CN112272017A - 一种射频开关电路 - Google Patents

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CN112272017A CN202011062542.3A CN202011062542A CN112272017A CN 112272017 A CN112272017 A CN 112272017A CN 202011062542 A CN202011062542 A CN 202011062542A CN 112272017 A CN112272017 A CN 112272017A
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Abstract

本发明提供了一种射频开关电路，包括：串联支路，所述串联支路包括多个相互串联的开关单元；在所述串联支路上的多个连接节点；调谐网络，所述调谐网络的一端连接所述多个连接节点中的一个节点，所述调谐网络的另一端连接所述多个连接节点中的另一个节点；设置在所述调谐网络中的调节节点，所述调节节点连接外部调谐电压。本发明通过所述外部调谐电压对所述调谐网络产生的电容值进行调谐，有效地减少了射频信号施加在射频开关上时射频开关产生的谐波，实现对射频开关的谐波抑制。

Description

一种射频开关电路
技术领域
本发明涉及射频技术领域，尤其涉及一种射频开关电路。
背景技术
在射频(Radio Frequency，简称RF)的电子应用中，复杂的RF系统对基于晶体管的射频开关提出了严格的线性度、插入损耗和隔离要求。基于晶体管的射频开关作为射频收发器的重要电子元件通常需要进行线性补偿，以防止在射频开关处于关断状态时发射信号被施加到射频开关而产生谐波失真。然而，由于每个场效应晶体管(Field EffectTransistor，简称FET)的电容相对较小，并且几乎与电压恒定，因此会有轻微的压敏电容促使射频开关产生谐波，从而给射频开关电路的性能造成极大的影响。
发明内容
本发明提供一种射频开关电路，以解决现有射频开关中存在的谐波问题。
本发明的是这样实现的，一种射频开关电路，包括：
串联支路，所述串联支路包括多个相互串联的开关单元；
在所述串联支路上的多个连接节点；
调谐网络，所述调谐网络的一端连接所述多个连接节点中的一个节点，所述调谐网络的另一端连接所述多个连接节点中的另一个节点；
设置在所述调谐网络中的调节节点，所述调节节点连接外部调谐电压。
可选地，所述调谐网络包括一调谐模块，所述调谐模块的调节节点连接外部调谐电压。
可选地，所述调谐网络包括多个调谐模块，所述多个调谐模块前后串联；
每一所述调谐模块的调节节点分别连接外部调谐电压。
可选地，所述调谐网络包括多个调谐模块，所述多个调谐模块相互并联；
每一所述调谐模块的调节节点分别连接外部调谐电压。
可选地，所述调谐网络包括多个调谐模块；
所述多个调谐模块前后串联，且每一个调谐模块分别与一个开关单元并联；
每一所述调谐模块的调节节点分别连接外部调谐电压。
可选地，每一所述调谐模块包括第一反向晶体管和第二反向晶体管；
所述第一反向晶体管的漏极与所述第二反向晶体管的漏极之间的共接点作为调节节点连接外部调谐电压；
所述第一反向晶体管的源极与栅极之间的共接点作为所述调谐模块的第一端；
所述第二反向晶体管的源极与栅极之间的共接点作为所述调谐模块的第二端。
可选地，每一所述调谐模块包括第一晶体管单元和第二晶体管单元；
所述第一晶体管单元的第一端与所述第二晶体管单元的第一端之间的共接点作为调节节点连接外部调谐电压；
所述第一晶体管单元的第二端作为所述调谐模块的第一端，所述第二晶体管单元的第二端作为所述调谐模块的第二端。
可选地，所述第一晶体管单元包括N个相互串联的第一反向晶体管，前一个第一反向晶体管的漏极与后一个第一反向晶体管的源极和栅极之间的共接点连接，其中，首个第一反向晶体管的源极和栅极之间的共接点作为所述第一晶体管单元的第二端，末个第一反向晶体管的漏极作为所述第一晶体管单元的第一端；
所述第二晶体管单元包括N个相互串联的第二反向晶体管，前一个第二反向晶体管的源极和栅极之间的共接点与后一个第二反向晶体管的漏极连接，其中，首个第二反向晶体管的漏极作为所述第二晶体管单元的第一端，末个第二反向晶体管的源极和栅极之间的共接点作为所述第二晶体管单元的第二端；
N为大于或等于2的自然数。
可选地，每一所述调谐模块包括第一反向晶体管和第二反向晶体管；
所述第一反向晶体管的栅极作为所述调谐模块的第一端；
所述第二反向晶体管的栅极作为所述调谐模块的第二端；
所述第一反向晶体管的漏极与源极之间的共接点、所述第二反向晶体管的漏极与源极之间的共接点，共接于外部调谐电压。
可选地，每一所述调谐模块包括第一反向晶体管和第二反向晶体管；
所述第一反向晶体管的漏极与源极之间的共接点作为所述调谐模块的第一端；
所述第二反向晶体管的漏极与源极之间的共接点作为所述调谐模块的第二端；
所述第一反向晶体管的栅极与所述第二反向晶体管的栅极之间的共接点，连接外部调谐电压。
可选地，所述串联支路中的开关单元为场效应晶体管；
在所述串联支路中，前一个场效应晶体管的源极与后一个场效应晶体管的漏极连接。
本发明提供的射频开关电路，包括串联支路，所述串联支路包括多个相互串联的开关单元；在所述串联支路上的多个连接节点；调谐网络，所述调谐网络的一端连接所述多个连接节点中的一个节点，所述调谐网络的另一端连接所述多个连接节点中的另一个节点；设置在所述调谐网络中的调节节点，所述调节节点连接外部调谐电压；通过所述外部调谐电压对所述调谐网络产生的电容值进行调谐，有效地减少了射频信号施加在射频开关上时射频开关产生的谐波，实现对射频开关的谐波抑制。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例提供的射频开关电路的示意图；
图2是本发明另一实施例提供的射频开关电路的示意图；
图3是本发明另一实施例提供的射频开关电路的示意图；
图4是本发明另一实施例提供的射频开关电路的示意图；
图5是本发明另一实施例提供的射频开关电路的示意图；
图6是本发明另一实施例提供的射频开关电路的示意图；
图7是本发明另一实施例提供的射频开关电路的示意图；
图8是本发明另一实施例提供的射频开关电路的示意图；
图9是本发明另一实施例提供的射频开关电路的示意图；
图10是本发明另一实施例提供的射频开关电路的示意图；
图11是本发明另一实施例提供的射频开关电路的示意图；
图12是本发明另一实施例提供的射频开关电路的示意图；
图13是本发明另一实施例提供的射频开关电路的示意图；
图14是本发明另一实施例提供的射频开关电路的示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明提供了一种射频开关电路，包括串联支路，所述串联支路包括多个相互串联的开关单元；在所述串联支路上的多个连接节点；调谐网络，所述调谐网络的一端连接所述多个连接节点中的一个节点，所述调谐网络的另一端连接所述多个连接节点中的另一个节点；设置在所述调谐网络中的调节节点，所述调节节点连接外部调谐电压；通过所述外部调谐电压对所述调谐网络产生的电容值进行调谐，有效地减少了射频信号施加在射频开关上时射频开关产生的谐波，实现对射频开关的谐波抑制。
图1为本发明一实施例提供的一种射频开关电路的示意图。如图1所示，所述射频开关电路包括串联支路，所述串联支路包括多个相互串联的开关单元10；
在所述串联支路上的多个连接节点；
调谐网络20，所述调谐网络20的一端连接所述多个连接节点中的一个节点，所述调谐网络20的另一端连接所述多个连接节点中的另一个节点；
设置在所述调谐网络20中的调节节点，所述调节节点连接外部调谐电压VB。
在本实施例中，所述串联支路上的连接节点包括所述开关单元10之间的串接点以及串联支路的两个端点。当所述串联支路上包括多个开关单元10时，所述串联支路上包括多个连接节点。所述调谐网络20包括两个端点，所述两个端点分别连接所述多个连接节点中的两个不同的连接节点。
在一些实施例中，如图1所示，所述调谐网络20的两个端点分别连接在串联支路的两个端点上。在另一些实施例中，如图2所示，所述调谐网络20的一个端点连接在两个开关单元10之间的串接点上，另一个端点连接在所述串联支路的一个端点上。
可选地，作为本发明的一个优选示例，所述串联支路中的开关单元10为场效应晶体管；在所述串联支路中，前一个场效应晶体管的源极S与后一个场效应晶体管的漏极D连接。
为了便于理解，在图1实施例的基础上提出本发明的一个优选示例，如图3所示，当所述串联支路上包括N个开关单元10时，每一个开关单元10为一场效应晶体管，分别记为第一场效应晶体管M1、第二场效应晶体管M2、第三场效应晶体管M3、……、第N场效应晶体管MN。因此在所述串联支路中，前一个场效应晶体管的源极S与后一个场效应晶体管的漏极D连接，共形成N-1个串接点，再加上串联支路的两个端点，所述串联支路上包括N+1个连接节点。所述调谐网络20的两个端点分别连接所述多个连接节点中的两个不同的连接节点。在图3中，所述调谐网络20的两个端点分别连接在串联支路的两个端点上。
本实施例通过在所述开关单元10的漏极和源极之间并联调谐网络20，并设置所述调谐网络20的调谐调节节点连接外部调谐电压VB，通过调谐电压对所述调谐网络20的电容值进行调谐，从而可以减少了射频信号施加在射频开关10上时射频开关10产生的谐波，实现对所述射频开关10的谐波抑制。即外部调谐电压VB通过调整调谐网络的电容值，以产生与射频开关产生的不希望的谐波信号的异相的调谐信号，以抵消射频开关产生的不希望的谐波信号，从而减少射频开关产生的不希望的谐波信号。其中，所述外部调谐电压VB根据射频开关电路中场效应晶体管的特性以及当射频信号在断开状态下施加在射频开关上时射频开关产生的谐波特性决定。
在本实施例中，所述调谐网络20包括一个或多个调谐模块21，每一调谐模块21上设置有调节节点，分别连接外部调谐电压VB。
可选地，在图3实施例的基础上提出本发明的一个优选示例，如图4所示，所述调谐网络20包括一调谐模块21，所述调谐模块21的调节节点连接外部调谐电压VB。
在这里，本实施例通过外部调谐电压VB对所述调谐模块21所呈现出来的电容值进行调谐。
可选地，在图3实施例的基础上提出本发明的一个优选示例，如图5所示，所述调谐网络20包括多个调谐模块21，所述多个调谐模块21前后串联；
每一所述调谐模块21的调节节点分别连接外部调谐电压VB。
在这里，每一个调谐模块21均连接外部调谐电压VB，通过外部调谐电压VB对对应的调谐模块21所呈现出来的电容值进行调谐。其中，不同调谐模块21连接的外部调谐电压VB的大小可以相同，也可以不相同，此处不做限制。
可选地，在图3实施例的基础上提出本发明的一个优选示例，如图6所示，所述调谐网络20包括多个调谐模块21，所述多个调谐模块21相互并联；
每一所述调谐模块21的调节节点分别连接外部调谐电压VB。
其中，所述调谐模块21的并接点作为所述调谐网络20的一端，所述调谐模块21的另一个并接点作为所述调谐网络20的另一端。每一个调谐模块21均连接外部调谐电压VB，通过外部调谐电压VB对对应的调谐模块21所呈现出来的电容值进行调谐。
可选地，作为本发明的一个优选示例，如图7所示，所述调谐网络20包括多个调谐模块21；
所述多个调谐模块21前后串联，且每一个调谐模块21分别与一个开关单元10并联；
每一所述调谐模块21的调节节点分别连接外部调谐电压VB。
在这里，所述调谐模块21的个数与所述开关单元10的个数可以相同也可以不相同。一个调谐模块21与一个开关单元10对应。所述调谐模块21前后串联，并且每一个调谐模块21与对应的一个开关单元10并联，即每一个调谐模块21的两端分别与所述开关单元10中的场效应晶体管的漏极和源极连接，通过外部调谐电压VB对对应的调谐模块21所呈现出来的电容值进行调谐，从而实现对对应的场效应晶体管所产生的谐波进行抑制。需要说明的是，图7所示的调谐网络包括3个调谐模块21，调谐模块21的个数仅为本实施例的一个具体示例，并不用于限制本发明。
可选地，在上述图1至图7实施例的基础上，所述调谐模块21可以由一对反串联的反相晶体管组成。所述调谐模块21包括第一反向晶体管和第二反向晶体管；
所述第一反向晶体管的漏极与所述第二反向晶体管的漏极之间的共接点作为调节节点连接外部调谐电压；
所述第一反向晶体管的源极与栅极之间的共接点作为所述调谐模块21的第一端；
所述第二反向晶体管的源极与栅极之间的共接点作为所述调谐模块21的第二端。
如图8所示，为在图4实施例的基础上提出的射频开关电路的结构示意图。所述调谐模块21包括反串联的第一反向晶体管MN1和第二反向晶体管MN2；所述第一反向晶体管MN1的漏极与所述第二反向晶体管MN2的漏极之间的共接点作为调节节点连接外部调谐电压VB，通过外部调谐电压VB分别对所述第一反向晶体管MN1和第二反向晶体管MN2所呈现出来的电容值进行调谐。
如图9所示，为在图5实施例的基础上提出的射频开关电路的结构示意图。所述多个调谐模块21前后串联，每一个所述调谐模块21均包括反串联的第一反向晶体管MN1和第二反向晶体管MN2；所述第一反向晶体管MN1的漏极与所述第二反向晶体管MN2的漏极之间的共接点作为调节节点连接外部调谐电压VB，通过外部调谐电压VB分别对所述第一反向晶体管MN1和第二反向晶体管MN2所呈现出来的电容值进行调谐，当外部调谐电压从较正电压区域转变到较负电压区域时，第一反向晶体管MN1和第二反向晶体管MN2的总电容通常从较小值转变到较大值。相反，当外部调谐电压从较正电压区域转变到较负电压区域时，第一反向晶体管MN1和第二反向晶体管MN2的总电容通常从较大值转变到较小值。即可通过增大外部调谐电压VB，以减少第一反向晶体管MN1和第二反向晶体管MN2所呈现出来的电容值，从而有效地减少了射频信号施加在射频开关上时射频开关产生的谐波，实现对射频开关的谐波抑制。如图10所示，为在图6实施例的基础上提出的射频开关电路的结构示意图。所述多个调谐模块21相互并联，每一个所述调谐模块21均包括反串联的第一反向晶体管MN1和第二反向晶体管MN2；所述第一反向晶体管MN1的漏极与所述第二反向晶体管MN2的漏极之间的共接点作为调节节点连接外部调谐电压VB，通过外部调谐电压VB分别对所述第一反向晶体管MN1和第二反向晶体管MN2所呈现出来的电容值进行调谐，以产生与射频开关产生的不希望的谐波信号的异相的调谐信号，以抵消射频开关产生的不希望的谐波信号，从而减少射频开关产生的不希望的调谐信号。
如图11所示，为在图7实施例的基础上提出的射频开关电路的结构示意图。所述多个调谐模块21前后串联，且每一个调谐模块21分别与一个开关单元10并联。每一个所述调谐模块21均包括反串联的第一反向晶体管MN1和第二反向晶体管MN2；所述第一反向晶体管MN1的漏极与所述第二反向晶体管MN2的漏极之间的共接点作为调节节点连接外部调谐电压VB，通过外部调谐电压VB分别对所述第一反向晶体管MN1和第二反向晶体管MN2所呈现出来的电容值进行调谐，以产生与射频开关产生的不希望的谐波信号的异相的调谐信号，以抵消射频开关产生的不希望的谐波信号，从而减少射频开关产生的不希望的调谐信号。
可选地，在上述图1至图7实施例的基础上，所述调谐模块21可以由一组反串联的反相晶体管组成。每一所述调谐模块21包括第一晶体管单元和第二晶体管单元；
所述第一晶体管单元的第一端与所述第二晶体管单元的第一端之间的共接点作为调节节点连接外部调谐电压VB；
所述第一晶体管单元的第二端作为所述调谐模块21的第一端，所述第二晶体管单元的第二端作为所述调谐模块21的第二端。
其中，所述第一晶体管单元包括N个相互串联的第一反向晶体管，前一个第一反向晶体管的漏极与后一个第一反向晶体管的源极和栅极之间的共接点连接，其中，首个第一反向晶体管的源极和栅极之间的共接点作为所述第一晶体管单元的第二端，末个第一反向晶体管的漏极作为所述第一晶体管单元的第一端；
所述第二晶体管单元包括N个相互串联的第二反向晶体管，前一个第二反向晶体管的源极和栅极之间的共接点与后一个第二反向晶体管的漏极连接，其中，首个第二反向晶体管的漏极作为所述第二晶体管单元的第一端，末个第二反向晶体管的源极和栅极之间的共接点作为所述第二晶体管单元的第二端；
N为大于或等于2的自然数。
为了便于理解，以下在调谐网络20包括一个调谐模块21的拓扑结构的基础上进行说明。如图12所示，为在图4实施例的基础上提出的射频开关电路的结构示意图。所述调谐模块21包括第一晶体管单元211和第二晶体管单元212；所述第一晶体管单元211包括N个相互串联的第一反向晶体管MN1，分别记为MN11～MN1N，所述第二晶体管单元212包括N个相互串联的第二反向晶体管MN2，分别记为MN21～MN2N；所述第一晶体管单元211中的末个第一反向晶体管MN1N的漏极与所述第二晶体管单元212中的首个第二反向晶体管MN21的漏极之间的共接点作为调节节点，连接外部调谐电压VB，通过外部调谐电压VB分别对所述N个第一反向晶体管MN1和N个第二反向晶体管MN2所呈现出来的电容值进行调谐，以产生与射频开关产生的不希望的谐波信号的异相的调谐信号，以抵消射频开关产生的不希望的谐波信号，从而减少射频开关产生的不希望的调谐信号。
对于调谐网络20包括多个串联的调谐模块21或者调谐网络20包括多个并联的调谐模块21或调谐网络20包括多个串联的调谐模块21且每一调谐模块21与一个开关单元10并联的拓扑结构，此处不再叙述。
可选地，在上述图1至图7实施例的基础上，所述调谐模块21可以由一对反并联的反相晶体管组成。作为本发明的一个优选示例，每一所述调谐模块21包括第一反向晶体管和第二反向晶体管；
所述第一反向晶体管的栅极作为所述调谐模块21的第一端；
所述第二反向晶体管的栅极作为所述调谐模块21的第二端；
所述第一反向晶体管的漏极与源极之间的共接点、所述第二反向晶体管的漏极与源极之间的共接点，共接于外部调谐电压VB。
为了便于理解，以下在调谐网络20包括一个调谐模块21的拓扑结构的基础上进行说明。如图13所示，为在图4实施例的基础上提出的射频开关电路的结构示意图。所述调谐模块21包括反并联的第一反向晶体管MN1和第二反向晶体管MN2，所述第一反向晶体管MN1的漏极与源极之间的共接点与所述第二反向晶体管MN2的漏极与源极之间的共接点连接，作为调节节点连接外部调谐电压VB，通过外部调谐电压VB分别对所述第一反向晶体管MN1和第二反向晶体管MN2所呈现出来的电容值进行调谐，以产生与射频开关产生的不希望的谐波信号的异相的调谐信号，以抵消射频开关产生的不希望的谐波信号，从而减少射频开关产生的不希望的调谐信号。
对于调谐网络20包括多个串联的调谐模块21或者调谐网络20包括多个并联的调谐模块21或调谐网络20包括多个串联的调谐模块21且每一调谐模块21与一个开关单元10并联的拓扑结构，此处不再叙述。
可选地，在上述图1至图7实施例的基础上，所述调谐模块21可以由一对反并联的反相晶体管组成。作为本发明的另一个优选示例，每一所述调谐模块21包括第一反向晶体管和第二反向晶体管；
所述第一反向晶体管的漏极与源极之间的共接点作为所述调谐模块21的第一端；
所述第二反向晶体管的漏极与源极之间的共接点作为所述调谐模块21的第二端；
所述第一反向晶体管的栅极与所述第二反向晶体管的栅极之间的共接点，连接外部调谐电压VB。
为了便于理解，以下在调谐网络20包括一个调谐模块21的拓扑结构的基础上进行说明。如图14所示，为在图4实施例的基础上提出的射频开关电路的结构示意图。所述调谐模块21包括反并联的第一反向晶体管MN1和第二反向晶体管MN2，所述第一反向晶体管MN1的栅极与所述第二反向晶体管MN2的栅极之间的共接点连接，作为调节节点连接外部调谐电压VB，通过外部调谐电压VB分别对所述第一反向晶体管MN1和第二反向晶体管MN2所呈现出来的电容值进行调谐，以产生与射频开关产生的不希望的谐波信号的异相的调谐信号，以抵消射频开关产生的不希望的谐波信号，从而减少射频开关产生的不希望的调谐信号。
对于调谐网络20包括多个串联的调谐模块21或者调谐网络20包括多个并联的调谐模块21或调谐网络20包括多个串联的调谐模块21且每一调谐模块21与一个开关单元10并联的拓扑结构，此处不再叙述。
以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种射频开关电路，其特征在于，包括：
串联支路，所述串联支路包括多个相互串联的开关单元；
在所述串联支路上的多个连接节点；
调谐网络，所述调谐网络的一端连接所述多个连接节点中的一个节点，所述调谐网络的另一端连接所述多个连接节点中的另一个节点；
设置在所述调谐网络中的调节节点，所述调节节点连接外部调谐电压。
2.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，所述调谐网络包括一调谐模块，所述调谐模块的调节节点连接外部调谐电压。
3.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，所述调谐网络包括多个调谐模块，所述多个调谐模块前后串联；
每一所述调谐模块的调节节点分别连接外部调谐电压。
4.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，所述调谐网络包括多个调谐模块，所述多个调谐模块相互并联；
每一所述调谐模块的调节节点分别连接外部调谐电压。
5.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，所述调谐网络包括多个调谐模块；
所述多个调谐模块前后串联，且每一个调谐模块分别与一个开关单元并联；
每一所述调谐模块的调节节点分别连接外部调谐电压。
6.如权利要求2至5任一项所述的射频开关电路，其特征在于，每一所述调谐模块包括第一反向晶体管和第二反向晶体管；
所述第一反向晶体管的漏极与所述第二反向晶体管的漏极之间的共接点作为调节节点连接外部调谐电压；
所述第一反向晶体管的源极与栅极之间的共接点作为所述调谐模块的第一端；
所述第二反向晶体管的源极与栅极之间的共接点作为所述调谐模块的第二端。
7.如权利要求2至5任一项所述的射频开关电路，其特征在于，每一所述调谐模块包括第一晶体管单元和第二晶体管单元；
所述第一晶体管单元的第一端与所述第二晶体管单元的第一端之间的共接点作为调节节点连接外部调谐电压；
所述第一晶体管单元的第二端作为所述调谐模块的第一端，所述第二晶体管单元的第二端作为所述调谐模块的第二端。
8.如权利要求7所述的射频开关电路，其特征在于，所述第一晶体管单元包括N个相互串联的第一反向晶体管，前一个第一反向晶体管的漏极与后一个第一反向晶体管的源极和栅极之间的共接点连接，其中，首个第一反向晶体管的源极和栅极之间的共接点作为所述第一晶体管单元的第二端，末个第一反向晶体管的漏极作为所述第一晶体管单元的第一端；
所述第二晶体管单元包括N个相互串联的第二反向晶体管，前一个第二反向晶体管的源极和栅极之间的共接点与后一个第二反向晶体管的漏极连接，其中，首个第二反向晶体管的漏极作为所述第二晶体管单元的第一端，末个第二反向晶体管的源极和栅极之间的共接点作为所述第二晶体管单元的第二端；
N为大于或等于2的自然数。
9.如权利要求2至5任一项所述的射频开关电路，其特征在于，每一所述调谐模块包括第一反向晶体管和第二反向晶体管；
所述第一反向晶体管的栅极作为所述调谐模块的第一端；
所述第二反向晶体管的栅极作为所述调谐模块的第二端；
所述第一反向晶体管的漏极与源极之间的共接点、所述第二反向晶体管的漏极与源极之间的共接点，共接于外部调谐电压。
10.如权利要求2至5任一项所述的射频开关电路，其特征在于，每一所述调谐模块包括第一反向晶体管和第二反向晶体管；
所述第一反向晶体管的漏极与源极之间的共接点作为所述调谐模块的第一端；
所述第二反向晶体管的漏极与源极之间的共接点作为所述调谐模块的第二端；
所述第一反向晶体管的栅极与所述第二反向晶体管的栅极之间的共接点，连接外部调谐电压。
11.如权利要求1至5任一项所述的射频开关电路，其特征在于，所述串联支路中的开关单元为场效应晶体管；
在所述串联支路中，前一个场效应晶体管的源极与后一个场效应晶体管的漏极连接。
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