CN102707635B - 高频开关组件、发送器和方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及高频开关组件、发送器和方法。一种具有第一开关状态和第二开关状态的高频开关组件包括发送器构件和开关组件。所述发送器构件包括初级侧和具有第一次级侧端子和第二次级侧端子的次级侧，并被实现为借助于电感耦合将施加到其初级侧的HF输入信号发送到其次级侧。所述开关组件被实现为在第一开关状态下将第一参考电位施加到第一次级侧端子，从而在第一开关状态下，第一发送器输出信号可在第二次级侧端子处被抽出，第一发送器输出信号基于施加到发送器构件的初级侧的HF输入信号。此外，所述开关组件被实现为在第二开关状态下将第二参考电位施加到第二次级侧端子，从而在第二开关状态下，第二发送器输出信号可在第一次级侧端子处被抽出，第二发送器输出信号基于施加到发送器构件的初级侧的HF输入信号。

Description

高频开关组件、发送器和方法

背景技术

本发明的实施例提供了一种可被用于例如高频信号源中的高频开关组件。进一步的实施例提供了一种可被用在例如移动无线电装置中的发送器。

对于存在的移动无线电标准，在全球范围内，许多不同的频率范围已被管理机构定义或分配。因此，对于移动无线电电话的可能在全球范围内的且不受限的可使用性，制造商面临着覆盖这些不同频带的挑战。

在现代应用中，日益集成的复杂高频电路被使用，这允许节省越来越多的早期在印刷电路板上必要的分立装置。这些高频芯片包括整个接收器、发送器、频率产生、信号处理以及可能的供电电压调节。

然而，目前为止，仍然不可能集成例如高频范围内的非常有选择性的高质量滤波器，然而，由于系统操作的方式，在高频信号路径中需要所述滤波器。因此，要支持的每个频带将被单独处理，并且所述路径将借助于高频信号复用器而在天线前面被直接组合。

由于要支持的所有信号路径在印刷电路板上被不同地处理，因此芯片制造商面临着这样的任务：或者在高频芯片上提供相应数量的信号源(发送器输出)和信号宿(sink)(接收器输入)，或者可替换地提供较少数量的通用源和宿，然而所述通用源和宿然后能够借助于另外的外部开关被连接到单独的发送和接收路径。这里，芯片制造商将更喜欢第二种方法，因此这耗费较少的芯片区域和电路努力(circuit effort)，并且对他来说通常是不那么昂贵的替代方案。

然而，电话制造商将宁愿尝试使用第一种替代方案，即，更喜欢在印刷电路板上具有很少开关的尽可能简单的布置。这节省了装置成本、开发努力，并且由于缺少开关造成信号链内的信号损耗而变得更小，因此通常允许更好质量的信号链。

信号路径内的开关自然导致由有限电导和寄生电容引起的信号损耗。因此，外部开关一般能够通过使用特定技术而被建造得比那些通过半导体技术在芯片内制造的开关具有更好的性能。

发明内容

本发明的实施例提供了一种具有第一开关状态和第二开关状态的高频开关组件。所述高频开关组件包括具有初级侧和次级侧的发送器构件，所述次级侧具有第一次级端子和第二次级侧端子。发送器构件被实现为借助于电感耦合将施加到其初级侧的高频输入信号(HF输入信号)发送到其次级侧。另外，所述高频开关组件包括开关组件，所述开关组件被实现为在第一开关状态下将第一参考电位施加到第一次级侧端子，从而在第一开关状态下，第一发送器输出信号可在第二次级侧端子处被抽出，第一发送器输出信号基于施加到发送器构件的初级侧的HF输入信号，并且所述开关组件被实现为在第二开关状态下将第二参考电位施加到第二次级侧端子，从而在第二开关状态下，第二发送器输出信号可在第一次级侧端子处被抽出，第二发送器输出信号基于施加到发送器构件的初级侧的HF输入信号。

附图说明

以下将参照附图更详细地描述本发明的实施例，附图示出：

图1a是根据用于单相HF输入信号的实施例的高频开关组件的等效图；

图1b是根据用于差分HF输入信号的实施例的高频开关组件的等效图；

图2a是根据用于标准CMOS半导体工艺的实施例的高频开关组件的等效图；

图2b是图2a中示出的电路的可能实施方式的等效图；

图3是通过可开关阻抗对图2b中示出的电路的可能扩展；

图4是根据实施例的发送器的框图；以及

图5是根据实施例的方法的流程图。

具体实施方式

在下面基于附图详细描述本发明的实施例之前，应该注意，在附图中等同的元件或具有相同功能的元件被设置了相同的参考标号，并且对这些元件的重复描述被省略。因此，对设置有相同参考标号的元件的描述是可互换的。

图1a示出根据实施例的高频开关组件100的等效图。高频开关组件包括第一开关状态和第二开关状态。另外，高频开关组件100包括具有初级侧103和次级侧105的发送器构件100。次级侧105包括第一次级侧端子S1和第二次级侧端子S2。发送器构件101被实现为借助于电感耦合将施加到其初级侧102的HF输入信号107发送到其次级侧105。

另外，高频开关组件100包括开关组件109，所述开关组件109被实现为在第一开关状态下将第一参考电位Vref1施加到或提供给发送器构件101的次级侧105的第一次级侧端子S1，从而在第一开关状态下，第一发送器输出信号111a可在第二次级侧端子S2处被抽出，第一发送器输出信号111a基于施加到发送器构件101的初级侧103的HF输入信号107。另外，所述开关组件109被实现为在第二开关状态下将第二参考电位Vref2施加到或提供给发送器构件101的次级侧105的第二次级侧端子S2，从而在第二开关状态下，第二发送器输出信号111b可在第一次级侧端子F1处被抽出，第二发送器输出信号111b基于施加到发送器构件101的初级侧103的HF输入信号107。

图1中示出的高频开关组件100实现了：依据高频开关组件100的开关状态(并依据发送器构件101的发送器比率)，HF输入信号107可在第一次级侧端子S1处或第二次级侧端子S2处被抽出，而参考电位(例如，Vref1或Vref2)被施加到相应的另一次级侧端子。因此，在信号情况下高频开关组件100可被布置为所谓的分路开关，其中高频开关组件100的一端(次级侧端子S1、S2之一)被分别连接到参考电位(以及尤其连接到高频接地)，并且因此并不是开关(或高频开关组件100)的两个端子S1、S2都被施加高频输入信号107。这使得图1a中示出的开关或图1a中示出的高频开关组件100可被制造得具有更低的欧姆值且更加线性，从而HF输入信号107比其在可能已知的高频转换开关中的情况下受影响更少。

另外，图1a中示出的组件允许舍弃串联开关，其中，HF输入信号107将被施加到所述串联开关的两个端子，并且从而由于损耗和失真将导致较低的性能。

根据一些实施例，第一开关状态和第二开关状态在时间上可以是连续的，从而在预定时间点，或者第一发送器输出信号111a基于HF输入信号107或者第二发送器输出信号111b基于HF输入信号107。换句话说，在第一开关状态下，第二次级侧端子S2处的电位或HF信号基于发送器构件101的初级侧103上的HF输入信号107，并且在第一次级侧端子S1处的电位对应于第一参考电位Vref1。在第二开关状态下，这是相反的，即，第一次级侧端子S1处的电位或HF信号基于发送器构件101的初级侧上的HF输入信号107，并且第二次级侧端子S2处的电位基于第二参考电位Vref2。因此，在预定时间点，HF输入信号107总是仅在这两个次级侧端子S1、S2中的一个上被发送，因为开关组件109在另一相应次级侧端子处提供参考电位Vref1、Vref2中的一个。

根据进一步的实施例，高频开关组件100还可包括第一输出端子113a和第二输出端子113b。输出端子113a、113b可形成例如在其上集成高频开关组件100的芯片的端子。第一输出端子113a可被耦合至第二次级侧端子S2，从而在第一开关状态下，与第一发送器输出信号111a相等或至少基于第一发送器输出信号111a的第一HF输出信号115a可在第一输出端子113a处被抽出。第二输出端子113b可被耦合至第一次级侧端子S1，从而在第二开关状态下，与第二发送器输出信号111b相等或至少基于第二发送器输出信号111b的第二HF输出信号115b可在第二输出端子113b处被抽出。

在本申请中，耦合意味着直接低欧姆耦合以及中间连接一个装置或若干个装置的间接耦合，从而第二电路节点处的信号取决于耦合至第二开关节点的第一电路节点处的信号。换句话说，在相互耦合的两个端子之间，可连接另外的装置，特别是无源装置，诸如电阻器或电容器(处于交流电压信号中)或者诸如开关或晶体管之类的有源装置的可开关路径(开关路径)。利用耦合的端子，装置可以连接在这些端子之间但不是必须连接在这些端子之间，从而两个耦合的端子还可直接相互连接(即，通过低欧姆导电连接)。

另外，根据本申请，当施加到第二端子的信号与施加到第一端子的信号等同时，第一端子被直接连接到第二端子，其中，由于导体电阻引起的寄生效应或小损耗将被忽略。因此，两个直接连接的端子典型地经由导电迹线或导线连接，而中间没有连接附加的装置。

另外，发送器构件101的初级侧103可包括第一初级侧端部端子121a和第二初级侧端部端子121b。另外，第一初级侧端部端子121a可形成高频开关组件100的第一输入端子。HF输入信号107可被施加到第一初级侧端部端子121a(并且还被施加到高频开关组件100的第一输入端子)。在第二初级侧端部端子121b处，例如，用于HF输入信号107的参考电位可被施加(例如，参考电位Vref1、Vref2中的一个或另外的参考电位或供电电压或接地)。在图1中示出的示例中，供电电压仅仅被示例性地施加到第二初级侧端部端子121b。另外，第二初级侧端部端子121b可形成高频开关组件100的第二输入端子，向该第二输入端子施加用于HF输入信号107的参考电位。

第一输出端子113a可被耦合至开关组件109，从而在第二开关状态下(当第二参考电位Vref2被施加到第二次级侧端子S2时)第一输出端子113a处的电位(例如，第一HF输出信号115a)独立于HF输入信号107。另外，第二输出端子113b可被耦合至开关组件109，从而在第一开关状态下(其中，第一参考电位Vref1被施加到第一次级侧端子S1)第二输出端子113b处的电位(例如，第二HF输出信号115b)独立于HF输入信号107。

根据进一步的实施例，输出端子113a、113b可被电容性地耦合至次级侧端子S1、S2。换句话说，第一(可选的)耦合电容器C4可被连接到第一输出端子113a和第二次级侧端子S2之间，从而施加到第一次级侧端子S2的信号被无DC地发送到第一输出端子113a。另外，第二输出端子113b也可借助于第二(可选的)耦合电容器C3被耦合至第一次级侧端子S1，从而施加到第一次级侧端子S1的信号被无DC地发送到第二输出端子113b。

因此，可在输出端子113a、113b处提供关于将被外部连接的信号链的电位自由，不过在第一开关状态下，第一发送器输出信号111a围绕第一参考电位Vref1振荡，并且在第二开关状态下，第二发送器输出信号111b围绕第二参考电位Vref2振荡。换句话说，由于每个信号电平围绕电位Vref1或Vref2振荡，因此可通过片上电容或片外电容C3或C4提供关于将被外部连接的信号链的电位自由。

耦合电容器C3、C4可被定尺寸，从而例如作为阻抗匹配的一部分，它们针对HF输入信号107或发送器输出信号111a、111b的频率范围、将外部布线尽可能最优地适配于内部阻抗以便进行传输最优化。耦合电容器可例如被选择为使得外部布线的阻抗偏离内部布线(例如，在次级侧端子S1、S2处)的阻抗最多达±5％、±10％、±25％。

根据进一步的实施例，为了对发送器输出信号111a、111b提供高频接地，高频开关组件100可包括一个或若干个隔直流电容器，其连接在参考电位端子(例如，接地端子117)与开关组件109之间。因此，高频开关组件100可包括例如第一隔直流电容器C1，所述第一隔直流电容器C1连接在接地端子117与用于提供第一参考电位Vref1的第一参考电位端子119a之间。另外，高频开关组件100可包括第二隔直流电容器C2，所述第二隔直流电容器C2连接在接地端子117与用于提供第二参考电位Vref2的第二参考电位端子119b之间。

因此，在第一开关状态下，第一隔直流电容器C1可为发送器输出信号111或第一HF输出信号115a提供高频接地节点。另外，在第二开关状态下，第二隔直流电容器C2可为第二发送器输出信号111b或第二HF输出信号115b提供高频接地节点。

因此，隔直流电容器C1、C2可被选择为使得隔直流电容器C1、C2针对HF输入信号107或发送器输出信号111a、111b的频率范围具有最优阻抗。

根据进一步的实施例，隔直流电容器C1、C2还可被省略，例如当(外来的)供电源(诸如低阻抗电压源)被施加到参考电位端子119a、119b时，所述参考电位端子119a、119b本身为发送器输出信号111a、111b或HF输出信号115a、115b提供高频接地节点。

根据进一步的实施例，开关组件109可包括第一开关SW1和第二开关SW2。从而，第一开关SW1可连接在第一参考电位端子119a与第一次级侧端子S1之间。第二开关SW2可连接在第二参考电位端子119b与第二次级侧端子S2之间。第一开关SW1可被实现为在高频开关组件100的第一开关状态下在第一次级侧端子S1处提供或施加第一参考电位Vref1。第二开关SW2可被实现为在高频开关组件100的第二开关状态下在第二次级侧端子S2处提供或施加第二参考电位Vref2。

在闭合状态下，第一开关SW1可将例如第一参考电位端子119a连接到第一次级侧端子S1。另外，在闭合状态下，第二开关SW2可将第二参考电位端子119b连接到次级侧端子S2。

在本申请中，开关的闭合状态是指在开关的两个端子之间存在低欧姆连接的状态；开关的断开状态是在所述开关的两个端子之间存在高欧姆连接的状态。

在一些实施例中，这两个开关SW1、SW2被互补地控制，从而第一开关SW1在第二开关SW2断开时闭合，并且第一开关SW1在第二开关SW2闭合时断开。

在图1a中示出的示例中，在高频开关组件100的第一开关状态下，第一开关SW1闭合且第二开关SW2断开，在高频开关组件100的第二开关状态下，第一开关SW1断开且第二开关SW2闭合。

换句话说，第一开关SW1和第二开关SW2彼此互补地被控制，从而在第一开关状态下，第一开关SW1导电而第二开关SW2不导电，并且从而在第二开关状态下，第二开关SW2导电而第一开关SW1不导电。

根据一些实施例，发送器构件101可被实现为变压器，其中，初级侧103形成变压器的初级绕组，以及次级侧105形成变压器的次级绕组。

在下面，图1a中示出的电路的功能被简要概括。

开关组件100的基本布置包括变压器101，发送器输出信号(HF输入信号107)被馈送到所述变压器101的初级侧。在图1a中，初级侧103是单相(所谓的“单端”，例如参考电位相关)发送器输出信号被馈送到其中的简单线圈。

在次级侧105上获得的发送器输出信号111a、111b还作为关于连接到高频接地节点117的接地的单相(“单端”)信号存在。因此，在第一开关状态下，第一发送器输出信号111a围绕第一参考电位Vref1振荡，并且在第二开关状态下，第二发送器输出信号111b围绕第二参考电位Vref2振荡。

另外，发送器构件101或变压器101还可具有初级绕组，所述初级绕组是具有中心抽头的线圈或包括一个中心抽头，差分发送器输出信号被馈送至所述初级绕组的外部(端部)端子中(如以下将关于图1b示出的)。

次级侧105或次级绕组105的两个端部S1、S2均被连接到(高频开关组件100的)芯片的输出，并形成所述组件的两个开关高频输出113a、113b(也被称为Out1和Out2)。

另外，所述组件包括(例如，与高频开关组件100一起集成在芯片上的)可交替断开和闭合的两个内部开关SW1、SW2。当开关SW1闭合时，处于闭合状态的次级绕组105的一个端部S1被钳位到第一参考电位Vref1，而随后(依据变压器101的传输比率)发送器信号107在输出Out1可用。

当开关SW2闭合(且开关SW1断开)时比率反过来，线圈端部S2被钳位到参考电压Vref2，并且(依据变压器101的传输比率)发送器信号可在输出Out2处被抽出。

开关SW1、SW2可例如被实现为单个晶体管开关、传输门或继电器。开关SW1、SW2的控制端子可按照互补的方式被控制或者可被实现为相互互补。

为了使施加到输出端子113a、113b的HF输出信号115a、115b对应于HF输入信号107，发送器构件101或变压器101的传输比率可被选择为1∶1。然而，根据进一步的实施例，选择不同的传输比率也是可能的。

在连接在Vref1或Vref2与接地之间的两个电容C1和C2的帮助下，高频信号电流被给予从连接到两个输出的信号宿起的低欧姆返回路径，这是因为这些宿通常也使用接地作为参考电位。

接地节点或接地端子117可被实现为第三芯片端子(除了输出端子113a、113b的芯片端子以外)。

根据实施例，参考电位Vref1、Vref2可被选择为是等同的。

根据进一步的实施例，第一参考电位Vref1可被选择为与接地电位等同，并且第二参考电位Vref2可被选择为与例如在初级侧103的第二初级侧端部端子121b处所提供的供电电压相等。在这种情况下，第一参考电位端子119a可被省略，并且第一开关SW1可被直接连接在第一次级侧端子S1与接地端子117之间。

图1b示出根据进一步的实施例的高频开关组件100’的等效图。高频开关组件100’与高频开关组件100的区别之处在于：HF开关组件101’的发送器构件101’被实现为接收差分发送器输出信号或差分HF输入信号。因此，发送器构件101’包括具有第一初级侧端部端子121a和第二初级侧端部端子121b以及中心抽头端子121c的初级侧103’。差分HF输入信号的第一信号部分107a可被施加到第一初级侧端部端子121a。差分HF输入信号的第二信号部分107b可被施加到第二初级侧端部端子121b。在中心抽头121c处提供参考电位(例如第一参考电位Vref1或第二参考电位Vref2或另外的参考电位或供电电压或接地)。在图1b中示出的示例中，仅仅示例性地，供电电压被施加到中心抽头121c。

在其他方面，图1b中示出的高频开关组件100’的功能与图1a中示出的高频开关组件100没有不同，即，同样在高频开关组件100’中，在次级侧端子S1、S2处第一发送器输出信号111a作为单相(“单端”)信号被接收，或者第二发送器输出信号111b作为单相(“单端”)信号被接收，这取决于开关状态。

因此，在下文中，将不再次解释图1b中示出的高频开关组件100’的功能。

图2a示出根据进一步的实施例的高频开关组件200的等效图。图2a中示出的高频开关组件200示出在标准CMOS工艺中图1a中示出的高频开关组件100’的可能实施方式。因此，第一开关SW1借助于第一开关晶体管MN1来实现。第二开关SW2借助于第二开关晶体管MP1来实现。第一参考电位Vref1本身形成接地，因此隔直流电容或隔直流电容器C1可被省略。

在图2a中示出的示例中，第一开关晶体管MN1是NMOS晶体管且第二开关晶体管MP1是PMOS晶体管。

根据进一步的实施例，第一开关晶体管和第二开关晶体管还可以是不同类型的晶体管，例如，双极型晶体管类型的。

在下面，晶体管的源端子可以是例如晶体管的源极端子或射极端子，宿端子可以是例如晶体管的漏极端子或集电极端子，以及控制端子可以是例如晶体管的栅极端子或基极端子。开关晶体管的可开关路径可例如形成开关晶体管的漏极源极路径或开关晶体管的射极集电极路径。于是，主晶体管电流通常从源端子流到宿端子，反之亦然。

在本申请中，晶体管的导通状态是指在晶体管的源端子与宿端子之间存在低欧姆连接的状态，晶体管的关断状态是指在晶体管的源端子与宿端子之间存在高欧姆连接的状态。

为了清楚性的原因，并不是图1b中示出的所有参考标号都被传递至图2a。

如已经解释的，第一参考电位Vref1本身形成接地，即，第一参考电位端子119a等于之前的接地端子117。第一开关晶体管MN1的可开关路径230连接在发送器构件101’的次级侧105的第一次级侧端子S1与第一参考电位端子119a之间，并且第二开关晶体管MP1的可开关路径232连接在发送器构件101’的次级侧105的第二次级侧端子S2与第二参考电位端子119b之间。

第一开关晶体管MN1的控制端子234被耦合至第二开关晶体管MP1的控制端子236(例如，直接连接)。由于将两个开关晶体管MN1、MP1互补地选择为NMOS晶体管和PMOS晶体管，可实现当一个开关晶体管是不导电时另一开关晶体管是导电的(像反相器实现)。高频开关组件200包括参考电位转换开关238，所述参考电位转换开关238被实现为依据高频开关组件200的开关状态在控制端子234、236处提供第三参考电位Vref3或第一参考电位Vref1(例如，接地)。在第一开关状态下，参考电位转换开关238在控制端子235、236处提供第三参考电位Vref3。第三参考电位Vref3的大小可以例如被选择为等于或高于第二参考电位Vref2的大小。第三参考电位Vref3的符号可被选择为等于第二参考电位Vref2的符号。另外，第三参考电位Vref3可以是供电电压。

在第二开关状态下，参考电位转换开关238在开关晶体管230、232的控制端子234、236处提供第一参考电位Vref1(即，例如，接地)。

根据进一步的实施例，可将其他电位而不是接地和供电电压施加到参考电位转换开关238。这里，重要的仅是不同的逻辑电平(诸如接地和供电电压)被施加到参考电位转换开关238的两个输入端子。

假设第三参考电位Vref3高于第一参考电位Vref1(比第一参考电位更正)且那么，在第一开关状态下，第一开关晶体管MN1处于其导电状态以在第一次级侧端子S1处提供第一参考电位Vref1，并且在第二开关状态下，第二开关晶体管MP1导电以在第二次级侧端子S2处提供第二参考电位Vref2。

为了输出高频信号(第一输出端子113a(Out1)处的第一HF输出信号115a)，在该组件中，第一开关晶体管MN1可被切换成是特别低欧姆的，因为全部操作电压可被用作晶体管的栅极源极电压VgsN(当第二参考电位Vref2被选择为等于第三参考电位Vref3，源端子或源极被连接至接地时，栅极或控制端子234被连接至足够高的正电压，例如被连接至第二参考电位Vref2)。由于低正向电阻(沿第一开关晶体管MN1的可开关路径230)，开关(或开关晶体管)MN1确实仅仅非常小地影响或者完全不影响信号或返回电流，并且所述组件使得高频信号仅仅非常小地失真或者完全没有失真。

当第一开关晶体管MN1导电(即，处于第一开关状态)时，第二开关SW2将是尽可能的高欧姆的。这是通过由第二开关晶体管(PMOS晶体管)MP1实现第二开关SW2而获得的，所述第二开关晶体管MP1的源端子被连接到正的、高的第二参考电位Vref2。为了让第二开关晶体管MP1处于不导电状态，它的控制端子236(或其栅极)在该状态下也被提供尽可能高的电压(第三参考电位Vref3)。当第二参考电位Vref2足够高时，第一输出端子113a处或第二次级侧端子S2处的信号(即使处于其顶点)不能(通过交换第二开关晶体管MP1的宿端子和源端子)将第二开关晶体管MP1带入反向导电状态。因此，信号未被切断并且在第一输出端子113a(Out1)处是完全可用的。

在一些实施例中，第三参考电位Vref3可被选择为等于第二参考电位Vref2。在这些实施例中，第二参考电位Vref2可被选择为使得第一发送器输出信号111a的幅度高于第二参考电位Vref2与第一参考电位Vref1之间的电位差，至多高第二开关晶体管MP1的晶体管阈值电压Uth的大小。

或者通常，在第三参考电位Vref3被选择为等于第二参考电位Vref2的情况下，第一参考电位Vref1和第二参考电位Vref2可被选择为使得第一发送器输出信号111a或第二发送器输出信号111b的最大幅度高于第一参考电位Vref1与第二参考电位Vref2之间的电位差，至多高开关晶体管MN1、MP1中的一个的阈值电压Uth的值。

总之，参考电位Vref1、Vref2、Vref3被选择为使得：在HF开关组件200(和参考电位转换开关238)的第一开关状态下，第一开关晶体管MN1导电且第二开关晶体管MP1不导电，以及在HF开关组件200(和参考电位转换开关238)的第二开关状态下，第一开关晶体管MN1不导电且第二开关晶体管MP1导电。

为了在第二输出端子113b(Out2)处输出高频信号(第二HF输出信号115b)，开关晶体管MP1、MN1的控制端子234、236被连接到接地(连接到第一参考电位Vref1)。因此，第一开关晶体管MN1接收栅极源极电压VgsN＝0并且不导电，而第二开关晶体管MP1接收具有非常高的大小的栅极源极电压VgsP，因为其源端子仍然被连接到第二参考电位Vref2。到第二参考电位Vref2的信号路径(可开关路径323)对应地是非常低欧姆的。当Vref2足够高时，甚至信号的最深的下顶点也不能将第一开关晶体管MN1带至反向导电状态(其中，宿端子和源端子交换)。

于是，信号失真也将不会发生。

当第一输出端子113a(Out1)被使用时，即，在高频开关组件200的第一开关状态下，电容C2或隔直流电容器C2形成短路以使得信号电流接地。

总之，图2a中示出的高频开关组件200的开关组件包括充当第一开关FW1的第一开关晶体管MN1和充当第二开关SW2的第二开关晶体管MP1。另外，所述开关组件包括用于控制两个开关晶体管MP1、MN1的参考电位转换开关238。

尽管在图2a示出的实施例中，发送器构件101’或变压器101’被使用，即高频开关组件200被实现为接收差分输入信号，但是该发送器构件100’还可被发送器构件101代替，从而高频开关组件200被实现为接收单相(例如，供电电压相关的或与接地相关的“单端”)输入信号。

在等效示图中，图2b示出在CMOS工艺(CMOS＝互补金属氧化物半导体)中作为图2a中示出的高频开关组件200的可能实施方式的高频开关组件200’。在图2a中示出的高频开关组件200’中，第二参考电位Vref2或第二参考电压Vref2和发送器构件101’或变压器100’的初级侧103的中心抽头121c被连接到VDD(操作电压)。另外，图2a中示出的参考电位转换开关238由反相器INV来实现，所述反相器INV借助于控制电压Vcontrol被控制。仅仅示例性地，两个输出113a、113b被DC耦合，即，未包括耦合电容器C3、C4。另外，第一输出端子113a被直接连接到发送器构件101’或变压器101’的次级侧105的第二次级侧端子S 2。第二输出端子113b被直接连接到发送器构件101，或变压器101’的初级侧105的第二次级侧端子。根据进一步的实施例，输出端子113a、113b还可经由耦合电容器C3、C4被耦合至次级侧端子S1、S2。

根据进一步的实施例，输出端子113a、113b还可按照可开关的方式被直接连接到次级侧端子S1、S2，或者借助于耦合电容器C3、C4被耦合至次级侧端子S1、S2。

如已经提到的，输出端子113a、113b可形成芯片端子，在所述芯片端子处例如可连接外部信号部件(诸如用于不同通信频带的传输路径)。另外，第一参考电位端子119a(接地端子)可形成高频开关组件200’的另外的芯片端子。

总之，图2b中示出的高频开关组件200’示出借助于反相器INV对开关晶体管MN1、MP1的控制端子234、236进行控制，反相器INV的输出被耦合(例如，直接连接)到控制端子234、236。反相器INV被实现为依据施加到其输入之一的控制信号，在预定时间点将第一参考电位(接地)或第二参考电位(VDD)提供给开关晶体管M1、MP1的控制输入234、236。

例如，反相器INV的输入处的逻辑“1”(VDD电位)具有以下效果：第一参考电位Vref1(接地)被提供在开关晶体管MN1、MP1的控制端子234、236处，从而高频开关组件200’处于其第二开关状态。反相器INV的输入处的逻辑“0”(例如，接地电位)具有以下效果：第二参考电位Vref2(VDD)被提供在开关晶体管MN1、MP1的控制输入234、236处，并且高频开关组件200’切换至第一开关状态。

通过结合两个互补晶体管MN1、MP1使用反相器INV，可获得：两个晶体管MN1、MP1中总有一个是不导电的，而另一个晶体管是导电的。因此，为了提供用于控制这两个例如相互不同的晶体管的两个控制信号不需要昂贵的同步。

图3示出通过可开关阻抗Z1、Z2对图2b中示出的高频开关组件200’的可能扩展。第一(例如，复)阻抗Z1借助于开关SW3连接在第一次级侧端子S1与第二参考电位端子119b之间。第二(复)阻抗Z2借助于开关SW4连接在第二次级侧端子S2与第一参考电位端子119a之间。

第一阻抗Z1用于：当在第一次级侧端子S1处提供第二发送器输出信号111b时，即当第二开关晶体管MP1导电且第一开关晶体管M1不导电时，将第一次级侧端子S1的阻抗适配到例如(连接到第二HF输出端子113b的)外部级。因此，在第二开关晶体管MP1被置于其导电状态时开关SW3也被置于其导电状态，并在第二开关晶体管MP1被置于其不导电状态时开关SW3也被置于其不导电状态。

第二阻抗Z2用于：当在第二次级侧端子S2处提供第一发送器输出信号111a时，即当第一开关晶体管MN1导电且第二开关晶体管MP1不导电时，将第二次级侧端子S2的阻抗适配到例如(连接到第二HF输出端子113b的)外部级。因此，在第一开关晶体管MN1被置于其导电状态时开关SW4也被置于其导电状态，并在第一开关晶体管MN1被置于其不导电状态时开关SW4也被置于其不导电状态。

阻抗Z1、Z2可依据被连接到或将被连接到HF输出端子113a、113b的级而选择。

开关SW3、SW4可以例如用一个或若干个晶体管来实现。另外，开关SW3、SW4可由反相器238与开关晶体管MN1、MP1一起来控制。

另外，可开关阻抗Z1、Z2还可被施加到高频开关组件100、100’、200。

在本发明的实施例中，发送器构件和开关组件两者可按照集成的方式被布置在共同的半导体基板上。

图4示出根据本发明的实施例的发送器400的框图。发送器400被耦合至第一外部HF路径402a和第二外部HF路径402b。在此情况中，外部表示这两个HF路径402a、402b没有与发送器400一起被集成在半导体基板上。根据进一步的实施例，HF路径402a、402b也可与发送器400一起被集成在共同的HF芯片上。发送器400被实现为提供针对多个通信频带的发送信号(例如，HF输入信号107)。因此，第一HF路径402a被分配给第一通信频带、以及第二HF路径402b被分配给第二通信频带。发送器400包括发送信号提供器404(也被称为集成发送路径404)，所述发送信号提供器404被耦合至高频开关组件100，以将发送信号作为HF输入信号107提供给高频开关组件100，并依据其中将发送所述发送信号的通信频带选择HF开关组件100的开关状态。在图4中示出的示例中，高频开关组件100被示出为发送器400的部件。根据进一步的实施例，根据实施例的另一HF开关组件可被用在发送器400中(例如，HF开关组件100’、200、200’中的一个)。因此，发送信号提供器404可在高频开关组件中提供作为单相信号(所谓的单端信号)并且还作为差分信号的HF输入信号107。高频开关组件100的第一输出端子113a可被耦合(例如，直接连接)到其上集成有发送器400的芯片或发送器400的第一焊盘406a。另外，第二输出端子213b可被耦合(例如，直接连接)到其上集成有发送器400的HF芯片或发送器400的第二焊盘406b。

因此，例如，在高频开关组件100的第一开关状态下，发送信号可经由第一焊盘406a离开发送器400，并可在外部HF路径402a中被进一步处理。在高频开关组件100的第二开关状态下，发送信号可经由第二焊盘406b离开发送器400，并可由第二外部HF路径402b进一步处理。

例如，如果使用高频开关组件200’而不是高频开关组件100，则发送信号提供器404可产生控制信号Vcontrol以用于确定HF开关组件200’的开关状态以及因而确定发送信号107的信号路径。

图4示出在发送器侧使用集成的信号开关的构思，其中，芯片制造商集成较少量的通用发送器电路(例如，较少量的发送信号提供器404)，所述通用发送器电路的信号输出不能被直接地分别连接到一个芯片管脚或芯片焊盘，而是经由同样集成的高频转换开关100被连接到两个或更多个芯片管脚或若干个芯片焊盘406a、406b。

因此，实施例描述了一种在高频芯片内实现集成开关的构思，所述集成开关用于在两个高频输出(输出端子113a、113b)中选择的一个处提供发送器输出信号。

图5示出根据实施例的方法500的流程图。

方法500包括将HF输入信号施加到发送器构件的初级侧的步骤501，所述发送器构件被实现为借助于电感耦合将施加到其初级侧的HF输入信号发送到其次级侧。

另外，方法500包括步骤502：将第一参考电位施加到发送器构件的次级侧的第一次级侧端子，从而第一发送器输出信号可在发送器构件的次级侧的第二次级侧端子处被抽出，第一发送器输出信号基于施加到发送器构件的初级侧的HF输入信号。

另外，该方法包括步骤503：将第二参考电位施加到第二次级侧端子，从而第二发送器输出信号可在第一次级侧端子处被抽出，第二发送器输出信号基于施加到发送器构件的初级侧的HF输入信号。

方法500可例如借助于高频开关组件100、100’、200、200’之一执行。步骤501、502、503可依次被执行。

在下面，将总结本发明的实施例的若干方面。

HF输入信号107以及HF输出信号115a、115b和发送器输出信号111a、111可具有例如5MHz至20GHz、100MHz至10GHz或700MHz至2.7GHz的频率域。

两个参考电位Vref1、Vref2可以处于例如小于或等于24V、13V、5V、3V的范围中。

参考电位Vref1、Vref2可独立于HF输入信号107被选择并可以例如(随着时间的过去)是恒定的。

实施例提供了所谓的SPDT转换开关(SPDT-单刀双掷，一个输入两个输出)。

本发明的实施例提供了一种用于在正常半导体工艺中实现集成开关的组件以用于借助于内部发送器来控制两个高频信号输出。这样的开关可被布置为信号路径中的分路开关，从而其端部之一被连接到参考电位(高频接地)并且因此并不是所述开关的两个端子都被施加高频信号。因此，所述开关可被制成低欧姆和线性的，并且高频信号较少受影响。

实施例允许省略串联开关，其中，高频信号将被施加到所述串联开关的两个端子并且因此将导致由损耗和失真引起的较低性能。

与一般不管怎样都在发送器输出处包括变压器的标准组件相比，若干实施例仅需要很少的改变。

与一般的发送组件相比，若干实施例仅付出了非常小的额外努力，实质上，在一些实施例中，仅额外需要的输出焊盘(例如，接地端子117)促成了额外的区域消耗。

本发明的实施例可被应用于HF发送器、HF接收器、HF收发器(诸如所谓的HF收发器芯片)中。

实施例提供了一种用于集成发送器电路的信号输出解复用器。

进一步的实施例提供了一种便携式移动无线电装置，所述便携式移动无线电装置包括基带处理器、天线、耦合至基带处理器的调制器电路、以及根据本发明的实施例的耦合至天线和调制器电路的高频开关组件。基带处理器可被实现为例如将(数字)基带信号提供给调制器电路。调制器电路可以例如被实现为接收基带信号以基于接收的基带信号获得HF输入信号(例如，基于基带信号与HF载波信号的矢量调制或极化调制)，并将接收的HF输入信号提供给高频开关组件。天线可以例如被实现为(例如经由空中接口)发送基于高频开关组件的第一发送器输出信号和/或第二发送器输出信号的信号。

这样的用于(根据移动无线电通信标准的)语音通信和/或数据通信的便携式移动无线电装置可以例如与另外的便携式移动无线电装置和/或移动无线电基站一起实现。

便携式移动无线电装置可以例如是移动便携式装置，诸如移动电话(蜂窝电话)、所谓的智能电话、平板PC、宽带调制解调器、笔记本或膝上型电脑以及路由器或PC。

尽管在设备的上下文中已描述了若干方面，但显而易见的是，这些方面还给出相应方法的描述，从而设备的块或装置可还表示相应方法步骤或方法步骤的特征。类似地，在方法步骤的上下文中或作为方法步骤描述的方面还给出相应设备的相应块或细节或特征的描述。

Claims (1)

1.一种具有第一开关状态和第二开关状态的高频开关组件（100、100’、200、200’），包括：

发送器构件（101、101’），其具有初级侧（103、103’）和次级侧（105），所述次级侧（105）具有第一次级侧端子（S1）和第二次级侧端子（S2），其中，所述发送器构件（101、101’）被实现为借助于电感耦合将施加到其初级侧（103、103’）的HF输入信号（107、107a、107b）发送到其次级侧（105）； 以及

开关组件（109），其被实现为在所述第一开关状态下将第一参考电位（Vref1）施加到所述第一次级侧端子（S1），从而在所述第一开关状态下，第一发送器输出信号（111a）可在所述第二次级侧端子（S2）处被抽出，所述第一发送器输出信号（111a）基于施加到所述发送器构件（101、101’）的初级侧（103、103’）的HF输入信号（107、107a、107b），并且所述开关组件（109）被实现为在所述第二开关状态下将第二参考电位（Vref2）施加到所述第二次级侧端子（S2），从而在所述第二开关状态下，第二发送器输出信号（111b）可在所述第一次级侧端子（S1）处被抽出，所述第二发送器输出信号（111b）基于施加到所述发送器构件（101、101’）的初级侧（103、103’）的HF输入信号（107、107a、107b）。

2、根据权利要求1所述的高频开关组件（100、100’、200、200’），

其中，第一开关状态和第二开关状态在时间上连续，从而在预定时间点，或者第一发送器输出信号（111a）基于HF输入信号（107、107a、107b），或者第二发送器输出信号（111b）基于HF输入信号（107、107a、107b）。

3、高频开关组件（100、100’、200、200’），

还包括：第一输出端子（113a）和第二输出端子（115a）；

其中，第一输出端子（113a）被耦合至第二次级侧端子（S2），从而在第一开关状态下，第一HF输出信号（115a）可在第一输出端子处被抽出，所述第一HF输出信号（115a）等于第一发送器输出信号（111a）或基于第一发送器输出信号（111a）；以及

其中，第二输出端子（113b）被耦合至第一次级侧端子（S1），从而在第二开关状态下，第二HF输出信号（115b）可在第二输出端子（113b）处被抽出，所述第二HF输出信号（115b）等于第二发送器输出信号（111b）或基于第二发送器输出信号（111b）。

4、根据权利要求3所述的高频开关组件（100、100’、200、200’），

其中，第一输出端子（113a）被耦合至开关组件（109），从而在第二开关状态下，第一输出端子（113a）处的电位独立于HF输入信号（107、107a、107b）；以及

其中，第二输出端子（113b）被耦合至开关组件（109），从而在第一开关状态下，第二输出端子（113b）处的电位独立于HF输入信号（107、107a、107b）。

5、根据权利要求3或4之一所述的高频开关组件（100、100’、200），其中，第一输出端子（113a）借助于耦合电容器（C4）被耦合至第二次级侧端子（S2），从而施加到第二次级侧端子（S2）的信号被无DC地发送到第一输出端子（113a）；或者

其中，第二输出端子（113b）借助于第二耦合电容器（C3）被耦合至第一次级侧端子（S1），从而施加到第一次级侧端子（S1）的信号被无DC地发送到第二输出端子（113b）。 

6、根据权利要求1至4之一所述的高频开关组件（100、100’、200、200’），

还包括：至少一个隔直流电容器（C2），所述至少一个隔直流电容器（C2）连接在其中提供参考电位（Vref1、Vref2）之一的参考电位端子（119a、119b）与用于提供高频接地节点的高频开关组件（100、100’、200、200’）的接地端子（117）之间。

7、根据权利要求1至4之一所述的高频开关组件（100、100’、200、200’），

其中，开关组件（109）包括第一开关（SW1、MN1）和第二开关（SW2、MP1）；以及

其中，第一开关（SW1、MN1）被实现为在第一开关状态下将第一参考电位（Vref1）施加到第一次级侧端子（S1）；以及

其中，第二开关（SW2、MP1）被实现为在第二开关状态下将第二参考电位（Vref2）施加到第二次级侧端子（S2）。

8、根据权利要求1至4之一所述的高频开关组件（100、100’、200、200’），

其中，第一开关（SW1、MN1）和第二开关（SW2、MP1）被控制成使得在第一开关状态下第一开关（SW1、MN1）导电且第二开关（SW2、MP1）不导电，并且使得在第二开关状态下第二开关（SW2、MP1）导电且第一开关（SW1、MN1）不导电。

9、根据权利要求7所述的高频开关组件（100、100’、200、200’），

其中，第一开关（SW1、MN1）被连接在第一次级侧端子（S1）与其中提供第一参考电位（Vref1）的第一参考电位端子（119a）之间，以在第一开关状态下将第一次级侧端子（S1）耦合至第一参考电位端子（119a）；以及

其中，第二开关（SW2、MP1）被连接在第二次级侧端子（S2）与其中提供第二参考电位（Vref2）的第二参考电位端子（119b）之间，以在第二开关状态下将第二次级侧端子（S2）耦合至第二参考电位端子（119b）。

10、根据权利要求8所述的高频开关组件（100、100’、200、200’），

其中，第一开关（SW1、MN1）被连接在第一次级侧端子（S1）与其中提供第一参考电位（Vref1）的第一参考电位端子（119a）之间，以在第一开关状态下将第一次级侧端子（S1）耦合至第一参考电位端子（119a）；以及

其中，第二开关（SW2、MP1）被连接在第二次级侧端子（S2）与其中提供第二参考电位（Vref2）的第二参考电位端子（119b）之间，以在第二开关状态下将第二次级侧端子（S2）耦合至第二参考电位端子（119b）。

11、根据权利要求9至10之一所述的高频开关组件（200、200’），

其中，第一开关（SW1）被实现为第一开关晶体管（MN1），以及第二开关（SW2）被实现为第二开关晶体管（MP1），以及

其中，开关晶体管（MN1、MP1）的控制端子（234、236）被连接成使得当第二开关晶体管（MP1）处于其不导电状态时第一开关晶体管（MN1）处于其导电状态，反之亦然。

12、根据权利要求11所述的高频开关组件（200、200’），

其中，第一开关晶体管（MN1）是第一晶体管类型的，以及第二开关晶体管（MP1）是与第一晶体管类型互补的第二晶体管类型的。

13、根据权利要求12所述的高频开关组件（200、200’），

其中，第一开关（SW1、MN1）的可开关路径（130）被连接在其中提供第一参考电位（Vref1）的第一参考电位端子（119a）与第一次级侧端子（S1）之间，以及第二开关（SW2、MP1）的可开关路径（232）被连接在其中提供第二参考电位（Vref2）的第二参考电位端子（119b）与第二次级侧端子（S2）之间。

14、根据权利要求13所述的高频开关组件（200、200’），

其中，开关（SW1、MN1、SW2、MP1）的控制端子（234、236）被耦合至参考电位转换开关（238 INV），其中，参考电位转换开关（238 INV）被实现为在第一开关状态下在开关（SW1、MN1、SW2、MP1）的控制端子（234、236）处提供第三参考电位（Vref3）或第二参考电位（Vref2），以及在第二开关状态下在开关（SW1、MN1、SW2、MP1）的控制端子（234、236）处提供第一参考电位（Vref1），从而在第一开关状态下，第一开关（SW1、MN1）处于其导电状态以将第一参考电位（Vref1）施加到第一次级侧端子（S1），并且从而在第二开关状态下，第二开关（SW2、MP1）处于其导电状态以将第二参考电位（Vref2）施加到第二次级侧端子（S2）。

15、根据权利要求14所述的高频开关组件（200、200’），

其中，第三参考电位（Vref3）的大小被选择为高于或等于第二参考电位（Vref2）的大小。

16、根据权利要求15所述的高频开关组件（200、200’），

其中，参考电位转换开关（238）包括反相器（INV），反相器（INV）被实现为依据施加到其输入的控制信号（Vcontrol），在预定时间点在开关（SW1、MN1、SW2、MP1）的控制输入（234、236）处提供第一参考电位（Vref1）或第二参考电位（Vref2）。

17、根据权利要求1所述的高频开关组件（100、100’、200、200’），

其中，发送器构件（101、101’）被实现为变压器（101、101’），其中，变压器（101、101’）包括其初级侧（103、103’）的初级绕组以及其次级侧（105）的次级绕组，其中，第一次级侧端子（S1）形成次级绕组的第一端子，并且第二次级侧端子（S2）形成次级绕组的次级端子。

18、根据权利要求17所述的高频开关组件（100），

其中，初级绕组的第一初级侧端部端子（121a）被耦合至高频开关组件的输入端子，或形成高频开关组件的输入端子，HF输入信号（107）可被施加到所述高频开关组件的输入端子；以及

其中，初级绕组的第二初级侧端部端子（121b）被耦合至参考电位端子（119a、119b），第一或第二参考电位（Vref1、Vref2）被施加到参考电位端子（119a、119b）。

19、根据权利要求17所述的高频开关组件（100’、200、200’），

其中，高频开关组件（100’、200、200’）被实现为接收作为差分输入信号（107a、107b）的HF输入信号（107）；

其中，初级绕组的第一初级侧端部端子（121a）被耦合至高频开关组件的第一输入端子或形成高频开关组件的第一输入端子，差分HF输入信号（107a、107b）的第一信号部分（107a）可被施加到所述高频开关组件的第一输入端子；

其中，初级绕组的第二端部端子（121b）被耦合至高频开关组件的第二输入端子或形成高频开关组件的第二输入端子，差分HF输入信号（107a、107b）的第二信号部分（107b）可被施加到所述高频开关组件的第二输入端子；以及

其中，初级绕组包括耦合至参考电位端子（119a、119b）的中心抽头（121c），第一参考电位（Vref1）或第二参考电位（Vref2）被施加到所述中心抽头（121c）。

20、根据权利要求19所述的高频开关组件（100、100’、200、200’），

其中，发送器构件（101、101’）和开关组件（109、SW1、SW2、MN1、MP1、INV、238）按照集成的方式被布置在共同的半导体基板上。

21、根据权利要求20所述的高频开关组件，

还包括：第一可开关阻抗（Z1）和第二可开关阻抗（Z2）；以及

其中，高频开关组件被实现为在第二开关状态下将第一可开关阻抗（Z1）耦合至第一次级侧端子（S1），并在第一开关状态下将第二可开关阻抗（Z2）耦合至第二次级侧端子（S2）。

22、一种具有第一开关状态和第二开关状态的高频开关组件（100、100’、200、200’），包括：

第一输入端子（121a），用于接收HF输入信号（107）；

第一输出端子（113a），用于提供第一HF输出信号（115a）；

第二输出端子（113b），用于提供第二HF输出信号（115b）；

变压器（101、101’），其具有初级绕组（103、103’）和次级绕组（105）；

第一开关（SW1、MN1）和第二开关（SW2、MP1）；

其中，第一输入端子（121a）被耦合至变压器（101、101’）的初级绕组（103、103’）；

其中，第二高频输出端子（113b）被耦合至次级绕组（105）的第一次级侧端子（S1）；

其中，第一高频输出端子（113a）被耦合至次级绕组（105）的第二次级侧端子（S2）；

其中，第一开关（SW1、MN1）被实现为在第一开关状态下在次级绕组（105）的第一次级侧端子（S1）处提供第一参考电位（Vref1），以及第二开关（SW2、MP1）被实现为在第二开关状态下在次级绕组（105）的第二次级侧端子（S2）处提供第二参考电位（Vref2），从而在第一开关状态下，第一HF输出信号（115a）基于HF输入信号（107、107a、107b），并且从而在第二开关状态下，第二HF输出信号（115b）基于HF输入信号（107、107a、107b）。

23、一种具有第一开关状态和第二开关状态的高频开关组件（200’），包括：

变压器（101、101’），其具有初级绕组（103、103’）和次级绕组（105），次级绕组（105）具有第一次级侧端子（S1）和第二次级侧端子（S2），其中，变压器（101、101’）被实现为借助于电感耦合将施加到其初级绕组（103、103’）的HF输入信号（107、107a、107b）发送到其次级绕组（105）；以及

开关组件（109），其具有第一开关晶体管（MN1）、第二开关晶体管（MP1）和反相器（INV）；

其中，第一开关晶体管（MN1）是第一晶体管类型的，以及第二开关晶体管（MP1）是与第一晶体管类型互补的第二晶体管类型的，以及开关晶体管（MN1、MP1）的控制端子（234、236）彼此耦合，从而当第二开关晶体管（MP1）处于其不导电状态时，第一开关晶体管（MN1）处于其导电状态；

其中，第一开关晶体管（MN1）的可开关路径（230）被连接在其中提供第一参考电位（Vref1）的第一参考电位端子（119a）与第一次级侧端子（S1）之间，从而第一开关晶体管（MN1）在其导电状态下在第一次级侧端子（S1）处提供第一参考电位（Vref1）；

其中，第二开关晶体管（MP1）的可开关路径（232）被连接在其中提供第二参考电位（Vref2）的第二参考电位端子（119b）与第一次级侧端子（S1）之间，从而第二开关晶体管（MP1）在其导电状态下在第二次级侧端子（S2）处提供第二参考电位（Vref2）；

其中，开关晶体管（MN1、MP1）的控制端子（234、236）与反相器（INV）的输出耦合，其中，反相器（INV）被实现为在第一开关状态下在开关晶体管（MN1、MP1）的控制端子（234、236）处提供第二参考电位（Vref2），并在第二开关状态下在开关晶体管（SW1、MN1、SW2、MP1）的控制端子（234、236）处提供第一参考电位（Vref1），从而在第一开关状态下，第一开关晶体管（SMN1）处于其导电状态并在第一次级侧端子（S1）处提供第一参考电位（Vref1），并且第一发送器输出信号（111a）可在第二次级侧端子（S2）处被抽出，所述第一发送器输出信号（111a）基于施加到初级绕组（103、103’）的HF输入信号（107、107a、107b），并且从而在第二开关状态下，第二开关晶体管（MP1）处于其导电状态并在第二次级侧端子（S2）处提供第二参考电位（Vref2），并且第一发送器输出信号（111a）可在第一次级侧端子（S1）处被抽出，所述第一发送器输出信号（111a）基于施加到初级绕组（103、103’）的HF输入信号（107、107a、107b）；以及

其中，高频开关组件（200’）还包括至少一个隔直流电容器（C2），所述至少一个隔直流电容器（C2）连接在其中提供参考电位（Vref1、Vref2）之一的参考电位端子（119a、119b）之一与用于提供高频接地节点的高频开关组件（100、100’、200、200’）的接地端子（117）之间。

24、一种用于为多个通信频带提供发送信号的发送器（400），包括：

根据权利要求1至22之一的高频开关组件（100、100’、200、200’）；以及

发送器信号提供器（404），其被耦合至高频开关组件（100、100’、200、200’）以将发送信号作为HF输入信号（107、107a、107b）提供给高频开关组件（100、100’、200、200’），并依据来自所述多个通信频带中的其中将发送所述发送信号的通信频带，选择高频开关组件（100、100’、200、200’）的开关状态。

25、一种方法，包括：

将HF输入信号施加到发送器构件的初级侧，所述发送器构件被实现为借助于电感耦合将施加的HF输入信号发送到其次级侧（501）；

将第一参考电位施加到发送器构件的次级侧的第一次级侧端子，从而第一发送器输出信号可在发送器构件的次级侧的第二次级侧端子处被抽出，所述第一发送器输出信号基于施加到发送器构件的初级侧的HF输入信号（502）；以及

将第二参考电位施加到第二次级侧端子，从而第二发送器输出信号可在第一次级侧端子处被抽出，第二发送器输出信号基于施加到发送器构件的初级侧的HF输入信号（503）。

26、移动无线电装置,其特征在于包括根据权利要求24所述的发送器。

27、便携式移动无线电装置，包括：

基带处理器；

调制器电路，其耦合至基带处理器；

天线；以及

根据权利要求1至23之一的高频开关组件，所述高频开关组件耦合至调制器电路和天线；

其中，基带处理器被实现为提供基带信号；

其中，调制器电路被实现为接收基带信号以基于接收的基带信号获得HF输入信号，并将获得的HF输入信号提供给高频开关组件；以及

其中，天线被实现为发送基于高频开关组件的第一发送器输出信号和/或第二发送器输出信号的信号。