CN103265946B - 一种新型oled材料及其应用 - Google Patents

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CN103265946B CN201310201133.0A CN201310201133A CN103265946B CN 103265946 B CN103265946 B CN 103265946B CN 201310201133 A CN201310201133 A CN 201310201133A CN 103265946 B CN103265946 B CN 103265946B
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Abstract

本发明涉及一种新型OLED材料及其应用,该材料以9,9'-螺二芴为中心,通过在9,9'-螺二芴的活泼位置,引入具有电子传输性能的取代基(3,5-二吡啶基苯),获得了一类既可以作为深蓝色电致发光材料,又可以作为电子传输材料的新型OLED材料。本发明提供的新型OLED材料具有较好的薄膜稳定性和适合的分子能级,可以被应用在有机电致发光领域,作为发光材料和/或电子传输材料使用。

Description

一种新型OLED材料及其应用
技术领域
本发明涉及一种新型OLED材料及其应用,具体涉及一种含9,9'-螺二芴和3,5-二吡啶基苯结构单元的小分子OLED材料,并涉及该材料在有机电致发光领域的应用。
背景技术
与传统液晶相比,有机发光二级管(以下简称OLED)具有自发光、广视角、响应速度快、可实现柔性显示等诸多优点,这使其成为下一代显示技术的最有利竞争者,受到人们极大的关注。经过二十余年的不断发展,现如今,已经有多种基于OLED显示技术的商品实现了产业化。尽管如此,有机电致发光器件依旧存在着寿命短,效率低等诸多问题,有待人们作进一步的探索。
用于有机电致发光器件的材料主要包括电极材料、载流子传输材料、发光材料,其中发光材料在OLED中占有重要位置。
为了实现全彩显示,分别需要红、绿、蓝三种颜色的发光材料。目前,红光材料和绿光材料已经相对成熟,而高效稳定的蓝色发光材料,特别是深蓝色发光材料仍然较少,这在很大程度上影响了有机电致发光器件的发展。
一个优良的蓝色发光材料不仅需要具有较好的色纯度,同时也要考虑其薄膜稳定性,效率,升华性能等,所以性能优良的蓝色,特别是深蓝色发光材料不易获取,如果进一步考虑到载流子平衡和加工工艺过程,那么同时具有载流子传输性能和深蓝色发光性能的材料将更具优势。因此,这种具有多重功能的OLED材料,近年来受到越来越多的关注。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种被用于有机电致发光器件中,既具有电子传输性能,又具有蓝色发光性能的新型OLED材料。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种新型OLED材料,具有如式1所示的结构:
式1
其中,所述R1,R2,R3,R4分别为H原子,或者在以下结构中独立选择(式2),可以相同也可以不同:
式2
本发明的有益效果是:本发明所述的新型OLED材料,被应用在有机电致发光领域,展示了较好的效能,具体如下:
1.通过在9,9'-螺二芴的特定位置,引入3,5-二吡啶基苯作为取代基,获得了一类新型OLED材料。
2.该类材料同时具有发光和电子传输的多重功能,在OLED器件中,可以作为发光层与电子传输层使用。
3.以该类材料作为OLED器件的发光层,或同时作为发光层与电子传输层时,器件的主峰波长430-440nm,CIE坐标(0.15-0.17,0.07-0.14),最大亮度2000-3500cd/m2
4.以该类材料作为OLED器件的电子传输层,AIq3作为发光层时,器件的最大亮度3000-5000cd/m2,最大电流效率1.0–2.2cd/A,功效率0.5-1.5lm/W。
9,9'-螺二芴具有非共平面的刚性骨架,不易结晶,同时又具有较好的发光特性,并且其2位和7位具有较高的反应活性,可以方便地进行化学修饰,而“3,5-二吡啶基苯”结构单元具有较好的电子传输性。通过将两者相结合,在9,9'-螺二芴的特定位置,引入3,5-二吡啶基苯作为取代基,将得到既具有电子传输性能,又具有蓝色发光性能的新型OLED材料。
本发明中新型OLED材料的制备方法如下:
以不同取代位置的9,9'-螺二芴的硼酸酯和3,5-二吡啶基溴苯为原料,通过Suzuki偶联反应,得到目标化合物。在上述步骤中,Suzuki偶联反应在氮气保护下进行,催化剂为Pd(PPh3)4或醋酸钯,反应温度60~100℃,反应时间12~36小时。
通过上述方法,制备材料4PySF(式a),TPBSF(式b)和MPSF(式c)的反应式如下:
式(a)
式(b)
式(c)
4PySF,TPBSF,MPSF反应式
本发明提供的新型OLED材料以9,9'-螺二芴为中心,通过在9,9'-螺二芴的活泼位置,引入具有电子传输性能的取代基(3,5-二吡啶基苯),获得了一类既具有电子传输性能,又具有蓝色发光性能的新型OLED材料。该类材料具有较好的薄膜稳定性和适合的分子能级,可以被应用在有机电致发光领域,作为发光材料或电子传输材料使用。
本发明解决上述技术问题的另一技术方案如下:所述新型OLED材料应用在有机电致发光领域,作为发光材料使用,或电子传输材料使用,或者同时作为发光材料与电子传输材料使用。
所制备的有机电致发光器件一般包括依次叠加的ITO导电玻璃衬底(阳极)、空穴传输层(NPB)、发光层(4PySF,MPSF或Alq3)、电子传输层(4PySF,MPSF或TPBI)、电子注入层(LiF)和阴极层(Al)。所有功能层均采用真空蒸镀工艺制成。该类器件中所用到的一些有机化合物的分子结构式如下:
本发明中,器件的功能层并不限于使用上述材料,这些材料可以用其他材料代替,以期待进一步改善器件性能,如空穴传输层可以用TPD等代替,电子传输层可以用BCP等代替。这些材料的分子结构式如下:
附图说明
图1为根据实施例2制备的4PySF在氯仿溶液中的紫外-可见吸收光谱和荧光发射光谱;
图2为实施例3中,以4PySF同时作为蓝色有机电致发光器件的发光层和电子传输层,器件的电压-电流密度曲线;
图3为实施例3中,以4PySF同时作为蓝色有机电致发光器件的发光层和电子传输层,器件的电压-亮度曲线;
图4为实施例3中,以4PySF同时作为蓝色有机电致发光器件的发光层和电子传输层,器件在亮度为2800cd/m2时的电致发光光谱图;
图5为实施例4中,以4PySF作为蓝色有机电致发光器件的发光层,TPBI作为电子传输层,器件的电压-电流密度曲线;
图6为实施例4中,以4PySF作为蓝色有机电致发光器件的发光层,TPBI作为电子传输层,器件的电压-亮度曲线;
图7为实施例4中,以4PySF作为蓝色有机电致发光器件的发光层,TPBI作为电子传输层,器件在亮度为2050cd/m2时的电致发光光谱图;
图8为根据实施例5制备的TPBSF在氯仿溶液中的紫外-可见吸收光谱和荧光发射光谱;
图9为实施例6中,以TPBSF作为器件的电子传输层,Alq3作为发光层,器件的电压-电流密度曲线;
图10为实施例6中,以TPBSF作为器件的电子传输层,Alq3作为发光层,器件的电压-亮度曲线;
图11为实施例6中,以TPBSF作为器件的电子传输层,Alq3作为发光层,器件的电流密度-电流效率曲线;
图12为实施例6中,以TPBSF作为器件的电子传输层,Alq3作为发光层,器件的电流密度-功效率曲线;
图13为实施例6中,以TPBSF作为器件的电子传输层,Alq3作为发光层,器件在亮度为4450cd/m2时的电致发光光谱图;
图14为根据实施例8制备的MPSF在氯仿溶液中的紫外-可见吸收光谱和荧光发射光谱;
图15为实施例9中,以MPSF同时作为蓝色有机电致发光器件的发光层和电子传输层,器件的电压-电流密度曲线;
图16为实施例9中,以MPSF同时作为蓝色有机电致发光器件的发光层和电子传输层,器件的电压-亮度曲线;
图17为实施例9中,以MPSF同时作为蓝色有机电致发光器件的发光层和电子传输层,器件的电流密度-电流效率曲线;
图18为实施例9中,以MPSF同时作为蓝色有机电致发光器件的发光层和电子传输层,器件的电流密度-功效率曲线;
图19为实施例9中,以MPSF同时作为蓝色有机电致发光器件的发光层和电子传输层,器件在亮度为3011cd/m2时的电致发光光谱图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
实施例1
中间体3-(3,5-二溴苯基)吡啶1和3-(3-溴-5-(3-吡啶)-苯基)吡啶2的制备及结构表征:
中间体1和2的合成:
在500mL三口瓶中,加入均三溴苯(12.6g,40mmol),吡啶-3-硼酸(10.5g,85mmol),K2CO3(22g,160mmol),二氧六环(160mL),去离子水(80mL),N2保护,加入Pd(PPh3)4(800mg),回流反应18小时,TLC分析,单取代产物1与双取代产物2的比例大约为2:1,停反应。分液,收集有机相,无水Na2SO4干燥,过滤,脱溶剂,粗产品经过硅胶柱层析,梯度洗脱,首先使用石油醚,而后使用石油醚:乙酸乙酯=1:2,分别收集单取代产物1和双取代产物2。得到单取代产物15.0g,收率40%,得到双取代产物23.1g,收率25%。
中间体1和2的核磁数据:
中间体1:
1H NMR(CDCl3,TMS,500MHz):8.795(s,1H),8.653(s,1H),7.815-7.838(m,1H),7.705-7.712(m,1H),7.649-7.672(m,2H),7.382-7.407(m,1H)。
中间体2:
1H NMR(CDCl3,TMS,500MHz):8.872-8.876(d,2H,J=2.0Hz),8.659-8.669(d,2H,J=5Hz),7.902-7.917(d,2H,J=7.5Hz),7.763(s,2H),7.683(s,1H),7.408-7.434(m,2H)。
实施例2OLED材料4PySF的制备及性质:
1、OLED材料4PySF的合成与结构表征:
在250mL三口瓶中,加入2,7-螺二芴硼酸酯(1.7g,3mmol),中间体2(2.05g,6.6mmol),K2CO3(4.1g,30mmol),N,N-二甲基乙酰胺(60mL),去离子水(25mL),Pd(PPh3)4(500mg),N2保护,回流反应24小时,停反应。加入50mL水,搅拌10min,抽滤,50mL甲醇淋洗滤饼,收集滤饼,滤饼通过硅胶柱层析纯化,洗脱剂为甲醇:乙酸乙酯=1:10,得到目的物0.82g,收率35.2%,使用化学气相沉积系统进一步升华提纯,升华温度345℃,得到0.38g目标物,产率16.3%。
1H NMR(CDCl3,TMS,500MHz):8.852-8.856(d,4H,J=2.0Hz),8.611-8.623(dd,4H,J=4.5Hz,J=1.5Hz),8.012-8.027(d,2H,J=7.5Hz),7.870-7.897(m,6H),7.736-7.755(m,2H),7.628-7.632(m,6H),7.364-7.409(m,6H),7.147-7.163(m,2H),7.003-7.006(d,2H,J=1.5Hz),6.853-6.868(d,2H,J=7.5Hz).
高分辨质谱,ESI源,正离子模式,分子式C57H36N4,理论值(M++1,C57H37N4)777.3013,测试值(M++1,C57H37N4)777.3027。
2、OLED材料4PySF的性质:
4PySF纯品在溶液状态下的紫外-可见吸收光谱和荧光光谱如附图1所示,使用的溶剂为氯仿。4PySF的HOMO能级为5.8eV,使用光电子发射谱仪测得,gap为3.2eV,LUMO能级为2.6eV。
实施例3OLED材料4PySF在有机电致发光器件中的应用一
本实施例按照下述方法制备深蓝色有机电致发光器件:
a)清洗ITO(氧化铟锡)玻璃:分别用去离子水、丙酮、乙醇超声清洗ITO玻璃各30分钟,然后在等离子体清洗器中处理5分钟;
b)在阳极ITO玻璃上真空蒸镀空穴传输层NPB,厚度为50nm;
c)在空穴传输层NPB之上,真空蒸镀同时作为发光层和电子传输层的4PySF,厚度为60nm;
d)在4PySF之上,真空蒸镀电子注入层LiF,厚度为1nm;
e)在电子注入层LiF之上,真空蒸镀阴极Al,厚度为100nm。
器件的结构为ITO/NPB(50nm)/4PySF(60nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。以实施例2制备的4PySF作为该器件的发光层和电子传输层,该器件的电压-电流密度曲线如附图2所示,电压-亮度曲线如附图3所示,器件的启亮电压为7.0V,最大亮度2800cd/m2,最大电流效率0.14cd/A。附图4为该器件在亮度为2800cd/m2时的电致发光光谱图,CIE坐标位于(0.153,0.080)。
实施例4OLED材料4PySF在有机电致发光器件中的应用二
本实施例按照下述方法制备深蓝色有机电致发光器件:
a)清洗ITO(氧化铟锡)玻璃:分别用去离子水、丙酮、乙醇超声清洗ITO玻璃各30分钟,然后在等离子体清洗器中处理5分钟;
b)在阳极ITO玻璃上真空蒸镀空穴传输层NPB,厚度为50nm;
c)在空穴传输层NPB之上,真空蒸镀发光层4PySF,厚度为30nm;
d)在发光层4PySF之上,真空蒸镀电子传输层TPBI,厚度为30nm;
e)在电子传输层TPBI之上,真空蒸镀电子注入层LiF,厚度为1nm;
f)在电子注入层LiF之上,真空蒸镀阴极Al,厚度为100nm。
器件的结构为ITO/NPB(50nm)/4PySF(30nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。以实施例2制备的4PySF作为该器件的发光层,TPBI作为电子传输层,该器件的电压-电流密度曲线如附图5所示,电压-亮度曲线如附图6所示。器件的启亮电压为6.5V,最大亮度2050cd/m2,最大电流效率0.32cd/A。附图7为该器件在亮度为2050cd/m2时的电致发光光谱图,CIE坐标位于(0.153,0.083)。
实施例5OLED材料TPBSF的制备及性质:
1、OLED材料TPBSF的合成:
在250mL三口瓶中,加入2,2'-螺二芴硼酸酯(1.02g,1.8mmol),中间体2(1.24g,4mmol),K2CO3(2.76g,36mmol),N,N-二甲基乙酰胺(85mL),去离子水(30mL),Pd(PPh3)4(500mg),N2保护,回流反应18小时,停反应。加入100mL水,搅拌30min,抽滤,50mL去离子水淋洗滤饼,收集滤饼,风干,所得粗产品经过硅胶柱层析,洗脱剂为甲醇:乙酸乙酯=1:3,得到产物1.0g,使用70mL无水乙醇重结晶,得到产物620mg,使用化学气相沉积系统进一步升华提纯,升华温度355℃,得到0.21g目标物,产率15%。
1H NMR(CDCl3,TMS,500MHz):8.842(s,4H),8.599-8.608(d,4H,J=4.5Hz),7.979-7.995(d,2H,J=8.0Hz),7.869-7.918(m,6H),7.731-7.747(d,2H,J=8.0Hz),7.610-7.644(m,6H),7.343-7.424(m,6H),7.139-7.169(t,2H,J=7.5Hz),7.069(s,2H),6.789-6.804(d,2H,J=7.5Hz).
高分辨质谱,ESI源,正离子模式,分子式C57H36N4,理论值(M++1,C57H37N4)777.3013,测试值(M++1,C57H37N4)777.3018。
2、OLED材料TPBSF的性质:
TPBSF纯品在溶液状态下的紫外-可见吸收光谱和荧光光谱如附图8所示,使用的溶剂为氯仿。TPBSF的HOMO能级为5.8eV,使用光电子发射谱仪测得,gap为3.5eV,LUMO能级为2.3eV。
实施例6OLED材料TPBSF在有机电致发光器件中的应用一
本实施例按照下述方法制备有机电致发光器件:
a)清洗ITO(氧化铟锡)玻璃:分别用去离子水、丙酮、乙醇超声清洗ITO玻璃各30分钟,然后在等离子体清洗器中处理5分钟;
b)在阳极ITO玻璃上真空蒸镀空穴传输层NPB,厚度为50nm;
c)在空穴传输层NPB之上,真空蒸镀作为发光层的Alq3,厚度为30nm;
d)在发光层Alq3之上,真空蒸镀作为电子传输层的TPBSF,厚度为30nm;
e)在电子传输层TPBSF之上,真空蒸镀电子注入层LiF,厚度为1nm;
f)在电子注入层LiF之上,真空蒸镀阴极Al,厚度为100nm。
器件的结构为ITO/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/MPSF(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。以实施例5制备的TPBSF作为器件的电子传输层,以Alq3作为器件的发光层,该器件的电压-电流密度曲线如附图9所示,电压-亮度曲线如附图10所示,电流密度-电流效率曲线如附图11所示,电流密度-功效率曲线如附图12所示。器件的启亮电压为5.0V,最大亮度4450cd/m2,最大电流效率1.14cd/A,功效率0.73lm/W。附图13为该器件在亮度为4450cd/m2时的电致发光光谱图,CIE坐标位于(0.35,0.53)。
实施例7中间体3-(3-溴-5-(4-吡啶)-苯基)吡啶3的制备及结构表征:
1、中间体3的合成:
在250mL三口瓶中,加入3-(3,5-二溴苯基)吡啶1(4.6g,14.7mmol),吡啶-4-硼酸(2.55g,17.6mmol),K2CO3(8g,58mmol),二氧六环(80mL),去离子水(40mL),N2保护,加入Pd(PPh3)4(800mg),回流反应18小时,停反应,加入100g去离子水,减压蒸出二氧六环,过滤,收集滤饼,硅胶柱层析,梯度洗脱,首先使用乙酸乙酯,而后使用甲醇:乙酸乙酯=1:8,得到中间体32.7g,收率59%。
2、中间体3的结构表征:
1H NMR(CDCl3,TMS,500MHz):8.871(s,1H),8.714-8.726(d,2H,J=6Hz),8.664-8.676(m,1H),7.890-7.909(m,1H),7.788-7.804(d,2H,J=8Hz),7.726(s,1H),7.516-7.529(m,2H),7.403-7.429(m,1H).
高分辨质谱,ESI源,正离子模式,分子式C16H11BrN2,理论值(M++1,C16H12BrN2)311.0184,测试值(M++1,C16H12BrN2)311.0180。
实施例8OLED材料MPSF的制备及性质:
1、OLED材料MPSF的合成:
在250mL三口瓶中,加入2,7-螺二芴硼酸酯(1.91g,3.36mmol),中间体3(2.33g,7.49mmol),K2CO3(2.5g,18mmol),N,N-二甲基乙酰胺(100mL),去离子水(40mL),Pd(PPh3)4(600mg),N2保护,回流反应24小时,停反应。加入120mL水,搅拌1小时,抽滤,150mL去离子水淋洗,100mL无水乙醇淋洗,收集滤饼,滤饼经过硅胶柱层析纯化,洗脱剂为甲醇:乙酸乙酯=1:5,得到目的物2.0g,使用氯仿:无水乙醇=1:4重结晶,得到淡黄色固体1.3g,使用化学气相沉积系统进一步升华提纯,升华温度340℃,得到0.65g目标物,产率25%。
1H NMR(CDCl3,TMS,500MHz):8.847-8.851(d,2H,J=2.0Hz),8.668-8.680(m,4H),8.617-8.630(m,2H),8.015-8.031(d,2H,J=8.0Hz),7.871-7.894(m,4H),7.729-7.748(m,2H),7.649-7.675(m,6H),7.509-7.521(m,4H),7.362-7.413(m,4H),7.138-7.168(m,2H),6.997-6.999(d,2H,J=1.0Hz),6.854-6.869(d,2H,J=7.5Hz).
高分辨质谱,ESI源,正离子模式,分子式C57H36N4,理论值(M++1,C57H37N4)777.3013,测试值(M++1,C57H37N4)777.3029。
2、OLED材料MPSF的性质:
MPSF纯品在溶液状态下的紫外-可见吸收光谱和荧光光谱如附图14所示,使用的溶剂为氯仿。MPSF的HOMO能级为5.8eV,使用光电子发射谱仪测得,gap为3.4eV,LUMO能级为2.4eV。
实施例9OLED材料MPSF在有机电致发光器件中的应用一
本实施例按照下述方法制备蓝色有机电致发光器件:
a)清洗ITO(氧化铟锡)玻璃:分别用去离子水、丙酮、乙醇超声清洗ITO玻璃各30分钟,然后在等离子体清洗器中处理5分钟;
b)在阳极ITO玻璃上真空蒸镀空穴传输层NPB,厚度为50nm;
c)在空穴传输层NPB之上,真空蒸镀同时作为发光层和电子传输层的MPSF,厚度为60nm;
d)在MPSF之上,真空蒸镀电子注入层LiF,厚度为1nm;
e)在电子注入层LiF之上,真空蒸镀阴极Al,厚度为100nm。
器件的结构为ITO/NPB(50nm)/MPSF(60nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。以实施例8制备的MPSF作为该器件的发光层和电子传输层,该器件的电压-电流密度曲线如附图15所示,电压-亮度曲线如附图16所示,电流密度-电流效率曲线如附图17所示,电流密度-功效率曲线如附图18所示。器件的启亮电压为4.5V,最大亮度3011cd/m2,最大电流效率0.63cd/A,功效率0.43lm/W。附图19为该器件在亮度为3011cd/m2时的电致发光光谱图,CIE坐标位于(0.161,0.135)。
本发明旨在提供一类既具有电子传输性能,又具有发光性能的新型OLED材料,以本发明所提供的材料制作的OLED器件,器件性能有进一步提升的空间,如使用其它材料代替NPB作为空穴传输层,使用其它材料代替TPBI作为电子传输层,或使用掺杂的方式制作器件等,类似改进都应该被理解为,属于本发明的保护范畴。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (2)

1.一种新型OLED材料,其特征在于:具有如下结构:
其中,所述R1,R2,R3分别为H原子,或者在以下结构中独立选择,可以相同也可以不同;R4选择自以下结构中的一种,不为H原子:
2.一种如权利要求1所述的新型OLED材料的应用,其特征在于:所述新型OLED材料应用在有机电致发光领域,作为发光材料和/或电子传输材料使用。
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