CN109450463B - 通信单元及在通信单元中共享电感器或变压器的方法 - Google Patents

通信单元及在通信单元中共享电感器或变压器的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109450463B
CN109450463B CN201810954404.2A CN201810954404A CN109450463B CN 109450463 B CN109450463 B CN 109450463B CN 201810954404 A CN201810954404 A CN 201810954404A CN 109450463 B CN109450463 B CN 109450463B
Authority
CN
China
Prior art keywords
radio frequency
frequency amplifier
transformer
amplifier
communication unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810954404.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109450463A (zh
Inventor
孙志豪
萧博允
赵钧彦
李亦斌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MediaTek Inc
Original Assignee
MediaTek Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MediaTek Inc filed Critical MediaTek Inc
Publication of CN109450463A publication Critical patent/CN109450463A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109450463B publication Critical patent/CN109450463B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0483—Transmitters with multiple parallel paths
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/083—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0277—Selecting one or more amplifiers from a plurality of amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/18—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of distributed coupling, i.e. distributed amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20—Automatic control
    • H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
    • H03G3/3042—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L5/00—Arrangements affording multiple use of the transmission path
    • H04L5/0001—Arrangements for dividing the transmission path
    • H04L5/0003—Two-dimensional division
    • H04L5/0005—Time-frequency
    • H04L5/0007—Time-frequency the frequencies being orthogonal, e.g. OFDM(A), DMT
    • H04L5/001—Time-frequency the frequencies being orthogonal, e.g. OFDM(A), DMT the frequencies being arranged in component carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G2201/00—Indexing scheme relating to subclass H03G
    • H03G2201/10—Gain control characterised by the type of controlled element
    • H03G2201/103—Gain control characterised by the type of controlled element being an amplifying element
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G2201/00—Indexing scheme relating to subclass H03G
    • H03G2201/30—Gain control characterized by the type of controlled signal
    • H03G2201/307—Gain control characterized by the type of controlled signal being radio frequency signal
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B2001/0408—Circuits with power amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明提供了通信单元及在通信单元中共享电感器或变压器的方法。其中，所述通信单元可包括：多个并行的射频信号路径；和位于所述多个并行的射频信号路径的第一射频信号路径和第二射频信号路径之间的共享电感器或变压器，其中，所述第一射频信号路径包括至少一个第一射频放大器，所述第二射频信号路径包括至少一个第二射频放大器；其中，所述至少一个第一射频放大器通过第一开关耦合到电源电压，所述至少一个第二射频放大器通过第二开关耦合到所述电源电压，所述第一开关闭合而所述第二个开关断开，以向所述至少一个第二个射频放大器提供电源电压。实施本发明可减小多个并行的射频信号路径中未接通的射频信号路径的寄生电容对接通的射频信号路径的影响。

Description

通信单元及在通信单元中共享电感器或变压器的方法
技术领域
本发明通常涉及通信技术领域，更特别地，涉及通信单元及在通信单元中共享电感器或变压器的方法。
背景技术
本发明的主要关注点和应用是用于能够在无线电信单元中使用的发射器和/或接收器的射频(RF)放大器领域。第三代合作伙伴计划(3GPPTM)是电信标准协会组之间的移动(无线)通信协作。目前开发的标准之一是长期演进(LTETM)标准。LTETM是用于移动设备和数据终端的高速无线通信的标准，基于全球移动系统(GSMTM)通信或增强型数据GSM环境(EDGE)和通用移动电信标准(UMTS)/高速分组访问(HSPA)技术。这些技术使用不同的无线接口提高了容量和速度，同时提供了核心网络改进。
对可用于无线电通信系统的有限频谱的持续压力迫使对可以更好地利用有限的可用通信带宽的频谱的有效线性调制方案和机制的开发。在LTE-Advanced中使用载波聚合以增加带宽，从而增加通信比特率，其中可以聚合最多五个分量载波(每个高达20MHz)，因此提供100MHz的最大的聚合带宽。
布置聚合的最简单方式是在相同的工作频带(如针对LTETM的定义)内使用连续的分量载波，这种方式称之为带内连续载波聚合(ICA，Intra-Band Contiguous CarrierAggregation)。
对于非连续载波聚合(NCCA，Non-Contiguous Carrier Aggregation)情况，频带被一个或多个频率间隔分开。带间非连续载波聚合是使用不同频带的载波聚合形式。NCCA在存在频带分段的情况下尤其有用，其中一些频带可能仅为10MHz宽。对于用户单元(有时在GSM中称为用户设备(UE)或在LTETM术语中称之为移动台)，通常需要在单个设备内使用多个收发器，这通常对成本，性能和功率有影响。除此之外，还存在由于需要减少来自多个(例如两个)收发器的互调和交叉调制而产生的额外设计复杂性。
具体地，在支持宽操作带宽或支持跨多个支持的载波频率的载波聚合的射频设计中，可以并行使用多个低噪声放大器(LNA，Low Noise Amplifier)和/或可编程增益放大器(PGA，Programmable-Gain Amplifier)。由于这些LNA或PGA在高或非常高的无线电频率下工作，因此来自多个放大器的信号路径通常使用电感器或变压器进行合并。
LNA和PGA存在于无线电通信系统以及医疗仪器和电子设备中。典型的LNA或PGA可以提供100(即20分贝(dB))的功率增益，同时将信噪比降低小于2倍(即表现出3dB的噪声系数(NF))。尽管LNA主要关注的是仅在噪声基底之上的弱信号，但它们还必须设计为考虑存在可能导致互调失真的较大信号。
参照图1，示出了已知的射频(RF)放大器电路100，其中多个射频放大器130，140并联连接。多个射频放大器130，140中的每一个的输出端呈现寄生电容135，145。所呈现的寄生电容可以由栅极和源极/漏极端口之间的重叠区域产生，也可能由栅极和源极/漏极端口之间的二极管(效应)产生。
多个射频放大器130，140中的每一个的输出端连接到共享电感器(L1)115。在一些情况下，共享电感器(L1)115可以是RF变压器110的变压器输入电感。RF变压器由电压源105供电，并包括变压器输出电感112。
在一些应用中，例如，低于1GHz的较低频率应用，寄生电容135，145对射频放大器电路100的性能具有很小影响或没有影响。因此，这种示出的架构是电感器或变压器共享并联连接的多个射频放大器130，140的最简单的方式。然而，在某些情况下，例如在高于1GHz的频率下，当多个射频放大器130，140合并连接到射频放大器130，140的输出端的电感器或变压器时，它们各自表现出的寄生电容135，145具有越来越不利的频率响应或非线性效应(因为它们来自级联装置，而级联装置与金属氧化物金属(MOM，Metal-Oxide-Metal)电容器相比是非线性的。特别是当大量射频放大器并联连接时，本发明的发明人意识到当第二射频放大器140接通(turn on)时，连接射频放大器140到第一电感器115(或RF变压器的输入侧)的路径也连接到寄生电容135，145。因此，寄生电容的总量及其附加寄生电容对其它连接的射频放大器的影响随着并联的射频放大器的数量而增加。
在一些已知的应用中，可以通过使用较小的级联器件来减小寄生电容135，145的影响；然而，这种方法导致较差的线性性能。
因此，本发明的发明人已经了解到需要降低连接到这种共享电感器或变压器的射频放大器的并行路径的这种寄生电容引起的负载效应。特别地，需要一种更有效的解决方案以支持多个并联连接的射频放大器，例如用于支持LTETM或类似系统中的带间载波聚合(ICA)和非连续载波聚合(NCCA)应用。
发明内容
本发明提供通信单元及在通信单元中共享电感器或变压器的方法，可减小多个并行的射频信号路径中其他并行的射频信号路径的寄生电容对其中一个接通的射频信号路径的影响。
本发明的一些实施例涉及通信单元，其可包括：多个并行的射频信号路径；和位于所述多个并行的射频信号路径的第一射频信号路径和第二射频信号路径之间的共享电感器或变压器，其中，所述第一射频信号路径包括至少一个第一射频放大器，所述第二射频信号路径包括至少一个第二射频放大器；其中，所述至少一个第一射频放大器通过第一开关耦合到电源电压，所述至少一个第二射频放大器通过第二开关耦合到所述电源电压，所述第一开关闭合而所述第二个开关断开，以向所述至少一个第二个射频放大器提供电源电压。
本发明的另一些实施例涉及在通信单元中通过多个射频放大器共享电感器或变压器的方法，其可包括：将共享电感器或变压器设置多个并行的射频信号路径的第一射频信号路径和包括第二射频信号路径之间，其中，所述第一射频信号路径包括至少一个第一射频放大器，所述第二射频信号路径包括至少一个第二射频放大器；闭合将电源电压连接到所述至少一个第一射频放大器的第一开关；和断开将电源电压连接到所述至少一个第二射频放大器的第二开关，以向所述至少一个第二射频放大器提供电源电压。
由上述列举的方案可知，本发明实施例在将共享电感器或变压器设置多个并行的射频信号路径的第一射频信号路径和包括第二射频信号路径之间，并闭合将电源电压连接到所述至少一个第一射频放大器的第一开关；和断开将电源电压连接到所述至少一个第二射频放大器的第二开关，以向所述至少一个第二射频放大器提供电源电压。由此可减小多个并行的射频信号路径中其他并行的射频信号路径的寄生电容对其中一个接通的射频信号路径的影响(例如减小第一射频信号路径的寄生电容对第二射频信号路径的影响)。
附图说明
图1示出了已知的射频(RF)放大器电路100；
图2示出了根据本发明的一些示例实施例适配的无线通信单元200的框图；
图3示出了根据本发明的一些示例的射频放大器电路的第一示例的两个配置300和350；
图4示出了根据本发明的一些示例的射频放大器电路的第二示例的两个配置400和450；
图5示出了根据本发明的一些示例的射频放大器电路的第三示例的两个配置500和550；
图6根据本发明的示例示出了用于在多个射频放大器之间共享电感器或变压器以便减小来自射频放大器的并行的路径的负载效应(表现出的寄生电容)的方法的详细示例流程图600。
具体实施方式
将根据配置用于共享电感器或变压器的各种射频放大器电路来描述本发明的示例，以便降低在来自射频放大器的并行路径上呈现的寄生电容的负载效应，所述射频放大器电路例如可用于支持长期演进(LTETM)通信的无线通信单元(例如用户设备(UE))中。然而，可以设想，共享电感器或变压器以减少来自本文所述的射频放大器的并行路径所呈现的寄生电容的负载效应的电路和概念可适用于多个射频放大器以并行方式使用的任何情况或系统或通信单元。
特别地，本发明的示例可以用在寄生电容的影响将导致问题的任意射频放大器电路中，所导致的问题例如关于增益，带宽或二阶固有互调产物(IIP2)性能。
在本发明的一个示例中，设想可以使用多个射频放大器来支持相同的频带。在这种配置中，共享电感器/变压器不会改变，并且共享电感器/变压器内的电流流动方向可以用在射频放大器中，以减小所呈现的寄生电容的影响。在本发明的其他示例中，设想多个射频放大器可用于支持不同的频带。在该配置中，本发明的示例不再总是将射频放大器连接到共享电感器/变压器的两个端点。根据所支持的频带，一些示例提出将射频放大器连接到共享电感器/变压器的可选的内部点。例如，较低频带应观察到较高电感，较高频带应观察到较低电感。值得注意的是，但是在该配置中，使用相同(尺寸)的共享电感器/变压器，但选择性地调整放大器的连接点。
此外，因为本发明的所示实施例在大多数情况下可使用本领域技术人员已知的电子组件和电路来实现，为了理解和认识本发明的基本概念，并且为了不混淆或分散本发明的教导，除下面认为的必要的说明之外将不以任何更多内容对细节进行解释。
现在参照图2，示出了根据本发明的一些示例实施例适配的无线通信单元200的框图。实际上，仅为了解释本发明的实施例，无线通信单元描述为无线用户通信单元，该无线用户通信单元配置为支持LTETM通信标准的用户设备。无线通信单元200包含用于辐射信号和/或用于接收传输的天线装置202，其耦合到天线开关204，天线开关204提供无线通信单元200内的接收链和发射链之间的隔离。如在本领域中已知的，一个或多个接收器链包括接收器前端电路206(有效地提供接收，滤波和中间或基带频率转换)。在一些示例中，天线布置可以是包括多个天线元件的天线阵列，每个天线元件提供将接收信号承载到接收器前端电路206的接收路径。
接收器前端电路206耦合到信号处理模块208(通常由数字信号处理器(DSP)实现)。本领域技术人员将理解，在一些情况下，接收器电路或组件的集成水平可以取决于具体实现。
控制器214维持无线通信单元200的整体操作控制。控制器214耦合到接收器前端电路206和信号处理模块208。在一些示例中，控制器214还耦合到至少一个存储器设备216，所述存储器设备216选择性地存储与通信单元的操作功能有关的数据。计时器218可操作地耦合到控制器214，以控制无线通信单元200内的操作(例如，时间相关信号的发送或接收)的时长。
为了完整性，无线通信单元200具有发射链，发射链包括发射器/调制电路222和耦合到天线装置202的功率放大器224，天线装置202可包括例如天线阵列或多个天线。发射器/调制电路222和功率放大器224在操作上响应于控制器214。
在一些示例中，功率放大器224和/或发射器/调制电路222可以包括将发射信号承载到天线202(或天线阵列)的多个发射路径。频率产生电路228包括至少一个本地振荡器(LO，Local Oscillator)227，本地振荡器227可操作地耦合到接收器前端电路206和发射器/调制电路222，并且被设置为向它们提供本地振荡器信号229。
在一些示例实施例中，根据图3-图5的实施例，在接收器前端电路206(例如，多个LNA)，发射器/调制电路222(例如，多个PGA)，或者功率放大器224中的一个或多个中采用多个并行的射频放大器，电路或设备。具体地，每当在通信单元中使用多个有源RF设备时，可以设想这样的多个有源RF设备可以被配置为与电源电压(VDD)共享公共负载。以这种方式，图3至图5中描述的拓扑可以适用于任何数量的有源设备和信号馈送器电路。
显然，无线通信单元200内的多个组件中的多个可以以离散或集成组件形式实现，最终结构是应用特定的或基于设计的。
现在参考图3，示出了根据本发明的一些示例的射频放大器电路的第一实力的两个配置300和350，其中多个射频放大器330，340并联连接。
多个射频放大器330，340中的每一个的输出端呈现寄生电容335，345。根据本发明的示例，多个射频放大器330，340中的每一个的输出端通过开关320，322或开关网络(在该示例中开关320，322的简单布置包含开关网络)连接到共享电感器315的一端(在图3所示的实施例中，射频放大器330的输出端通过开关320连接到共享电感器315的一端，射频放大器340的输出端通过开关322连接到共享电感器315的另一端)。在一些情况下，共享电感器315可以是共享RF变压器310的变压器输入电感。在共享RF变压器310的设计中，共享RF变压器310由电压源305供电并且包括还变压器输出电感312。
在接收器上，当应用于图2的接收器前端电路206中的低噪声放大器(LNA)设计中时，共享RF变压器310的输出可以提供给混频器(在该示例中未示出)。本领域技术人员将理解，本文描述的概念对于受到严格IIP2规范的接收器设计特别有用，尤其是因为接收器前端电路206中的下混频器所看到的阻抗可以更大以确保相关的寄生电容的较低的影响。
在其他示例中，例如在发射链中，共享RF变压器或共享电感器可以是图2中的多个PGA(在发射器/调制电路222和/或功率放大器224中)和天线202之间的耦合元件。
在本发明的一些示例中，所提出的解决方案对于低VDD设计特别有用，其中可以选择较大的器件尺寸以表现出良好的线性度性能，但是这样的设计也固有地伴随着较大的寄生电容。
如图3所示，在本发明的一些示例中，通过在相应的放大器输出端插入高阻抗共享电感器(L1)315或共享RF变压器310(L1+L2)并断开一个或多个向相应的放大器提供电源电压的开关320，322来减小(或抵消)来自另一并行射频放大器330，340的一个(或多个)并联寄生电容(诸如335，345)的影响。例如，在所示的示例中，当第二射频放大器340接通(turnon)时，第二射频放大器340被传送到共享电感器315或共享RF变压器310的输出信号受其自身的寄生电容345的影响。然而，值得注意的是，控制器，例如图2的控制器214，配置为断开开关322(从而将第二射频放大器340与其附近的电源电压断开)并闭合开关320(从而将第二射频放大器340通过共享电感器(L1)315或共享RF变压器(L1+L2)310连接到其远端电源电压)。
有利地，与“关闭”(turn off)的第一射频放大器330相关联的寄生电容(Cpar)335还用作附近电源电压(VDD)305的稳定电容器。
因此，至少一个第一射频放大器330可以经由第一开关320耦合到电源电压305，并且至少一个第二射频放大器340可以经由第二开关322耦合到电源电压。如图所示，闭合第一开关320为第二射频放大器340提供电源电压305，同时断开第二开关(去除对至少一个第二射频放大器340的直接供电)，由此至少一个第一射频放大器330的寄生电容335通过共享电感器315或共享RF变压器310与至少一个第二射频放大器340隔离。以这种方式，显著减小了另一寄生电容335对从第二射频放大器340到共享电感器315或共享RF变压器310的输出端的影响。
在第二配置350中，其中多个射频放大器330，340并联连接。在该示例中，当第二射频放大器340被“关闭”(turn off)，并且第一射频放大器330被“接通”时，第一射频放大器330被传送到共享电感器315或共享RF变压器310的输出信号受其自身的寄生电容335影响。然而，特别是在该配置中，开关网络被配置为断开开关320(从而将第一射频放大器330与其附近的电源电压断开)并闭合开关322(从而将第一射频放大器330连接到其远端)。如图所示，闭合第二开关322为第一射频放大器330提供电源电压305，同时断开第一开关320(去除对至少一个第一射频放大器330的直接供电)，由此至少一个第二射频放大器340的寄生电容345通过共享电感器315或共享RF变压器310与至少一个第一射频放大器330隔离。以这种方式，显著减小了另一寄生电容345对从第一射频放大器330到共享电感器315或共享RF变压器310的输出端的影响。
有利地，与“关闭”的第二射频放大器340相关联的寄生电容(Cpar)345还用作附近电源电压(VDD)305的稳定电容器。
本发明的发明人已经认识到射频放大器寄生电容对于实现大LNA增益和/或宽带设计是一个问题。因此，由于通过高阻抗共享电感器315或共享RF变压器310将寄生电容(Cpar)335和345分离，其他寄生电容345对第一射频放大器330到共享电感器315或共享RF变压器310的输出端的寄生电容效应显著降低。此外，并且有利地，避免了现有技术设计中(例如图1中所示)在混频器(在接收器架构中)看到低阻抗，所述低阻抗为接收机下混频器IIP2产生差的二阶内在互调产物(IIP2)性能。
特别地，开关网络用于差异化地配置共享电感器(L1)315或共享RF变压器310，以便在两个或多个LNA共享相同的电感器或变压器负载而不是全部连接的LNA均处于导通状态的特定即时时刻(instant in time)，松弛(relax)寄生电容。
以这种方式，可以根据共享电感器315或共享RF变压器310上的负载考虑放宽射频放大器电路设计，例如对于多路径接收器可用于同时支持带间载波聚合(ICA)和非连续载波聚合(NCCA)应用。以这种方式，RF设计者可以具有更多的设计灵活性以实现宽带和高阻抗设计。
在已知的开关电感器或开关变压器设计中，通过改变或切换电感器尺寸来支持不同的频带，例如，较高的频带使用较低的固定电感值而较低的频带使用较大的固定电感值。因此，如图5所示，与这些已知的开关电感器或开关变压器设计相反，本发明的示例提出了一种架构，其被配置为通过将多个射频放大器连接到单个共享电感器或变压器并且重新配置电路的操作来减少射频放大器所呈现的寄生电容效应和/或支持不同的频带。
在一些示例中，前述组件可以位于射频集成电路(RFIC，Radio FrequencyIntegrated Circuit)308上。以这种方式，RFIC 308包括多个并行的射频RF信号路径；和共享电感器315或变压器310其中一个，其中所述共享电感器315或变压器310位于多个并行的RF信号路径的第一RF信号路径和第二RF信号路径之间；其中，所述第一RF信号路径包括至少一个第一射频放大器330，所述第二RF信号路径包括至少一个第二射频放大器340。至少一个第一射频放大器330通过第一开关320耦合到电源电压305，至少一个第二射频放大器340通过第二开关322耦合到电源电压305，并且第一开关320闭合而第二开关322断开，使得共享电感器315或变压器310在至少一个第一射频放大器330的输出端产生高阻抗，并且当第一开关320闭合且第二开关322断开时，提供电源至第二射频放大器340。
当本发明的一些示例特别使用于3GHz，5GHz或10GHz范围时，寄生电容的影响更普遍。发明人发现在一些射频放大器设计中引发问题的放大器寄生电容的典型值大约为：Cpar＝100fF-几pF，差异取决于技术制程。
现在参考图4，示出了根据本发明的一些示例的射频放大器电路的第二示例的两个配置400和450。根据本发明的一些示例适配的第二示例射频放大器电路架构400包括两个并联连接的射频放大器430，440。在该第二示例射频放大器电路架构400中，出于简化目的而未示出寄生电容的影响。根据本发明的示例，两个射频放大器430，440的每个的输出端分别连接到共享电感器315的其中一侧，其中每个射频放大器430，440由相应的开关320，322(或者在其他示例中，由差分开关网络)提供电源电压305。在一些情况下，共享电感器315可以是共享RF变压器310的变压器输入电感。共享RF变压器也提供有电压源305并且还包括变压器输出电感312。
以与图3的射频放大器电路类似的方式，通过在相应的放大器输出端插入高频阻抗共享电感器315或共享RF变压器310(L1+L2)并断开向相应的放大器提供电源电压的开关网络中的电源开关320，322中的一个，来减少(或无效)来自其他并联连接的射频放大器430，440的一个(或多个)呈现的寄生电容的影响。
在第二示例的第二配置450中，其中，多个射频放大器连接在两个并联连接的放大器组片470，460中，其中所述两个并联连接的放大器组分别位于共享电感器315或共享RF变压器310的两侧。这里，在该第二示例中，至少一个第一射频放大器和至少一个第二射频放大器中的每一个包括位于片上的多个射频放大器，其中多组片由共享电感器或变压器分开。
因此，如图4所示，本发明的示例实施例可以被配置为与任何数量的射频放大器和任何数量的路径一起工作，假设多个并行的片470，460可以并联连接，每个片由单独的电源电压305供电且通过高阻抗共享电感器315或共享RF变压器310(L1+L2)与其他片的电源隔离。在本发明的一些示例中，在任何即时时刻(any instant in time)仅“接通”一个RF路径。以这种方式，具有多个射频放大器的图4的实施例架构可以被配置为支持下面的场景，在该场景中，每个射频放大器可以连接到多个共享电感器315或共享RF变压器310。当选择一系列射频放大器及其相关联的共享电感器315或共享RF变换器310在LTETM或类似系统中用于支持带间载波聚合(ICA)和非连续载波聚合(NCCA)应用时，这种架构可以提供增强的灵活性。
现在参考图5，示出了根据本发明的一些示例的射频放大器电路的第三示例的两个配置500和550，该射频放大器电路为支持具有较大共享电感器的较低频带或者具有较小共享电感器的较高频带。
根据本发明的一些示例适配的第三示例射频放大器电路架构的第一配置500包括两组射频放大器，其中第一组射频放大器530，535并联连接并且通常位于共享电感器315或共享RF变压器310的一侧。第二组射频放大器440通常位于共享电感器315或共享RF变压器310的另一侧。在第三示例射频放大器电路架构500的第一配置500中，出于简化目的未示出所呈现的寄生电容的影响。根据本发明的示例，第一组射频放大器530，535，以及第二组射频放大器440的输出端连接到共享电感器315，并且由相应的开关320，322(或在其他示例中为差分开关网络)提供电源电压305。在一些情况下，共享电感器315可以是共享RF变压器310的变压器输入电感。共享RF变压器还提供有电压源305并且包括变压器输出电感312。
如图5所示，第一组射频放大器530，535连接到共享电感器315(或共享RF变压器310)的一端520。在该配置中，如图5所示，基于510的指示控制共享电感器310或共享RF变压器315内的电流流动方向，可用于减小连接到共享电感器315或共享RF变压器310的端部的各个射频放大器所呈现的寄生电容的影响。在该配置中，多个射频放大器可用于支持相同的频带。
在本发明第三示例的第二配置550中，设想多个射频放大器可用于支持不同的频带。在该配置中，本发明的示例不再总是将射频放大器或射频放大器组连接到共享电感器315或共享RF变压器310的两个端点。根据所支持的频带，一些示例提出连接射频放大器到可选择的内部点，例如共享电感器315或共享RF变压器310的可选择的内部点570。共享电感器315或共享RF变压器310的该可选择的内部连接点570确保共享电感器315或共享RF变压器310的电感值根据由575指示的抽头电感(tapped inductance)进行减小。在这种配置中，共享电感器310或共享RF变压器315内的电流由560指示。
例如，通过在第二配置550中使用较高电感以及第一组射频放大器530连接到共享电感器315或共享RF变压器310的可选择的内部端点570来支持较低频带。例如，为了支持更高的频带，可以通过将共享电感器310或共享RF变压器315的连接点重新配置为可选择的内部连接点570来重新配置该架构，从而合并较低的电感值。值得注意的是，使用相同(大小)的共享电感器/变压器，但是在该配置中选择性地调整放大器的连接点。以这种方式，图5的实施例可以是动态可重新配置的，以在选择一系列射频放大器及其相关联的共享电感器315或共享RF变换器310在LTE TM或类似系统中用于支持带间载波聚合(ICA)和非连续载波聚合(NCCA)应用时提供增强的灵活性。
在本发明的示例中，描述了一种用于在通信单元中的多个射频放大器之间共享电感器或变压器的方法。该方法包括：在多个并行的RF信号路径的第一RF信号路径和第二RF信号路径之间设置共享电感器或变压器，其中所述第一RF信号路径包括至少一个第一射频放大器，所述第二RF信号路径包括至少一个第二射频放大器。该方法还包括闭合将电源电压连接到至少一个第一射频放大器的第一开关；并且断开将电源电压连接到至少一个第二射频放大器的第二开关，使得共享电感器或变压器在至少一个第一射频放大器的输出端产生高阻抗。
现在参考图6，根据本发明的示例示出了用于在多个射频放大器之间共享电感器或变压器以便减小来自射频放大器的并行的路径的负载效应(表现出的寄生电容)的方法的详细示例流程图600。在602，具有由共享电感器或共享变压器分开的多个射频放大器和射频放大器路径的通信单元被“接通”(switch on)。在604，如图3-图5所示，具有一个(或多个)射频放大器的第一射频放大器路径被“接通”，并且第二射频放大器路径被“关断”。在606，经由第一射频放大器路径接收的放大信号经由共享电感器或共享变压器以下列中的至少一个条件进行路由：以相较于已知设计增强的增益，以相较于已知设计增强的带宽或以相较于已知设计被位于所述第一射频放大器路径上与所述一个(或多个)射频放大器连接的组件或电路可视的更大的阻抗。
在该开关配置中，对于被“接通”的射频放大器而言，负载效应(也即寄生电容)被减小。在608，具有一个(或多个)射频放大器的第二射频放大器路径被“接通”，并且第一射频放大器路径被“关断”。
在610，做出关于通信单元是否需要支持不同频带的可选判断，所述不同频带可能需要对共享电感器或共享RF变换器进行调整和/或可能需要使用不同的射频放大器或射频放大器组。如果在610，通信单元不需要不同的频带，则流程图转至614。然而，根据图5的重配置架构，如果在610通信单元需要不同的频带，则在通信单元中调整RF电路。特别地，在612，通过选择性地调整将射频放大器或射频放大器组连接至共享电感器或共享RF变压器的可选择的内部连接点的连接点来实现重新配置，如此以来，通过重连接点对共享电感器或共享RF变压器的值的固有调整支持所需的新频带。
在614，经由第二射频放大器路径接收的放大信号以下列中的至少一个条件“接通”(或者进行路由)：以相较于已知设计增强的增益，以相较于已知设计增强的带宽或以相较于已知设计被位于所述第二射频放大器路径上与所述一个(或多个)射频放大器连接的组件或电路可视的更大的阻抗。如果随后另一个射频放大器路径(例如，第一射频放大器路径)被接着使用，则流程图可以回到604。
在前述说明书中，已经参考本发明的特定的实施例描述了本发明。然而，显而易见的是，在不脱离所附权利要求中阐述的本发明的范围的情况下，可以进行各种修改和改变。
本领域技术人员将认识到，界定组件仅仅是说明性的，并且替代实施例可以合并组件或电路元件或对各种组件或电路元件施加功能的替代分解。因此，应该理解，这里描述的架构仅仅是示例性的，并且实际上可以实施许多其他架构来实现相同的功能。因此可以设想，其他修改，变化和替代也是可能的。因此，说明书和附图应被视为说明性的而非限制性的。
实现相同功能的任何组件布置有效地“关联”，使得实现期望的功能。因此，这里任何两个联合到一起实现特定功能的组件可以被视为彼此“关联”，使得实现期望的功能，而不管架构或中间组件。同样地，如此关联的任何两个组件也可以被视为彼此“可操作地连接”或“可操作地耦合”以实现期望的功能。
此外，本领域技术人员将认识到，上述操作之间的界限仅仅是说明性的。可以将多个操作组合成单个操作，可以在附加操作中分发单个操作，并且操作可以在时间上至少部分地重叠。此外，替代实施例可以包括特定操作的多个实例，并且可以在各种其他实施例中改变操作的顺序。
在权利要求中，括号内的任何参考符号不应被解释为限制权利要求。“包括”一词不排除权利要求中未列出的其他元件或步骤的存在。此外，如本文所使用的术语“一个”或“一个”被定义为一个或多于一个。此外，在权利要求中使用诸如“至少一个”和“一个或多个”的介绍性短语不应被解释为暗示由不定冠词“a”或“an”介绍的另一个权利要求元素限制任何特定的包括这样的介绍元素的权利要求为仅包含一个这样的要素的发明，即使在同一个权利要求中包括引言短语“一个或多个”或“至少一个”以及诸如“一个”或“一个”的不定冠词时。定冠词的使用也是如此。除非另有说明，否则诸如“第一”和“第二”的术语用于任意区分这些术语描述的元素。因此，这些术语不一定旨在表示这些元素的时间或其他优先次序。在相互不同的权利要求中叙述某些措施的仅有事实并不表示这些措施的组合不能用于获益。
如本文所讨论的连接可以是适合于从各个节点，单元或设备传输信号或者例如经由中间组件传输信号的任何类型的连接。因此，除非暗示或另有说明，否则连接可以是例如直接连接或间接连接。可以参考单个连接，多个连接，单向连接或双向连接来图示或描述连接。然而，不同的图示示例可以改变连接的实现。例如，可以使用单独的单向连接而不是双向连接，反之亦然。而且，多个连接可以用单个连接替换，该单个连接串行地或以时间复用的方式传送多个信号。同样地，携带多个信号的单个连接可以被分离成承载这些信号的子集的各种不同的连接。因此，存在许多用于传输信号的选项。
应当理解，为了清楚起见，以上描述已经参考不同的功能单元描述了本发明的实施例。然而，显而易见的是，可以使用不同功能单元之间的任何合适的功能分布而不背离本发明。因此，对特定功能单元的引用仅被视为对用于提供所描述的功能的合适装置的引用，而不是指示严格的逻辑或物理结构或组织。
尽管已经结合一些实施例描述了本发明，但是并不意图将本发明限于这里阐述的特定形式。相反，本发明的范围仅受所附权利要求的限制。另外，尽管可能看起来结合特定实施例描述了特征，但是本领域技术人员将认识到，可以根据本发明组合所描述的实施例的各种特征。在权利要求中，术语“包括”不排除存在其他元件或步骤。
此外，尽管单独列出，但是多个装置，元件或方法步骤可以由例如单个单元或处理器或控制器实现。另外，尽管各个特征可以包括在不同的权利要求中，但是这些特征可以有利地组合，并且包含在不同的权利要求中并不意味着特征的组合是不可行和/或不利的。此外，在一类权利要求中包含特征并不意味着对该类别的限制，而是表明该特征同样适用于其他权利要求类别。
此外，权利要求中的特征的顺序并不意味着必须执行特征的任何特定顺序，并且特别地，方法权利要求中的各个步骤的顺序并不意味着必须以该顺序执行这些步骤。而是，可以以任何合适的顺序执行这些步骤。另外，单数引用不排除多个。因此，对“a”，“an”，“first”，“second”等的引用不排除多个。
因此，已经描述了解决方案，其中已经基本上减轻了现有技术布置的上述缺点。

Claims (11)

1.一种通信单元，其特征在于，包括：
多个并行的射频信号路径；和
位于所述多个并行的射频信号路径的第一射频信号路径和第二射频信号路径之间的共享电感器或变压器，其中，所述第一射频信号路径包括至少一个第一射频放大器，所述第二射频信号路径包括至少一个第二射频放大器；
其中，所述至少一个第一射频放大器通过第一开关耦合到电源电压，所述至少一个第二射频放大器通过第二开关耦合到所述电源电压，所述第一开关闭合而所述第二开关断开，以向所述至少一个第二射频放大器提供电源电压；
其中，所述至少一个第一射频放大器和所述至少一个第二射频放大器分别位于所述共享电感器或变压器的两侧，所述至少一个第一射频放大器连接到所述共享电感器或变压器的可选择的内部连接点而非端点，其中，所述内部连接点可动态配置。
2.根据权利要求1所述的通信单元，其特征在于，闭合的第一开关使所述共享电感器或变压器在所述至少一个第一射频放大器的输出端产生高阻抗。
3.如权利要求1所述的通信单元，其特征在于，经由所述共享电感器或变压器连接的所述至少一个第一射频放大器呈现第一输出寄生电容，所述至少一个第二射频放大器呈现第二输出寄生电容；所述第一开关的闭合使共享电感器或变压器在至少一个第一射频放大器的输出端产生高阻抗并减小第一输出寄生电容对至少一个第二射频放大器的输出端的影响。
4.如权利要求1所述的通信单元，其特征在于，所述至少一个第一射频放大器和至少一个第二射频放大器是所述通信单元的接收器路径中的低噪声放大器。
5.如权利要求1所述的通信单元，其特征在于，所述至少一个第一射频放大器和至少一个第二射频放大器是通信单元的发射器路径中的可编程增益放大器或功率放大器的增益元件。
6.如权利要求1所述的通信单元，其特征在于，所述至少一个第一射频放大器和至少一个第二射频放大器均包括多个射频放大器。
7.如权利要求6所述的通信单元，其特征在于，所述多个射频放大器位于片上，其中多组片由所述共享电感器或变压器隔开。
8.如权利要求1所述的通信单元，其特征在于，为射频集成电路。
9.一种用于在通信单元中通过多个射频放大器共享电感器或变压器的方法，其特征在于，该方法包括：
将共享电感器或变压器设置在多个并行的射频信号路径的第一射频信号路径和第二射频信号路径之间，其中，所述第一射频信号路径包括至少一个第一射频放大器，所述第二射频信号路径包括至少一个第二射频放大器；
闭合将电源电压连接到所述至少一个第一射频放大器的第一开关；和
断开将电源电压连接到所述至少一个第二射频放大器的第二开关，以向所述至少一个第二射频放大器提供电源电压；
其中，所述至少一个第一射频放大器和所述至少一个第二射频放大器分别位于所述共享电感器或变压器的两侧，所述至少一个第一射频放大器连接到所述共享电感器或变压器的可选择的内部连接点而非端点，其中，所述内部连接点可动态配置。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，闭合所述第一开关和断开所述第二开关包括：在所述至少一个第一射频放大器的输出端产生高阻抗。
11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，经由所述共享电感器或变压器连接的所述至少一个第一射频放大器呈现第一输出寄生电容，所述至少一个第二射频放大器呈现第二输出寄生电容；所述第一开关的闭合使共享电感器或变压器在至少一个第一射频放大器的输出端产生高阻抗并减小第一输出寄生电容对至少一个第二射频放大器的输出端的影响。
CN201810954404.2A 2017-08-30 2018-08-21 通信单元及在通信单元中共享电感器或变压器的方法 Active CN109450463B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762551821P 2017-08-30 2017-08-30
US62/551,821 2017-08-30
US16/047,176 2018-07-27
US16/047,176 US10680560B2 (en) 2017-08-30 2018-07-27 Transformer or inductor sharing in a radio frequency amplifier and method therefor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109450463A CN109450463A (zh) 2019-03-08
CN109450463B true CN109450463B (zh) 2021-01-15

Family

ID=63079859

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810954404.2A Active CN109450463B (zh) 2017-08-30 2018-08-21 通信单元及在通信单元中共享电感器或变压器的方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10680560B2 (zh)
EP (1) EP3451530A1 (zh)
CN (1) CN109450463B (zh)
TW (1) TWI716722B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11095334B1 (en) * 2020-09-22 2021-08-17 Apple Inc. Amplifier circuitry for carrier aggregation
CN116827362B (zh) * 2023-08-29 2023-12-22 上海移芯通信科技股份有限公司 一种射频电路、芯片、多频段接收设备及频段切换方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1954489A (zh) * 2004-04-19 2007-04-25 德州仪器公司 多频带低噪声放大器系统
CN101847972A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 富士通株式会社 放大器电路以及收发机
CN102055492A (zh) * 2010-12-15 2011-05-11 许继集团有限公司 一种电力载波收发信机的载频信号输出电路
US8269561B1 (en) * 2011-05-10 2012-09-18 Samsung Electro-Mechanics Systems and methods for CMOS power amplifiers with power mode control
CN103151991A (zh) * 2011-12-06 2013-06-12 台湾积体电路制造股份有限公司 用于电感峰化的放大器电感器共享
CN103780210A (zh) * 2012-10-18 2014-05-07 联发科技（新加坡）私人有限公司 功率放大器以及相关的功率放大方法
CN104221294A (zh) * 2012-03-30 2014-12-17 高通股份有限公司 带有多端口变压器和共享混频器的单端接收机

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7952433B2 (en) * 2008-11-25 2011-05-31 Samsung Electro-Mechanics Company Power amplifiers with discrete power control
US9083293B2 (en) 2011-05-19 2015-07-14 Mediatek Inc. Signal transceiver
US9154356B2 (en) * 2012-05-25 2015-10-06 Qualcomm Incorporated Low noise amplifiers for carrier aggregation
JP6064225B2 (ja) * 2013-03-29 2017-01-25 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 極性切替増幅回路
US10033338B2 (en) * 2016-06-17 2018-07-24 Qualcomm Incorporated Switched inductor/transformer for dual-band low-noise amplifier (LNA)
US10256783B2 (en) * 2016-11-29 2019-04-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Dual-mode RF transmission frontend

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1954489A (zh) * 2004-04-19 2007-04-25 德州仪器公司 多频带低噪声放大器系统
CN101847972A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 富士通株式会社 放大器电路以及收发机
CN102055492A (zh) * 2010-12-15 2011-05-11 许继集团有限公司 一种电力载波收发信机的载频信号输出电路
US8269561B1 (en) * 2011-05-10 2012-09-18 Samsung Electro-Mechanics Systems and methods for CMOS power amplifiers with power mode control
CN103151991A (zh) * 2011-12-06 2013-06-12 台湾积体电路制造股份有限公司 用于电感峰化的放大器电感器共享
CN104221294A (zh) * 2012-03-30 2014-12-17 高通股份有限公司 带有多端口变压器和共享混频器的单端接收机
CN103780210A (zh) * 2012-10-18 2014-05-07 联发科技（新加坡）私人有限公司 功率放大器以及相关的功率放大方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201914236A (zh) 2019-04-01
CN109450463A (zh) 2019-03-08
EP3451530A1 (en) 2019-03-06
US10680560B2 (en) 2020-06-09
TWI716722B (zh) 2021-01-21
US20190068128A1 (en) 2019-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210242897A1 (en) Radio front end module with reduced loss and increased linearity
US9948348B2 (en) High isolation switch with notch filter
US10153803B2 (en) Receiving circuit, wireless communication module, and wireless communication device
US20090286569A1 (en) Apparatus method and computer program for interference reduction
Mikhemar et al. An on-chip wideband and low-loss duplexer for 3G/4G CMOS radios
US10742241B2 (en) Front-end systems with directional couplers and a shared back switch
CN106160756B (zh) 射频前端发射方法及发射模块、芯片和通信终端
US10461785B2 (en) Apparatus and methods for front-end systems with reactive loopback
US11159146B2 (en) Reconfigurable analog filter and integrated circuit including the same
US10326484B1 (en) Reconfigurable carrier aggregation FECC with switched filters and programmable band switching LNA
CN109450463B (zh) 通信单元及在通信单元中共享电感器或变压器的方法
US10511344B1 (en) Transceiver resonant receive switch
US11251827B2 (en) Front-end module
US9431965B1 (en) Selectable-input-impedance radio-frequency reception amplifier
US20220385273A1 (en) Switchable acoustic wave filter and related multiplexers
JP7174078B2 (ja) 非同期ｔｄｄマルチ帯域動作のための無線ユニット
US20240030944A1 (en) Configurable radio frequency (rf) multiplexing switch for rf front end in 4g/5g applications
US10312961B1 (en) Transceiver resonant receive switch
GB2376383A (en) Antenna switch arrangement

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant