CN103641333A - 一种超高透高性能低辐射膜的制备方法 - Google Patents
一种超高透高性能低辐射膜的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103641333A CN103641333A CN201310567790.7A CN201310567790A CN103641333A CN 103641333 A CN103641333 A CN 103641333A CN 201310567790 A CN201310567790 A CN 201310567790A CN 103641333 A CN103641333 A CN 103641333A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- sputtering
- power
- argon gas
- magnetron sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title abstract 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 63
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 33
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 112
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 111
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 40
- 238000009738 saturating Methods 0.000 claims description 24
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910007694 ZnSnO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000005344 low-emissivity glass Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，包括：A、直流溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；B、直流溅射Nb平面靶，在Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；C、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Nb2O5层上磁控溅射AZO层；D、直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；E、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；F、直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；G、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；H、交流溅射ZnSn合金旋转靶，在AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。本发明的目的是提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的超高透高性能低辐射膜的制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种超高透高性能低辐射膜的制备方法。
背景技术
低辐射玻璃是指对红外辐射具有高反射率，对可见光具有良好透射率的平板镀膜玻璃。低辐射玻璃具有良好的透光、保温、隔热性能，广泛应用于窗户、炉门、冷藏柜门等地方。
目前市场上较常见的低辐射玻璃有单银低辐射玻璃、双银低辐射玻璃、热控低辐射玻璃及钛基低辐射玻璃等。现有的这四种低辐射玻璃在380～780纳米的可见光波长范围内透射率不够高，仅为50％左右；在红外辐射波长范围内透射率较高，尤其是在900～1100纳米的波长范围内透射率为10～20％之间。故此，现有的透明玻璃基材有待于进步完善。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的超高透高性能低辐射膜的制备方法。
为了达到上述目的，本发明采用以下方案：
一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；
B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；
C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的Nb2O5层上磁控溅射AZO层；
D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZO层上磁控溅射Ag层；
E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射AZO层；
F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤E中的AZO层上磁控溅射Ag层；
G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Ag层上磁控溅射AZO层；
H、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤G中的AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。
如上所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述Bi2O3层的厚度为10～15nm，所述氩气与氧气的体积比为1：2，所述直流电源溅的溅射功率为15～20KW。
如上所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述Nb2O5层的厚度为20～30nm，氩气与氮气的体积比为1：3，溅射压力2.5*10－3mbar,溅射功率30～45KW。
如上所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤C中所述AZO层的厚度为20～25nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，交流电源的溅射功率20～25KW。
如上所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤D所述Ag层的厚度为8～10nm，所述直流电源的溅射功率4～5KW。
如上所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤E中所述AZO层的厚度为50～65nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电的溅射功率50～65KW。
如上所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤F中所述Ag层的厚度为8～10nm，所述直流电源的溅射功率为4～5KW。
如上所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤G中所述AZO层的厚度为20～25nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率为20～25KW。
如上所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤H中所述ZnSnO3层的厚度为20～30nm，所述ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，交流电源溅射功率为50～75KW。
综上所述，本发明的有益效果：
本发明工艺方法简单，操作方便，生产成本相对较低。膜层结构最少，阴极使用量少；节约成本；高透过率，双银透过率达80%左右，
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明做进一步描述：
实施例1
一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；所述Bi2O3层的厚度为10nm，所述氩气与氧气的体积比为1：2，即氩气与氧气的体积流量比为500sccm：1000sccm，所述直流电源溅的溅射功率为15KW。
B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；所述Nb2O5层的厚度为20nm，氩气与氮气的体积比为1：3，即氩气与氮气的体积流量比为300sccm：900sccm，溅射压力2.5*10－3mbar,溅射功率30KW。
C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的Nb2O5层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为20nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，交流电源的溅射功率20KW。
D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为8nm，所述直流电源的溅射功率4KW。
E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为50nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电的溅射功率50KW。
F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤E中的AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为8nm，所述直流电源的溅射功率为4KW。
G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Ag层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为20nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率为20KW。
H、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤G中的AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。所述ZnSnO3层的厚度为20nm，所述ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，交流电源溅射功率为50～75KW。
实施例2
一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；所述Bi2O3层的厚度为12nm，所述氩气与氧气的体积比为1：2，即氩气与氧气的体积流量比为500sccm：1000sccm，所述直流电源溅的溅射功率为18KW。
B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；所述Nb2O5层的厚度为25nm，氩气与氮气的体积比为1：3，即氩气与氮气的体积流量比为300sccm：900sccm，溅射压力2.5*10－3mbar,溅射功率35KW。
C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的Nb2O5层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为23nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，交流电源的溅射功率23KW。
D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为9nm，所述直流电源的溅射功率4.5KW。
E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为60nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电的溅射功率55KW。
F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤E中的AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为9nm，所述直流电源的溅射功率为4.5KW。
G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Ag层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为23nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率为23KW。
H、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤G中的AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。所述ZnSnO3层的厚度为25nm，所述ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，交流电源溅射功率为66KW。
实施例3
一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；所述Bi2O3层的厚度为15nm，所述氩气与氧气的体积比为1：2，即氩气与氧气的体积流量比为500sccm：1000sccm，所述直流电源溅的溅射功率为20KW。
B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；所述Nb2O5层的厚度为30nm，氩气与氮气的体积比为1：3，即氩气与氮气的体积流量比为300sccm：900sccm，溅射压力2.5*10－3mbar,溅射功率45KW。
C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的Nb2O5层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为25nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，交流电源的溅射功率25KW。
D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为10nm，所述直流电源的溅射功率5KW。
E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为65nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电的溅射功率65KW。
F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤E中的AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为10nm，所述直流电源的溅射功率为5KW。
G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Ag层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为20～25nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率为20～25KW。
H、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤G中的AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。所述ZnSnO3层的厚度为20～30nm，所述ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，交流电源溅射功率为50～75KW。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (9)
1.一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；
B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；
C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的Nb2O5层上磁控溅射AZO层；
D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZO层上磁控溅射Ag层；
E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射AZO层；
F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤E中的AZO层上磁控溅射Ag层；
G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Ag层上磁控溅射AZO层；
H、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤G中的AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。
2.根据权利要求1所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述Bi2O3层的厚度为10～15nm，所述氩气与氧气的体积比为1：2，所述直流电源溅的溅射功率为15～20KW。
3.根据权利要求1所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述Nb2O5层的厚度为20～30nm，氩气与氮气的体积比为1：3，溅射压力2.5*10－3mbar,溅射功率30～45KW。
4.根据权利要求1所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤C中所述AZO层的厚度为20～25nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，交流电源的溅射功率20～25KW。
5.根据权利要求1所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤D所述Ag层的厚度为8～10nm，所述直流电源的溅射功率4～5KW。
6.根据权利要求1所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤E中所述AZO层的厚度为50～65nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电的溅射功率50～65KW。
7.根据权利要求1所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤F中所述Ag层的厚度为8～10nm，所述直流电源的溅射功率为4～5KW。
8.根据权利要求1所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤G中所述AZO层的厚度为20～25nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率为20～25KW。
9.根据权利要求1所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤H中所述ZnSnO3层的厚度为20～30nm，所述ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，交流电源溅射功率为50～75KW。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310567790.7A CN103641333B (zh) | 2013-11-14 | 2013-11-14 | 一种超高透高性能低辐射膜的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310567790.7A CN103641333B (zh) | 2013-11-14 | 2013-11-14 | 一种超高透高性能低辐射膜的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103641333A true CN103641333A (zh) | 2014-03-19 |
| CN103641333B CN103641333B (zh) | 2016-04-27 |
Family
ID=50246670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310567790.7A Active CN103641333B (zh) | 2013-11-14 | 2013-11-14 | 一种超高透高性能低辐射膜的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103641333B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104290404A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-01-21 | 中山市亨立达机械有限公司 | 一种特殊膜系的绿色双银low-e玻璃 |
| CN104993010A (zh) * | 2015-04-21 | 2015-10-21 | 上海大学 | AZO/Ag/AZO薄膜太阳能电池前电极的制备方法 |
| CN110582472A (zh) * | 2017-03-03 | 2019-12-17 | 佳殿玻璃有限公司 | 具有ir反射层和用于提高太阳能增益和可见光透射率的外覆层的涂覆制品 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101497500A (zh) * | 2009-03-06 | 2009-08-05 | 中国南玻集团股份有限公司 | 一种可后续加工的三银低辐射膜玻璃 |
| CN201802258U (zh) * | 2010-09-25 | 2011-04-20 | 信义玻璃(天津)有限公司 | 大巴汽车用镀膜钢化中空玻璃 |
| JP2011173764A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Central Glass Co Ltd | 低放射膜 |
| CN102372447A (zh) * | 2010-08-24 | 2012-03-14 | 中国南玻集团股份有限公司 | 含银低辐射玻璃及其制造方法 |
| CN102918434A (zh) * | 2010-05-25 | 2013-02-06 | 旭硝子欧洲玻璃公司 | 阳光控制门窗玻璃 |
| CN103264549A (zh) * | 2013-05-17 | 2013-08-28 | 中国南玻集团股份有限公司 | 正面和侧面反射色调一致的红外线屏蔽玻璃 |
-
2013
- 2013-11-14 CN CN201310567790.7A patent/CN103641333B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101497500A (zh) * | 2009-03-06 | 2009-08-05 | 中国南玻集团股份有限公司 | 一种可后续加工的三银低辐射膜玻璃 |
| JP2011173764A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Central Glass Co Ltd | 低放射膜 |
| CN102918434A (zh) * | 2010-05-25 | 2013-02-06 | 旭硝子欧洲玻璃公司 | 阳光控制门窗玻璃 |
| CN102372447A (zh) * | 2010-08-24 | 2012-03-14 | 中国南玻集团股份有限公司 | 含银低辐射玻璃及其制造方法 |
| CN201802258U (zh) * | 2010-09-25 | 2011-04-20 | 信义玻璃(天津)有限公司 | 大巴汽车用镀膜钢化中空玻璃 |
| CN103264549A (zh) * | 2013-05-17 | 2013-08-28 | 中国南玻集团股份有限公司 | 正面和侧面反射色调一致的红外线屏蔽玻璃 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104290404A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-01-21 | 中山市亨立达机械有限公司 | 一种特殊膜系的绿色双银low-e玻璃 |
| CN104993010A (zh) * | 2015-04-21 | 2015-10-21 | 上海大学 | AZO/Ag/AZO薄膜太阳能电池前电极的制备方法 |
| CN110582472A (zh) * | 2017-03-03 | 2019-12-17 | 佳殿玻璃有限公司 | 具有ir反射层和用于提高太阳能增益和可见光透射率的外覆层的涂覆制品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103641333B (zh) | 2016-04-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106186723B (zh) | 一种中透浅蓝色可弯钢三银低辐射镀膜玻璃及制备工艺 | |
| CN109305763A (zh) | 一种高透型单银低辐射镀膜玻璃 | |
| CN104230182A (zh) | 高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备方法 | |
| CN103614696B (zh) | 一种耐腐蚀薄膜的制备方法 | |
| CN103641333B (zh) | 一种超高透高性能低辐射膜的制备方法 | |
| CN105130209A (zh) | 一种高透低成本可调色低辐射节能玻璃及其制备方法 | |
| CN103741102B (zh) | 一种水晶灯挂件玻璃的制作方法 | |
| CN103993288A (zh) | 一种透明导电FTO/Ag/FTO复合薄膜的制备方法 | |
| CN103737999A (zh) | 一种具有红外反射功能的镀膜玻璃及其制备方法 | |
| CN103613286A (zh) | 一种金色薄膜的制备方法 | |
| CN103771726A (zh) | 一种低辐射玻璃的制作方法 | |
| CN103613285B (zh) | 一种低成本防辐射薄膜的制备方法 | |
| CN103879088A (zh) | 高性能双银低辐射玻璃及其制备方法 | |
| CN103641332A (zh) | 一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法 | |
| CN102951854A (zh) | 一种中性色双银复合结构低辐射镀膜玻璃及其制造工艺 | |
| CN103643208B (zh) | 一种高透薄膜的制备方法 | |
| CN203238177U (zh) | 一种可钢化三银低辐射镀膜玻璃 | |
| CN202344955U (zh) | 可钢化双银低辐射镀膜玻璃 | |
| CN113264691A (zh) | 一种高耐候性镀膜玻璃及其制备方法 | |
| CN103643209A (zh) | 一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法 | |
| CN203864111U (zh) | 一种新型低辐射玻璃 | |
| CN106116176A (zh) | 一种珊瑚色磁控溅射低辐射镀膜玻璃生产工艺 | |
| CN103879089A (zh) | 高性能三银低辐射玻璃及其制备方法 | |
| CN202145304U (zh) | 高透触摸屏玻璃及投射式电容触摸屏 | |
| CN103641331A (zh) | 一种防辐射薄膜的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Chen Luyu Inventor after: Yang Wenzhi Inventor after: Wu Xiang Inventor before: Chen Luyu |
|
| COR | Change of bibliographic data | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20201009 Address after: No.19, Guangming West Road, high tech Zone, Zaozhuang City, Shandong Province Patentee after: ZAOZHUANG KESHUN DIGITAL Co.,Ltd. Address before: 528400 No. 229, Pioneer Building, Torch Development Zone, Guangdong, Zhongshan Patentee before: ZHONGSHAN CITY CHUANGKE SCIENTIFIC RESEARCH TECHNOLOGY SERVICE Co.,Ltd. |