CN103293774A - Tft阵列基板、tft液晶显示面板及制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种TFT阵列基板、TFT液晶显示面板及制作方法，以解决现有液晶显示面板的周边盒厚不均匀的问题。本发明提供的TFT阵列基板，具有与所述绝缘层为一体结构、并以预设方式排布在所述基板待涂布封框胶区域对应位置处、能够将所述TFT阵列基板和与其相对设置的彩膜基板电连接的若干支撑物；且所述若干个支撑物具有位于同一水平面用于支撑所述彩膜基板的上顶平面，兼具支撑和导电的功能，使得进行上下基板对盒时能够更精确的控制盒厚。

Description

TFT阵列基板、TFT液晶显示面板及制作方法

技术领域

本发明涉及液晶显示器制造领域，尤其涉及TFT阵列基板、TFT液晶显示面板及制作方法。

背景技术

目前液晶显示器的应用越来越广泛，现有的液晶显示器一般由上下两个基板对盒形成，对盒后的上下基板的四周都是用封框胶进行贴合的。

为了使贴合后的上下基板形成的显示面板盒厚均匀，并使上下基板电性导通，一般在外围封框胶区域设置有硅球和金球，硅球在周边结构中起支持周边盒厚的作用，金球用于导通上下基板，如图1所示为现有的液晶显示面板周边结构示意图。

图1中，液晶显示面板由彩膜基板和具有TFT阵列的阵列基板对盒形成，TFT阵列基板的玻璃基板2形成有数条扫描线和数条数据线（图中未标示），数条扫描线与数条数据线相交限定形成阵列排布的像素区域，像素区域内形成有TFT阵列，每一TFT内包括有栅极3，以及依次形成于栅极上的栅绝缘层4、半导体层和源/漏金属层（通常形成TFT的源极的金属与形成漏极的金属在同一个工艺步骤中形成，因此二者位于同一层，统称为源/漏金属层，且图中未标示），阵列基板上还包括形成于TFT阵列之上的绝缘层5。彩膜基板的玻璃基板1上包括色层6和遮光层7。由图1可知，球形的硅球8和金球9是独立于TFT阵列基板和彩膜基板的，并掺杂在粘合彩膜基板和阵列基板的封框胶10内，与遮光层7和绝缘层5的接触面积很小，很难控制周边盒厚，导致液晶显示器的周边盒厚不均匀，影响显示效果。

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT阵列基板、TFT液晶显示面板及制作方法，以解决现有液晶显示面板的周边盒厚不均匀的问题。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明一方面提供了一种薄膜晶体管TFT阵列基板，包括形成在基板上的TFT，以及位于所述TFT之上的绝缘层，还包括：与所述绝缘层为一体结构、并以预设方式排布在所述基板待涂布封框胶区域对应位置处、能够将所述TFT阵列基板和与其相对设置的彩膜基板电连接的若干个支撑物；且所述若干个支撑物具有位于同一水平面用于支撑所述彩膜基板的上顶平面。

优选的，所述支撑物包括由树脂材料形成的支撑部，以及

涂覆于所述支撑部表面的、厚度均匀的金属氧化物薄膜。

进一步的，所述支撑部为通过掩膜工艺一体形成在所述绝缘层之上，并与所述绝缘层具有设定接触面积的规则形状或不规则形状，所述支撑部的形状优选柱状。

进一步优选的，所述TFT阵列基板还包括：

像素电极；

电连接所述像素电极与TFT漏极、且靠近所述基板待涂布封框胶区域的过孔；以及位于所述过孔内、表面涂覆有厚度均匀的金属氧化物薄膜的若干个支撑部，且若干个所述支撑部具有位于同一水平面用于支撑所述彩膜基板的上顶平面。

其中，位于过孔外的支撑部高度为遮光层和所述绝缘层之间的垂直距离，其中所述遮光层位于与所述TFT阵列基板相对设置的彩膜基板上；位于过孔内的支撑部高度为位于过孔外的支撑部高度与所述绝缘层厚度之和。

位于过孔外的支撑部与位于过孔内的支撑部沿所述基板边缘延伸方向平行排列。

本发明还提供了一种液晶显示面板，该液晶显示面板包括：

上述薄膜晶体管TFT阵列基板；

与所述TFT阵列基板相对设置的彩膜基板，所述彩膜基板面向所述TFT阵列基板的一面上形成有遮光层和色层，在所述遮光层对应于所述TFT阵列基板的所述支撑物的位置处形成有支撑物衬垫；以及

设置于所述TFT阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层。

本发明另一方面还提供了一种薄膜晶体管TFT阵列基板的制造方法，包括：在基板上形成TFT阵列以及绝缘层，该方法还包括：

在所述绝缘层之上，形成与所述绝缘层为一体结构，并能够将TFT阵列基板和与其相对设置的彩膜基板电连接的若干支撑物，其中，所述若干支撑物具有位于同一水平面用于支撑所述彩膜基板的上顶平面，并以预设方式排布在所述基板待涂布封框胶区域对应位置处。

上述薄膜晶体管TFT阵列基板的制造方法优选包括：

在所述绝缘层上沉积树脂有机膜；

对所述有机膜进行曝光、显影、刻蚀后，在所述基板待涂布封框胶区域对应位置处一体形成若干所述支撑物的支撑部；

在所述支撑部表面沉积厚度均匀的金属氧化物薄膜。

优选的，在所述支撑部表面沉积均匀厚度的金属氧化物薄膜之前，上述方法还包括：

形成像素电极，以及电连接所述像素电极与TFT漏极的过孔；

在靠近所述基板待涂布封框胶区域的所述过孔内，一体形成能够将所述TFT阵列基板和与其相对设置的彩膜基板电连接的若干支撑部，若干所述支撑部具有位于同一水平面用于支撑所述彩膜基板的上顶平面。

本发明再一方面还提供了一种液晶显示面板的制作方法，该方法包括：

提供一TFT阵列基板；

在所述TFT阵列基板的TFT阵列上形成绝缘层；

在所述绝缘层上沉积树脂有机膜；

对所述有机膜进行曝光、显影、刻蚀后，形成与所述绝缘层为一体结构，并能够将TFT阵列基板和与其相对设置的彩膜基板电连接的若干支撑物的支撑部，其中，若干所述支撑部具有位于同一水平面用于支撑所述彩膜基板的上顶平面，并以预设方式排布在所述基板待涂布封框胶区域对应位置处；

在所述支撑部表面沉积均匀厚度的金属氧化物薄膜；

提供一形成有密封胶框的彩膜基板，并在所述彩膜基板的遮光层对应于所述TFT阵列基板的所述支撑物的位置处形成支撑物衬垫；

在所述密封胶框内滴入液晶，并将所述TFT阵列基板与所述彩膜基板相对贴合，所述TFT基板与所述彩膜基板之间通过所述支撑物支撑，将液晶封装在所述TFT阵列基板与所述彩膜基板之间。

本发明提供的TFT阵列基板、TFT液晶显示面板及制作方法，在TFT阵列基板待涂布封框胶区域对应位置处，形成与TFT阵列基板绝缘层为一体结构，具有位于同一水平面用于支撑所述彩膜基板的上顶平面，并能够将TFT阵列基板与其相对设置的彩膜基板电连接的支撑物，该支撑物与绝缘层为一体结构，并以设定方式排布，则相较现有中利用独立于阵列基板的硅球和金球支撑彩膜基板更稳固，并能够更好的起到支撑作用，并且该支撑物兼具支撑与导通上下基板的功能，避免单独选取硅球和金球，更为精确的控制周边盒厚。

附图说明

图1为现有技术中液晶显示面板周边结构示意图；

图2为本发明实施例一提供的TFT阵列基板周边结构示意图；

图3为本发明实施例一提供的另一TFT阵列基板周边结构示意图；

图4为本发明实施例一提供的再一TFT阵列基板周边结构示意图；

图5为本发明实施例二提供的液晶显示面板周边结构示意图；

图6为本发明实施例三提供的TFT阵列基板制作流程图；

图7为本发明实施例四提供的液晶显示面板制作流程图。

具体实施方式

本发明实施例提供的TFT阵列基板、TFT液晶显示面板及制作方法，在待涂布封框胶区域位置处形成兼具支撑作用与导电功能的支撑物，通过该阵列基板与彩膜基板对盒，能够较精确的控制周边盒厚。

以下将结合附图，对本发明实施例提供的TFT阵列基板、TFT液晶显示面板及制作方法的具体实施方式进行详细地说明，附图中各区域大小和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

如图2所示，为本发明实施例一提供的TFT阵列基板周边结构示意图，本发明实施例中TFT阵列基板包括位于TFT阵列之上的绝缘层5，以及与绝缘层5为一体结构的，能够将TFT阵列基板和与其相对设置的彩膜基板电连接的支撑物11，且该支撑物11具有位于同一水平面用于支撑所述彩膜基板的上顶平面，并以预设方式排布在阵列基板待涂布封框胶区域对应位置处。

本发明实施例提供的TFT阵列基板，在TFT阵列基板待涂布封框胶区域对应位置处具有，与TFT阵列基板绝缘层为一体结构，位于同一水平面用于支撑所述彩膜基板的上顶平面，并能够将TFT阵列基板与其相对设置的彩膜基板电连接的支撑物，该支撑物与绝缘层为一体结构，并以设定方式排布，则相较现有中利用独立于阵列基板的硅球和金球支撑彩膜基板更稳固，并能够更好的起到支撑作用，并且该支撑物兼具支撑与导通上下基板的功能，避免单独选取硅球和金球，更为精确的控制周边盒厚。

优选的，本发明实施例中支撑物可选用易成型的树脂材料形成一支撑部110，并且使该支撑部表面涂覆有厚度均匀的金属氧化物薄膜13，使形成的支撑物相对硬度也较小，减小对绝缘层的挤压，同时在树脂材料形成的支撑物表面涂覆有厚度均匀的金属氧化物薄膜13，使得对盒后的阵列基板与彩膜基板通过该金属氧化物导通，如图3所示，即该支撑物兼具硅球和金球的作用，简化制作工艺。

本发明实施例中支撑部110的形状并不做限定，只要能够起到支撑作用即可，但为了避免形成的支撑部110受到外力挤压后，刺破位于其下方的绝缘层5，本发明实施例中优选该支撑部110为通过掩膜工艺一体形成在绝缘层5之上的规则形状或不规则形状，进一步优选与绝缘层5具有设定接触面积的规则形状或不规则形状。

进一步优选的，本发明实施例中支撑物的形状优选柱状，一方面柱状支撑物较易形成，另一方面柱状支撑物具有一定的底面积，增大支撑物与绝缘层之间的有效接触面积，防止受到外力挤压时，支撑物刺破比较软的绝缘层5，由于柱状支撑物与绝缘层之间的有效接触面积相较于现有的硅球与绝缘层之间的有效接触面积较大，一般不会刺破绝缘层5，可减小绝缘层5的厚度。

优选的，本发明实施例中位于TFT阵列基板上待涂布封框胶区域位置处的支撑物11的排布密度以及排列方式并不做限定，可根据实际情况进行选择。

进一步优选的，为了进一步增强周边盒厚的均匀性，本发明实施例提供的TFT阵列基板还包括：

像素电极（图中未标示）；

电连接像素电极与TFT漏极、且靠近基板待涂布封框胶区域的过孔12；以及位于该过孔12内的，和与绝缘层为一体结构的支撑物11相同功能的其他若干个支撑物，如图4所示。为了能够起到支撑作用，位于过孔外的支撑部111与位于过孔内的支撑部112在靠近彩膜基板一侧的上顶平面应位于同一水平面，从而使位于过孔12外的支撑部111和位于过孔12内的支撑部112二者之间在过孔12对应位置处形成段差，根据物理学受力原理，当对盒后形成的液晶显示面板被挤压时，通过该段差能够进一步的保证盒厚的均匀性。

进一步优选的，本发明实施例中可将位于过孔12外的支撑部111和位于过孔12内的支撑部112沿基板边缘延伸方向平行排列，以使被挤压时受力均匀，进一步控制盒厚的均匀性。

进一步的，本发明实施例中位于过孔12外的支撑部111高度为位于彩膜基板上的遮光层7和绝缘层5之间的垂直距离；位于过孔12内的支撑部112高度为位于过孔12外的支撑部111高度与绝缘层5厚度之和。

本发明实施例中通过遮光层7与绝缘层5之间的距离计算位于TFT阵列基板一侧的支撑物高度，一方面能够根据不同TFT液晶面板上遮光层7与绝缘层5之间的距离灵活调整支撑物的高度，另一方面将支撑物高度设定为遮光层7和绝缘层5之间的垂直距离，能够更精确的控制盒厚。

本发明实施例二在实施例一的基础上提供一种液晶显示面板，该液晶显示面板包括实施例一中的TFT阵列基板，本发明实施例二中的TFT阵列基板具有实施例一中的全部技术特征，在此不再赘述。

本发明实施例提供的液晶显示面板还包括与TFT阵列基板相对设置的彩膜基板，其中，彩膜基板的玻璃基板1面向TFT阵列基板的一面上形成有遮光层7和色层6，遮光层7对应于支撑物11的位置处形成有支撑物衬垫（图中未标示）。在TFT阵列基板与彩膜基板之间还设置有液晶层。如图5所示为本发明实施例二提供的在TFT阵列基板一侧的封框胶区域形成有支撑物的液晶显示面板周边结构示意图。

本发明实施例提供的液晶显示面板，通过TFT阵列基板上待涂布封框胶区域位置处的具有导通上下基板功能的支撑物控制周边盒厚更精确，减少因周边硅球和金球间的搭配计算错误导致的盒厚不良，提高液晶显示面板的试做成功率。并且本发明实施例中支撑物形成在TFT阵列基板绝缘层之上，不再是独立于基板的部件，使得液晶显示面板周边受压时，不会造成绝缘层被刺穿，降低了绝缘层的厚度，并能避免绝缘层被刺穿导致的亮线类不良。

进一步的，本发明实施例提供的液晶显示面板利用树脂支撑物取代原有周边结构中的硅球和金球，能够降低成本。并且将支撑物放置在TFT阵列基板一侧，因为封框胶涂布设备的感应器设置在封框胶涂布路径旁边一定距离处，所以不会对封框胶涂布造成干扰。若放置在CF侧，则有可能在贴合时造成封框胶被挤压扩散至显示面板内，造成液晶污染。

本发明实施例三还提供了一种TFT阵列基板的制造方法，该方法包括在基板上形成TFT阵列以及绝缘层，形成与该绝缘层为一体结构，并能够将TFT阵列基板和与其相对设置的彩膜基板电连接的若干支撑物，其中，若干个支撑物具有位于同一水平面用于支撑彩膜基板的上顶平面，并以预设方式排布在基板待涂布封框胶区域对应位置处。

作为一个较佳的实施例，以下将结合具体的实际应用对上述TFT阵列基板的制作方法做进一步详细的说明，制作流程如图6所示，并请同时参阅图4。

步骤S601：提供一基板2，在本发明实施例中基板2为玻璃基板。

步骤S602：在基板2上形成TFT阵列。

具体的，本发明实施例中形成TFT阵列的过程可采用现有的制作方法，包括在基板2上形成数条扫描线和数条数据线，数条扫描线与数条数据线相交限定形成阵列排布的像素区域，在每个像素区域内形成TFT阵列，每一TFT内包括与扫描线电连接的栅极3，以及依次形成在栅极上的栅绝缘层4、半导体层和源漏极（图中未标示）。

步骤S603：在TFT阵列之上沉积形成绝缘层5。

步骤S604：在绝缘层5上沉积树脂有机膜。

具体的，本发明实施例中有机膜优选树脂材料，以使后续形成的支撑物硬度较低。

步骤S605：对有机膜进行曝光、显影、刻蚀后形成与绝缘层5为一体结构的支撑部110。

具体的，本发明实施例中形成的支撑部110位于绝缘层5之上，且位于阵列基板待涂布封框胶区域对应位置处，并以预设方式排布，同时本发明实施例中为能够更好的控制盒厚均匀性，支撑部110具有位于同一水平面用于支撑彩膜基板的上顶平面。

本发明实施例中支撑部110的形状并不做限定，只要能够起到支撑作用即可，但为了避免形成的支撑部110受到外力挤压后，刺破位于其下方的绝缘层5，本发明实施例中优选通过掩膜工艺一体形成与绝缘层5具有设定接触面积的，并具有规则形状或不规则形状的支撑部110。

进一步优选的，本发明实施例中优选通过掩膜工艺一体形成柱状的支撑部110，一方面柱状支撑物较易形成，另一方面柱状支撑物具有一定的底面积，增大支撑物与绝缘层之间的有效接触面积，防止受到外力挤压时，支撑物刺破比较软的绝缘层5，由于柱状支撑物与绝缘层之间的有效接触面积相较于现有的硅球与绝缘层之间的有效接触面积较大，一般不会刺破绝缘层5，可减小绝缘层5的厚度。

优选的，本发明实施例中位于TFT阵列基板上待涂布封框胶区域位置处的支撑部110的排布密度以及排列方式并不做限定，可根据实际情况进行选择。

优选的，本发明实施例还可在所述支撑部表面沉积均匀厚度的金属氧化物薄膜之前，形成像素电极，以及电连接所述像素电极与TFT漏极的过孔；在靠近基板待涂布封框胶区域，像素电极与TFT漏极电连接的过孔内一体形成与支撑物11具有相同功能的支撑物，使位于过孔12外的支撑部111和位于过孔12内的支撑部112二者之间在过孔12对应位置处形成段差，当对盒后形成的液晶显示面板被挤压时，通过该段差能够进一步的保证盒厚的均匀性。

进一步优选的，本发明实施例中可将位于过孔12外的支撑部111和位于过孔12内的支撑部112沿基板边缘延伸方向平行排列，以使被挤压时受力均匀，进一步控制盒厚的均匀性。

进一步的，本发明实施例中位于过孔外的支撑物高度为位于彩膜基板一侧的遮光层7和TFT阵列基板一侧的绝缘层5之间的垂直距离；位于过孔内的支撑物高度为位于过孔外的支撑物高度与TFT阵列基板一侧的绝缘层厚度之和。

步骤S606：在形成的支撑部表面沉积均匀厚度的金属氧化物薄膜。

具体的，本发明实施例中在树脂材料制作的支撑部表面沉积金属氧化物薄膜，使得上下基板对盒后能够导通，以达到金球的作用，从而形成的支撑物兼具硅球和金球的作用，简化制作工艺，并降低工艺成本。

需要说明的是本发明实施例中采用树脂形成支撑物，一方面由于树脂具有易成型，硬度小的优点，另一方面还由于在液晶显示面板制作工艺中沉积金属氧化物薄膜是不可缺少的一个步骤，因此，本发明实施例中相对现有的制作方法，仅仅增加了沉积树脂有机膜并曝光、显影和刻蚀的步骤，实现较简单。

本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法，通过在绝缘层之上沉积树脂有机膜，并对该有机膜进行曝光、显影、刻蚀后，在待涂布封框胶区域对应位置处形成支撑物，并在支撑部表面沉积金属氧化物薄膜，使得支撑物同时具有支撑与导电的功能，无需单独制作，能够较精确的控制周边盒厚。

本发明实施例四提供了一种液晶显示面板的制作方法，具体制作过程如图7所示，请同时参阅图5。

步骤S701：提供一具有TFT阵列的基板。

具体的，本发明实施例中TFT阵列的形成可采用现有的形成方法。

步骤S702：在TFT阵列上形成绝缘层5。

步骤S703：在绝缘层5上沉积树脂有机膜。

优选的，本发明实施例中有机膜优选树脂材料，以使后续形成的支撑物硬度较低。

步骤S704：对有机膜进行曝光、显影、刻蚀后，在基板待涂布封框胶区域对应位置处形成与绝缘层5为一体结构、具有位于同一水平面的上顶平面的支撑部110。

本发明实施例中支撑部110的形状并不做限定，只要能够起到支撑作用即可，但为了避免形成的支撑部110受到外力挤压后，刺破位于其下方的绝缘层5，本发明实施例中优选该支撑部110为通过掩膜工艺一体形成在绝缘层5之上，并与绝缘层5具有设定接触面积的规则形状或不规则形状。

进一步优选的，本发明实施例中支撑物的形状优选柱状，一方面柱状支撑物较易形成，另一方面柱状支撑物具有一定的底面积，增大支撑物与绝缘层之间的有效接触面积，防止受到外力挤压时，支撑物刺破比较软的绝缘层5，由于柱状支撑物与绝缘层之间的有效接触面积相较于现有的硅球与绝缘层之间的有效接触面积较大，一般不会刺破绝缘层5，可减小绝缘层5的厚度。

优选的，本发明实施例中位于TFT阵列基板上待涂布封框胶区域位置处的支撑部110的数量以及排列方式并不做限定，可根据实际情况进行选择，但为了支撑效果更好，本发明实施例中优选采用支撑物连续排列或间隔排列。

优选的，本发明实施例还可在靠近基板待涂布封框胶区域，像素电极与TFT漏极电连接的过孔12内一体形成与支撑部110具有相同功能的其他支撑部，使位于过孔12外的支撑部111和位于过孔12内的支撑部112二者之间在过孔12对应位置处形成段差，当对盒后形成的液晶显示面板被挤压时，通过该段差能够进一步的保证盒厚的均匀性。并可将位于过孔12外的支撑部111和位于过孔12内的支撑部112沿基板边缘延伸方向平行排列，以使被挤压时受力均匀，进一步控制盒厚的均匀性。

进一步的，本发明实施例中位于过孔外的支撑物高度为位于彩膜基板一侧的遮光层7和TFT阵列基板一侧的绝缘层5之间的垂直距离；位于过孔内的支撑物高度为位于过孔外的支撑物高度与TFT阵列基板一侧的绝缘层厚度之和。

步骤S705：在形成的支撑部表面沉积均匀厚度的金属氧化物薄膜。

具体的，本发明实施例中在树脂材料制作的支撑部表面沉积均匀厚度的金属氧化物薄膜，使得上下基板对盒后能够导通，以达到金球的作用，从而形成的支撑物兼具硅球和金球的作用，简化制作工艺，并降低工艺成本。

步骤S706：提供一形成有密封胶框的彩膜基板，并在彩膜基板的遮光层7对应于支撑物11的位置处形成支撑物衬垫。

步骤S707：在密封胶框内滴入液晶，并将周边位置具有支撑物11的TFT阵列基板与彩膜基板相对贴合。

具体的，TFT阵列基板与彩膜基板之间通过支撑物11支撑，将液晶封装在TFT阵列基板与彩膜基板之间，形成最终的液晶显示面板。

本发明实施例提供的液晶显示面板制作方法，通过TFT阵列基板上待涂布封框胶区域位置处形成的兼具支撑作用和导通上下基板功能的支撑物，使周边盒厚控制更精确，减少因周边硅球和金球间的搭配计算错误导致的盒厚不良，提高液晶显示面板的试做成功率。并且本发明实施例中支撑物形成在TFT阵列基板绝缘层之上，不再是独立于基板的部件，使得液晶显示面板周边受压时，不会造成绝缘层被刺穿，降低了绝缘层的厚度，并能避免绝缘层被刺穿导致的亮线类不良。

进一步的，本发明实施例提供的液晶显示面板利用树脂支撑物取代原有周边结构中的硅球和金球，能够降低成本。并且将支撑物放置在TFT阵列基板一侧，因为封框胶涂布设备的感应器设置在封框胶涂布路径旁边一定距离处，所以不会对封框胶涂布造成干扰。若放置在CF侧，则有可能在贴合时造成封框胶被挤压扩散至显示面板内，造成液晶污染。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (14)

1.一种薄膜晶体管TFT阵列基板，包括形成在基板上的TFT，以及位于所述TFT之上的绝缘层，其特征在于，还包括：与所述绝缘层为一体结构、并以预设方式排布在所述基板待涂布封框胶区域对应位置处、能够将所述TFT阵列基板和与其相对设置的彩膜基板电连接的若干个支撑物；且所述若干个支撑物具有位于同一水平面用于支撑所述彩膜基板的上顶平面。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述支撑物具体包括：

由树脂材料形成的支撑部；以及

涂覆于所述支撑部表面的、厚度均匀的金属氧化物薄膜。

3.如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述支撑部为通过掩膜工艺一体形成在所述绝缘层之上，并与所述绝缘层具有设定接触面积的规则形状或不规则形状。

4.如权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述支撑部的形状为柱状。

5.如权利要求2-4任一项所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括：

像素电极；

电连接所述像素电极与TFT漏极、且靠近所述基板待涂布封框胶区域的过孔；以及

位于所述过孔内、表面涂覆有厚度均匀的金属氧化物薄膜的若干个支撑部，且若干个所述支撑部具有位于同一水平面用于支撑所述彩膜基板的上顶平面。

6.如权利要求5所述的TFT阵列基板，其特征在于，

位于过孔外的支撑部高度为遮光层和所述绝缘层之间的垂直距离，其中所述遮光层位于与所述TFT阵列基板相对设置的彩膜基板上；

位于过孔内的支撑部高度为位于过孔外的支撑部高度与所述绝缘层厚度之和。

7.如权利要求6所述的TFT阵列基板，其特征在于，位于过孔外的支撑部与位于过孔内的支撑部沿所述基板边缘延伸方向平行排列。

8.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：

权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管TFT阵列基板；

与所述TFT阵列基板相对设置的彩膜基板，所述彩膜基板面向所述TFT阵列基板的一面上形成有遮光层和色层，在所述遮光层对应于所述TFT阵列基板的支撑物的位置处形成有支撑物衬垫；以及

设置于所述TFT阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层。

9.一种薄膜晶体管TFT阵列基板的制造方法，包括：在基板上形成TFT阵列以及绝缘层，其特征在于，该方法还包括：

在所述绝缘层之上，形成与所述绝缘层为一体结构，并能够将TFT阵列基板和与其相对设置的彩膜基板电连接的若干支撑物，其中，所述若干支撑物具有位于同一水平面用于支撑所述彩膜基板的上顶平面，并以预设方式排布在所述基板待涂布封框胶区域对应位置处。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述绝缘层之上，形成与所述绝缘层为一体结构，并能够将TFT阵列基板和与其相对设置的彩膜基板电连接的若干支撑物，具体包括：

在所述绝缘层上沉积树脂有机膜；

对所述有机膜进行曝光、显影、刻蚀后，在所述基板待涂布封框胶区域对应位置处一体形成若干所述支撑物的支撑部；

在所述支撑部表面沉积均匀厚度的金属氧化物薄膜。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述支撑部表面沉积均匀厚度的金属氧化物薄膜之前，该方法还包括：

形成像素电极，以及电连接所述像素电极与TFT漏极的过孔；

在靠近所述基板待涂布封框胶区域的所述过孔内，一体形成能够将所述TFT阵列基板和与其相对设置的彩膜基板电连接的若干支撑部，若干所述支撑部具有位于同一水平面用于支撑所述彩膜基板的上顶平面。

12.如权利要求10或11所述的方法，其特征在于，该方法具体包括：

通过掩膜工艺一体形成与所述绝缘层具有设定接触面积的，并具有规则形状或不规则形状的所述支撑部。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，通过掩膜工艺一体形成柱状的所述支撑部。

14.一种液晶显示面板的制作方法，其特征在于，该方法包括：

提供一具有TFT阵列的基板；

在所述TFT阵列上形成绝缘层；

在所述绝缘层上沉积树脂有机膜；

对所述有机膜进行曝光、显影、刻蚀后，形成与所述绝缘层为一体结构的若干支撑物的支撑部，其中，若干所述支撑部具有位于同一水平面用于支撑所述彩膜基板的上顶平面，并以预设方式排布在所述基板待涂布封框胶区域对应位置处；

在所述支撑部表面沉积均匀厚度的金属氧化物薄膜；

提供一形成有密封胶框的彩膜基板，并在所述彩膜基板的遮光层对应于所述TFT阵列基板的所述支撑物的位置处形成支撑物衬垫；

在所述密封胶框内滴入液晶，并将所述TFT阵列基板与所述彩膜基板相对贴合，所述TFT基板与所述彩膜基板之间通过所述支撑物支撑，将液晶封装在所述TFT阵列基板与所述彩膜基板之间。

Images