CN103246003A - 偏振片光学薄膜的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种偏振片光学薄膜的制备方法,所述的方法包括以下步骤:首先,对偏振片进行前处理;然后在所述的偏振片基体上通过化学气相沉积纳米陶瓷薄膜、电弧离子镀沉积纳米复合金属膜和磁控溅射沉积纳米复合氧化物膜。通过本发明的方法得到的偏振片透光率好、光效率高,成像均匀,图像在各处的清晰度均保持一致,使得合成的立体图像无重影,对比度高,可以显著减轻眼睛的疲劳感;而且所述的偏振片表面不仅耐热性好、还具有良好的耐磨性。

Description

偏振片光学薄膜的制备方法
技术领域
本发明涉及光学领域,更具体的说本发明涉及一种偏振片光学薄膜的制备方法。 
背景技术
现有偏振立体成像的原理如附图1-2所示,从投影机,放映机等图像输出设备输出左右帧不同图像序列,经过左右圆偏振片后,组成图像的左右帧被分解开来,左帧或右帧图像再经过偏振调制器调制编码,编码成以下几种立体格式中的一种:(1)左帧图像变成左旋偏振光,右帧图像变成右旋偏振光;(2)左帧图像变成右旋偏振光,右帧图像变成左旋偏振光;观众通过佩戴与之对应的偏振立体眼镜,就可以使左眼看到左眼图像,右眼看到右眼图像,从而在大脑中合成立体图像。然而,现有技术中的偏振立体成像中使用的偏振片是使用塑料材料制成,经用硫酸铜溶液染色而形成偏振片,它的缺陷是:光效率低、容易积灰、容易划伤、耗料多、工艺复杂;从而直接造成现有的偏振立体成像的效果存在以下缺点:a.成像光效率低,由于塑料材料的特性,造成了整体光效率比较低;b.成像不均均,左右眼看到的图像在不同的部位清晰度不一致;c.成像有重影,左右眼图像对比度差,串扰度高;d.偏振片寿命低,由于偏振片与放映机之间的距离较近,导致放映机上的光源热量被偏振片材料吸收,造成偏振片长期在高温下工作,而制作偏振片材料本身不能耐高温,从而导致寿命比较低。 
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述技术问题,本发明的目的在于提供一种具偏振片光学薄膜的制备方法。 
一种偏振片光学薄膜的制备方法,所述的方法包括以下步骤: 
首先,对偏振片进行前处理;然后在所述的偏振片基体上依次沉积纳米陶瓷薄膜、纳米复合金属膜和纳米复合氧化物膜。 
其中,所述的偏振片基体为光学玻璃或光学树脂。 
其中,所述的纳米陶瓷薄膜为硼掺杂的纳米ZnS1-XOX薄膜,硼的掺杂量为3-5at%,X=0.15-0.3。 
其中,所述的纳米复合金属膜为纳米银和铜的复合金属膜。 
其中,所述的纳米复合氧化物膜为纳米ZnO、TiO2和BaO的复合氧化膜。 
其中,所述纳米陶瓷薄膜利用化学气相沉积工艺制备得到,其反应体系为ZnCl2-H2S-BCl3-H2O-O2-H2,反应温度为380-420℃,工作压力为1000-1500Pa,其中ZnCl2的流量为50ml/min,H2S的流量为15-35ml/min,BCl3的流量为20-25ml/min,H2O的流量为5-20ml/min,O2的流量为5-10ml/min,H2的流量为500ml/min,沉积时间为3-10min,其中硼的掺杂量为3-5at%,X=0.15-0.3,薄膜厚度为25-50nm。 
其中,所述纳米复合金属膜通过电弧离子镀工艺制备得到,所述电弧离子镀的沉积参数为:靶材为金属银和铜的复合靶材,工作气压:0.1-0.2Pa,电弧电流:10-20A,直流偏压:50-100V,脉冲偏压:120-200V,脉冲偏压占空比为35-50%,温度为300-350℃,沉积时间为0.5-5min,薄膜厚度为10-20nm,纳米复合金属膜中银和铜的质量比为2∶1-3∶1。 
其中,所述纳米复合氧化物膜通过磁控溅射工艺制备得到,其使用的靶材为纯度99.99wt%的ZnO、TiO2和BaO陶瓷溅射靶,真空室的本底真空度低于5×10-4Pa,Ar的流量为20-50sccm,氩气气压为0.5-2Pa,,各溅射靶的溅射功率在30-100W之间,沉积温度为50-120℃,沉积时间为2-10min,厚度为50-100nm, 通过控制各溅射靶的溅射功率使得所述纳米复合氧化膜中ZnO的含量为42-50wt%、TiO2的含量为20-25wt%和余量的BaO。 
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果: 
本发明的制备方法所得到的偏振片透光率好、光效率高,在450-550nm的光谱范围内偏振光的透射率高于90%,在550-700nm的光谱范围内偏振光的透射率高于93%。此外,本发明的偏振片成像均匀,图像在各处的清晰度均保持一致(浊度低于2%),使得合成的立体图像无重影,对比度高,串扰度小,可以显著减轻眼睛的疲劳感;另外,本发明所述的偏振片表面不仅耐热性好、还具有良好的耐磨性,显著提高了偏振片的寿命。 
附图说明
图1现有技术中第一种偏振立体成像的原理示意图; 
图2现有技术中第二种偏振立体成像的原理示意图; 
图3本发明所述偏振片的偏振光在不同波长下的透射率曲线。 
具体实施方式
本发明所述的偏振片光学薄膜的制备方法,包括以下步骤: 
步骤100:镀前处理 
提供光学玻璃基质或树脂基质的偏振片;然后对其进行前处理,前处理包括脱脂,酸洗,清洗等步骤,使偏振片的表面清洁; 
步骤110:化学气相沉积纳米陶瓷薄膜 
在化学气相沉积反器中沉积所述纳米陶瓷薄膜,利用气体供给管道供给气体并通过流量计控制各气体的流量。反应体系为ZnCl2-H2S-BCl3-H2O-O2-H2,反应温度为380-420℃,工作压力为1000-1500Pa,其中ZnCl2的流量为50ml/min,H2S的流量为15-35ml/min,BCl3的流量为20-25ml/min,H2O的流量为5-20 ml/min,O2的流量为5-10ml/min,H2的流量为500ml/min,沉积时间为3-10min,其中硼的掺杂量为3-5at%,X=0.15-0.3,薄膜厚度为25-50nm。 
步骤120:电弧离子镀沉积纳米复合金属膜 
电弧离子镀的沉积参数为:靶材为金属银和铜的复合靶材,工作气压:0.1-0.2Pa,电弧电流:10-20A,直流偏压:50-100V,脉冲偏压:120-200V,脉冲偏压占空比为35-50%,温度为300-350℃,沉积时间为0.5-5min,薄膜厚度为10-20nm。 
步骤130:磁控溅射沉积纳米复合氧化物膜 
磁控溅射工艺:靶材为纯度99.99wt%的ZnO、TiO2和BaO陶瓷溅射靶,抽真空至溅射真空室的真空度低于5×10-4Pa,通入氩气,Ar的流量为20-50sccm并使得氩气气压为0.5-2Pa,,各溅射靶的溅射功率在30-100W之间,沉积温度为50-120℃,沉积时间为2-10min,厚度为50-100nm,通过控制各溅射靶的溅射功率使得所述纳米复合氧化膜中ZnO的含量为42-50wt%、TiO2的含量为20-25wt%和余量的BaO。 
由上述方法制备得到的偏振片,其在所述的光学玻璃或光学树脂偏振片基体上依次形成有厚度为25-50nm的硼掺杂纳米ZnS1-XOX薄膜,其中硼的掺杂量为3-5at%,X=0.15-0.3;厚度为10-20nm的纳米银和铜的复合金属膜,其中银和铜的质量比为2∶1-3∶1;以及厚度为50-100nm由纳米ZnO、TiO2和BaO形成的纳米复合氧化物膜,其中ZnO的含量为42-50wt%、TiO2的含量为20-25wt%和余量的BaO。 
如附图3所示,得到的偏振片,在450-550nm的光谱范围内偏振光的透射率高于90%,在550-700nm的光谱范围内偏振光的透射率高于93%。此外,所述的偏振片成像均匀,图像在各处的清晰度均保持一致,使得合成的立体图像 无重影,对比度高,串扰度小,可以显著减轻眼睛的疲劳感;另外,本发明所述的偏振片表面不仅耐热性好、还具有良好的耐磨性,显著提高了偏振片的寿命。 
虽然具体实施方式部分已经通过具体实施方式对本发明的技术方案进行了详细阐述,但普通技术人员应当理解可以在不脱离本发明公开的范围以内,可以采用等同替换或等效变换形式实施本发明的技术方案。只要没有脱离发明实质的实施方式,均应理解为落在了本发明的保护范围之内。 

Claims (9)

1.一种偏振片光学薄膜的制备方法,其特征在于所述的方法包括以下步骤:
首先,对偏振片进行前处理;然后在所述的偏振片基体上依次沉积纳米陶瓷薄膜、纳米复合金属膜和纳米复合氧化物膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述的偏振片基体为光学玻璃或光学树脂。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于所述的纳米陶瓷薄膜为硼掺杂的纳米ZnS1-XOX薄膜,硼的掺杂量为3-5at%,X=0.15-0.3。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法,其特征在于所述的纳米复合金属膜为纳米银和铜的复合金属膜。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法,其特征在于所述的纳米复合氧化物膜为纳米ZnO、TiO2和BaO的复合氧化膜。
6.根据权利要求1或3所述的制备方法,其特征在于所述纳米陶瓷薄膜利用化学气相沉积工艺制备得到,其反应体系为ZnCl2-H2S-BCl3-H2O-O2-H2,反应温度为380-420℃,工作压力为1000-1500Pa,其中ZnCl2的流量为50ml/min,H2S的流量为15-35ml/min,BCl3的流量为20-25ml/min,H2O的流量为5-20ml/min,O2的流量为5-10ml/min,H2的流量为500ml/min,沉积时间为3-10min,其中硼的掺杂量为3-5at%,X=0.15-0.3,薄膜厚度为25-50nm。
7.根据权利要求1或4所述的制备方法,其特征在于所述纳米复合金属膜通过电弧离子镀工艺制备得到,所述电弧离子镀的沉积参数为:靶材为金属银和铜的复合靶材,工作气压:0.1-0.2Pa,电弧电流:10-20A,直流偏压:50-100V,脉冲偏压:120-200V,脉冲偏压占空比为35-50%,温度为300-350℃,沉积时间为0.5-5min,薄膜厚度为10-20nm,纳米复合金属膜中银和铜的质量比为2∶1-3∶1。
8.根据权利要求1或5所述的制备方法,其特征在于所述纳米复合氧化物膜通过磁控溅射工艺制备得到,其使用的靶材为纯度99.99wt%的ZnO、TiO2和BaO陶瓷溅射靶,真空室的本底真空度低于5×10-4Pa,Ar的流量为20-50sccm,氩气气压为0.5-2Pa,,各溅射靶的溅射功率在30-100W之间,沉积温度为50-120℃,沉积时间为2-10min,厚度为50-100nm,通过控制各溅射靶的溅射功率使得所述纳米复合氧化膜中ZnO的含量为42-50wt%、TiO2的含量为20-25wt%和余量的BaO。
9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述前处理包括脱脂,酸洗和清洗步骤,使偏振片基体表面清洁;所述纳米陶瓷薄膜利用化学气相沉积工艺制备得到,其反应体系为ZnCl2-H2S-BCl3-H2O-O2-H2,反应温度为380-420℃,工作压力为1000-1500Pa,其中ZnCl2的流量为50ml/min,H2S的流量为15-35ml/min,BCl3的流量为20-25ml/min,H2O的流量为5-20ml/min,O2的流量为5-10ml/min,H2的流量为500ml/min,沉积时间为3-10min,其中硼的掺杂量为3-5at%,X=0.15-0.3,薄膜厚度为25-50nm;所述纳米复合金属膜通过电弧离子镀工艺制备得到,所述电弧离子镀的沉积参数为:靶材为金属银和铜的复合靶材,工作气压:0.1-0.2Pa,电弧电流:10-20A,直流偏压:50-100V,脉冲偏压:120-200V,脉冲偏压占空比为35-50%,温度为300-350℃,沉积时间为0.5-5min,薄膜厚度为10-20nm,纳米复合金属膜中银和铜的质量比为2∶1-3∶1;所述纳米复合氧化物膜通过磁控溅射工艺制备得到,其使用的靶材为纯度99.99wt%的ZnO、TiO2和BaO陶瓷溅射靶,真空室的本底真空度低于5×10-4Pa,Ar的流量为20-50sccm,氩气气压为0.5-2Pa,,各溅射靶的溅射功率在30-100W之间,沉积温度为50-120℃,沉积时间为2-10min,厚度为50-100nm,通过控制各溅射靶的溅射功率使得所述纳米复合氧化膜中ZnO的含量为42-50wt%、TiO2的含量为20-25wt%和余量的BaO。
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