CN103613287A - 一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法 - Google Patents

一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，包括：A、交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；B、直流电源溅射不锈钢平面靶，在Si3N4层上磁控溅射SSTOx层；C、直流电源溅射铬平面靶，在SSTOx层上磁控溅射CrNx层；D、直流电源溅射银平面靶，在CrNx层上磁控溅射Ag层；E、直流电源溅射铜平面靶，在Ag层上磁控溅射Si层；F、直流电源溅射NiCr合金平面靶，在Si层上磁控溅射NiCr层；G、交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层；H、交流电源溅射硅铝旋转靶，在ZnSnO3层上磁控溅射Si3N4层。本发明的目的提供一种工艺简单，生产成本相对较低的可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法。

Description

一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法
技术领域
本发明涉及一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法。
背景技术
低辐射玻璃是指对红外辐射具有高反射率，对可见光具有良好透射率的平板镀膜玻璃。低辐射玻璃具有良好的透光、保温、隔热性能，广泛应用于窗户、炉门、冷藏柜门等地方。
目前市场上较常见的低辐射玻璃有单银低辐射玻璃、双银低辐射玻璃、热控低辐射玻璃及钛基低辐射玻璃等。现有的这四种低辐射玻璃在380～780纳米的可见光波长范围内透射率不够高，仅为50％左右；在红外辐射波长范围内透射率较高，尤其是在900～1100纳米的波长范围内透射率为10～20％之间。故此，现有的透明玻璃基材有待于进步完善。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法。
为了达到上述目的，本发明采用以下方案：
一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
A、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；
B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射不锈钢平面靶，在步骤A中Si3N4层上磁控溅射SSTOx层；
C、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤B中的SSTOx层上磁控溅射CrNx层；
D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中CrNx层上磁控溅射Ag层；
E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射Si层；
F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射NiCr合金平面靶，在步骤E中的Si层上磁控溅射NiCr层；
G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤F中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层；
H、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在步骤G中的ZnSnO3层上磁控溅射Si3N4层。
如上所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述Si3N4层的厚度为20～25nm，硅铝旋转靶中Si与Al的摩尔比为92:8，所述氩气与氮气的体积比为5：6，所述交流电源的溅射功率为100～125KW，需用两个阴极溅射，每个阴极50～65KW。
如上所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述SSTOx层的厚度为30～45nm，氩气与氧气的体积比为1：2，溅射功率为75～115KW，分两个阴极溅射。
如上所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤C中所述CrNx层的厚度为3～5nm，氩气与氮气的体积比为1:2，直流电源溅射功率3～6KW。
如上所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤D所述Ag层的厚度为8～10nm，所述直流电源的溅射功率4～5KW。
如上所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤E中所述Si层的厚度为10～20nm，所述直流电的溅射功率3～6KW。
如上所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤F中所述NiCr层的厚度为3～5nm，NiCr合金平面靶中Ni与Cr的摩尔比为21:79，所述直流电源的溅射功率为3～5KW。
如上所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤G中所述ZnSnO3层的厚度为10～20nm，ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，氩气与氧气的体积比为1:2，所述交流电源的溅射功率为30～45KW。
如上所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤H中所述Si3N4层的厚度为30～35nm，所述硅铝旋转靶中Si与Al的摩尔比92:8，氩气与氮气的体积比为5:6,交流电源溅射功率为150～165KW，需用两个阴极溅射，每个阴极75～85KW。
综上所述，本发明的有益效果：
本发明工艺方法简单，操作方便，生产成本相对较低。24K金色，颜色鲜艳，有用Au制备的金色纯度；T≥40%可进行高温热处理，也就是钢化工艺。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明做进一步描述：
实施例1
本发明一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，包括以下步骤：
A、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；所述Si3N4层的厚度为20nm，硅铝旋转靶中Si与Al的摩尔比为92:8，所述氩气与氮气的体积比为5：6，即氩气与氮气的体积流量比为500scm:600sccm所述交流电源的溅射功率为100KW，需用两个阴极溅射，每个阴极50KW。
B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射不锈钢平面靶，在步骤A中Si3N4层上磁控溅射SSTOx层；所述SSTOx层的厚度为30nm，氩气与氧气的体积比为1：2，即氩气与氧气的体积流量比为500sccm:1000sccm，溅射功率为75KW，分两个阴极溅射。
C、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤B中的SSTOx层上磁控溅射CrNx层；所述CrNx层的厚度为3nm，氩气与氮气的体积比为1:2，直流电源溅射功率3KW。
D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中CrNx层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为8nm，所述直流电源的溅射功率4KW。
E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射Si层；所述Si层的厚度为10nm，所述直流电的溅射功率3KW。
F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射NiCr合金平面靶，在步骤E中的Si层上磁控溅射NiCr层；所述NiCr层的厚度为3～5nm，NiCr合金平面靶中Ni与Cr的摩尔比为21:79，所述直流电源的溅射功率为3KW。
G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤F中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层；所述ZnSnO3层的厚度为10nm，ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，氩气与氧气的体积比为1:2，即氩气与氧气的体积流量比为500sccm:1000sccm,所述交流电源的溅射功率为30KW。
H、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在步骤G中的ZnSnO3层上磁控溅射Si3N4层。所述Si3N4层的厚度为30nm，所述硅铝旋转靶中Si与Al的摩尔比92:8，氩气与氮气的体积比为5:6，即氩气与氮气的体积流量比为500sccm:600sccm，，交流电源溅射功率为150KW，需用两个阴极溅射，每个阴极75KW。
实施例2
本发明一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，包括以下步骤：
A、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；所述Si3N4层的厚度为22nm，硅铝旋转靶中Si与Al的摩尔比为92:8，所述氩气与氮气的体积比为5：6，即氩气与氮气的体积流量比为500scm:600sccm所述交流电源的溅射功率为110KW，需用两个阴极溅射，每个阴极60KW。
B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射不锈钢平面靶，在步骤A中Si3N4层上磁控溅射SSTOx层；所述SSTOx层的厚度为40nm，氩气与氧气的体积比为1：2，即氩气与氧气的体积流量比为500sccm:1000sccm，溅射功率为90KW，分两个阴极溅射。
C、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤B中的SSTOx层上磁控溅射CrNx层；所述CrNx层的厚度为4nm，氩气与氮气的体积比为1:2，直流电源溅射功率5KW。
D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中CrNx层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为9nm，所述直流电源的溅射功率4.5KW。
E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射Si层；所述Si层的厚度为15nm，所述直流电的溅射功率4KW。
F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射NiCr合金平面靶，在步骤E中的Si层上磁控溅射NiCr层；所述NiCr层的厚度为4nm，NiCr合金平面靶中Ni与Cr的摩尔比为21:79，所述直流电源的溅射功率为4KW。
G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤F中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层；所述ZnSnO3层的厚度为10～20nm，ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，氩气与氧气的体积比为1:2，即氩气与氧气的体积流量比为500sccm:1000sccm,所述交流电源的溅射功率为35KW。
H、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在步骤G中的ZnSnO3层上磁控溅射Si3N4层。所述Si3N4层的厚度为32nm，所述硅铝旋转靶中Si与Al的摩尔比92:8，氩气与氮气的体积比为5:6，即氩气与氮气的体积流量比为500sccm:600sccm，，交流电源溅射功率为155KW，需用两个阴极溅射，每个阴极80KW。
实施例3
本发明一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，包括以下步骤：
A、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；所述Si3N4层的厚度为25nm，硅铝旋转靶中Si与Al的摩尔比为92:8，所述氩气与氮气的体积比为5：6，即氩气与氮气的体积流量比为500scm:600sccm所述交流电源的溅射功率为125KW，需用两个阴极溅射，每个阴极65KW。
B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射不锈钢平面靶，在步骤A中Si3N4层上磁控溅射SSTOx层；所述SSTOx层的厚度为45nm，氩气与氧气的体积比为1：2，即氩气与氧气的体积流量比为500sccm:1000sccm，溅射功率为115KW，分两个阴极溅射。
C、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤B中的SSTOx层上磁控溅射CrNx层；所述CrNx层的厚度为5nm，氩气与氮气的体积比为1:2，直流电源溅射功率6KW。
D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中CrNx层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为10nm，所述直流电源的溅射功率5KW。
E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射Si层；所述Si层的厚度为20nm，所述直流电的溅射功率6KW。
F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射NiCr合金平面靶，在步骤E中的Si层上磁控溅射NiCr层；所述NiCr层的厚度为5nm，NiCr合金平面靶中Ni与Cr的摩尔比为21:79，所述直流电源的溅射功率为5KW。
G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤F中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层；所述ZnSnO3层的厚度为20nm，ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，氩气与氧气的体积比为1:2，即氩气与氧气的体积流量比为500sccm:1000sccm,所述交流电源的溅射功率为45KW。
H、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在步骤G中的ZnSnO3层上磁控溅射Si3N4层。所述Si3N4层的厚度为30～35nm，所述硅铝旋转靶中Si与Al的摩尔比92:8，氩气与氮气的体积比为5:6，即氩气与氮气的体积流量比为500sccm:600sccm，，交流电源溅射功率为165KW，需用两个阴极溅射，每个阴极85KW。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (9)

1.一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
A、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；
B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射不锈钢平面靶，在步骤A中Si3N4层上磁控溅射SSTOx层；
C、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤B中的SSTOx层上磁控溅射CrNx层；
D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中CrNx层上磁控溅射Ag层；
E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射Si层；
F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射NiCr合金平面靶，在步骤E中的Si层上磁控溅射NiCr层；
G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤F中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层；
H、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在步骤G中的ZnSnO3层上磁控溅射Si3N4层。
2.根据权利要求1所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述Si3N4层的厚度为20～25nm，硅铝旋转靶中Si与Al的摩尔比为92:8，所述氩气与氮气的体积比为5：6，所述交流电源的溅射功率为100～125KW，需用两个阴极溅射，每个阴极50～65KW。
3.根据权利要求1所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述SSTOx层的厚度为30～45nm，氩气与氧气的体积比为1：2，溅射功率为75～115KW，分两个阴极溅射。
4.根据权利要求1所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤C中所述CrNx层的厚度为3～5nm，氩气与氮气的体积比为1:2，直流电源溅射功率3～6KW。
5.根据权利要求1所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤D所述Ag层的厚度为8～10nm，所述直流电源的溅射功率4～5KW。
6.根据权利要求1所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤E中所述Si层的厚度为10～20nm，所述直流电的溅射功率3～6KW。
7.根据权利要求1所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤F中所述NiCr层的厚度为3～5nm，NiCr合金平面靶中Ni与Cr的摩尔比为21:79，所述直流电源的溅射功率为3～5KW。
8.根据权利要求1所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤G中所述ZnSnO3层的厚度为10～20nm，ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，氩气与氧气的体积比为1:2，所述交流电源的溅射功率为30～45KW。
9.根据权利要求1所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤H中所述Si3N4层的厚度为30～35nm，所述硅铝旋转靶中Si与Al的摩尔比92:8，氩气与氮气的体积比为5:6,交流电源溅射功率为150～165KW，需用两个阴极溅射，每个阴极75～85KW。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105271822A (zh) * 2015-10-24 2016-01-27 揭阳市宏光镀膜玻璃有限公司 可钢化的金色单银low-e玻璃及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN85109342A (zh) * 1984-10-29 1986-10-08 Ppg工业公司 金属合金氧化物的溅射薄膜
CN101186449A (zh) * 2007-12-07 2008-05-28 宋秀宁 一种多膜系镀膜玻璃及其制备方法
CN101510038A (zh) * 2009-03-16 2009-08-19 浙江大学 一种全固态电致变色器件的制备方法
CN101717202A (zh) * 2009-11-24 2010-06-02 江苏秀强玻璃工艺股份有限公司 一种含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃及其制备方法
JP2010248606A (ja) * 2009-03-24 2010-11-04 Central Glass Co Ltd 薄膜積層体の作製方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN85109342A (zh) * 1984-10-29 1986-10-08 Ppg工业公司 金属合金氧化物的溅射薄膜
CN101186449A (zh) * 2007-12-07 2008-05-28 宋秀宁 一种多膜系镀膜玻璃及其制备方法
CN101510038A (zh) * 2009-03-16 2009-08-19 浙江大学 一种全固态电致变色器件的制备方法
JP2010248606A (ja) * 2009-03-24 2010-11-04 Central Glass Co Ltd 薄膜積層体の作製方法
CN101717202A (zh) * 2009-11-24 2010-06-02 江苏秀强玻璃工艺股份有限公司 一种含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105271822A (zh) * 2015-10-24 2016-01-27 揭阳市宏光镀膜玻璃有限公司 可钢化的金色单银low-e玻璃及其制备方法

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