CN103613286A - 一种金色薄膜的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种金色薄膜的制备方法,包括：A、直流电源溅射不锈钢平面靶，在玻璃基板上磁控溅射SSTOx层；B、直流电源溅射铬平面靶，在SSTOx层上磁控溅射CrNx层；C、直流电源溅射银平面靶，在CrNx层上磁控溅射Ag层；D、直流电源溅射硅平面靶，在Ag层上磁控溅射Si层；E、直流电源溅射NiCr合金，在Si层上磁控溅射NiCr层；F、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的金色薄膜的制备方法。

Description

一种金色薄膜的制备方法
技术领域
本发明涉及一种金色薄膜的制备方法。
背景技术
低辐射玻璃是指对红外辐射具有高反射率，对可见光具有良好透射率的平板镀膜玻璃。低辐射玻璃具有良好的透光、保温、隔热性能，广泛应用于窗户、炉门、冷藏柜门等地方。
目前市场上较常见的低辐射玻璃有单银低辐射玻璃、双银低辐射玻璃、热控低辐射玻璃及钛基低辐射玻璃等。现有的这四种低辐射玻璃在380～780纳米的可见光波长范围内透射率不够高，仅为50％左右；在红外辐射波长范围内透射率较高，尤其是在900～1100纳米的波长范围内透射率为10～20％之间。故此，现有的透明玻璃基材有待于进步完善。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的金色薄膜的制备方法。
为了达到上述目的，本发明采用以下方案：
一种金色薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤：
A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，氧气与氩气的体积比为1：2，直流电源溅射不锈钢平面靶，在玻璃基板上磁控溅射SSTOx层；
B、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤A中SSTOx层上磁控溅射CrNx层；
C、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤B中的CrNx层上磁控溅射Ag层；
D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射硅平面靶，在步骤C中Ag层上磁控溅射Si层；
E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射NiCr合金，在步骤D中的Si层上磁控溅射NiCr层；
F、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。
如上所述的一种金色薄膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述SSTOx层的厚度为30～45nm，所述氩气与氧气的体积比为1:2，所述直流电源的溅射功率为75～115KW分两个阴极溅射。
如上所述的一种金色薄膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述CrNx层的厚度为3～5nm，所述氩气与氮气的体积比为1:2，所述直流电源的溅射功率3～6KW。
如上所述的一种金色薄膜的制备方法，其特征在于步骤C中所述Ag层的厚度为8～10nm，所述的直流电源的溅射功率4～5KW。
如上所述的一种金色薄膜的制备方法，其特征在于步骤D所述Si层的厚度为10～20nm，所述直流电源的溅射功率3～6KW。
如上所述的一种金色薄膜的制备方法，其特征在于步骤E中所述NiCr层的厚度为3～5nm，其中NiCr合金中Ni与Cr的摩尔比为21:79，所述直流电源的溅射功率3～5KW。
如上所述的一种金色薄膜的制备方法，其特征在于步骤F中所述ZnSnO3层的厚度为20～30nm，所述ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，所述交流电源的溅射功率为50～75KW。
综上所述，本发明的有益效果：
本发明工艺方法简单，操作方便，生产成本相对较低。本发明产品具有24K金色，颜色鲜艳，有用Au制备的金色纯度，透光率T≥40%，R≥30%。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明做进一步描述：
实施例1
本发明一种金色薄膜的制备方法，包括以下步骤：
A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，氧气与氩气的体积比为1：2，即氧气：氩气=500sccm：1000sccm，直流电源溅射不锈钢平面靶，在玻璃基板上磁控溅射SSTOx层；所述SSTOx层的厚度为30nm，所述氩气与氧气的体积比为1:2，所述直流电源的溅射功率为75KW分两个阴极溅射。
B、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，氮气与氩气的体积比为1：2，即氧气：氩气=500SCCM：1000SCCM，直流电源溅射铬平面靶，在步骤A中SSTOx层上磁控溅射CrNx层；所述CrNx层的厚度为3nm，所述氩气与氮气的体积比为1:2，所述直流电源的溅射功率3KW。
C、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为1000sccm，直流电源溅射银平面靶，在步骤B中的CrNx层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为8nm，所述的直流电源的溅射功率5KW。
D、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为1000sccm，直流电源溅射硅平面靶，在步骤C中Ag层上磁控溅射Si层；所述Si层的厚度为10nm，所述直流电源的溅射功率3KW。
E、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为1000sccm，直流电源溅射NiCr合金，在步骤D中的Si层上磁控溅射NiCr层；所述NiCr层的厚度为3nm，其中NiCr合金中Ni与Cr的摩尔比为21:79，所述直流电源的溅射功率3KW。
F、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，氧气与氩气的体积比为1：2，即氧气：氩气=500SCCM：1000SCCM，，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。所述ZnSnO3层的厚度为20nm，所述ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，所述交流电源的溅射功率为50KW。
实施例2
本发明一种金色薄膜的制备方法，包括以下步骤：
A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，氧气与氩气的体积比为1：2，即氧气：氩气=500SCCM：1000SCCM，直流电源溅射不锈钢平面靶，在玻璃基板上磁控溅射SSTOx层；所述SSTOx层的厚度为35nm，所述氩气与氧气的体积比为1:2，所述直流电源的溅射功率为115KW分两个阴极溅射。
B、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，氮气与氩气的体积比为1：2，即氧气：氩气=500SCCM：1000SCCM，直流电源溅射铬平面靶，在步骤A中SSTOx层上磁控溅射CrNx层；所述CrNx层的厚度为3nm，所述氩气与氮气的体积比为1:2，所述直流电源的溅射功率3KW。
C、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为1000sccm，直流电源溅射银平面靶，在步骤B中的CrNx层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为8nm，所述的直流电源的溅射功率4KW。
D、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为1000sccm，直流电源溅射硅平面靶，在步骤C中Ag层上磁控溅射Si层；所述Si层的厚度为10nm，所述直流电源的溅射功率3KW。
E、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为1000sccm，直流电源溅射NiCr合金，在步骤D中的Si层上磁控溅射NiCr层；所述NiCr层的厚度为3nm，其中NiCr合金中Ni与Cr的摩尔比为21:79，所述直流电源的溅射功率3KW。
F、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，氧气与氩气的体积比为1：2，即氧气：氩气=500SCCM：1000SCCM，，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。所述ZnSnO3层的厚度为20nm，所述ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，所述交流电源的溅射功率为50KW。
实施例3
本发明一种金色薄膜的制备方法，包括以下步骤：
A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，氧气与氩气的体积比为1：2，即氧气：氩气=500SCCM：1000SCCM，直流电源溅射不锈钢平面靶，在玻璃基板上磁控溅射SSTOx层；所述SSTOx层的厚度为45nm，所述氩气与氧气的体积比为1:2，所述直流电源的溅射功率为115KW分两个阴极溅射。
B、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，氮气与氩气的体积比为1：2，即氧气：氩气=500SCCM：1000SCCM，直流电源溅射铬平面靶，在步骤A中SSTOx层上磁控溅射CrNx层；所述CrNx层的厚度为4nm，所述氩气与氮气的体积比为1:2，所述直流电源的溅射功率5KW。
C、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为1000sccm，直流电源溅射银平面靶，在步骤B中的CrNx层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为10nm，所述的直流电源的溅射功率4.5KW。
D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射硅平面靶，在步骤C中Ag层上磁控溅射Si层；所述Si层的厚度为15nm，所述直流电源的溅射功率4KW。
E、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为1000sccm，直流电源溅射NiCr合金，在步骤D中的Si层上磁控溅射NiCr层；所述NiCr层的厚度为4nm，其中NiCr合金中Ni与Cr的摩尔比为21:79，所述直流电源的溅射功率4KW。
F、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，氧气与氩气的体积比为1：2，即氧气：氩气=500SCCM：1000SCCM，，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。所述ZnSnO3层的厚度为25nm，所述ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，所述交流电源的溅射功率为60KW。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (7)

1.一种金色薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤：
A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射不锈钢平面靶，在玻璃基板上磁控溅射SSTOx层；
B、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤A中SSTOx层上磁控溅射CrNx层；
C、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤B中的CrNx层上磁控溅射Ag层；
D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射硅平面靶，在步骤C中Ag层上磁控溅射Si层；
E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射NiCr合金，在步骤D中的Si层上磁控溅射NiCr层；
F、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。
2.根据权利要求1所述的一种金色薄膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述SSTOx层的厚度为30～45nm，所述氩气与氧气的体积比为1:2，所述直流电源的溅射功率为75～115KW分两个阴极溅射。
3.根据权利要求1所述的一种金色薄膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述CrNx层的厚度为3～5nm，所述氩气与氮气的体积比为1:2，所述直流电源的溅射功率3～6KW。
4.根据权利要求1所述的一种金色薄膜的制备方法，其特征在于步骤C中所述Ag层的厚度为8～10nm，所述的直流电源的溅射功率4～5KW。
5.根据权利要求1所述的一种金色薄膜的制备方法，其特征在于步骤D所述Si层的厚度为10～20nm，所述直流电源的溅射功率3～6KW。
6.根据权利要求1所述的一种金色薄膜的制备方法，其特征在于步骤E中所述NiCr层的厚度为3～5nm，其中NiCr合金中Ni与Cr的摩尔比为21:79，所述直流电源的溅射功率3～5KW。
7.根据权利要求1所述的一种金色薄膜的制备方法，其特征在于步骤F中所述ZnSnO3层的厚度为20～30nm，所述ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，所述交流电源的溅射功率为50～75KW。
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