CN112825489A - 射频信号收发器 - Google Patents
射频信号收发器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112825489A CN112825489A CN201911130477.0A CN201911130477A CN112825489A CN 112825489 A CN112825489 A CN 112825489A CN 201911130477 A CN201911130477 A CN 201911130477A CN 112825489 A CN112825489 A CN 112825489A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- signal
- transformer
- coupled
- pair
- radio frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 54
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 37
- 101100298888 Arabidopsis thaliana PAD2 gene Proteins 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 101100030928 Arabidopsis thaliana PAF1 gene Proteins 0.000 description 7
- 101100465385 Arabidopsis thaliana PAF2 gene Proteins 0.000 description 7
- 101100398338 Enterococcus faecalis (strain ATCC 700802 / V583) prs2 gene Proteins 0.000 description 7
- 101100510342 Listeria ivanovii prs gene Proteins 0.000 description 7
- 101100137870 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PRE10 gene Proteins 0.000 description 7
- 101150077839 pac1 gene Proteins 0.000 description 7
- 101150086435 prs1 gene Proteins 0.000 description 7
- 101100288173 Enterococcus faecalis (strain ATCC 700802 / V583) prs1 gene Proteins 0.000 description 5
- 101100465401 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SCL1 gene Proteins 0.000 description 5
- 101150016674 prs2 gene Proteins 0.000 description 5
- 101100208421 Candida albicans (strain SC5314 / ATCC MYA-2876) TMP1 gene Proteins 0.000 description 4
- 101000590281 Homo sapiens 26S proteasome non-ATPase regulatory subunit 14 Proteins 0.000 description 4
- 101100182720 Homo sapiens LY6E gene Proteins 0.000 description 4
- 101001114059 Homo sapiens Protein-arginine deiminase type-1 Proteins 0.000 description 4
- 102100032131 Lymphocyte antigen 6E Human genes 0.000 description 4
- 102100023222 Protein-arginine deiminase type-1 Human genes 0.000 description 4
- 101100153788 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) tpx1 gene Proteins 0.000 description 4
- 101150048440 TSA1 gene Proteins 0.000 description 4
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 4
- 101100123053 Arabidopsis thaliana GSH1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100208128 Arabidopsis thaliana TSA1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100201844 Homo sapiens RSPH1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101150092599 Padi2 gene Proteins 0.000 description 3
- 102100035735 Protein-arginine deiminase type-2 Human genes 0.000 description 3
- 102100035089 Radial spoke head 1 homolog Human genes 0.000 description 3
- 101150104676 TSA2 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 101100424834 Brugia malayi tsa-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
- H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45475—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
- H04B1/0458—Arrangements for matching and coupling between power amplifier and antenna or between amplifying stages
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/06—Receivers
- H04B1/16—Circuits
- H04B1/18—Input circuits, e.g. for coupling to an antenna or a transmission line
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/401—Circuits for selecting or indicating operating mode
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/537—A transformer being used as coupling element between two amplifying stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/541—Transformer coupled at the output of an amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45621—Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising a transformer for phase splitting the input signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45731—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising a transformer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transceivers (AREA)
Abstract
本发明提供一种射频信号收发器。射频信号收发器包括第一变压器、收发信号处理器、接收信号放大器以及发射信号放大器。第一变压器通过一次侧的第一端耦接至天线,第一变压器的二次侧的两端点收发差分信号对。收发信号处理器由第一变压器的二次侧接收输入差分信号对,并产生处理后差分信号对。接收信号放大器耦接收发信号处理器,用以接收并放大处理后差分信号对。发射信号放大器耦接第一变压器的二次侧,提供发射差分信号对至第一变压器的二次侧。
Description
技术领域
本发明涉及一种射频信号收发器,尤其涉及一种可提升收发信号质量和抗噪声干扰能力,且降低电路成本的射频信号收发器。
背景技术
在现有技术领域中,射频信号收发器由接收器以及发射器所组成。并可工作在信号接收模式或信号发射模式下。接收器可将天线接收的射频信号降频至基频,发射器可将基频信号升频以产生发射信号,并通过天线向外部发射。另外,现有技术的射频信号收发器通常是针对单端信号进行处理,在收发信号质量以及抗噪声干扰能力的表现上,较为不足。
在另一方面,为使射频信号收发器可分别工作在信号接收模式或信号发射模式下,必须在射频信号收发器中设置传输模式切换开关。然而,对于现有技术的射频信号收发器,发射器上需设置大尺寸的传输模式切换开关,这会产生一定程度的噪声干扰,同时由于传输模式切换开关引入的插入损耗,导致发射功率下降或造成较大的电流消耗,并且还会导致电路成本的增加。
发明内容
本发明是针对一种射频信号收发器,可提升收发信号质量和抗噪声干扰能力,且降低电路成本。
根据本发明的实施例,射频信号收发器包括第一变压器、接收信号处理器、接收信号放大器以及发射信号放大器。第一变压器通过一次侧的第一端耦接至天线,第一变压器的二次侧的两端点收发差分信号对。收发信号处理器由第一变压器的二次侧接收输入差分信号对,并产生处理后差分信号对。接收信号放大器耦接收发信号处理器,用以接收并放大处理后差分信号对。发射信号放大器耦接第一变压器的二次侧,提供发射差分信号对至第一变压器的二次侧。
在根据本发明的实施例的射频信号收发器中,收发信号处理器用以执行接收信号放大器的输入频带的匹配动作,以及发射信号放大器的输出频带的匹配动作。
在根据本发明的实施例的射频信号收发器中,收发信号处理器包括传输模式切换开关。传输模式切换开关耦接至传输所述处理后差分信号对的二传输端点。传输模式切换开关在信号发射模式使二传输端点短路至参考电压端,传输模式切换开关在信号接收模式使二传输端点与参考电压端断路。
在根据本发明的实施例的射频信号收发器中,收发信号处理器包括直流解耦合电容对以及电容电感电路。直流解耦合电容对分别耦接至第一变压器的二次侧的两端点。电容电感电路耦接至直流解耦合电容对,通过直流解耦合电容对以接收输入差分信号对,并产生处理后差分信号对。
在根据本发明的实施例的射频信号收发器中,电容电感电路包括第一电容器、第一电感器、第二电感器以及第二电容器。第一电容器耦接在直流解耦合电容对间。第一电感器具有第一端耦接至第一电容器的第一端。第二电感器具有第一端耦接至第一电容器的第二端。第二电容器耦接在第一电感器的第二端以及第二电感器的第二端间。其中,第一电感器的第二端以及第二电感器的第二端提供处理后差分信号对。
在根据本发明的实施例的射频信号收发器中,第一电容器以及第二电容器为可变电容器,第一电感器以及第二电感器为可变电感器。
在根据本发明的实施例的射频信号收发器中,第一电感器以及所述第二电感器形成第二变压器。
在根据本发明的实施例的射频信号收发器中,电容电感电路用以执行接收信号放大器的输入频带的匹配动作,以及发射信号放大器的输出频带的匹配动作。
在根据本发明的实施例的射频信号收发器中,第一变压器的一次侧的第二端耦接至参考接地端。
在根据本发明的实施例的射频信号收发器中,第一变压器的一次侧的第一端以及第二端由天线接收及发射差分信号对,第一变压器的一次侧的中央抽头端耦接至参考接地端。
基于上述,本发明的射频信号收发器在与天线的连接接口间提供第一变压器,以使射频信号收发器为全差分结构,以针对差分信号对进行处理。可有效提供优良阻抗匹配,并提升功率使用效率、收发信号质量和抗噪声干扰能力。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
包括附图以便进一步理解本发明,且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例,并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1示出了本发明一实施例的射频信号收发器的示意图;
图2示出了本发明另一实施例的射频信号收发器的示意图;
图3示出了本发明另一实施例的射频信号收发器的示意图;
图4示出了本发明另一实施例的射频信号收发器的示意图。
附图标号说明
100、200、300、400:射频信号收发器;
110、210、310、410:变压器;
120、220、320、420:收发信号处理器;
201、301:射频匹配滤波器;
221、321、421:电容电感电路;
401:射频信号转换匹配滤波器;
ANT:天线;
APRS1、APRS2:放大后差分信号对;
Cin1、Cin2:直流解耦合电容对;
CT1、CT2:中央抽头端;
Ctrx1、Ctrx2:电容器;
E11、E21:第一端;
E12、E22:第二端;
GND:参考接地端;
IC:芯片;
Lrx1、Lrx2:电感器;
PAD、PAD1、PAD2:焊垫;
PCB:印刷电路板;
PRS1、PRS2:处理后差分信号对;
RS1、RS2:输入差分信号对;
RXLNA:接收信号放大器;
S1:一次侧;
S2:二次侧;
SW1、SW2:开关;
TR31、TR41:变压器;
TR-SW:传输模式切换开关;
TSA1、TSA2:发射差分信号对;
TXPA:发射信号放大器;
VDDA:电源电压;
VR:参考电压端。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例,示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能,相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。
请参照图1,图1示出了本发明一实施例的射频信号收发器的示意图。射频信号收发器100包括变压器110、收发信号处理器120、接收信号放大器RXLNA以及发射信号放大器TXPA。变压器110的一次侧S1的第一端E11耦接至天线ANT。变压器110的二次侧S2的两端点E21、E22收发差分信号对。收发信号处理器120的输入端耦接至变压器110的二次侧S2,用以经由二次侧S2接收输入差分信号对RS1、RS2,并输出处理后差分信号对PRS1、PRS2。接收信号放大器RXLNA耦接至收发信号处理器120的输出端,用以接收并放大处理后差分信号对PRS1、PRS2,并产生放大后差分信号对APRS1、APRS2。发射信号放大器TXPA也耦接至变压器110的二次侧S2。发射信号放大器TXPA放大所接收的差分信号对TS1、TS2,并将经放大的差分信号对TSA1、TSA2提供至变压器110的二次侧S2。
在本实施例中,变压器110作为单端信号以及差分信号对间的转换接口。在信号接收模式下,变压器110通过其一次侧S1的第一端E11接收来自于天线ANT的单端信号,并根据依据天线ANT上的单端信号在二次侧产生输入差分信号对RS1、RS2。相对的,在信号发射模式下,变压器110通过其二次侧S2的第一端E21、第二端E22接收来自发射信号放大器TXPA的发射差分信号对TSA1、TSA2,并将发射差分信号对TSA1、TSA2转换为单端信号,并通过变压器110的一次侧S1的第一端E11来传送至天线ANT。在本实施例中,变压器110的一次侧S1的第二端E12耦接至参考接地端GND。
并且,在信号发射模式下,变压器110的一次侧S1提供天线ANT匹配所需阻抗(例如50欧姆),而变压器110的二次侧S2则提供低阻抗。通过变压器110的阻抗转换动作,不仅可提供天线ANT端的印刷电路板中的电路组件的阻抗匹配,以及谐波的滤除功能,还可以降低发射信号放大器TXPA的输出端上的阻抗,并提升功率使用效率。值得注意的是,收发信号处理器120用以执行发射信号放大器TXPA的输出频带的匹配动作。
在另一方面,在信号接收模式中,收发信号处理器120接收输入差分信号对RS1、RS2,并针对输入差分信号对RS1、RS2进行信号处理的动作来产生处理后差分信号对PRS1、PRS2。处理后差分信号对PRS1、PRS2可被提供至接收信号放大器RXLNA,并通过接收信号放大器RXLNA产生放大后差分信号对APRS1、APRS2。值得注意的,收发信号处理器120用以执行接收信号放大器RXLNA的输入频带的匹配动作。
更值得注意的,通过变压器110,本发明实施例的射频信号收发器100被实现为全差分结构,因此可降低射频信号收发器100中电路组件所需要的电源电压电平,减少功率消耗。并且,通过采用差分信号对,不仅可提升收发信号质量和抗噪声干扰能力,还可提升射频信号收发器100的工作效率。
请参照图2,图2示出了本发明另一实施例的射频信号收发器的示意图。射频信号收发器200包括变压器210、收发信号处理器220、接收信号放大器RXLNA以及发射信号放大器TXPA。在本实施例中,收发信号处理器220包括直流解耦合电容对Cin1、Cin2、传输模式切换开关TR-SW以及电容电感电路221。直流解耦合电容对Cin1、Cin2的第一端分别耦接至变压器210的二次侧S2的两端点E21、E22,其第二端耦接至电容电感电路221。直流解耦合电容对Cin1、Cin2分别滤除第一端E21、第二端E22上信号(输入差分信号对RS1、RS2)中的直流电平,并将输入差分信号对RS1、RS2中的交流电平传送至电容电感电路221。通过直流解耦合电容对Cin1、Cin2可以使电容电感电路221、传输模式切换开关TR-SW以及接收信号放大器RXLNA不用工作在相对高的电压电平下,有效降低功率消耗,并能避免接收信号放大器RXLNA中高频低压器件的击穿。
电容电感电路221包括电感器Lrx1、Lrx2以及电容器Ctrx1、Ctrx2。电容器Ctrx1耦接在直流解耦合电容对Cin1、Cin2的第二端间,电感器Lrx1的第一端耦接至电容器Ctrx1的第一端,电感器Lrx2的第一端耦接至电容器Ctrx1的第二端,电感器Lrx1的第二端耦接至电容器Ctrx2的第一端,电感器Lrx2的第二端耦接至电容器Ctrx2的第二端,电容器Ctrx2的两端还耦接至传输模式切换开关TR-SW。
电容器Ctrx2与传输模式切换开关TR-SW耦接的两端点另耦接至接收信号放大器RXLNA的二输入端。电容器Ctrx2与传输模式切换开关TR-SW耦接的两端点提供处理后差分信号对PRS1、PRS2至接收信号放大器RXLNA。传输模式切换开关TR-SW在信号发射模式下被接通,使电容器Ctrx2两端短路至参考电压端VR。在另一方面,传输模式切换开关TR-SW在信号接收模式下断开,则使参考电压端VR断开与电容器Ctrx2和信号放大器RXLNA之间的连接。具体而言,在信号发射模式中,传输模式切换开关TR-SW使电容器Ctrx2两端共同被短路至参考电压端VR,并使接收信号放大器RXLNA的两个输入端接收相同电平的输入电压(等于参考电压端VR上的电压电平)。参考电压端VR可以例如为参考接地端,则其电压为参考接地电压(例如为0伏特),但本申请不限于此,参考电压端的电压也可以为其他合适的值。在这种情况下,接收信号放大器RXLNA可以不工作,且发射信号放大器TXPA输出的信号在收发信号处理器220中被有效衰减,可避免接收信号放大器RXLNA中高频低压器件的击穿。
相对的,在信号接收模式下,传输模式切换开关TR-SW则使上述的二传输端点与参考电压端VR断路。在这种情况下,处理后差分信号对PRS1、PRS2可以顺利的被传送至接收信号放大器RXLNA的两个输入端,并有效产生放大后差分信号对APRS1、APRS2。在信号接收模式中,发射信号放大器TXPA被关闭,发射信号放大器TXPA的输出端呈现高阻抗的状态。
具体地,传输模式切换开关TR-SW可以由两个开关SW1、SW2来构成。开关SW1耦接在电容器Ctrx2的第一端与参考电压端VR间。开关SW2则耦接在参考电压端VR与电容器Ctrx2的第二端间。开关SW1、SW2可根据射频信号收发器200是工作在信号接收模式下还是工作在信号发射模式下而被导通或切断。
在本实施例中,电容器Ctrx1以及Ctrx2为可编程的可变电容器。在信号接收模式下,可通过改变电容器Ctrx1以及Ctrx2的电容值,搭配电感器Lrx1、Lrx2以及接收信号放大器RXLNA的输入阻抗,执行接收信号放大器RXLNA的输入频带的匹配动作。以及在信号发射模式下,可通过改变电容器Ctrx1以及Ctrx2的电容值,搭配电感器Lrx1、Lrx2以及发射信号放大器TXPA的输出阻抗,执行发射信号放大器TXPA输出频带的匹配动作。
与图1实施例不相同的,天线ANT以及变压器210间可设置有射频匹配滤波器201。射频匹配滤波器201耦接至天线ANT,并耦接至变压器210一次侧S1的第一端E11。另外,变压器210的二次侧S2的中央抽头端CT2可连接电源电压VDDA。
值得一提的是,本实施例中,接收信号放大器RXLNA可以为可变增益的低噪声放大器,以及发射信号放大器TXPA可以为可变增益的放大器。另外,电容器Ctrx1、Ctrx2的电容值可以是相同的,电感器Lrx1、Lrx2的电感值也可以是相同的。另外,变压器210的一次侧S1与二次侧S2间的电压转换比可以是n:1,n可以为任意实数。
本实施例的射频信号收发器200可设置在集成电路芯片IC中,天线ANT以及射频匹配滤波器201可设置在印刷电路板PCB上。射频信号收发器200与射频匹配滤波器201可通过芯片IC上的焊垫PAD相耦接。
请参照图3,图3示出了本发明另一实施例的射频信号收发器的示意图。射频信号收发器300包括变压器310、收发信号处理器320、接收信号放大器RXLNA以及发射信号放大器TXPA。变压器310的一次侧S1经由射频匹配滤波器301耦接至天线ANT。
与图2实施例不相同之处在于,收发信号处理器320中所包括的电容电感电路321中,电感器的功能由变压器TR31提供。通过利用变压器TR31来代替电感器,可有效降低射频信号收发器300的电路布局面积,降低产品的成本。在本实施例中,变压器TR31的电压转换比可以为1:1。
请参照图4,图4示出了本发明另一实施例的射频信号收发器的示意图。射频信号收发器400包括变压器410、收发信号处理器420、接收信号放大器RXLNA以及发射信号放大器TXPA。收发信号处理器420包括直流解耦合电容对Cin1、Cin2、传输模式切换开关TR-SW以及电容电感电路421,电容电感电路421则包括电容器Ctrx1、Ctrx2以及变压器TR41。
与图2、3的实施例不相同之处在于,射频信号收发器400中,变压器410的一次侧S1的两端E11、E12,分别通过芯片IC的焊垫PAD1、PAD2耦接至射频信号转换匹配滤波器401的一端。射频信号转换匹配滤波器401的另一端耦接至天线ANT。在本实施例中,天线ANT上的单端信号与射频信号收发器400上的差分信号对,是通过射频信号转换匹配滤波器401来进行格式转换的。射频信号转换匹配滤波器401可与天线ANT共同设置在印刷电路板PCB上。
此外,变压器410一次侧S1的中央抽头端CT1可耦接至芯片IC上的参考接地端GND。如此一来,来自于芯片IC以及印刷电路板PCB上的共同模式(common mode)的噪声以及杂散频谱,可以因本申请实现的全差分信号的输入/输出(在印刷电路板PCB以及芯片IC间),而更有效的被排除。而具有低寄生电容的焊垫PAD1、PAD2,即便在没有设置静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)防护组件的条件下,仍可以被设置在芯片IC上,并具有相对大的频带宽,且易于实现宽频带匹配,提升射频信号收发器400的性能。此外,通过耦接至芯片IC上的参考接地端GND的中央抽头端CT1,焊垫PAD1、PAD2与参考接地端GND间具有相对低的阻抗,可提供优秀的静电放电防护能力。
综上所述,本发明的射频信号收发器通过变压器的电压转换动作,使射频信号收发器为全差分结构。可有效降低功率消耗,提升收发信号质量和抗噪声干扰能力,易于实现宽频带匹配及优秀的静电放电防护,并有效降低电路成本。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种射频信号收发器,其特征在于,包括:
第一变压器,通过一次侧的第一端耦接至天线,所述第一变压器的二次侧的两端点收发差分信号对;
收发信号处理器,接收所述第一变压器的所述二次侧的输入差分信号对,并产生处理后差分信号对;
接收信号放大器,耦接所述收发信号处理器,用以接收并放大所述处理后差分信号对;以及
发射信号放大器,耦接所述第一变压器的所述二次侧,提供发射差分信号对至所述第一变压器的所述二次侧。
2.根据权利要求1所述的射频信号收发器,其特征在于,所述收发信号处理器用以执行所述接收信号放大器的输入频带的匹配动作以及所述发射信号放大器的输出频带的匹配动作。
3.根据权利要求1所述的射频信号收发器,其特征在于,所述收发信号处理器包括:
传输模式切换开关,耦接至传输所述处理后差分信号对的二传输端点,
所述传输模式切换开关在信号发射模式使所述二传输端点短路至参考电压端,所述传输模式切换开关在信号接收模式使所述二传输端点与所述参考电压端断路。
4.根据权利要求1所述的射频信号收发器,其特征在于,所述收发信号处理器包括:
直流解耦合电容对,分别耦接至所述第一变压器的二次侧的两端点;以及
电容电感电路,耦接至所述直流解耦合电容对,通过所述直流解耦合电容对以接收所述输入差分信号对,并产生所述处理后差分信号对。
5.根据权利要求1所述的射频信号收发器,其特征在于,所述电容电感电路包括:
第一电容器,耦接在所述直流解耦合电容对间;
第一电感器,具有第一端耦接至所述第一电容器的第一端;
第二电感器,具有第一端耦接至所述第一电容器的第二端;以及
第二电容器,耦接在所述第一电感器的第二端以及所述第二电感器的第二端间,
其中,所述第一电感器的所述第二端以及所述第二电感器的所述第二端提供所述处理后差分信号对。
6.根据权利要求5所述的射频信号收发器,其特征在于,所述第一电容器以及所述第二电容器为可变电容器。
7.根据权利要求5所述的射频信号收发器,其特征在于,所述第一电感器以及所述第二电感器形成第二变压器。
8.根据权利要求4所述的射频信号收发器,其特征在于,所述电容电感电路用以执行所述接收信号放大器的输入频带的匹配动作以及所述发射信号放大器的输出频带的匹配动作。
9.根据权利要求1所述的射频信号收发器,其特征在于,所述第一变压器的所述一次侧的第二端耦接至参考接地端。
10.根据权利要求1所述的射频信号收发器,其特征在于,所述第一变压器的所述一次侧的所述第一端以及第二端由所述天线接收及发射差分信号对,所述第一变压器的所述一次侧的中央抽头端耦接至参考接地端。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911130477.0A CN112825489A (zh) | 2019-11-19 | 2019-11-19 | 射频信号收发器 |
US15/931,552 US11038478B2 (en) | 2019-11-19 | 2020-05-13 | Radio frequency signal transceiver |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911130477.0A CN112825489A (zh) | 2019-11-19 | 2019-11-19 | 射频信号收发器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112825489A true CN112825489A (zh) | 2021-05-21 |
Family
ID=75906178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911130477.0A Pending CN112825489A (zh) | 2019-11-19 | 2019-11-19 | 射频信号收发器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11038478B2 (zh) |
CN (1) | CN112825489A (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11171675B1 (en) * | 2021-03-17 | 2021-11-09 | Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company, Limited | Switch-less connection for radio-frequency (RF) transceivers |
CN115940990B (zh) * | 2023-03-13 | 2023-07-14 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 | 一种超宽带收发多功能芯片 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101860380A (zh) * | 2009-04-07 | 2010-10-13 | 雷凌科技股份有限公司 | 射频收发器及其相关无线通信装置 |
CN102185626A (zh) * | 2011-04-25 | 2011-09-14 | 上海迦美信芯通讯技术有限公司 | 一种基于传输变压器的射频收发前端电路 |
CN102396152A (zh) * | 2009-04-14 | 2012-03-28 | 高通股份有限公司 | 具有组合的输入匹配、平衡-不平衡转换器与发射/接收开关的低噪声放大器 |
CN102707635A (zh) * | 2011-02-28 | 2012-10-03 | 英特尔移动通信有限公司 | 高频开关组件、发送器和方法 |
CN102868419A (zh) * | 2011-07-05 | 2013-01-09 | 联发科技股份有限公司 | 收发器及集成电路 |
CN105245193A (zh) * | 2011-05-19 | 2016-01-13 | 联发科技股份有限公司 | 信号收发器 |
CN108566188A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-09-21 | 成都通量科技有限公司 | 高频低插损开关 |
CN209250628U (zh) * | 2018-10-31 | 2019-08-13 | 东莞市巨冈机械工业有限公司 | 一种用于制造数据感知的优化传感器节点部署结构 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6801114B2 (en) * | 2002-01-23 | 2004-10-05 | Broadcom Corp. | Integrated radio having on-chip transformer balun |
US7369096B2 (en) * | 2003-10-10 | 2008-05-06 | Broadcom Corporation | Impedance matched passive radio frequency transmit/receive switch |
US8270926B2 (en) * | 2004-03-16 | 2012-09-18 | Broadcom Corporation | Radio front end and applications thereof |
US7899409B2 (en) * | 2006-01-30 | 2011-03-01 | Broadcom Corporation | Apparatus for controlling impedance |
US7683851B2 (en) * | 2007-03-19 | 2010-03-23 | Broadcom Corporation | Method and system for using a single transformer for FM transmit and FM receive functions |
US9793942B1 (en) * | 2016-06-20 | 2017-10-17 | Ubilite, Inc. | Systems and methods for a switchless radio front end |
-
2019
- 2019-11-19 CN CN201911130477.0A patent/CN112825489A/zh active Pending
-
2020
- 2020-05-13 US US15/931,552 patent/US11038478B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101860380A (zh) * | 2009-04-07 | 2010-10-13 | 雷凌科技股份有限公司 | 射频收发器及其相关无线通信装置 |
CN102396152A (zh) * | 2009-04-14 | 2012-03-28 | 高通股份有限公司 | 具有组合的输入匹配、平衡-不平衡转换器与发射/接收开关的低噪声放大器 |
CN102707635A (zh) * | 2011-02-28 | 2012-10-03 | 英特尔移动通信有限公司 | 高频开关组件、发送器和方法 |
CN102185626A (zh) * | 2011-04-25 | 2011-09-14 | 上海迦美信芯通讯技术有限公司 | 一种基于传输变压器的射频收发前端电路 |
CN105245193A (zh) * | 2011-05-19 | 2016-01-13 | 联发科技股份有限公司 | 信号收发器 |
CN102868419A (zh) * | 2011-07-05 | 2013-01-09 | 联发科技股份有限公司 | 收发器及集成电路 |
CN108566188A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-09-21 | 成都通量科技有限公司 | 高频低插损开关 |
CN209250628U (zh) * | 2018-10-31 | 2019-08-13 | 东莞市巨冈机械工业有限公司 | 一种用于制造数据感知的优化传感器节点部署结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11038478B2 (en) | 2021-06-15 |
US20210152138A1 (en) | 2021-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2870699B1 (en) | Transceiver front-end | |
US7218909B2 (en) | Integrated low noise amplifier | |
US7269391B2 (en) | Tunable transceiver front end | |
TWI584586B (zh) | 阻抗偵測及調整電路 | |
JP4531399B2 (ja) | 送信及び/又は受信モジュール | |
EP2870701B1 (en) | Transceiver front-end | |
WO2007133227A1 (en) | On-chip tx/rx antenna switching | |
US9124310B2 (en) | RF transmitter having broadband impedance matching for multi-band application support | |
US20190044492A1 (en) | Composite filter apparatus, high-frequency front end circuit, and communication apparatus | |
JP4910586B2 (ja) | 送受信装置とこれを用いた電子機器 | |
CN112825489A (zh) | 射频信号收发器 | |
US11799511B2 (en) | Transceiver having radio-frequency front-end circuit, dedicated radio-frequency front-end circuit, and switchable matching circuit integrated in same chip | |
US11108372B2 (en) | Compact balanced radio frequency balun facilitating easy integration | |
US7391596B2 (en) | High frequency integrated circuit pad configuration including ESD protection circuitry | |
US10847306B2 (en) | High-frequency module | |
US20210409042A1 (en) | Multiplexer, front end module, and communication device | |
US20190312608A1 (en) | High-frequency module, transmission-reception module, and communication apparatus | |
WO2019172033A1 (ja) | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置 | |
US20230036705A1 (en) | An Ultra-Wide Bandwidth Ultra-Isolation DC-100 Gigahertz Front-End Module with Integrated Duplexer, Low Noise Amplifier, and Power Amplifier for Wireless Communication Applications | |
US12095489B2 (en) | High-frequency circuit and communication device | |
US20070063786A1 (en) | Balanced-to-unbalanced converter | |
CN219843602U (zh) | 谐波抑制电路以及电子器件 | |
WO2023195387A1 (ja) | Nパスフィルタ | |
US20240204743A1 (en) | Apparatuses and methods involving signal transformation for single-ended coupling | |
US20200212871A1 (en) | Apparatus for Antenna Impedance-Matching and Associated Methods |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |