CN103259560B - 集成电路和无线通信设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了集成电路和无线通信设备。提供了一种集成电路，其包括：在发送路径上设置的第一开关元件；在接收路径上设置的第二开关元件；在所述第一开关元件的输入侧节点和地电势之间设置的第三开关元件；以及在所述第二开关元件的输出侧节点和地电势之间设置的第四开关元件。当所述第一开关元件和所述第四开关元件关断时，所述第二开关元件和所述第三开关元件导通。当所述第一开关元件和所述第四开关元件导通时，所述第二开关元件和所述第三开关元件关断。所述第一开关元件的输出侧节点连接到所述第二开关元件的输入侧节点，并且，所述第一开关元件的尺寸小于所述第二开关元件的尺寸。

Description

集成电路和无线通信设备

技术领域

本公开涉及集成电路和无线通信设备。

背景技术

在用于切换无线设备的发送和接收的发送/接收开关中，当制造处理用于CMOS时，已经一般使用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）（例如，参见日本专利申请公报No.2002-335187）。

发明内容

在无线设备中，因为发送/接收开关一般被布置在系统的前级，所以使用MOSFET的发送/接收开关的信号损失影响在接收系统中的接收灵敏度和在发送系统中的发送功率。因此，在使用MOSFET的发送/接收开关中，要求实现MOSFET导通时的低损耗和MOSFET关断时的高隔离。

在使用MOSFET的现有发送/接收开关中，当MOSFET导通时来自导通的信号路径的寄生元件的影响降低以实现低损耗。然而，在用于高频信号的发送/接收开关中，不可以忽略来自关断的信号路径的寄生元件的影响。在一般的系统中，接收侧的信号路径的切换损耗影响接收灵敏度，并且发送侧的信号路径的切换损耗影响发送功率和消耗功率。因此，当实现低损耗时，要求在发送系统和接收系统两者中降低损耗。然而，在降低损耗中存在限制。

期望提供可以在系统中实现低损耗的集成电路和无线通信设备，在该系统中，需要降低损耗并且满足低损耗和高隔离两者。

根据本公开的实施例，提供了一种集成电路，所述集成电路包括：在发送路径上设置的第一开关元件、在接收路径上设置的第二开关元件、在所述第一开关元件的输入侧节点和地电势之间设置的第三开关元件、以及在所述第二开关元件的输出侧节点和地电势之间设置的第四开关元件。当所述第一开关元件和所述第四开关元件关断时，所述第二开关元件和所述第三开关元件导通。当所述第一开关元件和所述第四开关元件导通时，所述第二开关元件和所述第三开关元件关断。所述第一开关元件的输出侧节点连接到所述第二开关元件的输入侧节点，并且，所述第一开关元件的尺寸小于所述第二开关元件的尺寸。

此外，根据本公开的实施例，提供了一种无线通信设备，所述无线通信设备包括：在发送路径上设置的第一开关元件、在接收路径上设置的第二开关元件、在所述第一开关元件的输入侧节点和地电势之间设置的第三开关元件、在所述第二开关元件的输出侧节点和所述地电势之间设置的第四开关元件、以及连接到在所述第一开关元件的输出侧节点和所述第二开关元件的输入侧节点之间的节点的天线。当从所述天线接收到信号、并且所述第一开关元件和所述第四开关元件关断时，所述第二开关元件和所述第三开关元件导通。当从所述天线发送信号、并且所述第一开关元件和所述第四开关元件导通时，所述第二开关元件和所述第三开关元件关断。所述第一开关元件的尺寸小于所述第二开关元件的尺寸。

根据如上所述的本公开的实施例，可以提供能够在需要降低损耗的系统中实现低损耗并且满足低损耗和高隔离两者的集成电路和无线通信设备。

附图说明

图1是图示根据现有技术的使用MOSFET的发送/接收开关的配置示例的图；

图2是图示根据现有技术的使用MOSFET的发送/接收开关的配置示例的图；

图3是图示根据现有技术的发送/接收开关的配置示例的图；

图4是图示根据本公开的第一实施例的发送/接收开关100的配置的图；

图5是图示在图1中所示的根据现有技术的发送/接收开关1000中设置的MOSFET M101和M102的截面图像的图；

图6是图示在图4中所示的根据本公开的第一实施例的发送/接收开关100中设置的MOSFET M11和M12的截面图像的图；

图7是图示根据本公开的第二实施例的发送/接收开关200的配置的图；

图8是图示在图7中所示的根据本公开的第二实施例的发送/接收开关200中设置的MOSFET M21和M22的截面图像的图；

图9是图示根据本公开的第三实施例的发送/接收开关300的配置的图；

图10是图示根据本公开的第四实施例的发送/接收开关400的配置的图；

图11是图示在图10中所示的根据本公开的第四实施例的发送/接收开关400中设置的MOSFET M41和M42的截面图像的图；

图12是图示根据本公开的第五实施例的发送/接收开关500的配置的图；

图13是图示在图12中所示的根据本公开的第五实施例的发送/接收开关500中设置的MOSFET M51和M52的截面图像的图；

图14是图示其中MOSFET M51和M52的寄生电容降低的方面的图；

图15是图示根据本公开的第五实施例的修改的发送/接收开关500’的配置的图；以及

图16是图示包括根据本公开的每一个实施例的发送/接收开关的无线通信设备600的配置的图。

具体实施方式

以下，将参考附图详细描述本公开的优选实施例。注意，在本说明书和附图中，使用相同的附图标号来表示具有大体相同的功能和结构的结构元件，并且，省略这些结构元件的重复说明。

以下述的顺序来进行下面的说明。

<1.现有技术及其问题>

<2.第一实施例>

<3.第二实施例>

<4.第三实施例>

<5.第四实施例>

<6.第五实施例>

<7.包括发送/接收开关的无线通信设备>

<8.总结>

<1.现有技术及其问题>

首先，将描述用于在使用现有的MOSFET的发送/接收开关中实现MOSFET导通时的低损耗和MOSFET关断时的高隔离的技术及其问题。

图1是图示根据现有技术的使用MOSFET的发送/接收开关的配置示例的图。在图1中所示的发送/接收开关1000中，使用四个MOSFET M101至M104。MOSFET M101至M104的每个是n型MOSFET。RF-1是连接到发送侧系统的接口，RF-2是连接到接收侧系统的接口，并且RF IO是连接到天线的接口。MOSFET M101和M102分别具有用于导通/关断发送系统和接收系统的开关的功能，并且MOSFET M103和M104分别具有用于将发送系统和接收系统连接到地和实现隔离的开关的功能。

MOSFET M101和M104被控制端子1同时导通/关断，并且，MOSFETM102和M103被控制端子2同时导通/关断。当MOSFET M101和M104导通时，MOSFET M102和M103关断，并且当MOSFET M101和M104关断时，MOSFET M102和M103导通。

在发送时，MOSFET M101和M104导通，并且MOSFET M102和M103关断。结果，从连接到RF IO的天线发送信号，并且可以防止接收系统的不需要的波和关断的接收系统电路的阻抗影响RF IO。在接收时，MOSFET M102和M103导通，并且MOSFET M101和M103关断。结果，由连接到RF IO的天线接收的信号被发送到接收系统，并且可以防止发送系统的不需要的波和关断的发送系统电路的阻抗影响RF IO。

这样，在无线设备中，因为发送/接收开关一般布置在系统的前级，所以使用MOSFET的发送/接收开关的信号损耗影响在接收系统中的接收灵敏度和在发送系统中的发送功率。因此，在使用MOSFET的发送/接收开关中，要求实现MOSFET导通时的低损耗和MOSFET关断时的高隔离。

作为用于实现MOSFET导通时的低损耗的方法，已知增大MOSFET的尺寸以减小用于在信号路径上的开关的MOSFET的导通电阻的方法、去除用于隔离的地MOSFET以减小寄生电容的技术、以及使用电感器和电容器的技术。

图2是图示根据现有技术的使用MOSFET的发送/接收开关的配置示例的图。在图2中所示的发送/接收开关1100中，使用三个MOSFETM111至M113。RF-1、RF-2和RF IO的功能与在图1中所示的发送/接收开关1000中的那些相同。

在图2中所示的发送/接收开关1100中，仅在发送侧系统中设置用于隔离的地MOSFET M113。因为从图1中所示的发送/接收开关1000的配置去除用于隔离的一个地MOSFET，所以寄生电容减小。然而，因为地MOSFET的去除，隔离可能变差。

图3是图示根据现有技术的发送/接收开关的配置示例的图。在图3中所示的发送/接收开关1200中，使用两个MOSFET M121和M122、电感器L121与电容器C121和C122。RF-1、RF-2和RF IO的功能与在图1中所示的发送/接收开关1000中的那些相同。

在图3中所示的发送/接收开关1200中，因为在接收系统中设置电感器L121与电容器C121和C122并且在接收路径上未设置MOSFET，所以可以降低损耗。然而，在图3中所示的发送/接收开关1200中，因为设置了电感器，所以与其中设置MOSFET的情况作比较，尺寸会增大。

当利用使用弱电波的短距离无线发送技术来发送和接收信号时，需要抑制发送功率。因为这个原因，即使发送侧的损耗提高到一定程度，其影响也小。同时，因为需要改善在接收侧中的接收灵敏度，所以优选地最小化损耗。

因此，在要在下面描述的本公开的每一个实施例中，将描述其中在将发送侧的损耗牺牲到一定程度的同时最小化接收侧的损耗以由此改善使用发送/接收开关的无线通信设备的性能的发送/接收开关。

<2.第一实施例>

图4是图示根据本公开的第一实施例的发送/接收开关100的配置的图。以下，将使用图4描述根据本公开的第一实施例的发送/接收开关100的配置。

如图4中所示，根据本公开的第一实施例的发送/接收开关100包括作为n型MOSFET的MOSFET M11至M14。RF-1是连接到发送侧系统的接口，RF-2是连接到接收侧系统的接口，并且RF IO是连接到天线的接口。MOSFET M11和M12分别具有用于导通/关断发送系统和接收系统的开关的功能，并且，MOSFET M13和M14分别具有用于将发送系统和接收系统连接到地和实现隔离的开关的功能。

MOSFET M11和M14被控制端子1同时导通/关断，并且，MOSFETM12和M13被控制端子2同时导通/关断。当MOSFET M11和M14导通时，MOSFET M12和M13关断，并且当MOSFET M11和M14关断时，MOSFET M12和M13导通。

在发送时，MOSFET M11和M14导通，并且MOSFET M12和M13关断。结果，从连接到RF IO的天线发送信号，并且防止发送信号被发送到接收系统。在接收时，MOSFET M12和M13导通，并且MOSFET M11和M13关断。结果，由连接到RF IO的天线接收的信号被发送到接收系统，并且防止接收的信号被发送到发送系统。

在根据这个实施例的发送/接收开关100中，MOSFET M11的尺寸小于MOSFET M12的尺寸。如果MOSFET M11的尺寸小于MOSFET M12的尺寸，则可以降低来自RF IO的MOSFET M11的寄生电容。

图5是图示在图1中所示的根据现有技术的发送/接收开关1000中设置的MOSFET M101和M102的截面图像的图。在根据现有技术的发送/接收开关1000中设置的MOSFET M101和M102具有相同的尺寸，如图5中所示。在MOSFET M101和M102的每一个中，在源极和基极之间的寄生电容Csb1和在漏极和基极之间的寄生电容Cdb1存在。

图6是图示在图4中所示的根据本公开的第一实施例的发送/接收开关100中设置的MOSFET M11和M12的截面图像的图。如图6中所示，在发送/接收开关100中设置的MOSFET M11和M12中，在发送路径上设置的MOSFET M11的尺寸变得小于在接收路径上设置的MOSFET M12的尺寸。在MOSFET M11和M12中，在源极和基极之间的寄生电容Csb1和Csb2与在漏极和基极之间的寄生电容Cdb1和Cdb2分别存在。

通常，在使用MOSFET的发送/接收开关中，执行切换以减小接通电阻的MOSFET被设置为具有大的尺寸。然而，在发送路径上设置的MOSFET M11被设置为具有小的尺寸。如果MOSFET M11的尺寸减小，则发送路径的损耗增大。然而，来自RF IO的MOSFET M11的寄生电容（在源极和基极之间的寄生电容Csb1与在漏极和基极之间的寄生电容Cdb1）减小，并且可以减小接收路径的损耗。

如上所述，在根据本公开的第一实施例的发送/接收开关100中，在发送路径上设置的MOSFET M11的尺寸变得小于在接收路径上设置的MOSFET M12的尺寸。结果，来自RF IO的MOSFET M11的寄生电容（在源极和基极之间的寄生电容Csb1与在漏极和基极之间的寄生电容Cdb1）减小，并且可以减小接收路径的损耗。因为在发送侧和接收侧两者中设置了用于隔离的地MOSFET M13和M14，所以根据本公开的第一实施例的发送/接收开关100可以满足对于高隔离的要求。

<3.第二实施例>

接下来，将描述根据本公开的第二实施例的发送/接收开关。图7是图示根据本公开的第二实施例的发送/接收开关200的配置的图。以下，将使用图7来描述根据本公开的第二实施例的发送/接收开关200的配置。

如图7中所示，根据本公开的第二实施例的发送/接收开关200包括MOSFET M21至M24。RF-1、RF-2和RF IO的功能与在图4中所示的发送/接收开关100的那些相同。

在图7中所示的根据本公开的第二实施例的发送/接收开关200与根据本公开的第一实施例的发送/接收开关100的不同之处在于：在发送路径上设置的MOSFET M21的阱端子通过具有高阻抗的电阻器R23连接到地电势。

图8是图示在图7中所示的根据本公开的第二实施例的发送/接收开关200中设置的MOSFET M21和M22的截面图像的图。如图8中所示，在发送/接收开关200中设置的MOSFET M21和M22中，在发送路径上设置的MOSFET M21的尺寸变得小于在接收路径上设置的MOSFET M22的尺寸。MOSFET M21的阱端子通过具有高阻抗的电阻器R23连接到地电势。因此，在MOSFET M21的源极和基极之间的寄生电容Csb1与在MOSFET M21的漏极和基极之间的寄生电容Cdb1通过具有高阻抗的电阻器R23连接到地电势。

这样，在发送路径上设置的MOSFET M21的阱端子通过具有高阻抗的电阻器R23连接到地电势，使得可以增大包括MOSFET M21的漏极电容的、来自MOSFET M21的漏极端子的阻抗。通过增大来自MOSFETM21的漏极端子的阻抗，可以减小来自RF IO的MOSFET M21的寄生电容，并且可以减小接收路径的损耗。

在图7和8中，MOSFET M21的阱端子通过具有高阻抗的电阻器R23连接到地电势。然而，本公开不限于上面的示例。例如，MOSFET M21的阱端子可以在发送路径上浮动（float），并且当在发送路径上设置p型MOSFET时，MOSFET M21的阱端子可以通过具有高阻抗的电阻器R23连接到电源电势。

<4.第三实施例>

接下来，将描述根据本公开的第三实施例的发送/接收开关。图9是图示根据本公开的第三实施例的发送/接收开关300的配置的图。以下，将使用图9来描述根据本公开的第三实施例的发送/接收开关300的配置。

如图9中所示，根据本公开的第三实施例的发送/接收开关300包括MOSFET M31至M34。RF-1、RF-2和RF IO的功能与在图4中所示的发送/接收开关100的那些相同。

在图9中所示的根据本公开的第三实施例的发送/接收开关300与根据本公开的第二实施例的发送/接收开关200的不同之处在于：在接收路径上设置的MOSFET M32的阱端子以及在发送路径上设置的MOSFET M31的阱端子通过具有高阻抗的电阻器R34连接到地电势。

在发送路径上设置的MOSFET M31的阱端子通过具有高阻抗的电阻器R33连接到地电势，使得可以增大包括MOSFET M31的漏极电容的、来自MOSFET M31的漏极端子的阻抗。类似地，在接收路径上设置的MOSFET M32的阱端子通过具有高阻抗的电阻器R34连接到地电势，使得可以增大包括MOSFET M32的漏极电容的、来自MOSFET M32的漏极端子的阻抗。因此，可以降低来自RF IO的MOSFET M31和M32的寄生电容，并且可以降低接收路径的损耗。

<5.第四实施例>

接下来，将描述根据本公开的第四实施例的发送/接收开关。图10是图示根据本公开的第四实施例的发送/接收开关400的配置的图。以下，将使用图10来描述根据本公开的第四实施例的发送/接收开关400的配置。

如图10中所示，根据本公开的第四实施例的发送/接收开关400包括MOSFET M41至M45。RF-1、RF-2和RF IO的功能与在图4中所示的发送/接收开关100的那些相同。

在图10中所示的根据本公开的第四实施例的发送/接收开关400与根据本公开的第二实施例的发送/接收开关200的不同之处在于：在接收路径上设置的MOSFET M42的阱端子通过MOSFET M45连接到地电势。通过从控制端子1施加电压来控制MOSFET M45的导通/关断（ON/OFF）。即，当MOSFET M41和M44导通时，MOSFET M45也导通。当MOSFETM41和M44关断时，MOSFET M45也关断。

如上所述，在接收路径中使用的MOSFET M42的阱端子通过具有高阻抗的电阻器连接到地或电源，使得可以增大包括MOSFET M42的漏极电容的、来自MOSFET M42的漏极端子的阻抗。然而，如果仅使用上面的配置，则MOSFET M42关断时的隔离会变差。

因此，为了防止接收路径的MOSFET关断时的隔离变差，在接收路径上设置的MOSFET M42的阱端子通过MOSFET M45连接到地电势，如图10中所示。MOSFET M45被插入到具有高阻抗的部分内，以将在接收路径上设置的MOSFET M42的阱端子连接到地电势，并且当接收路径导通时，MOSFET M45关断，并且当接收路径关断时，MOSFET M45导通。

图11是图示在图10中所示的根据本公开的第四实施例的发送/接收开关400中设置的MOSFET M41和M42的截面图像的图。如图11中所示，在根据本公开的第四实施例的发送/接收开关400中设置的MOSFET M41和M42中，在发送路径上设置的MOSFET M41的尺寸变得小于在接收路径上设置的MOSFET M42的尺寸。MOSFET M41的阱端子通过具有高阻抗的电阻器R41连接到地电势，并且，MOSFET M42的阱端子通过MOSFET M45连接到地电势。

当MOSFET M45关断时，MOSFET M45变得具有高阻抗。因为这个原因，在源极和基极之间的寄生电容Csb2和在漏极和基极之间的寄生电容Cdb2通过高阻抗连接到地电势，并且可以增大包括MOSFET M42的漏极电容的、来自MOSFET M42的漏极端子的阻抗。当MOSFET M42关断时，MOSFET M45导通。因为这个原因，在源极和基极之间的寄生电容Csb2和在漏极和基极之间的寄生电容Cdb2连接到地电势，并且可以保证相对于接收路径的隔离。

这样，MOSFET M45被插入到具有高阻抗的部分内，以将在接收路径上设置的MOSFET M42的阱端子连接到地电势。由此，根据本公开的第四实施例的发送/接收开关400可以降低接收路径导通时的损耗，并且可以保证接收路径关断并且发送路径导通时相对于接收路径的隔离。

<6.第五实施例>

接下来，将描述根据本公开的第五实施例的发送/接收开关。图12是图示根据本公开的第五实施例的发送/接收开关500的配置的图。以下，将使用图12来描述根据本公开的第五实施例的发送/接收开关500的配置。

如图12中所示，根据本公开的第五实施例的发送/接收开关500包括MOSFET M51至M54。RF-1、RF-2和RF IO的功能与在图4中所示的发送/接收开关100的那些相同。如图12中所示，在根据本公开的第五实施例的发送/接收开关500中，通过二极管D51和电阻器R55来连接MOSFET M54的栅极端子和RF-2。

当在其中要求降低损耗的接收路径上的MOSFET M52导通时，如果向接收路径施加DC电压，则向在接收路径上的MOSFET M52和在关断的发送路径上的MOSFET M51的每个中的漏极/源极与阱之间的P-N结施加反向偏压。当在接收路径上的MOSFET M52导通时，向在导通的接收路径上的MOSFET M52和在关断的发送路径上的MOSFET M51两者施加反向偏压，并且，同时减小MOSFET M51和M52两者的寄生电容。通过同时减小MOSFET M51和M52两者的寄生电容，可以减小其中要求减小损耗的接收路径的损耗。

图13是图示在图12中所示的根据本公开的第五实施例的发送/接收开关500中设置的MOSFET M51和M52的截面图像的图。如图13中所示，当在接收路径上的MOSFET M52导通时，根据本公开的第五实施例的发送/接收开关500向接收路径施加DC电压V。如果向接收路径施加DC电压V，则向在MOSFET M51和M52的每一个中的漏极/源极和阱之间的P-N结施加反向偏压，并且MOSFET M51和M52的寄生电容减小。具体地说，如果向接收路径施加DC电压V，则MOSFET M52的源极/漏极耗尽层电容减小，并且MOSFET M51的漏极耗尽层电容减小。图14是图示其中向在漏极/源极和阱之间的PN结施加反向偏压并且MOSFET M51和M52的寄生电容减小的方面的图。

向在MOSFET M51和M52的每一个中的漏极/源极和阱之间的PN结施加反向偏压，以减小MOSFET M51和M52的寄生电容。结果，根据本公开的第五实施例的发送/接收开关500可以减小其中要求减小损耗的接收路径的损耗。

在本公开的第五实施例中，通过二极管和电阻器来连接在图4中所示的发送/接收开关100中的MOSFET M14的栅极端子和RF-2。然而，本公开不限于上面的示例。即使在如上所述的发送/接收开关200、300和400中，也可以通过二极管和电阻器来连接在接收路径上设置的MOSFET的栅极端子和RF-2。通过二极管和电阻器连接MOSFET的栅极端子和RF-2，以减小在发送路径上的MOSFET和在接收路径上的MOSFET的寄生电容，由此减小其中要求减小损耗的接收路径的损耗。

图15是图示根据本公开的第五实施例的修改的发送/接收开关500’的电路配置的图。通过下述方式来获得根据该修改的发送/接收开关500’：向在图10中所示的根据本公开的第四实施例的发送/接收开关400加上在图12中所示的根据本公开的第五实施例的发送/接收开关500中包括的反相器电路D51和电阻器R55。这样，通过反相器电路和电阻器来连接在图10中所示的根据本公开的第四实施例的发送/接收开关400中的MOSFETM44的栅极端子和RF-2，以减小在发送路径上的MOSFET和在接收路径上的MOSFET的寄生电容，由此减小其中要求减小损耗的接收路径的损耗。

<7.包括发送/接收开关的无线通信设备>

接下来，将描述包括根据如上所述的本公开的每一个实施例的发送/接收开关的无线通信设备。图16是图示包括根据本公开的每一个实施例的发送/接收开关的无线通信设备600的配置的图。以下，将使用图16来描述包括根据本公开的每一个实施例的发送/接收开关的无线通信设备600的配置。

如图16中所示，无线通信设备600包括发送/接收开关100、天线610、接收电路620、发送电路630和数据处理单元640。图16图示作为示例的包括根据本公开的第一实施例的发送/接收开关100的无线通信设备600。在本公开中，可以在无线通信设备中设置根据其他实施例之一的发送/接收开关。

在图16中所示的无线通信设备600是被配置来以最大560Mbps的通信速度与4.48GHz的载波执行高速近距离通信的无线通信设备。天线610是通过高速近距离通信来发送和接收电波的天线。

接收电路620是从由天线610接收的电波产生接收数据的电路。由接收电路620产生的接收数据被发送到数据处理单元640。发送电路630是执行用于通过天线610发送从数据处理单元640发送的发送数据的处理的电路。数据处理单元640执行基于从由天线610接收的电波产生的接收数据的处理或用于产生要由天线610发送的发送数据的处理。

因为需要抑制在高速近距离通信中的发送功率，所以即使发送侧的损耗增大到一定程度，其影响也小。同时，因为需要改善在接收侧中的接收灵敏度，所以优选地最小化损耗。因此，如上所述的根据本公开的每一个实施例的发送/接收开关被设置在无线通信设备中以执行高速近距离通信，使得可以最小化接收侧的损耗，并且可以防止接收灵敏度因为接收侧的损耗而变差。

<8.总结>

如上所述，根据本公开的每一个实施例，在发送路径上设置的MOSFET的尺寸变得小于在接收路径上设置的MOSFET的尺寸，使得要从天线侧测量的在发送路径上的MOSFET的寄生电容减小，并且可以减小接收路径的损耗。因为在发送侧和接收侧两者中设置用于隔离的地MOSFET，所以能够满足对于高隔离的要求。

当在接收侧使用根据本公开的每一个实施例的发送/接收开关时，接收路径的损耗减小，并且可以改善接收灵敏度。当在发送侧使用根据本公开的每一个实施例的发送/接收开关时，可以改善发送功率的效率，这导致促进降低消耗功率。如果在无线通信设备中使用根据本公开的每一个实施例的发送/接收开关，则与根据现有技术的发送/接收开关作比较，可以确定地保持隔离。因为不必使用电感器，所以可以减小发送/接收开关的尺寸。

在根据每一个实施例的发送/接收开关中，用于导通/关断通信路径的MOSFET的栅极和用于隔离的地MOSFET的栅极连接到同一条导线。然而，本公开不限于上面的示例。例如，在根据第一实施例的发送/接收开关100中，当可以同时导通/关断MOSFET M11和M14并且可以同时导通/关断MOSFET M12和M13时，MOSFET M11和M14的栅极可以不连接到同一导线，并且MOSFET M12和M13的栅极可以不连接到同一导线。

本领域内的技术人员应当明白，各种修改、组合、子组合和改变可以根据设计要求和其他因素出现，只要它们在所附的权利要求或其等同内容的范围内。

另外，本技术也可以被如下配置。

（1）一种集成电路，包括：

在发送路径上设置的第一开关元件；

在接收路径上设置的第二开关元件；

在所述第一开关元件的输入侧节点和地电势之间设置的第三开关元件；以及

在所述第二开关元件的输出侧节点和地电势之间设置的第四开关元件，

其中，当所述第一开关元件和所述第四开关元件关断时，所述第二开关元件和所述第三开关元件导通，

其中，当所述第一开关元件和所述第四开关元件导通时，所述第二开关元件和所述第三开关元件关断，以及

其中，所述第一开关元件的输出侧节点连接到所述第二开关元件的输入侧节点，并且，所述第一开关元件的尺寸小于所述第二开关元件的尺寸。

（2）根据（1）所述的集成电路，进一步包括：

第一电阻器，其被设置在所述第一开关元件的阱和预定电势之间。

（3）根据（2）所述的集成电路，进一步包括：

第五开关元件，其被设置在所述第二开关元件的阱和所述预定电势之间，

其中，当所述第一开关元件和所述第四开关元件关断时，所述第五开关元件关断，并且，当所述第一开关元件和所述第四开关元件导通时，所述第五开关元件导通。

（4）根据（2）至（3）的任何一项所述的集成电路，进一步包括：

第二电阻器，其被设置在所述第二开关元件的阱和所述预定电势之间。

（5）根据（1）至（4）的任何一项所述的集成电路，进一步包括：

直流电压施加单元，其被设置在所述第四开关元件的栅极端子和所述第二开关元件的所述输出侧节点之间。

（6）根据（5）所述的集成电路，其中，所述直流电压施加单元包括二极管和第三电阻器，所述二极管的正极连接到所述第四开关元件的所述栅极端子，所述二极管的负极连接到所述第三电阻器的一个端子，所述第三电阻器的另一个端子连接到所述第二开关元件的所述输出侧节点。

（7）一种无线通信设备，包括：

在发送路径上设置的第一开关元件；

在接收路径上设置的第二开关元件；

在所述第一开关元件的输入侧节点和地电势之间设置的第三开关元件；

在所述第二开关元件的输出侧节点和所述地电势之间设置的第四开关元件；以及

天线，其连接到在所述第一开关元件的输出侧节点和所述第二开关元件的输入侧节点之间的节点，

其中，当从所述天线接收到信号、并且所述第一开关元件和所述第四开关元件关断时，所述第二开关元件和所述第三开关元件导通，

其中，当从所述天线发送信号、并且所述第一开关元件和所述第四开关元件导通时，所述第二开关元件和所述第三开关元件关断，以及

其中，所述第一开关元件的尺寸小于所述第二开关元件的尺寸。

本公开包含与在2012年2月17日在日本专利局提交的日本在先专利申请JP2012-032538中公开的主题相关的主题，其整体内容通过引用被包含在此。

Claims (6)

1.一种集成电路，包括：

在发送路径上设置的第一开关元件；

在接收路径上设置的第二开关元件；

在所述第一开关元件的输入侧节点和地电势之间设置的第三开关元件；

在所述第二开关元件的输出侧节点和地电势之间设置的第四开关元件；以及

第一电阻器，其被设置在所述第一开关元件的阱和预定电势之间，

其中，当所述第一开关元件和所述第四开关元件关断时，所述第二开关元件和所述第三开关元件导通，

其中，当所述第一开关元件和所述第四开关元件导通时，所述第二开关元件和所述第三开关元件关断，以及

其中，所述第一开关元件的输出侧节点连接到所述第二开关元件的输入侧节点，并且，所述第一开关元件的尺寸小于所述第二开关元件的尺寸。

2.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括：

第五开关元件，其被设置在所述第二开关元件的阱和所述预定电势之间，

其中，当所述第一开关元件和所述第四开关元件关断时，所述第五开关元件关断，并且，当所述第一开关元件和所述第四开关元件导通时，所述第五开关元件导通。

3.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括：

第二电阻器，其被设置在所述第二开关元件的阱和所述预定电势之间。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的集成电路，进一步包括：

直流电压施加单元，其被设置在所述第四开关元件的栅极端子和所述第二开关元件的所述输出侧节点之间。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述直流电压施加单元包括二极管和第三电阻器，所述二极管的正极连接到所述第四开关元件的所述栅极端子，所述二极管的负极连接到所述第三电阻器的一个端子，所述第三电阻器的另一个端子连接到所述第二开关元件的所述输出侧节点。

6.一种无线通信设备，包括：

在发送路径上设置的第一开关元件；

在接收路径上设置的第二开关元件；

在所述第一开关元件的输入侧节点和地电势之间设置的第三开关元件；

在所述第二开关元件的输出侧节点和所述地电势之间设置的第四开关元件；

第一电阻器，其被设置在所述第一开关元件的阱和预定电势之间；以及

天线，其连接到在所述第一开关元件的输出侧节点和所述第二开关元件的输入侧节点之间的节点，

其中，当从所述天线接收到信号、并且所述第一开关元件和所述第四开关元件关断时，所述第二开关元件和所述第三开关元件导通，

其中，当从所述天线发送信号、并且所述第一开关元件和所述第四开关元件导通时，所述第二开关元件和所述第三开关元件关断，以及

其中，所述第一开关元件的尺寸小于所述第二开关元件的尺寸。