CN103280429B - 一种tft阵列基板的制造方法及tft阵列基板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种TFT阵列基板的制造方法及TFT阵列基板。所述TFT阵列基板的制造方法包括步骤一：提供一基板；步骤二：使用第一掩模版对基板上的第一金属层进行光刻；步骤三：使用第二掩模版对第一绝缘层进行光刻形成第一通孔和第二通孔；步骤四：使用第三掩模版对第二金属层进行光刻；步骤五：使用第二掩模版进行光刻形成第三通孔和第四通孔；步骤六：使用第四掩模版对透明电极层进行光刻形成透明电极图案。在制成采用ASG技术的TFT阵列基板时，除了上述四块掩膜版外，还需使用第五块掩膜版形成半导体有源层，总共需要五块掩膜版，相对于现有技术中的六块掩膜版来说，节约了一块掩膜版，降低了生产成本。

Description

一种TFT阵列基板的制造方法及TFT阵列基板

技术领域

本发明涉及平板显示技术，特别涉及一种TFT阵列基板的制造方法及TFT阵列基板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）由于具有微功耗、低工作电压、无X射线辐射、高清晰度、小体积等优点，目前广泛应用于手机、掌上电脑（Personal Digital Assistant,PDA）等便携式电子产品中。在市场竞争的推动下，更轻便、显示效果更优越、价格更低的薄膜晶体管液晶显示受到了越来越多的追捧。将非晶硅栅驱动器与有源矩阵集成(amorphous silicon gate，ASG)的技术可以使薄膜晶体管液晶显示器减少一颗驱动IC，可以有效地使显示屏变的更轻、降低成本，并且可以增加显示器的可靠性。因此，近年来ASG技术逐步成为开发研究的热点。

采用ASG技术的阵列基板通常包括：显示区域、包围所述显示区域的周边区域和位于所述周边区域内的栅极驱动电路。其中，在所述显示区域内设置有多个薄膜晶体管。

如图1所示，所述薄膜晶体管包括：形成于基板100上的作为栅极的第一金属层101、形成于所述第一金属层101上的栅极绝缘层102、形成于所述栅极绝缘层102上的作为源漏极的第二金属层103、形成于所述第二金属层103上的钝化层104以及形成于所述钝化层104上的像素电极105。其中，所述钝化层104上形成有第一通孔106，所述像素电极105通过所述第一通孔106与所述第二金属层103实现电连接。

如图2所示，所述栅极驱动电路包括：形成于所述基板100上的所述第一金属层101、形成于第一金属层101上的所述栅极绝缘层102、形成于所述栅极绝缘层102上的第二金属层103以及形成于所述第二金属层103上的所述钝化层104。所述栅极绝缘层102上形成有第二通孔107，所述第二金属层103通过所述第二通孔107与所述第一金属层101电连接。

通常，所述钝化层104上的第一通孔106和所述栅极绝缘层102上的第二通孔107是采用不同的掩膜版光刻完成的，而为了制作所述薄膜晶体管的第一金属层101、第二金属层103、半导体有源层以及像素电极105还需要4张不同的掩膜版。可见，为了完成ASG技术的阵列基板，总共需要使用6张掩模版。众所周知，掩模版的设计研发和制作周期长、费用高，而且每一套掩模版进入生产场所后，还需要进行相应的维护和存放，也就是说每多一套掩模版就会造成生产成本的上升。为此需要开发减少掩模版使用数量的阵列基板。

发明内容

本发明提供一种TFT阵列基板的制造方法及TFT阵列基板，以减少掩模版使用数量，从而实现降低生产成本的目的。

为解决上述技术为题，本发明提供一种TFT阵列基板的制造方法，包括：

步骤一：提供一基板，所述基板包括显示区域和包围所述显示区域的周边区域；

步骤二：在所述基板上形成第一金属层，使用第一掩模版对所述第一金属层进行光刻，形成第一金属图案；

步骤三：在所述基板和第一金属图案上形成第一绝缘层，使用第二掩模版对所述第一绝缘层进行光刻，在所述显示区域的第一绝缘层上形成第一通孔，并在所述周边区域的第一绝缘层上形成第二通孔，所述第二通孔暴露部分所述第一金属图案；

步骤四：在所述第一绝缘层上、第一通孔和第二通孔内形成第二金属层，使用第三掩模版对所述第二金属层进行光刻，形成第二金属图案，所述第二金属图案通过所述第二通孔与所述第一金属图案电连接；

步骤五：在所述第一绝缘层、第二金属图案上形成第二绝缘层，使用所述第二掩模版对所述第二绝缘层进行光刻，以在所述显示区域的第二绝缘层上形成第三通孔，并在所述周边区域的第二绝缘层上形成第四通孔，所述第三通孔暴露部分所述第二金属图案，所述第四通孔暴露部分所述第二金属图案；

步骤六：在所述第二绝缘层上、第三通孔和第四通孔内形成透明电极层，使用第四掩模版对所述透明电极层进行光刻以在所述显示区域内形成透明电极图案，所述透明电极图案通过所述第三通孔与所述第二金属图案电连接。

可选的，在所述TFT阵列基板的制造方法中，所述步骤六之后还包括：在所述透明电极图案、第二绝缘层、第二金属图案上以及第四通孔内形成保护层。

可选的，在所述TFT阵列基板的制造方法中，保护层为氮化硅或者有机膜。

可选的，在所述TFT阵列基板的制造方法中，所述有机膜为聚酰亚胺。

可选的，在所述TFT阵列基板的制造方法中，在所述步骤三之后步骤四之前还包括：在所述第一绝缘层和第一金属图案上形成半导体有源材料层，使用第五掩模版对所述半导体有源材料层进行光刻，形成半导体有源图案。

可选的，在所述TFT阵列基板的制造方法中，部分所述第二金属图案搭接到所述半导体图案上。

相应的本发明还提供一种TFT阵列基板，包括：

一基板，所述基板包括显示区域和包围所述显示区域的周边区域；

形成于所述显示区域内的多个导通结构，所述多个导通结构包括：

形成于所述基板上的第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成有第一通孔；

通过所述第一通孔形成于所述第一绝缘层上的第二金属图案；

形成于所述第一绝缘层和所述第二金属图案上的第二绝缘层，所述第二绝缘层上形成有第三通孔；

形成于所述第二绝缘层上和所述第三通孔内的透明电极图案，所述透明电极图案通过所述第三通孔与第二金属图案电连接；

形成于所述周边区域内的栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括：

形成于所述基板上的第一金属图案；

形成于所述基板和第一金属图案上的所述第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成有第二通孔；

形成于所述第一绝缘层上的第二金属图案，所述第二金属图案通过所述第二通孔与所述第一金属图案电连接；

形成于所述第一绝缘层和所述第二金属图案上的第二绝缘层，所述第二绝缘层上形成有第四通孔，

其中，所述第一通孔与所述第三通孔的位置相对应，并且由同一块掩膜版光刻形成；所述第二通孔和所述第四通孔的位置相对应，并且由同一块掩膜版光刻形成。

可选的，在所述TFT阵列基板中，所述TFT阵列基板还包括形成于所述透明电极图案、第二绝缘层、第二金属图案上以及第四通孔内的保护层。

可选的，在所述TFT阵列基板中，所述保护层为氮化硅或者有机膜。

可选的，在所述TFT阵列基板中，所述有机膜为聚酰亚胺。

可选的，在所述TFT阵列基板中，所述阵列基板还包括形成于所述第一绝缘层上的半导体有源层，所述第二金属图案形成于所述半导体有源层上。

可选的，在所述TFT阵列基板中，部分所述第二金属图案搭接到所述半导体图案上。

在本发明的TFT阵列基板的制造方法中，使用第一掩模版形成第一金属图案；使用第二掩模版对所述第一绝缘层在所述显示区域的第一绝缘层上形成第一通孔，并在所述周边区域的第一绝缘层上形成第二通孔；使用第三掩模版形成第二金属图案，所述第二金属图案通过所述第二通孔与所述第一金属图案电连接；使用所述第二掩模版对所述第二绝缘层进行光刻，以在所述显示区域的第二绝缘层上形成第三通孔，并在所述周边区域的第二绝缘层上形成第四通孔，所述第三通孔暴露部分所述第二金属图案，所述第四通孔暴露部分所述第二金属图案；使用第四掩模版对所述透明电极层进行光刻以在所述显示区域内形成透明电极图案，所述透明电极图案通过所述第三通孔与所述第二金属图案电连接。采用上述制造方法，第一绝缘层的第一通孔和第二通孔是由第二掩膜版光刻形成，第二绝缘层的第三通孔和第四通孔也是由第二掩膜版光刻形成，即两个绝缘层结构可以由同一块掩膜版形成，再加上形成第一金属图案、第二金属图案、半导体有源层和透明电极层的四块掩膜版。也就是说，形成所述TFT阵列基板的过程中，只需要五块掩膜版，相对于现有技术中的六块掩膜版来说，节约了一块掩膜版，从而降低了生产成本。

附图说明

图1为现有技术的薄膜晶体管的结构示意图；

图2为现有技术的栅极驱动电路的结构示意图；

图3为本发明一实施例的TFT阵列基板的俯视图；

图4为本发明一实施例的TFT阵列基板的制造方法步骤一中基板的原理示意图；

图5和图6为本发明一实施例的TFT阵列基板的制造方法步骤二中基板上一个像素单元和部分栅极驱动电路的俯视图和剖面图；

图7和图8为本发明一实施例的TFT阵列基板的制造方法步骤三中基板上一个像素单元和部分栅极驱动电路的俯视图和剖面图；

图9和图10为本发明一实施例的TFT阵列基板的制造方法步骤四中基板上一个像素单元和部分栅极驱动电路的俯视图和剖面图；

图11和图12为本发明一实施例的TFT阵列基板的制造方法步骤五中基板上一个像素单元和部分栅极驱动电路的俯视图和剖面图；

图13和图14为本发明一实施例的TFT阵列基板的制造方法步骤六中基板上一个像素单元和部分栅极驱动电路的俯视图和剖面图；

图15和图16为本发明一实施例的TFT阵列基板的制造方法步骤七中基板上一个像素单元和部分栅极驱动电路的俯视图和剖面图；

图17和图18为本发明一实施例的TFT阵列基板的制造方法步骤八中基板上一个像素单元和部分栅极驱动电路的俯视图和剖面图。

具体实施方式

为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图来进一步做详细说明。

图3为本发明一实施例的TFT阵列基板的俯视图。如图3所示，本发明一实施例的TFT阵列基板200包括一基板201，所述基板201包括显示区域202和包围所述显示区域202的周边区域203。在所述显示区域203内包括多个薄膜晶体管204（Thin Film Transistor，TFT）。应用将非晶硅栅驱动器与有源矩阵集成(amorphous silicon gate，ASG)技术，在所述周边区域203内设置栅极驱动电路205，采用所述栅极驱动电路205可以替代一颗栅极驱动IC，从而使显示屏变的更轻便。

下面结合附图4至附图18详细说明本发明一实施例的TFT阵列基板的制造方法。

步骤一：如图4所示，提供一基板201，所述基板包括显示区域202和包围所述显示区域202的周边区域203，所述基板201通常为透明的玻璃基板，也可以是其他透明基板例如透明塑料基板；

步骤二：结合图5和图6，在所述基板201上形成第一金属层，使用第一掩模版对所述第一金属层进行光刻，形成第一金属图案206'，所述第一金属图案206'包括形成于所述显示区域202内的第一金属图案206和形成于所述周边区域203内的第一金属图案214，所述第一金属图案206'通常选用电阻较低的金属，例如：Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu中的一种或两种以上组合形成的合金；

步骤三：结合图7和图8，在所述基板201和第一金属图案206'上形成第一绝缘层207'，所述第一绝缘层207'包括形成于所述显示区域202内的第一绝缘层207和形成于所述周边区域的第一绝缘层215，使用第二掩模版对所述第一绝缘层207'进行光刻，在所述显示区域202的第一绝缘层207上形成第一通孔2071，并在所述周边区域203的第一绝缘层215上形成第二通孔2151，所述第二通孔2151暴露部分所述第一金属图案214，所述显示区域202内的所述第一绝缘层207在本发明中被用作栅极绝缘层，因此所述第一绝缘层207'通常选用氮化硅，当然也可以是其它绝缘的材料；

在另一个实施例中，步骤三后还包括步骤四：结合图9和图10，在所述第一绝缘层207'和第一金属图案206'上形成半导体有源材料层，使用第五掩模版对所述半导体有源材料层进行光刻，形成半导体有源图案208，所述半导体有源材料层通常选用非晶硅；

在另一个实施例中，进一步优选的，所述步骤四后还可以包括：在所述半导体有源图案208上形成欧姆接触层，图案化所述欧姆接触层形成欧姆接触图案，所述欧姆接触图案接触所述半导体有源图案208；在又一个实施例中，也可以在所述第一绝缘层207'和第一金属图案206'上先后形成所述半导体有源层和欧姆接触层，使用所述第五掩膜板光刻一次，形成由所述半导体有源层和所述欧姆接触层堆叠的图案。

步骤五：结合图11和图12，在所述第一绝缘层207'上、基板201上、第一通孔2071和第二通孔2151内形成第二金属层，使用第三掩模版对所述第二金属层进行光刻，形成第二金属图案209'，所述第二金属图案209'包括形成于所述显示区域202内的第二金属图案209和形成于所述周边区域203内的第二金属图案216，所述第二金属图案209'（具体为所述周边区域203内的第二金属图案216）通过所述第二通孔2151与所述第一金属图案206’（具体为所述周边区域203内第一金属图案214）电连接，部分所述第二金属图案209'（具体为所述显示区域202内的第二金属图案209）搭接在所述半导体有源图案208上，所述第二金属图案209'通常选用电阻较低的金属，例如：Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu中的一种或两种以上组合形成的合金；

步骤六：结合图13和图14，在所述第一绝缘层207'、第二金属图案209'上形成第二绝缘层210'，所述第二绝缘层210'包括形成于所述显示区域202内的第二绝缘层210和形成于所述周边区域203内的第二绝缘层217，继续使用步骤三中的所述第二掩模版对所述第二绝缘层210'进行光刻，以在所述显示区域202的第二绝缘层210上形成第三通孔2101，并在所述周边区域203的第二绝缘层217上形成第四通孔2171，所述第三通孔2101暴露部分所述第二金属图案209'（具体为所述显示区域202内的第二金属图案209），所述第四通孔2171暴露部分所述第二金属图案209'（具体为所述周边区域203内的第二金属图案216）；

步骤七：结合图15和图16，在所述第二绝缘层210'上、第三通孔2101和第四通孔2171内形成透明电极层，使用第四掩模版对所述透明电极层进行光刻以在所述显示区域202内形成透明电极图案211，所述透明电极图案211通过所述第三通孔2101与所述第二金属图案209'（具体为所述显示区域202内的第二金属图案209）电连接，所述透明电极层的材料为透明的导电材料，优选为氧化铟锡。

在再一个实施例中，步骤七后还进一步包括步骤八：结合图17和图18，为了避免周边区域203内的栅极驱动电路205中裸露的第二金属图案216被后续的封框胶腐蚀，可以在步骤七之后，在所述透明电极图案211、第二绝缘层207'、第二金属图案209'上以及第四通孔2171内形成保护层213'。优选的，所述保护层213'为覆盖整个基板201的一层膜，而TFT基板与其相对设置的彩膜基板采用银胶等导电胶的导通方式实现电连接。所述保护层213'包括形成于所述显示区域202内的保护层213和形成于周边区域203的保护层218。所述保护层213'可以为任何透明绝缘膜，优选为氮化硅或者有机膜，所述有机膜进一步优选为聚酰亚胺。形成保护层213'后，所述TFT阵列基板200的可靠性会得到明显提高，但是应当理解的是，所述步骤八并非必要步骤。

至此，就在显示区域202内形成了如图18所示的TFT，并在周边区域203形成了如图18所示的栅极驱动电路205。

结合图17和图18，在所述显示区域202内的TFT包括形成于所述基板201上的第一金属图案206、形成于所述第一金属图案206和基板201上的第一绝缘层207、形成于所述第一绝缘层207上的半导体有源图案208、形成于所述半导体有源图案208和第一绝缘层207上的第二金属图案209、形成于所述第二金属图案209上的第二绝缘层210以及形成于所述第二绝缘层210上的透明电极图案211。其中，所述第一金属图案206包括栅极线、栅极，也可以进一步包括公共电极线；所述第二金属图案209包括数据线、所述TFT的源极和漏极。所述透明电极图案211作为所述TFT的像素电极，所述公共电极线可以与所述透明电极图案211交叠，形成存储电容。所述TFT打开时，数据线会通过所述漏极向所述像素电极和相对应的所述公共电极线组成的存储电容充电，当所述TFT关断时，所述存储电容会继续为所述像素电极提供电压。

其中所述第二金属图案209形成于所述半导体有源图案208上，因此部分所述第二金属图案209搭接到所述半导体有源图案208上。并且优选的，所述半导体有源图案208上还形成有欧姆接触图案，所述第二金属图案209形成于所述欧姆接触图案上，因此部分所述第二金属图案209搭接到所述欧姆接触图案上。

为了实现所述TFT的漏极与作为像素电极的透明电极图案211电连接，以保证对所述存储电容充电，在所述显示区域202内还形成有多个导通结构212。

继续参考图17和图18，所述导通结构212包括：

形成于所述基板201上的所述第一绝缘层207，所述第207一绝缘层上形成有第一通孔2071；

形成于所述第一绝缘层207上和第一通孔2071内的所述第二金属图案209；

形成于所述第一绝缘层207和所述第二金属图案209上的所述第二绝缘层210，所述第二绝缘层210上形成有第三通孔2101；

形成于所述第二绝缘层210上和所述第三通孔2101内的所述透明电极图案211，所述透明电极图案211通过第三通孔2101与第二金属图案209电连接；

优选的，所述导通结构还包括形成于所述透明电极图案211、第二绝缘层210、第二金属图案209上的保护层213。在制作过程中，所述第一通孔2071与所述第三通孔2101的是使用同一块掩膜版光刻完成的，因此所述第一通孔2071与所述第三通孔2101位置相对应，即所述第一通孔2071与所述第三通孔2101的形状相同，而且在所述基板201上的位置也相同。

所述保护层213为任意透明绝缘膜，优选的为氮化硅或者有机膜；并且进一步优选的，所述有机膜可以为聚酰亚胺。

继续参考图17和图18，在所述周边区域203内形成的所述栅极驱动电路205包括：

形成于所述基板201上的第一金属图案214，所述周边区域203内的第一金属图案214与所述显示区域202内的第一金属图案206优选的为同一层金属，并且进一步优选的由同一到光刻工艺形成；

形成于所述基板201和第一金属图案214上的第一绝缘层215，所述第一绝缘层215上形成有第二通孔2151，所述周边区域203内的第一绝缘层215与显示区域202内的第一绝缘层207优选为同一层绝缘层，并且进一步优选的由同一光刻工艺形成；

形成于所述第一绝缘层215上的第二金属图案216，所述第二金属图案216通过所述第二通孔2151与所述第一金属图案214电连接，所述周边区域203的第二金属图案216与所述显示区域202的第二金属图案209优选的为同一层金属，并且进一步优选的由同一到光刻工艺形成；

形成于所述第一绝缘层215和所述第二金属图案216上的所述第二绝缘层217，所述第二绝缘层217上形成有第四通孔2171，所述周边区域203的第二绝缘层217与所述显示区域202的第二绝缘层210优选为同一层，并且进一步优选的由同一到光刻工艺形成；

此外，更为优选的，所述栅极驱动电路205还包括形成于所述第二金属图案216上以及第四通孔2171内的保护层218，所述保护层218可以避免所述第四通孔2171裸露的第二金属图案216被后续的封框胶腐蚀，同时也能避免不必要的短路。在制作过程中，所述第二通孔2151与所述第四通孔2171的是使用同一块掩膜版光刻完成的，因此所述第二通孔2151与所述第四通孔2171的位置相对应，即所述第二通孔2151与所述第四通孔2171的形状相同，而且在所述基板201上的位置也相同。

所述保护层218可以为任意透明绝缘膜，优选的为氮化硅或者有机膜；并且进一步优选的，所述有机膜可以为聚酰亚胺。

更优选的，所述周边区域203的保护层218和所述显示区域202内的保护层213为同一层，并且更优选的由同一工艺步骤形成。

综上所述，在上述TFT阵列基板的制造方法中，第一绝缘层的第一通孔和第二通孔是由第二掩膜版光刻形成，第二绝缘层的第三通孔和第四通孔也是由第二掩膜版光刻形成，即周边区域的通孔和显示区域的通孔可以由同一块掩膜版形成，再加上形成第一金属图案、第二金属图案、半导体有源层和透明电极层的四块掩膜版。也就是说，在形成采用ASG技术的TFT阵列基板的制造过程中，只需要五块掩膜版，相对于现有技术中的六块掩膜版来说，节约了一块掩膜版，从而降低了生产成本。

显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。

Claims (12)

1.一种TFT阵列基板的制造方法，包括：

步骤一：提供一基板，所述基板包括显示区域和包围所述显示区域的周边区域；

步骤二：在所述基板上形成第一金属层，使用第一掩模版对所述第一金属层进行光刻，形成第一金属图案；

步骤三：在所述基板和第一金属图案上形成第一绝缘层，使用第二掩模版对所述第一绝缘层进行光刻，在所述显示区域的第一绝缘层内形成第一通孔，并在所述周边区域的第一绝缘层内形成第二通孔，所述第二通孔暴露部分所述第一金属图案；

步骤四：在所述第一绝缘层上、第一通孔和第二通孔内形成第二金属层，使用第三掩模版对所述第二金属层进行光刻，形成第二金属图案，所述第二金属图案通过所述第二通孔与所述第一金属图案电连接；

步骤五：在所述第一绝缘层、第二金属图案上形成第二绝缘层，使用所述第二掩模版对所述第二绝缘层进行光刻，以在所述显示区域的第二绝缘层内形成第三通孔，并在所述周边区域的第二绝缘层内形成第四通孔，所述第三通孔暴露部分所述第二金属图案，所述第四通孔暴露部分所述第二金属图案；

步骤六：在所述第二绝缘层上、第三通孔和第四通孔内形成透明电极层，使用第四掩模版对所述透明电极层进行光刻以在所述显示区域内形成透明电极图案，所述透明电极图案通过所述第三通孔与所述第二金属图案电连接。

2.如权利要求1所述TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤六之后还包括：在所述透明电极图案、第二绝缘层、第二金属图案上以及第四通孔内形成保护层。

3.如权利要求2所述TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述保护层为氮化硅或者有机膜。

4.如权利要求3所述TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述有机膜为聚酰亚胺。

5.如权利要求1所述TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述步骤三之后步骤四之前还包括：在所述第一绝缘层和第一金属图案上形成半导体有源材料层，使用第五掩模版对所述半导体有源材料层进行光刻，形成半导体有源图案。

6.如权利要求5所述TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，部分所述第二金属图案搭接到所述半导体图案上。

7.一种TFT阵列基板，包括：

一基板，所述基板包括显示区域和包围所述显示区域的周边区域；

形成于所述显示区域内的多个导通结构，所述多个导通结构包括：

形成于所述基板上的第一绝缘层，所述第一绝缘层内形成有第一通孔；

通过所述第一通孔形成于所述第一绝缘层上的第二金属图案；

形成于所述第一绝缘层和所述第二金属图案上的第二绝缘层，所述第二绝缘层内形成有第三通孔；

形成于所述第二绝缘层上和所述第三通孔内的透明电极图案，所述透明电极图案通过所述第三通孔与第二金属图案电连接；形成于所述周边区域内的栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括：

形成于所述基板上的第一金属图案；

形成于所述基板和第一金属图案上的所述第一绝缘层，所述第一绝缘层内形成有第二通孔；

形成于所述第一绝缘层上的第二金属图案，所述第二金属图案通过所述第二通孔与所述第一金属图案电连接；

形成于所述第一绝缘层和所述第二金属图案上的第二绝缘层，所述第二绝缘层内形成有第四通孔，

其特征在于，所述第一通孔与所述第三通孔的位置相对应，并且由同一块掩膜版光刻形成；所述第二通孔和所述第四通孔的位置相对应，并且由同一块掩膜版光刻形成。

8.如权利要求7所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括形成于所述透明电极图案、第二绝缘层、第二金属图案上以及第四通孔内的保护层。

9.如权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述保护层为氮化硅或者有机膜。

10.如权利要求9所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述有机膜为聚酰亚胺。

11.如权利要求7所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括形成于所述第一绝缘层上的半导体有源层，所述第二金属图案形成于所述半导体有源层上。

12.如权利要求11所述的TFT阵列基板，其特征在于，部分所述第二金属图案搭接到所述半导体图案上。