三信号线SW2a和第四信号线SW2b用以交替控制所述双向开关2011的第二薄膜晶体场效应管组的开启和关闭。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims

1.一种移位寄存器，用于控制显示面板的扫描线，其特征在于，所述移位寄存器包括：

2.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述第一开关均为一薄膜场效应晶体管，所述第二开关均为一薄膜场效应晶体管。

3.如权利要求2所述的移位寄存器，其特征在于，所述移位寄存器还包括第一信号线和第二信号线，所述第一信号线用以控制所述第一开关组的开启和关闭；所述第二信号线用以控制所述第二开关组的开启和关闭。

4.如权利要求3所述的移位寄存器，其特征在于，所述第一开关的栅极均连接所述第一信号线，源极与所述第一移位寄存电路的输出端连接，漏极与所述显示面板的扫描线的一端连接；所述第二开关的栅极均连接所述第二信号线，源极与所述第二移位寄存电路的输出端连接，漏极与所述显示面板的扫描线的另一端连接。

5.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述第一开关均包括至少两个薄膜场效应晶体管，所述第二开关均包括至少两个薄膜场效应晶体管。

6.如权利要求5所述的移位寄存器，其特征在于，所述第一开关均由两个的薄膜场效应晶体管组成，所述第二开关均由两个薄膜场效应晶体管组成。

7.如权利要求6所述的移位寄存器，其特征在于，所述移位寄存器还包括第一信号线、第二信号线、第三信号线和第四信号线，每一所述第一开关中两个薄膜场效应晶体管的源极相连并连接所述第一移位寄存电路的输出端，所述第一开关中两个薄膜场效应晶体管的漏极相连并连接所述显示面板的扫描线，每一所述第一开关中第一个薄膜场效应晶体管的栅极接第一信号线，第二个薄膜场效应晶体管的栅极接第二信号线；每一所述第二开关中两个薄膜场效应晶体管的源极相连并连接所述第二移位寄存电路的输出端，所述第二开关中两个薄膜场效应晶体管的漏极相连并连接所述显示面板的扫描线，每一所述第二开关中第一个薄膜场效应晶体管的栅极接第三信号线，第二个薄膜场效应晶体管的栅极接第四信号线。

8.如权利要求7所述的移位寄存器，其特征在于，所述第一信号线和第二信号线用以交替控制所述第一开关组的开启和关闭；所述第三信号线和第四信号线用以交替控制所述第二开关组的开启和关闭。

9.如权利要求1至8中任意一项所述的移位寄存器，其特征在于，所述第一移位寄存电路区和第二移位寄存电路区分列于所述显示面板的两侧。

10.如权利要求9所述的移位寄存器，其特征在于，在依次级联的第一移位寄存电路与依次级联的第二移位寄存电路中，级数排列次序相同的第一移位寄存电路与第二移位寄存电路分别连接于所述显示面板的同一条扫描线的两端。

11.如权利要求1至8中任意一项所述的移位寄存器，其特征在于，

在所述第一移位寄存电路区中，第一级第一移位寄存电路的开启设置端接收初始开启信号，其后每一级第一移位寄存电路的开启设置端接收其前一级第一移位寄存电路的输出信号；最后一级第一移位寄存电路的复位设置端接收最终复位信号，其前每一级第一移位寄存电路的复位设置端接收其后一级第一移位寄存电路的输出信号；并且奇数级的第一移位寄存电路接收第一时钟信号，偶数级的第一移位寄存电路接收第二时钟信号，所述第一时钟信号与所述第二时钟信号反相；

12.如权利要求1至8中任意一项所述的移位寄存器，其特征在于，当所述第一开关组开启时，第二开关组关闭；当所述第一开关组关闭时，所述第二开关组开启。

13.一种移位寄存器，用于控制显示面板的扫描线，其特征在于，所述移位寄存器包括：

14.如权利要求13所述的移位寄存器，其特征在于，当一移位寄存电路组中一个移位寄存子电路损坏后，与所述移位寄存电路组连接的双向开关指向所述移位寄存电路组中另一未损坏的移位寄存子电路。

15.如权利要求13所述的移位寄存器，其特征在于，所述双向开关组中每一所述双向开关控制每一移位寄存电路组的第一个移位寄存子电路或控制每一移位寄存电路组的第二个移位寄存子电路。

16.如权利要求13所述的移位寄存器，其特征在于，所述双向开关均包括两个薄膜晶体场效应管。

17.如权利要求16所述的移位寄存器，其特征在于，所述移位寄存器还包括第一信号线和第二信号线，每一所述双向开关中第一个薄膜场效应晶体管的栅极均接所述第一信号线，源极与所述移位寄存电路组中第一个移位寄存子电路的输出端连接；每一所述双向开关中第二个薄膜场效应晶体管的栅极均接所述第二信号线，源极与所述移位寄存电路组中第二个移位寄存子电路的输出端连接；每一所述双向开关中第一个薄膜场效应晶体管的漏极和第二个薄膜场效应晶体管的漏极共同与所述显示面板的一条扫描线连接。

18.如权利要求17所述的移位寄存器，其特征在于，所述第一信号线用以控制每一所述双向开关中第一个薄膜场效应晶体管的开启和关闭；所述第二信号线用以控制每一所述双向开关中第二个薄膜场效应晶体管的开启和关闭。

19.如权利要求13所述的移位寄存器，其特征在于，所述双向开关均包括第一薄膜晶体场效应管组和第二薄膜场效应晶体管组，第一薄膜晶体场效应管组和第二薄膜场效应晶体管组各包括至少两个并联的薄膜场效应晶体管。

20.如权利要求19所述的移位寄存器，其特征在于，第一薄膜晶体场效应管组和第二薄膜场效应晶体管组各由两个并联的薄膜场效应晶体管组成。

21.如权利要求20所述的移位寄存器，其特征在于，所述移位寄存器还包括第一信号线、第二信号线、第三信号线和第四信号线，每一所述第一个薄膜场效应晶体管组中两个薄膜场效应晶体管的源极相连且均与所述移位寄存电路组中第一个移位寄存子电路的输出端连接，漏极相连且与所述显示面板的一条扫描线连接，并且每一所述第一个薄膜场效应晶体管组中第一个薄膜场效应晶体管的栅极均接第一信号线，第二个薄膜场效应晶体管的栅极均接第二信号线；每一所述第二个薄膜场效应晶体管组中两个薄膜场效应晶体管的源极相连且均与所述移位寄存电路组中第二个移位寄存子电路的输出端连接，漏极相连且与所述显示面板的一条扫描线连接，并且每一所述第二个薄膜场效应晶体管组中第一个薄膜场效应晶体管的栅极均接第三信号线，第四个薄膜场效应晶体管的栅极均接第四信号线；每一所述双向开关中两个薄膜场效应晶体管组共同与显示面板的一条扫描线连接。

22.如权利要求21所述的移位寄存器，其特征在于，所述第一信号线和第二信号线用以交替控制所述双向开关的第一薄膜晶体场效应管组的开启和关闭；所述第三信号线和第四信号线用以交替控制所述双向开关的第二薄膜晶体场效应管组的开启和关闭。

23.如权利要求13至22中任意一项所述的移位寄存器，其特征在于，

每一级移位寄存电路组中两个移位寄存子电路的输出端分别与一双向开关的两个选择端相连接，所述双向开关的输出端与显示面板的一条扫描线连接；

第一级移位寄存电路组中两个移位寄存子电路的开启设置端均接收初始开启信号，其后每一级移位寄存电路组中两个移位寄存子电路的开启设置端均接其前一级移位寄存电路组对应的双向开关的输出端的输出信号；最后一级移位寄存电路组中两个移位寄存子电路的复位设置端均接收最终复位信号，其前每一级移位寄存电路组中两个移位寄存子电路的复位设置端均接收其后一级移位寄存电路组对应的双向开关的输出端的输出信号；并且奇数级的移位寄存电路组中两个移位寄存子电路均接收第一时钟信号，偶数级的移位寄存电路组中两个移位寄存子电路均接收第二时钟信号，所述第一时钟信号与所述第二时钟信号反相。