CN103257665A - 无电容型低压差线性稳压系统及其偏置电流调整电路 - Google Patents

Abstract

本发明属于集成电路设计领域，提供了一种无电容型低压差线性稳压系统及其偏置电流调整电路。在本发明中，通过在无电容型低压差线性稳压系统中采用包括静态电压信号生成模块、高通滤波模块以及电流调节模块的偏置电流调整电路，根据无电容型低压差线性稳压器的输出电流变化情况对其偏置电流进行适应性调整，从而实现动态调整偏置电流的目的，同时达到降低无电容型低压差线性稳压器的功耗，并提升其瞬态响应速度的效果，解决了现有的无电容型低压差线性稳压器所存在的功耗过高且瞬态响应速度慢的问题。

Description

无电容型低压差线性稳压系统及其偏置电流调整电路

技术领域

本发明属于集成电路设计领域，尤其涉及一种无电容型低压差线性稳压系统及其偏置电流调整电路。

背景技术

低压差线性稳压器(Low-Dropout regulator，LDO)作为重要的电源管理模块，被广泛应用于各种手持设备和便携式电子产品中。

目前，低压差线性稳压器分为电容型和无电容型两大类，其中，电容型低压差线性稳压器是指传统的带片外大电容的低压差线性稳压器。相对于电容型LDO，无电容型LDO因具备结构简单、成本低且便于集成的优点而得到较为广泛的应用。

然而，在无电容型LDO中，由于电路偏置电流在其输出电流变化时无法得到快速调整而导致整个LDO电路的功耗过高，且瞬态响应速度慢。因此，现有的无电容型低压差线性稳压器存在功耗过高且瞬态响应速度慢的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种无电容型低压差线性稳压系统的偏置电流调整电路，旨在解决现有的无电容型低压差线性稳压器所存在的功耗过高且瞬态响应速度慢的问题。

本发明是这样实现的，一种无电容型低压差线性稳压系统的偏置电流调整电路，与直流电源及无电容型低压差线性稳压器相连接，所述偏置电流调整电路包括：

静态电压信号生成模块，电源端接所述直流电源的输出端，第一控制端和第二控制端分别与所述无电容型低压差线性稳压器的第一节点和第二节点相连接，用于根据所述无电容型低压差线性稳压器的第一节点和第二节点的电压变化生成两个不同的静态电压信号；

高通滤波模块，电源端接所述直流电源的输出端，第一输入端和第二输入端分别接所述静态电压信号生成模块的第一输出端和第二输出端，用于对所述两个不同的静态电压信号进行滤波处理；

电流调节模块，电源端接所述直流电源的输出端，第一控制端和第二控制端分别与所述高通滤波模块的第一输出端和第二输出端相连接，电流调节端接所述无电容型低压差线性稳压器的偏置电流端，用于根据所述高通滤波模块处理过的两个不同的静态电压信号对所述无电容型低压差线性稳压器的偏置电流进行调节。

本发明的另一目的还在于提供一种无电容型低压差线性稳压系统，所述无电容型低压差线性稳压系统包括直流电源、无电容型低压差线性稳压器以及偏置电流调整电路，所述偏置电流调整电路与所述直流电源及所述无电容型低压差线性稳压器相连接，所述偏置电流调整电路包括：

静态电压信号生成模块，电源端接所述直流电源的输出端，第一控制端和第二控制端分别与所述无电容型低压差线性稳压器的第一节点和第二节点相连接，用于根据所述无电容型低压差线性稳压器的第一节点和第二节点的电压变化生成两个不同的静态电压信号；

高通滤波模块，电源端接所述直流电源的输出端，第一输入端和第二输入端分别接所述静态电压信号生成模块的第一输出端和第二输出端，用于对所述两个不同的静态电压信号进行滤波处理；

电流调节模块，电源端接所述直流电源的输出端，第一控制端和第二控制端分别与所述高通滤波模块的第一输出端和第二输出端相连接，电流调节端接所述无电容型低压差线性稳压器的偏置电流端，用于根据所述高通滤波模块处理过的两个不同的静态电压信号对所述无电容型低压差线性稳压器的偏置电流进行调节。

在本发明中，通过在无电容型低压差线性稳压系统中采用包括所述静态电压信号生成模块、所述高通滤波模块以及所述电流调节模块的偏置电流调整电路，根据无电容型低压差线性稳压器的输出电流变化情况对其偏置电流进行适应性调整，从而实现动态调整偏置电流的目的，同时达到降低无电容型低压差线性稳压器的功耗，并提升其瞬态响应速度的效果，解决了现有的无电容型低压差线性稳压器所存在的功耗过高且瞬态响应速度慢的问题。

附图说明

图1是本发明实施例提供的无电容型低压差线性稳压系统的偏置电流调整电路的模块结构图；

图2是现有的无电容型低压差线性稳压器的基本电路结构图；

图3是本发明实施例提供的无电容型低压差线性稳压系统的偏置电流调整电路的示例电路结构图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

在本发明实施例中，通过在无电容型低压差线性稳压系统中采用包括静态电压信号生成模块、高通滤波模块以及电流调节模块的偏置电流调整电路，根据无电容型低压差线性稳压器的输出电流变化情况对其偏置电流进行适应性调整，从而实现动态调整偏置电流的目的，同时达到降低无电容型低压差线性稳压器的功耗，并提升其瞬态响应速度的效果。

图1示出了本发明实施例提供的无电容型低压差线性稳压系统的偏置电流调整电路的模块结构，为了便于说明，仅示出了与本发明实施例相关的部分，详述如下：

无电容型低压差线性稳压系统的偏置电流调整电路100，与直流电源200及无电容型低压差线性稳压器300相连接，该偏置电流调整电路100包括：

静态电压信号生成模块101，电源端接直流电源200的输出端，第一控制端和第二控制端分别与无电容型低压差线性稳压器300的第一节点VBP和第二节点VBN相连接，用于根据无电容型低压差线性稳压器300的第一节点和第二节点的电压变化生成两个不同的静态电压信号。

高通滤波模块102，电源端接直流电源200的输出端，第一输入端和第二输入端分别接静态电压信号生成模块101的第一输出端和第二输出端，用于对所述两个不同的静态电压信号进行滤波处理。

电流调节模块103，电源端接直流电源200的输出端，第一控制端和第二控制端分别与高通滤波模块102的第一输出端和第二输出端相连接，电流调节端接无电容型低压差线性稳压器300的偏置电流端IB，用于根据高通滤波模块102处理过的两个不同的静态电压信号对无电容型低压差线性稳压器300的偏置电流进行调节。

在本发明实施例中，图2示出了无电容型低压差线性稳压器300的电路结构，无电容型低压差线性稳压器300从直流电源200引入工作电压Vin，VBP、VBN及IB分别为无电容型低压差线性稳压器300的第一节点、第二节点及偏置电流端，电流源I1所在支路的电流IB_EA为无电容型低压差线性稳压器300的偏置电流，PMOS管Mpb为无电容型低压差线性稳压器300的输出级，其导通电流为无电容型低压差线性稳压器300的输出电流。当PMOS管Mpb的导通电流发生变化时，整个无电容型低压差线性稳压器300的输出电压也会发生变化，第二节点VBN的电压也会随着变化，通过检测第二节点VBN的电压变化，则能快速获取无电容型低压差线性稳压器300的输出电流的变化情况。虚线左侧为无电容型低压差线性稳压器300的误差放大电路，虚线右侧为无电容型低压差线性稳压器300的输出级电路。

图2所示的无电容型低压差线性稳压器300的电路结构为现有的无电容型LDO中的基本电路构造，对于其他无电容型低压差线性稳压器而言，本发明实施例所提供的偏置电流调整电路也同样适用，因此，以上提供的无电容型低压差线性稳压器的电路结构并不用以限制本发明的适用范围。

图3示出了本发明实施例提供的无电容型低压差线性稳压系统的偏置电流调整电路的示例电路结构，为了便于说明，仅示出了与本发明实施例相关的部分，详述如下：

作为本发明一实施例，静态电压信号生成模块101包括：

PMOS管Mp1、NMOS管Mn1、PMOS管Mp2、NMOS管Mn2、PMOS管Mp3、NMOS管Mn3、PMOS管Mp4及NMOS管Mn4；

PMOS管Mp1的源极和栅极分别为静态电压信号生成模块101的电源端和第一控制端，PMOS管Mp1的漏极接NMOS管Mn1的漏极，NMOS管Mn1的栅极为静态电压信号生成模块101的第二控制端，NMOS管Mn1的源极接等电势地，PMOS管Mp2的源极接PMOS管Mp1的源极，PMOS管Mp2的栅极与NMOS管Mn2的栅极共接于PMOS管Mp1的漏极，PMOS管Mp2的漏极与NMOS管Mn2的漏极共接并形成静态电压信号生成模块101的第一输出端，NMOS管Mn2的源极接等电势地，PMOS管Mp3的源极和栅极分别与PMOS管Mp2的源极和PMOS管Mp1的栅极相连接，PMOS管Mp3的漏极接NMOS管Mn3的漏极，NMOS管Mn3的栅极和源极分别接NMOS管Mn1的栅极和等电势地，PMOS管Mp4的源极接PMOS管Mp3的源极，PMOS管Mp4的栅极与NMOS管Mn4的栅极共接于PMOS管Mp3的漏极，PMOS管Mp4的漏极与NMOS管Mn4的漏极共接并形成静态电压信号生成模块101的第二输出端，NMOS管Mn4的源极接等电势地。

作为本发明一实施例，高通滤波模块102包括：

电容C1、电阻R1、电阻R2及电容C2；

电容C1的正极为高通滤波模块102的第一输入端，电容C1的负极与电阻R1的第一端共接并形成高通滤波模块102的第一输出端，电阻R1的第二端接等电势地，电容C2的正极为高通滤波模块102的第二输入端，电阻R2的第一端为高通滤波模块102的电源端，电阻R2的第二端与电容C2的负极共接并形成高通滤波模块102的第二输出端。

作为本发明一实施例，电流调节模块103包括：

NMOS管Mns、PMOS管Mps、PMOS管Mpb1、PMOS管Mpb2、PMOS管Mpb3、电流源Ib、NMOS管Mnb1及NMOS管Mnb2；

NMOS管Mns的栅极为电流调节模块103的第一控制端，NMOS管Mns的漏极和源极分别与PMOS管Mps的源极和漏极相连接，PMOS管Mpb1的源极、PMOS管Mpb2的源极以及PMOS管Mpb3的源极共接并形成电流调节模块103的电源端，PMOS管Mpb1的漏极接PMOS管Mps的源极，PMOS管Mpb1的栅极同时与PMOS管Mpb2的栅极和PMOS管Mpb3的栅极相连接，PMOS管Mpb2的漏极同时与PMOS管Mps的漏极和NMOS管Mnb1的漏极相连接，电流源Ib的输入端和输出端分别接PMOS管Mpb3的漏极和等电势地，NMOS管Mnb1的漏极与栅极共接后再与NMOS管Mnb2栅极连接，NMOS管Mnb2的漏极为电流调节模块103的电流调节端，NMOS管Mnb1的源极与NMOS管Mnb2的源极共接于等电势地。

在本发明实施例中，PMOS管Mpb1、PMOS管Mpb2及PMOS管Mpb3三者的尺寸比例为N∶1∶1，其中N为大于1的正整数；PMOS管Mpb1、PMOS管Mpb2及PMOS管Mpb3三者的导通电流分别为Ib1、Ib2及Ib3，其中Ib1＞Ib2＝Ib3。

以下结合图2和图3对偏置电流调整电路100的工作原理进行详细描述：

在无电容型低压差线性稳压器300处于稳态平衡时，通过设置PMOS管Mp1、NMOS管Mn1、PMOS管Mp3及NMOS管Mn3的尺寸，使节点Vo1和节点Vo2的电压分别为Vin(Vin为直流电源200的输出电压)和0，经过由PMOS管Mp2与NMOS管Mn2组成的反相器和由PMOS管Mp4与NMOS管Mn4组成的反相器分别对节点Vo1和节点Vo2的电压进行反相处理后，节点Vo1_N和节点Vo2_N的电压分别为0和Vin，节点Vo1_N和节点Vo2_N的电压即为静态电压信号生成模块101生成的两个不同的静态电压信号。随后通过由电容C1与电阻R1组成的高通滤波器和由电容C2与电阻R2组成的高通滤波器分别对节点Vo1_N和节点Vo2_N的电压信号进行滤波处理，则节点N1和节点N2的电压分别为0和Vin，于是，NMOS管Mns和PMOS管Mps均截止，由NMOS管Mnb1和NMOS管Mnb2组成的电流镜将PMOS管Mpb2的导通电流Ib2镜像到NMOS管Mnb2所在支路上，所以无电容型低压差线性稳压器300的偏置电流IB_EA等于Ib2，则图2中虚线右侧的误差放大电路工作于超低功耗的偏置状态。

当无电容型低压差线性稳压器300的负载电流由小电流向大电流阶跃跳变时，其输出电压会下降，节点VFB的电压随着下降，同时第二节点VBN的电压上升，从而使节点Vo1的电压被拉低至0，节点Vo2的电压升高为Vin，则此时节点Vo1_N输出电压为Vin，节点Vo2_N输出电压为0，节点N1和节点N2的电压也跟随着分别变为Vin和0，于是，NMOS管Mns和PMOS管Mps均导通，NMOS管Mnb1的导通电流Ib1被NMOS管Mnb1镜像至NMOS管Mnb2所在支路上，因此，无电容型低压差线性稳压器300的偏置电流IB_EA等于Ib1+Ib2，偏置电流IB_EA得到增强，驱使无电容型低压差线性稳压器300中的误差放大电路对PMOS管Mpb的寄生电容充电，则节点VO的电压被快速拉低，从而使PMOS管Mpb输出电流增大，以达到无电容型低压差线性稳压器300的输出电流满足实际的负载电流需求。

当无电容型低压差线性稳压器300的负载电流由大电流向小电流阶跃跳变时，其输出电压会上升，节点VFB的电压随着上升，同时第二节点VBN的电压下降，从而使节点Vo1的电压被拉高至Vin，节点Vo2的电压降低至0，则此时节点Vo1_N输出电压为0，节点Vo2_N输出电压为Vin，节点N1和节点N2的电压也跟随着分别变为0和Vin，于是，NMOS管Mns和PMOS管Mps均截止，NMOS管Mnb1将PMOS管Mpb2的导通电流Ib2镜像至NMOS管Mnb2所在支路上，因此，无电容型低压差线性稳压器300的偏置电流IB_EA降低为Ib2，偏置电流IB_EA得到减弱，从而使PMOS管Mpb输出电流减小，以达到无电容型低压差线性稳压器300的输出电流满足实际的负载电流需求。

通过上述偏置电流调整电路100对无电容型低压差线性稳压器300的偏置电流进行调整以控制其输出电流的大小，提升了无电容型低压差线性稳压器300的输出电流转换速率，增大了其环路带宽，并达到提升其瞬态响应性能的目的。

本发明实施例的另一目的还在于提供一种无电容型低压差线性稳压系统，该无电容型低压差线性稳压系统包括直流电源200、无电容型低压差线性稳压器300以及偏置电流调整电路100，偏置电流调整电路100与直流电源200及无电容型低压差线性稳压器300相连接，偏置电流调整电路100包括：

静态电压信号生成模块101，电源端接直流电源200的输出端，第一控制端和第二控制端分别与无电容型低压差线性稳压器300的第一节点VBP和第二节点VBN相连接，用于根据无电容型低压差线性稳压器300的第一节点和第二节点的电压变化生成两个不同的静态电压信号。

高通滤波模块102，电源端接直流电源200的输出端，第一输入端和第二输入端分别接静态电压信号生成模块101的第一输出端和第二输出端，用于对所述两个不同的静态电压信号进行滤波处理。

电流调节模块103，电源端接直流电源200的输出端，第一控制端和第二控制端分别与高通滤波模块102的第一输出端和第二输出端相连接，电流调节端接无电容型低压差线性稳压器300的偏置电流端IB，用于根据高通滤波模块102处理过的两个不同的静态电压信号对无电容型低压差线性稳压器300的偏置电流进行调节。

在本发明实施例中，通过在无电容型低压差线性稳压系统中采用包括静态电压信号生成模块、高通滤波模块以及电流调节模块的偏置电流调整电路，根据无电容型低压差线性稳压器的输出电流变化情况对其偏置电流进行适应性调整，从而实现动态调整偏置电流的目的，同时达到降低无电容型低压差线性稳压器的功耗，并提升其瞬态响应速度的效果，解决了现有的无电容型低压差线性稳压器所存在的功耗过高且瞬态响应速度慢的问题。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种无电容型低压差线性稳压系统的偏置电流调整电路，与直流电源及无电容型低压差线性稳压器相连接，其特征在于，所述偏置电流调整电路包括：

静态电压信号生成模块，电源端接所述直流电源的输出端，第一控制端和第二控制端分别与所述无电容型低压差线性稳压器的第一节点和第二节点相连接，用于根据所述无电容型低压差线性稳压器的第一节点和第二节点的电压变化生成两个不同的静态电压信号；

高通滤波模块，电源端接所述直流电源的输出端，第一输入端和第二输入端分别接所述静态电压信号生成模块的第一输出端和第二输出端，用于对所述两个不同的静态电压信号进行滤波处理；

电流调节模块，电源端接所述直流电源的输出端，第一控制端和第二控制端分别与所述高通滤波模块的第一输出端和第二输出端相连接，电流调节端接所述无电容型低压差线性稳压器的偏置电流端，用于根据所述高通滤波模块处理过的两个不同的静态电压信号对所述无电容型低压差线性稳压器的偏置电流进行调节。

2.如权利要求1所述的偏置电流调整电路，其特征在于，所述静态电压信号生成模块包括：

PMOS管Mp1、NMOS管Mn1、PMOS管Mp2、NMOS管Mn2、PMOS管Mp3、NMOS管Mn3、PMOS管Mp4及NMOS管Mn4；

所述PMOS管Mp1的源极和栅极分别为所述静态电压信号生成模块的电源端和第一控制端，所述PMOS管Mp1的漏极接所述NMOS管Mn1的漏极，所述NMOS管Mn1的栅极为所述静态电压信号生成模块的第二控制端，所述NMOS管Mn1的源极接等电势地，所述PMOS管Mp2的源极接所述PMOS管Mp1的源极，所述PMOS管Mp2的栅极与所述NMOS管Mn2的栅极共接于所述PMOS管Mp1的漏极，所述PMOS管Mp2的漏极与所述NMOS管Mn2的漏极共接并形成所述静态电压信号生成模块的第一输出端，所述NMOS管Mn2的源极接等电势地，所述PMOS管Mp3的源极和栅极分别与所述PMOS管Mp2的源极和所述PMOS管Mp1的栅极相连接，所述PMOS管Mp3的漏极接所述NMOS管Mn3的漏极，所述NMOS管Mn3的栅极和源极分别接所述NMOS管Mn1的栅极和等电势地，所述PMOS管Mp4的源极接所述PMOS管Mp3的源极，所述PMOS管Mp4的栅极与所述NMOS管Mn4的栅极共接于所述PMOS管Mp3的漏极，所述PMOS管Mp4的漏极与所述NMOS管Mn4的漏极共接并形成所述静态电压信号生成模块的第二输出端，所述NMOS管Mn4的源极接等电势地。

3.如权利要求1所述的偏置电流调整电路，其特征在于，所述高通滤波模块包括：

电容C1、电阻R1、电阻R2及电容C2；

所述电容C1的正极为所述高通滤波模块的第一输入端，所述电容C1的负极与所述电阻R1的第一端共接并形成所述高通滤波模块的第一输出端，所述电阻R1的第二端接等电势地，所述电容C2的正极为所述高通滤波模块的第二输入端，所述电阻R2的第一端为所述高通滤波模块的电源端，所述电阻R2的第二端与所述电容C2的负极共接并形成所述高通滤波模块的第二输出端。

4.如权利要求1所述的偏置电流调整电路，其特征在于，所述电流调节模块包括：

NMOS管Mns、PMOS管Mps、PMOS管Mpb1、PMOS管Mpb2、PMOS管Mpb3、电流源Ib、NMOS管Mnb1及NMOS管Mnb2；

所述NMOS管Mns的栅极为所述电流调节模块的第一控制端，所述NMOS管Mns的漏极和源极分别与所述PMOS管Mps的源极和漏极相连接，所述PMOS管Mpb1的源极、所述PMOS管Mpb2的源极以及所述PMOS管Mpb3的源极共接并形成所述电流调节模块的电源端，所述PMOS管Mpb1的漏极接所述PMOS管Mps的源极，所述PMOS管Mpb1的栅极同时与所述PMOS管Mpb2的栅极和所述PMOS管Mpb3的栅极相连接，所述PMOS管Mpb2的漏极同时与所述PMOS管Mps的漏极和所述NMOS管Mnb1的漏极相连接，所述电流源Ib的输入端和输出端分别接所述PMOS管Mpb3的漏极和等电势地，所述NMOS管Mnb1的漏极与栅极共接后再与所述NMOS管Mnb2栅极连接，所述NMOS管Mnb2的漏极为所述电流调节模块的电流调节端，所述NMOS管Mnb1的源极与所述NMOS管Mnb2的源极共接于等电势地。

5.一种无电容型低压差线性稳压系统，其特征在于，所述无电容型低压差线性稳压系统包括直流电源、无电容型低压差线性稳压器以及偏置电流调整电路，所述偏置电流调整电路与所述直流电源及所述无电容型低压差线性稳压器相连接，所述偏置电流调整电路包括：

静态电压信号生成模块，电源端接所述直流电源的输出端，第一控制端和第二控制端分别与所述无电容型低压差线性稳压器的第一节点和第二节点相连接，用于根据所述无电容型低压差线性稳压器的第一节点和第二节点的电压变化生成两个不同的静态电压信号；

高通滤波模块，电源端接所述直流电源的输出端，第一输入端和第二输入端分别接所述静态电压信号生成模块的第一输出端和第二输出端，用于对所述两个不同的静态电压信号进行滤波处理；

电流调节模块，电源端接所述直流电源的输出端，第一控制端和第二控制端分别与所述高通滤波模块的第一输出端和第二输出端相连接，电流调节端接所述无电容型低压差线性稳压器的偏置电流端，用于根据所述高通滤波模块处理过的两个不同的静态电压信号对所述无电容型低压差线性稳压器的偏置电流进行调节。

6.如权利要求5所述的无电容型低压差线性稳压系统，其特征在于，所述静态电压信号生成模块包括：

PMOS管Mp1、NMOS管Mn1、PMOS管Mp2、NMOS管Mn2、PMOS管Mp3、NMOS管Mn3、PMOS管Mp4及NMOS管Mn4；

所述PMOS管Mp1的源极和栅极分别为所述静态电压信号生成模块的电源端和第一控制端，所述PMOS管Mp1的漏极接所述NMOS管Mn1的漏极，所述NMOS管Mn1的栅极为所述静态电压信号生成模块的第二控制端，所述NMOS管Mn1的源极接等电势地，所述PMOS管Mp2的源极接所述PMOS管Mp1的源极，所述PMOS管Mp2的栅极与所述NMOS管Mn2的栅极共接于所述PMOS管Mp1的漏极，所述PMOS管Mp2的漏极与所述NMOS管Mn2的漏极共接并形成所述静态电压信号生成模块的第一输出端，所述NMOS管Mn2的源极接等电势地，所述PMOS管Mp3的源极和栅极分别与所述PMOS管Mp2的源极和所述PMOS管Mp1的栅极相连接，所述PMOS管Mp3的漏极接所述NMOS管Mn3的漏极，所述NMOS管Mn3的栅极和源极分别接所述NMOS管Mn1的栅极和等电势地，所述PMOS管Mp4的源极接所述PMOS管Mp3的源极，所述PMOS管Mp4的栅极与所述NMOS管Mn4的栅极共接于所述PMOS管Mp3的漏极，所述PMOS管Mp4的漏极与所述NMOS管Mn4的漏极共接并形成所述静态电压信号生成模块的第二输出端，所述NMOS管Mn4的源极接等电势地。

7.如权利要求5所述的无电容型低压差线性稳压系统，其特征在于，所述高通滤波模块包括：

电容C1、电阻R1、电阻R2及电容C2；

所述电容C1的正极为所述高通滤波模块的第一输入端，所述电容C1的负极与所述电阻R1的第一端共接并形成所述高通滤波模块的第一输出端，所述电阻R1的第二端接等电势地，所述电容C2的正极为所述高通滤波模块的第二输入端，所述电阻R2的第一端为所述高通滤波模块的电源端，所述电阻R2的第二端与所述电容C2的负极共接并形成所述高通滤波模块的第二输出端。

8.如权利要求1所述的无电容型低压差线性稳压系统，其特征在于，所述电流调节模块包括：

NMOS管Mns、PMOS管Mps、PMOS管Mpb1、PMOS管Mpb2、PMOS管Mpb3、电流源Ib、NMOS管Mnb1及NMOS管Mnb2；

所述NMOS管Mns的栅极为所述电流调节模块的第一控制端，所述NMOS管Mns的漏极和源极分别与所述PMOS管Mps的源极和漏极相连接，所述PMOS管Mpb1的源极、所述PMOS管Mpb2的源极以及所述PMOS管Mpb3的源极共接并形成所述电流调节模块的电源端，所述PMOS管Mpb1的漏极接所述PMOS管Mps的源极，所述PMOS管Mpb1的栅极同时与所述PMOS管Mpb2的栅极和所述PMOS管Mpb3的栅极相连接，所述PMOS管Mpb2的漏极同时与所述PMOS管Mps的漏极和所述NMOS管Mnb1的漏极相连接，所述电流源Ib的输入端和输出端分别接所述PMOS管Mpb3的漏极和等电势地，所述NMOS管Mnb1的漏极与栅极共接后再与所述NMOS管Mnb2栅极连接，所述NMOS管Mnb2的漏极为所述电流调节模块的电流调节端，所述NMOS管Mnb1的源极与所述NMOS管Mnb2的源极共接于等电势地。

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