CN103986450A - 一种开关、天线的调谐器和射频装置 - Google Patents

一种开关、天线的调谐器和射频装置 Download PDF

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Abstract

本发明实施例公开了一种开关、天线的调谐器和射频装置，以综合调节包括多个串联晶体管的开关的传输效率和抑制漏电流。该开关包括：2N个依次串联的晶体管。在所述2N个依次串联的晶体管中，任两个有最接近奇数序号的晶体管的控制端通过第一电阻相耦，任两个有最接近偶数序号的晶体管的控制端通过第二电阻相耦合；第n晶体管的控制端被耦合至开关控制信号中的第一控制信号，且第n+1晶体管的控制端被耦合至所述第一控制信号，其中，n为大于等于1、且小于等于2N-1的一个整数，N为大于等于2的整数，所述第一控制信号用于对所述开关的导通或关闭做控制。

Description

一种开关、天线的调谐器和射频装置
技术领域
本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种开关、天线的调谐器和射频装置。
背景技术
随无线通信技术的发展，移动通信设备通常需要支持多模、多频带的要求，这就要求在移动通信设备上，一根天线需要不仅要支持从发射模式到接收模式的切换，而且需要满足多模和多频带的要求。
在射频装置中，存在发射链路与接收链路，所述发射链路与接收链路可合起来称为射频处理模块。当射频处理模块决定做信号发送和信号接收的至少一项时，需要将发射链路和接收链路中的至少一项选择性地连接到天线上，这种选择性的连接通常以一个SPDT(Single-Pole Double-Throw，单刀双掷)开关来实现，如图1所示。图1中的射频处理模块包括发射链路和接收链路，当SPDT开关将天线连接到发射链路时，发射链路用于对基带信号进行调制得到射频信号，天线用于发送所述调制后的射频信号。当SPDT开关将天线连接到接收链路时，接收链路用于对天线接收到的信号进行解调。为了优化天线的效率，调谐器作为一种调整天线阻抗匹配的装置被引入射频装置。调谐器可以是连接在射频模块与天线间的一种阻抗匹配网络，它能对天线做阻抗匹配处理,使得天线发射性能得到优化。如图1所示，调谐器可耦合在天线与SPDT开关之间。可选地，天线的调谐器也可耦合在SPDT开关与射频模块之间。调谐器通常包括开关、电容、电阻或电感等器件。通过控制信号控制调谐器中多个开关的导通或关闭来改变调谐器中电容之间或电容与其他器件的连接关系，如电感和电阻的连接关系来对输入天线之前的射频信号进行调谐，这种开关和电容组成的电路也叫做数字可调电容(Digitally Tunable Capacitor，DTC)。因此，调谐器中的开关的性能会在很大程度上影响调谐器的工作。
调谐器中的开关可以如图2A所示。为了能够在承受大功率控制信号的情况下不被击穿，调谐器中的开关需要采用多个晶体管堆叠设计，所述堆叠也就是由多个晶体管相串联。图2A中以多个MOS(Mental-Oxide-Semiconductor，金属氧化物半导体)管的串联为例做说明，多个串联后的MOS管作为一个开关，该开关存在用于输入信号的输入端、用于输出信号的输出端和控制端。开关控制端接收控制信号，并在控制信号的控制下使所述开关打开或关闭。当开关打开，输入端输入的信号被传输至输出端；开关关闭时，输入信号不会被传输至输出端。由于每个MOS管的栅极和源极存在较大寄生电容，因此栅极的大功率、高频率控制信号可能会直接耦合到源极，即对MOS管的输出产生影响，因此栅极和控制信号之间需要加大电阻进行隔离，否则，栅极漏电流，即从栅极泄露掉的电流会相当大，从而引起较大信号损失，进而导致开关性能恶化。在图2A中，涉及的MOS管均为NMOS(N-Mental-Oxide-Semiconductor，N型金属氧化物半导体)管，用标号M表示。每个NMOS管的栅极漏电流用Ig表示。一个NMOS管的示意图可以如图2B所示，包括源极S、栅极G和漏极D。当栅极G为高电平时，该NMOS管导通，源极S和漏极D连接，漏极D的输入被传导到源极S；当栅极G为低电平时，该NMOS管截止，漏极D至源极S的通道被阻断。
当然，在通过集成电路工艺制作所述开关时，也可以使用其他不同类型的晶体管，如也可以使用PMOS(P-Mental-Oxide-Semiconductor，P型金属氧化物半导体)管代替NMOS管，PMOS管示意图可以如图2C表示，与NMOS不同，在PMOS管中，当栅极G为高电平时，源极S的输入到漏极D的通道被阻断；当栅极G为低电平时，源极S的输入被传导到漏极D。
在为晶体管增加隔离电阻以减少漏电流时，一种现有技术提出了在多个串联MOS管中每个MOS管的栅极连接一个隔离电阻以降低栅极漏电流Ig，每个晶体管的衬底也可以增加类似于栅极的隔离电阻以降低衬底漏电流。如图3所示，多个NMOS管M串联，每个NMOS管的栅极和衬底都可以通过隔离电阻R分别耦合至栅极控制信号和衬底控制信号，但这些隔离电阻R并不是直接与栅极控制信号和衬底控制信号相连，而是进一步通过一个电阻r与栅极控制信号和衬底控制信号连接，来实现降低漏电流。然而，由于每个晶体管的栅极或衬底只连接两个串联电阻R和r，隔离度在一些场景下可能不能满足要求。
为了进一步提高多个串联MOS管的栅极电阻隔离度，另一种现有技术提出的MOS管与电阻的连接关系如图4所示，在一系列串联的MOS管中，每个晶体管用M表示，每个MOS管的栅极和与其相邻的MOS管的栅极通过栅极电阻R连接，并将靠近输出端的MOS管的栅极电阻与一电阻r相连，从而通过电阻r接收控制信号，从而实现提高从控制信号到晶体管的电阻隔离，由于靠近输入端的晶体管的栅极到开关控制端的串联电阻数量被增大，隔离度相应提高。但是对于靠近输入端的晶体管，随着耦合到控制端的串联电阻数量增多，从控制端到该晶体管的栅极的信号传输延迟将增大，从而降低整个开关的传输效率。因此如何在减少晶体管的漏电流时避免传输效率的过分损失成为一个问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种开关、天线的调谐器和射频装置，以综合调节包括多个串联晶体管的开关的传输效率和抑制漏电流。
第一方面，本发明实施例提供了一种开关，其特征在于，包括：2N个依次串联的晶体管，所述2N个依次串联的晶体管包括第一晶体管至第2N晶体管，N为大于等于2的整数；所述2N个依次串联的晶体管被分为的奇数组的晶体管和偶数组的晶体管；其中，所述奇数组的晶体管包括第一晶体管、第三晶体管、……、第2N-1晶体管；所述偶数组的晶体管包括第二晶体管、第四晶体管、……、第2N晶体管；在所述奇数组的晶体管中，任两个有最接近奇数序号的晶体管的控制端通过第一电阻相耦合；在所述偶数组的晶体管中，任两个有最接近偶数序号的晶体管的控制端通过第二电阻相耦合；在所述2N个依次串联的晶体管中，第n晶体管的控制端被耦合至开关控制信号中的第一控制信号，且第n+1晶体管的控制端被耦合至所述第一控制信号，其中，n为大于等于1、且小于等于2N-1的一个整数，所述第一控制信号用于对所述开关的导通或关闭做控制。
根据第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述第n晶体管的控制端通过第三电阻耦合至所述第一控制信号，且所述第n+1晶体管的控制端通过第四电阻耦合至所述第一控制信号。
根据第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述第三电阻的第一端连接所述第n晶体管的控制端，所述第三电阻的第二端连接第五电阻的第一端；所述第四电阻的第一端连接所述第n+1晶体管的控制端，述第四电阻的第二端连接第五电阻的所述第一端；所述第五电阻的第二端耦合至所述第一控制信号。
根据第一方面的第二种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，n进一步为一奇数；所述第n晶体管的控制端通过第十一电阻连接至所述第三电阻，且所述第n晶体管的控制端和与该第n晶体管相连的至少一个第一电阻通过所述第十一电阻相耦合；所述第n+1晶体管的控制端通过第十二电阻连接至第四电阻，且所述第n+1晶体管的控制端和与该第n+1晶体管相连的至少一个第二电阻通过所述第十二电阻相耦合。
根据第一方面的第二种可能的实现方式，在第一方面的第四种可能的实现方式中，n进一步为一偶数；所述第n晶体管的控制端通过第十一电阻连接至所述第三电阻，且所述第n晶体管的控制端和与该第n晶体管相连的至少一个第二电阻通过所述第十一电阻相耦合；所述第n+1晶体管的控制端通过第十二电阻连接至第四电阻，且所述第n+1晶体管的控制端和与该第n+1晶体管相连的至少一个第一电阻通过所述第十二电阻相耦合。
根据第一方面或第一方面的之前任一种可能的实现方式，在第一方面的第五种可能的实现方式中，在所述奇数组的晶体管中，任两个有最接近奇数序号的晶体管的衬底通过第六电阻相耦合；在所述偶数组的晶体管中，任两个有最接近偶数序号的晶体管的衬底通过第七电阻相耦合；其中，第n晶体管的衬底被耦合至所述开关控制信号中的第二控制信号，且第n+1晶体管的衬底被耦合至所述第二控制信号，所述第二控制信号用于对所述2N个依次串联的晶体管的衬底电平做控制。
根据第一方面的第五种可能的实现方式，在第一方面的第六种可能的实现方式中，所述第n晶体管的衬底通过第八电阻耦合至所述第二控制信号，且所述第n+1晶体管的衬底通过第九电阻耦合至所述第二控制信号。
根据第一方面的第六种可能的实现方式，在第一方面的第七种可能的实现方式中，所述第八电阻的第一端连接所述第n晶体管的衬底，所述第八电阻的第二端连接第十电阻的第一端；所述第九电阻的第一端连接所述第n+1晶体管的衬底，述第九电阻的第二端连接第十电阻的所述第一端；所述第十电阻的第二端耦合至所述第二控制信号。
根据第一方面的第七种可能的实现方式，在第一方面的第八种可能的实现方式中，n进一步为一奇数；所述第n晶体管的衬底通过第十三电阻连接至第八电阻，且所述第n晶体管的衬底和与该第n晶体管相连的至少一个第六电阻通过所述第十三电阻相耦合；所述第n+1晶体管的衬底通过第十四电阻连接至第九电阻，且所述第n+1晶体管的衬底和与该第n+1晶体管相连的至少一个第七电阻通过所述第十四电阻相耦合。
根据第一方面的第七种可能的实现方式，在第一方面的第九种可能的实现方式中，n进一步为一偶数；所述第n晶体管的衬底通过第十三电阻连接至第八电阻，且所述第n晶体管的衬底和与该第n晶体管相连的至少一个第七电阻通过所述第十三电阻相耦合；所述第n+1晶体管的衬底通过第十四电阻连接至第九电阻，且所述第n+1晶体管的衬底和与该第n+1晶体管相连的至少一个第六电阻通过所述第十四电阻相耦合。
根据第一方面或第一方面的之前任一种可能的实现方式，在第一方面的第十种可能的实现方式中，n的值具体为N。
根据第一方面或第一方面的之前任一种可能的实现方式，在第一方面的第十一种可能的实现方式中，所述2N个依次串联的晶体管为：双极晶体管、金属氧化物半导体晶体管或高速电子迁移率晶体管。
第二方面，本发明实施例还提供了一种天线的调谐器，包括至少两个并联的电容调谐装置，每个电容调谐装置包括：输入端，用于接收射频信号；电容调谐器，用于对所述射频信号进行调谐得到调谐后的信号；输出端，用于输出所述调谐后的信号；所述电容调谐器包括：用于对所述射频信号进行调谐的电容、和根据第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式中所描述的开关，所述开关与所述电容串联，所述开关能够在所述开关控制信号控制下选择性地将所述射频信号与所述电容相耦合以通过所述电容对所述射频信号进行调谐。
根据第二方面，在第二方面的第一种可能的实施方式中，所述调谐器还包括：至少一个电感调谐装置，每个电感调谐装置包括一个或多个电感，用于在至少两个并联的电容调谐装置的基础上，对至少两个并联的电容调谐装置调谐前的所述射频信号或所述调谐后的信号进行进一步调谐。
根据第二方面或第二方面的第一种可能的实现方式，在第二方面的第二种可能的实现方式中，所述电容的值能够被电容控制信号调节或为恒定。
第三方面，本发明实施里还提供了一种射频装置，包括天线、和根据第二方面或第二方面的任一种可能的实现方式中所描述的所述调谐器；所述天线用于从所述调谐器接收所述调谐后的信号，并发送所述调谐后的信号。
根据第三方面，在第三方面的一种可能的实现方式中，所述射频装置，还包括：射频处理模块，用于对基带信号进行调制得到所述射频信号，并将所述射频信号提供给所述调谐器。
本发明实施例提供了一种开关、包括相应开关的天线的调谐器和相关射频装置，由于多个依次串联的晶体管被分为的一组序号为奇数的晶体管和一组序号为偶数的晶体管，并分别对各组晶体管的控制端进行栅极电阻隔离，既能适当减小晶体管的栅极漏电流，也能适当降低晶体管的栅极串联电阻的数量，实现了抑制漏电流和传输效率的折中，更全面地提升调节效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例或现有技术的简化示意图，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的一种射频装置的简化示意图；
图2A为现有技术提供的一种天线的调谐器中的开关的简化示意图；
图2B为现有技术提供的一种NMOS管的简化示意图；
图2C为现有技术提供的一种PMOS管的简化示意图；
图3为现有技术提供的一种多MOS管串联的开关的简化示意图；
图4为现有技术提供的另一种多MOS管串联的开关的简化示意图；
图5为本发明实施例提供的一种开关的简化示意图；
图6为本发明实施例提供的一种开关的简化示意图
图7为本发明实施例提供的另一种开关的简化示意图；
图8为本发明实施例提供的另一种开关的简化示意图；
图9为本发明实施例提供的另一种开关的简化示意图；
图10为本发明实施例提供的另一种开关的简化示意图；
图11为本发明实施例提供的一种包括具有改进性能的开关的天线调谐器的射频装置的简化示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图5为本发明实施例提供的一种开关的简要结构示意图，所述开关包括：2N个依次串联的晶体管。为便于描述，这2N个依次串联的晶体管依次被分配序号为第一晶体管M1、……、第2N-1晶体管M2N-1和第2N晶体管M2N，N为大于等于2的一个整数。可以理解，本实施例对这些串联的晶体管分配序号仅仅是为了更清楚的描述本发明实施例的技术方案，使得本领域技术人员能够清楚理解不同晶体管在串联后的连接关系，但这些序号本身没有任何技术含义，其仅仅表达了不同晶体管的相对位置。比如，按照本实施例分配的序号，晶体管M1和晶体管M2是相邻的晶体管，而晶体管M1和晶体管M3之间间隔有晶体管M2。本实施例的涉及序号在实际工程中未必会标记在实际晶体管产品上，或者实际晶体管产品的标号或名称与本实施例提供的晶体管序号可能不同，但是应该理解，只要一个解决方案的提供电路结构与本实施例描述的结构实质相同，其理应落入本发明的保护范围。依照上述序号分配方式，晶体管M1，M3，……，M2N-1是序号为奇数的晶体管，也可以称为奇数组的晶体管。晶体管M2，M4，……，M2N是序号为偶数的晶体管，也可以称为偶数组的晶体管。序号为奇数的晶体管M1，……，M2N-1中的每两个相邻晶体管(两个有最接近奇数序号的晶体管)的控制端通过第一电阻R1相耦合。序号为偶数的晶体管M2，……，M2N中的每两个相邻晶体管(两个有最接近偶数序号的晶体管)的控制端通过第二电阻R2相耦合。每个晶体管的控制端也就是该晶体管的栅极。这样，串联的2N个晶体管就被分为2组。例如，在第一组序号为奇数的晶体管中，晶体管M1和晶体管M3的栅极通过一个标号为R1的电阻连接；以此类推直到该组中最后两个晶体管，晶体管M2N-3和M2N-1的栅极也通过一个标号为R1的电阻连接。在所述2N个依次串联的晶体管中，可以选择任意两个相邻晶体管的栅极接收控制信号，比如第n晶体管Mn和第n+1晶体管Mn+1的控制端可以被耦合至开关控制信号中的第一控制信号，其中，n可以为大于等于1、且小于等于2N-1的一个整数，也就是说n是一个具体的取值，例如其可以取串联晶体管数量的2N的一半，即N。所述第一控制信号用于对所述开关的导通或关闭做控制。第一控制信号通过一个或多个第一电阻R1后传输到序号为奇数的晶体管的控制端，并通过一个或多个第二电阻R2将控制信号传输到序号为偶数的晶体管的控制端。在图5中，所述每个晶体管均为NMOS管，第一控制信号叫做CTRLG，用来控制所有晶体管的栅极，即之前所述的这些晶体管的控制端。在多个串联晶体管中，靠近开关的输入端RFin的晶体管M2N的漏极作为信号输入，靠近开关的输出端RFout的晶体管M1的源极作为信号输出。当CTRLG为高电平，这一系列晶体管M1，……，M2N均导通，使得输入端RFin的输入信号被传导至输出端RFout，也就是此时的开关是打开的。如果CTRLG为低电平，所有晶体管均截止，此时开关不导通，即关闭。虽然所述第n晶体管Mn和第n+1晶体管Mn+1可以是这2N个串联晶体管中任意两个相邻的晶体管，不过优选地，在图5中，n的值为N。也即是说，在图5的2N个串联的晶体管中，最中间的两个晶体管MN和MN+1的栅极被用来连接到第一控制信号CTRLG，这样控制信号传递到RFin所邻近的晶体管M2N和RFout所邻近的晶体管M1所需要的时间近似相等，使得靠近开关两端的晶体管M2N和M1的栅极接收第一控制信号CTRLG的延迟接近，延迟时间性能更优。当N为偶数，如图5所示，第N晶体管MN的栅极与相邻的具有偶数序号的晶体管MN-2和MN+2分别通过各自的一个第二电阻R2相连；第N+1晶体管MN+1的栅极与相邻的具有奇数序号的晶体管MN-1和MN+3分别通过各自的一个第一电阻R1相连。如果N为奇数，与图5不同之处在于，第N晶体管MN的栅极与相邻的具有奇数序号的晶体管MN-2和MN+2分别通过各自的一个第一电阻R1相连；第N+1晶体管MN+1的栅极与相邻的具有奇数序号的晶体管MN-1和MN+3分别通过各自的一个第二电阻R2相连。当然，图5仅仅是一个实例，用于接收开关控制信号的第n晶体管Mn和第n+1晶体管Mn+1也可以是开关中任其他两个相邻的晶体管，即n的取值可以不固定，这并不影响本发明实施例的实施。
需要说明的是，本发明提供的各个实施例中提到的“第一”“第二”或者“第n”本身不具有技术含义，仅仅是为了区别不同的元件从而方便描述各元件的连接关系，其本身不用于区别不同元件的制作工艺、材料、或参数取值。例如，任两个有最接近奇数序号的晶体管之间的电阻都可以叫做第一电阻，其和任两个有最接近偶数序号的晶体管之间的电阻，即第二电阻是不同的电阻，但第一电阻与第二电阻在其阻值、制作工艺和材料选择上没有必然联系，两者可以有相同或不同的阻值，可以使用相同或不同的材料。而且，在本实施例中，可以存在多个第一电阻或第二电阻，仅以多个第一电阻为例，每个第一电阻的阻值可以相同，也可以互相不同。因此，本领域技术人员应该理解，第一或第二这类描述本身不应被视为是对技术方案的限定。
进一步地，为了提高电阻隔离的效果，如图6所示，在图5基础上，在最中间的两个晶体管中，所述第N晶体管MN的控制端通过第三电阻R3耦合至所述第一控制信号CTRLG，且所述第N+1晶体管MN+1的控制端通过第四电阻R4耦合至所述第一控制信号CTRLG。当图5中第N晶体管MN和第N+1晶体管MN+1直接连到CTRLG，如果其隔离度仍然不足，为了提高隔离的性能，可以像图6一样在这两个晶体管MN和MN+1的栅极与CTRLG间进一步增加电阻做隔离。在图6中N为偶数，则增加的电阻R3也可以与一个或多个第二电阻R2串联以提高每个序号为偶数的晶体管至CTRLG的隔离度；增加的电阻R4也可以与一个或多个第一电阻R1串联提高每个序号为奇数的晶体管至CTRLG的隔离度。
进一步地，在图6基础上，图7提出了一种改进方案。图7中的所述第三电阻R3的第一端连接所述第N晶体管MN的控制端，所述第三电阻R3的第二端连接第五电阻R5的第一端；所述第四电阻R4的第一端连接所述第N+1晶体管MN+1的控制端，述第四电阻R4的第二端连接第五电阻R5的所述第一端；所述第五电阻R5的第二端耦合至所述第一控制信号CTRLG。在图7中，电阻R3和R4进一步通过所述电阻R5连通至CTRLG，使得各晶体管的栅极到CTRLG的电阻隔离被进一步提升。
进一步地，在图7基础上，一种改进的方案如图8所示，所述第N晶体管MN的控制端通过第十一电阻R11连接至第三电阻R3，且所述第N晶体管的控制端和与该第N晶体管相连的两一个第二电阻R2通过所述第十一电阻R11相耦合。具体地，由于图8中N为偶数，第N晶体管MN的具有最接近偶数序号相邻晶体管MN-2和MN+2的栅极分别通过各自的第二电阻R2和第十一电阻R11与该第N晶体管MN栅极连接，因此第十一电阻R11在连接第三电阻R3的同时还连接两个第二电阻R2。所述第N+1晶体管的控制端通过第十二电阻R12连接至第四电阻R4，且所述第N+1晶体管的控制端和与该第N+1晶体管相连的至少一个第一电阻R1通过所述第十二电阻R12相耦合。具体地，由于图8中N+1为奇数，第N+1晶体管MN+1的具有最接近奇数序号的相邻晶体管MN-1和MN+3的栅极分别通过各自的第一电阻R1和第十二电阻R12与该第N+1晶体管MN+1栅极连接，因此第十二电阻R12在连接第四电阻R4的同时还连接两个第一电阻R1。由于接收控制信号的晶体管是MN和MN+1，属于开关靠近中心的晶体管，因此控制信号在向两侧晶体管的栅极传输时经过延迟很近似，有利于提升开关性能。当然，如果接收控制信号的某一个晶体管不是靠近这一系列串联晶体管中间的晶体管，而是靠近开关两端的晶体管，如第一晶体管M1，则第一晶体管M1只有一个具有最接近奇数序号的第三晶体管M3，所以第一晶体管M1的栅极此时通过第十一电阻R11仅与一个三晶体管M3的栅极隔离电阻R1连接。
进一步地，在图8基础上，可以为每个晶体管的衬底增加电阻隔离，以便进一步减少衬底漏电流，在晶体管栅极电阻隔离的基础上，该衬底隔离可以进一步的达到更好的隔离漏电流的效果。具体如图9所示，所有晶体管可以集成在一个集成电路中，每个晶体管的衬底也就是集成电路的体(Body)。任两个有最接近奇数序号的晶体管的衬底通过第六电阻R6相耦合；任两个有最接近偶数序号的晶体管的衬底通过第七电阻R7相耦合；其中，第N晶体管MN的衬底被耦合至所述开关控制信号中的第二控制信号CTRLB，且第N+1晶体管MN+1的衬底被耦合至所述第二控制信号CTRLB，所述第二控制信号CTRLB用于对所述2N个依次串联的晶体管的衬底电平做控制。如何对晶体管衬底做电平控制可以是现有技术，具体针对图9中的晶体管而言，由于是NMOS管，因此CTRLB可以一直接地。
可替换地，与图9不同，如果这2N个晶体管由PMOS管替代，那么这些晶体管将在栅极控制信号，即之前所述的第一控制信号CTRLG为高电平时截止以使得整个开关关闭，在CTRLG为低电平时导通以使得整个开关打开，此时的CTRLB一直接高电平。
当然，CTRLB可以不用一直接恒定电平。例如，仍然以图9为例，如果CTRLG为高电平，开关打开，此时CTRLB接地，即电平为零；如果CTRLG为低电平，开关关闭，此时CTRLB接负电平以减少衬底漏电流。对于如何通过CTRLB调节晶体管衬底电平的更多内容可参照现有技术，本实施例不做赘述。
在图9中，为进一步地提高衬底隔离性能，所述第N晶体管MN的衬底通过第八电阻R8耦合至所述第二控制信号CTRLB，且所述第N+1晶体管MN+1的衬底通过第九电阻R9耦合至所述第二控制信号CTRLB。为了进一步地提高衬底隔离性能，所述第八电阻R8的第一端连接所述第N晶体管MN的衬底，所述第八电阻R8的第二端连接第十电阻R10的第一端；所述第九电阻R9的第一端连接所述第N+1晶体管MN+1的衬底，述第九电阻R9的第二端连接第十电阻R10的所述第一端；所述第十电阻R10的第二端耦合至所述第二控制信号CTRLB。在图9中，第N晶体管MN的衬底通过多个电阻耦合至CTRLB，隔离特性有所提升，且CTRLB的信号传输至两端的晶体管所需要延迟时间接近，有利于优化性能。可以理解，由于衬底的电流泄露原理与栅极漏电流类似，因此在图9中衬底的电阻隔离所采用的结构与栅极是类似的，栅极隔离和衬底隔离是一种对称的或近似对称的关系。
可以理解，在图5至图9中，N为偶数，第N晶体管MN与其他具有最接近偶数序号的晶体管的栅极之间通过第二电阻R2连接，第N+1晶体管MN+1与其他具有最接近奇数序号的晶体管的栅极时间通过第一电阻R1连接。如果N为奇数，则如图10所示，第N晶体管MN和与其有最接近奇数序号的晶体管MN-2和MN+2的栅极分别通过各自的第一电阻R1连接，第N+1晶体管MN+1和与其有最接近偶数序号的晶体管MN-1和MN+3的栅极分别通过各自的第二电阻R2连接。类似地，在图10中，第N晶体管MN与晶体管MN-2和MN+2的衬底分别通过各自的第六电阻R6连接，第N+1晶体管MN+1与晶体管MN-1和MN+3的衬底分别通过各自的第七电阻R7连接。
需要说明的是，在以上实施例中，所述2N个依次串联的晶体管在附图中均采用NMOS管，其也如之前实施例提到的那样可以采用PMOS管，仅仅通过改变CTRLG和CTRLB的电平设计就可以实现NMOS管类似的功能，其具体也可参照本领域的常规设计。在一种设计方案中，对于包括多个串联PMOS管的开关，CTRLG为高电平时开关关闭，CTRLG为低电平时开关打开，CTRLB可以一直接高电平。或者，CTRLB可以在CTRLG为高电平时被置为二倍高电平，在CTRLG为低电平时被置为高电平，以更好的抑制衬底漏电流。
当然，开关中采用的晶体管的类型也可以不仅限于MOS晶体管，也可以是双极晶体管或高速电子迁移率晶体管等。无论采用何种工艺实现的晶体管，均不影响本发明实施例中电路结构的实施，本实施例通过对序号为奇数的多个晶体管和序号为偶数的多个晶体管分别进行栅电阻隔离和衬底电阻隔离，实现了在隔离性能和控制信号传输延迟方面的折中，用于控制开关的控制信号CTRLG和CTRLB的电平设计可以适应性调整，即CTRLG和CTRLB的具体电平值可根据具体采用的晶体管类型的差异灵活设定，这取决与晶体管实现所需工艺，具体可参照现有技术，本实施例不做赘述。
在之前实施例的基础上，图11给出了一种射频装置的结构简化示意图，该射频装置10包括天线11、调谐器12和射频处理模块13。与现有技术中的图1类似，所述射频处理模块13用于对基带处理芯片或基带处理模块产生的模拟基带信号进行调制得到所述射频信号，并将所述射频信号提供给所述调谐器12。所述调制过程通常是一个信号上变频的过程，即将模拟基带信号上变频为更高频的射频信号。射频处理模块13具体可以通过一个发射链路进行所述调制操作，当然，类似背景技术中的图1，该射频处理模块13还可以包括对从天线接收到的信号进行解调的接收链路。
在图11中，射频处理模块13在进行调制得到射频信号后，射频信号可以通过单刀双掷开关耦合到调谐器12。当然，如果射频模块只具有发送链路也是可以接受的，信号的接收可以通过另一个具有接收链路的独立射频处理模块实现，此时也不一定需要单刀双掷开关在发射链路和接收链路之间切换，因为两个独立的射频模块可以采用不同的天线。本发明实施例的图11主要描述了射频信号的生成、调谐和发送过程，对接收方式不做限定。
具体地，在图11中，调谐器12用于对天线11的阻抗进行调谐。调谐器12通过一定方式耦合至射频处理模块13，并接收来自射频处理模块13的射频信号并进行射频信号调谐，将调谐后的信号发送至天线11，使得所述天线11接收调谐后的信号，并发送所述调谐后的信号。调谐器12可包括至少两个并联的电容调谐装置120，每个电容调谐装置120包括：输入端121，用于接收射频信号；电容调谐器122，用于对所述射频信号进行调谐得到调谐后的信号；输出端123，用于输出所述调谐后的信号。所述电容调谐器122包括：用于对所述射频信号进行调谐的电容1222和开关1221，所述开关1221与所述电容1222串联，两者的先后顺序可以调整，并不是固定的。所述开关1221的具体结构可参照之前实施例的描述，其能够在所述开关控制信号控制下，如CTRLG的控制下，选择性地将射频信号与所述电容1222相耦合以通过所述电容1222对所述射频信号进行调谐。具体地，当一个开关1221打开时，与该开关1221串联的电容1222被连接到射频信号并发挥调谐功能；当该开关1221关闭时，射频信号不通过与该电容1222，因此电容1222不发挥调节作用。任一电容调谐装置120中的所述电容1222的值还可以被一个电容控制信号调节或被设置为恒定。如果一个电容1222值是可被电容控制信号调节的，那么其所在的电容调谐装置120的电容值的调节更加灵活，从而导致调谐器12的电容值调节范围变大，达到更好的调节效果。当然，在一些应用场景下，为了提高调谐的性能，所述调谐器12还可包括：至少一个电感调谐装置，每个电感调谐装置包括一个或多个电感，用于在至少两个并联的电容调谐装置120的基础上，对至少两个并联的电容调谐装置120调谐前的所述射频信号或所述调谐后的信号进行进一步调谐。所述至少一个电感调谐装置与至少两个并联的电容调谐装置120可以是并联或串联的，其具体结构和连接关系取决于在工业上所要达到的性能和厂商的选择，本实施例不做具体说明。当然，图11给出的仅仅是一个示例，在具体实现中，调谐器中12还可以包括其他用于做信号调谐的元件，如电阻或者各类晶体管等，调谐器12本身所采用的结构不会影响到本发明实施例提供的开关在该调谐器12中发挥的作用。由于工艺实现复杂度的原因，图11中的射频处理模块13与调谐器12通常不会集成在一个集成电路上。调谐器12自身可以是集成的，其中的各元器件都可以通过集成电路工艺制作在一个衬底上，不过本实施例并不排除将调谐器12中各元器件可以分别置于不同的集成电路衬底中的方案。实施例提供的开关1221中的晶体管通常是集成在一起的，即被置于一块衬底上，当然如果开关1221中的不同晶体管被至于不同集成电路衬底上也是可以接受的，本实施例对各功能模块或电路元件所采用的具体制作工艺或封装工艺不做限制。
通过上述实施例可以看到，射频信号在被发送之前通过调谐器的调谐，其可以提高发射信号的性能，使得天线的阻抗更好的匹配所需要的射频频率。在调谐器中，当使用开关对多个固定或可变电容做控制以改变整个调谐器的电容值时，开关的性能就很重要。本发明实施例综合考虑了开关的衬底和栅极漏电流的抑制，以及开关控制信号在传输至一些列晶体管时传输的延迟问题，使得开关性能达到折中，优化了开关性能，从而提高了射频装置的发射性能。
可以理解，上述射频装置可以应用在各类无线通信设备中，如基站，中继站，无线终端，FM(Frequency Modulation，频率调制)设备、蓝牙设备或WiFi(无线保真)设备等。该装置的应用不受到无线通信协议的限制，可广泛应用在各类无线通信协议，如LTE(长期演进)、WCDMA(宽带码分多址)、WiFi、蓝牙或GSM(全球移动通信系统)标准中。当所述装置应用在一个无线终端中时，终端的形态可以是膝上电脑、平板电脑、智能手机、数据卡或对讲机等，本实施例对此不作限制。
本实施例提供的开关结构在高频、射频电路中可以达到好的应用效果，特别是在射频装置的电路中，不过，所述开关也可以应用于其他一些场景，如应用于锁相环、传感器的采样和读出电路等，而不仅限于图11给出的应用场景。
另外，本实施例提到的不同元件之间“耦合”或“连接”应理解为是可通过任意形式的连接，比如通过导线连接或通过其他一个或多个元件连接，而不仅仅是直接通过导线相连。
以上所述仅为本发明的几个实施例，本领域的技术人员依据申请文件公开的可以对本发明进行各种改动或变型而不脱离本发明的精神和范围。本领域普通技术人员可以理解所述实施例间或不同实施例的特征间在不发生冲突的情况下可以互相结合形成新的实施例。

Claims (18)

1.一种开关，其特征在于，包括：2N个依次串联的晶体管，所述2N个依次串联的晶体管包括第一晶体管至第2N晶体管，N为大于等于2的整数；所述2N个依次串联的晶体管被分为的奇数组的晶体管和偶数组的晶体管；其中，所述奇数组的晶体管包括第一晶体管、第三晶体管、……、第2N-1晶体管；所述偶数组的晶体管包括第二晶体管、第四晶体管、……、第2N晶体管；
在所述奇数组的晶体管中，任两个有最接近奇数序号的晶体管的控制端通过第一电阻相耦合；
在所述偶数组的晶体管中，任两个有最接近偶数序号的晶体管的控制端通过第二电阻相耦合；
在所述2N个依次串联的晶体管中，第n晶体管的控制端被耦合至开关控制信号中的第一控制信号，且第n+1晶体管的控制端被耦合至所述第一控制信号，其中，n为大于等于1、且小于等于2N-1的一个整数，所述第一控制信号用于对所述开关的导通或关闭做控制。
2.根据权利要求1所述开关，其特征在于，所述第n晶体管的控制端通过第三电阻耦合至所述第一控制信号，且所述第n+1晶体管的控制端通过第四电阻耦合至所述第一控制信号。
3.根据权利要求2所述开关，其特征在于，所述第三电阻的第一端连接所述第n晶体管的控制端，所述第三电阻的第二端连接第五电阻的第一端；所述第四电阻的第一端连接所述第n+1晶体管的控制端，述第四电阻的第二端连接第五电阻的所述第一端；所述第五电阻的第二端耦合至所述第一控制信号。
4.根据权利要求3所述开关，其特征在于，n进一步为一奇数；
所述第n晶体管的控制端通过第十一电阻连接至所述第三电阻，且所述第n晶体管的控制端和与该第n晶体管相连的至少一个第一电阻通过所述第十一电阻相耦合；
所述第n+1晶体管的控制端通过第十二电阻连接至第四电阻，且所述第n+1晶体管的控制端和与该第n+1晶体管相连的至少一个第二电阻通过所述第十二电阻相耦合。
5.根据权利要求3所述开关，其特征在于，n进一步为一偶数；
所述第n晶体管的控制端通过第十一电阻连接至所述第三电阻，且所述第n晶体管的控制端和与该第n晶体管相连的至少一个第二电阻通过所述第十一电阻相耦合；
所述第n+1晶体管的控制端通过第十二电阻连接至第四电阻，且所述第n+1晶体管的控制端和与该第n+1晶体管相连的至少一个第一电阻通过所述第十二电阻相耦合。
6.根据权利要求1至5中任一项所述开关，其特征在于，在所述奇数组的晶体管中，任两个有最接近奇数序号的晶体管的衬底通过第六电阻相耦合；
在所述偶数组的晶体管中，任两个有最接近偶数序号的晶体管的衬底通过第七电阻相耦合；
其中，第n晶体管的衬底被耦合至所述开关控制信号中的第二控制信号，且第n+1晶体管的衬底被耦合至所述第二控制信号，所述第二控制信号用于对所述2N个依次串联的晶体管的衬底电平做控制。
7.根据权利要求6所述开关，其特征在于，所述第n晶体管的衬底通过第八电阻耦合至所述第二控制信号，且所述第n+1晶体管的衬底通过第九电阻耦合至所述第二控制信号。
8.根据权利要求7所述开关，其特征在于，所述第八电阻的第一端连接所述第n晶体管的衬底，所述第八电阻的第二端连接第十电阻的第一端；所述第九电阻的第一端连接所述第n+1晶体管的衬底，述第九电阻的第二端连接第十电阻的所述第一端；所述第十电阻的第二端耦合至所述第二控制信号。
9.根据权利要求8所述开关，其特征在于，n进一步为一奇数；
所述第n晶体管的衬底通过第十三电阻连接至第八电阻，且所述第n晶体管的衬底和与该第n晶体管相连的至少一个第六电阻通过所述第十三电阻相耦合；
所述第n+1晶体管的衬底通过第十四电阻连接至第九电阻，且所述第n+1晶体管的衬底和与该第n+1晶体管相连的至少一个第七电阻通过所述第十四电阻相耦合。
10.根据权利要求8所述开关，其特征在于，n进一步为一偶数；
所述第n晶体管的衬底通过第十三电阻连接至第八电阻，且所述第n晶体管的衬底和与该第n晶体管相连的至少一个第七电阻通过所述第十三电阻相耦合；
所述第n+1晶体管的衬底通过第十四电阻连接至第九电阻，且所述第n+1晶体管的衬底和与该第n+1晶体管相连的至少一个第六电阻通过所述第十四电阻相耦合。
11.根据权利要求1至10中任一项所述开关，其特征在于，n的值具体为N。
12.根据权利要求1至11中任一项所述开关，其特征在于，所述2N个依次串联的晶体管为：双极晶体管、金属氧化物半导体晶体管或高速电子迁移率晶体管。
13.一种天线的调谐器，包括至少两个并联的电容调谐装置，每个电容调谐装置包括：输入端，用于接收射频信号；电容调谐器，用于对所述射频信号进行调谐得到调谐后的信号；输出端，用于输出所述调谐后的信号；
所述电容调谐器包括：用于对所述射频信号进行调谐的电容、和根据权利要求1至10中任一项所述开关，所述开关与所述电容串联，所述开关能够在所述开关控制信号控制下选择性地将所述射频信号与所述电容相耦合以通过所述电容对所述射频信号进行调谐。
14.根据权利要求13所述调谐器，其特征在于，所述调谐器还包括：至少一个电感调谐装置，每个电感调谐装置包括一个或多个电感，用于在至少两个并联的电容调谐装置的基础上，对至少两个并联的电容调谐装置调谐前的所述射频信号或所述调谐后的信号进行进一步调谐。
15.根据权利要求13或14所述调谐器，其特征在于，所述电容的值能够被电容控制信号调节。
16.根据权利要求13或14所述调谐器，，其特征在于，所述电容的值为恒定。
17.一种射频装置，其特征在于，包括天线、和根据权利要求13至16中任一项所述调谐器；
所述天线用于从所述调谐器接收所述调谐后的信号，并发送所述调谐后的信号。
18.根据权利要求17所述射频装置，其特征在于，还包括：射频处理模块，用于对基带信号进行调制得到所述射频信号，并将所述射频信号提供给所述调谐器。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016108117A1 (de) 2015-05-06 2017-03-30 Infineon Technologies Ag System und Verfahren für eine Ansteuerung eines Hochfrequenzschalters
CN107395174A (zh) * 2017-08-31 2017-11-24 广东工业大学 一种射频开关的堆叠电路及射频开关
CN107408942A (zh) * 2015-01-30 2017-11-28 派瑞格恩半导体有限公司 具有分布式开关的射频切换电路
CN107404311A (zh) * 2016-12-01 2017-11-28 上海韦玏微电子有限公司 具有自偏置体端的射频开关
CN108039585A (zh) * 2017-12-19 2018-05-15 无锡中普微电子有限公司 一种天线调谐电路
CN109639241A (zh) * 2018-11-13 2019-04-16 天津大学 一种无电感下变频混频器
US10637526B2 (en) 2015-01-30 2020-04-28 Psemi Corporation Radio frequency switching circuit and distributed switches
CN112272017A (zh) * 2020-09-30 2021-01-26 锐石创芯（深圳）科技有限公司 一种射频开关电路
CN117118393A (zh) * 2023-08-24 2023-11-24 合芯科技(苏州)有限公司 赝电阻电路及放大器电路

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101730198B1 (ko) * 2012-12-26 2017-04-25 삼성전기주식회사 Ｓｐｄｔ 스위치 회로
KR102123600B1 (ko) * 2015-05-29 2020-06-15 삼성전기주식회사 프론트 엔드 회로
CN105515561A (zh) * 2015-12-01 2016-04-20 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 多路径开关电路、芯片及通信终端
US20170171593A1 (en) * 2015-12-14 2017-06-15 Le Holdings (Beijing) Co., Ltd. Tuner unit module, tuner and electronic device
US10693459B2 (en) * 2017-12-31 2020-06-23 Skyworks Solutions, Inc. Biasing architectures and methods for lower loss switches
US10756613B2 (en) * 2018-02-01 2020-08-25 Marvell Asia Pte, Ltd. Controlling current flow between nodes with adjustable back-gate voltage
US11296688B2 (en) 2019-12-18 2022-04-05 Skyworks Solutions, Inc. Switching time reduction of an RF switch
CN112503229B (zh) * 2020-11-27 2022-04-19 四川虹美智能科技有限公司 冰箱单向阀控制电路、方法、计算设备及计算机可读介质

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080194302A1 (en) * 2007-02-12 2008-08-14 Broadcom Corporation Mobile phone with an antenna structure having improved performance
US8008988B1 (en) * 2008-02-20 2011-08-30 Triquint Semiconductor, Inc. Radio frequency switch with improved intermodulation distortion through use of feed forward capacitor
JP5237842B2 (ja) 2009-01-29 2013-07-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US8058922B2 (en) 2009-07-28 2011-11-15 Qualcomm, Incorporated Switch with improved biasing
US8395435B2 (en) 2009-07-30 2013-03-12 Qualcomm, Incorporated Switches with bias resistors for even voltage distribution
US8461903B1 (en) 2009-09-11 2013-06-11 Rf Micro Devices, Inc. SOI switch enhancement
CN101702627B (zh) * 2009-10-29 2012-10-03 华东师范大学 一种基于绝缘体上硅工艺的cmos射频开关
KR101251832B1 (ko) * 2011-07-13 2013-04-09 삼성전기주식회사 저항 공유 스위칭 회로
JP2013197175A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 集積回路および無線通信装置
US9160328B2 (en) * 2012-07-07 2015-10-13 Skyworks Solutions, Inc. Circuits, devices, methods and applications related to silicon-on-insulator based radio-frequency switches
JP5996378B2 (ja) * 2012-11-01 2016-09-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 高周波スイッチ回路
US9240770B2 (en) * 2013-03-15 2016-01-19 Rf Micro Devices, Inc. Harmonic cancellation circuit for an RF switch branch

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107408942B (zh) * 2015-01-30 2020-11-03 派赛公司 具有分布式开关的射频切换电路
CN107408942A (zh) * 2015-01-30 2017-11-28 派瑞格恩半导体有限公司 具有分布式开关的射频切换电路
US10637526B2 (en) 2015-01-30 2020-04-28 Psemi Corporation Radio frequency switching circuit and distributed switches
US9742400B2 (en) 2015-05-06 2017-08-22 Infineon Technologies Ag System and method for driving radio frequency switch
DE102016108117A1 (de) 2015-05-06 2017-03-30 Infineon Technologies Ag System und Verfahren für eine Ansteuerung eines Hochfrequenzschalters
CN107404311A (zh) * 2016-12-01 2017-11-28 上海韦玏微电子有限公司 具有自偏置体端的射频开关
CN107395174A (zh) * 2017-08-31 2017-11-24 广东工业大学 一种射频开关的堆叠电路及射频开关
CN108039585A (zh) * 2017-12-19 2018-05-15 无锡中普微电子有限公司 一种天线调谐电路
CN109639241A (zh) * 2018-11-13 2019-04-16 天津大学 一种无电感下变频混频器
CN109639241B (zh) * 2018-11-13 2021-03-26 天津大学 一种无电感下变频混频器
CN112272017A (zh) * 2020-09-30 2021-01-26 锐石创芯（深圳）科技有限公司 一种射频开关电路
CN117118393A (zh) * 2023-08-24 2023-11-24 合芯科技(苏州)有限公司 赝电阻电路及放大器电路
CN117118393B (zh) * 2023-08-24 2024-03-26 合芯科技(苏州)有限公司 赝电阻电路及放大器电路

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