CN103219470B - 显示装置、制造方法及电子设备 - Google Patents

Abstract

公开了一种显示装置、制造方法及电子设备。所述显示装置包括：具有介于上部电极与下部电极之间的、包括发光层的有机层的显示区；被形成用于覆盖所述显示区的、由氮化硅构成的保护膜；以及被形成在所述保护膜上的树脂层；其中，所述树脂层的折射率是1.5～1.6，所述保护膜在450nm的波长时具有介于1.65与1.75之间的折射率，以及保护膜通过使用了氨气的化学气相沉积法形成，并利用硅烷与氨气的比率为1:2以上的流速比率而得到。

Description

显示装置、制造方法及电子设备

相关申请的交叉引用

本申请是向国家知识产权局提交的申请日为2009年2月27日、申请号为：200910118337.1、名称为“显示装置及电子设备”的专利申请的分案申请。本申请包含与2008年3月3日在日本专利局递交的日本专利申请JP 2008-052136相关的主题，该日本专利申请的全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及带有具有适合于使产生的光谐振的谐振结构的显示区的显示装置，更具体地，涉及使用有机电致发光元件的具有高的光取出效率的顶部发光显示装置以及该顶部发光显示装置的制造方法和使用该顶部发光显示装置的电子设备。

背景技术

目前有机电场发光元件正在引起关注。这些元件在其阳极和阴极之间具有有机层。该有机层包括逐一堆叠的有机空穴传输层和有机发光层。另一方面，这些元件具有包括由于吸湿性而导致的、以减小的发光照度和不稳定的发光为代表的长期稳定性低的缺点。因此，在使用有机电场发光元件的显示装置中，用保护膜覆盖所述元件以防止水分接触它们。

因此，根据此观点，使用例如氮化氧化硅膜(silicon oxide nitride film)或氮化硅膜来作为适合于覆盖有机电场发光元件的保护膜。氮化氧化硅膜折射率低且透射率高，这是非常有利的装置特性。但是，该膜耐湿性差。因此，必须将该膜形成得相当厚。然而，形成厚的膜导致了增大的内应力，从而使得该膜剥离阴极电极或在该膜中产生微裂纹。这导致了矛盾，即，有机电场发光元件的特性和耐湿性的降低。

另一方面，对于氮化硅而言，已经提出了等离子体CVD(化学气相沉积)方法，其中只使用硅烷和氮气作为源气，而不使用氨气。由此形成 的由氮化硅膜形成的保护膜无裂纹并且不会剥离，因此确保了有机电场发光元件的稳定操作(例如，参照日本专利公开2000-223264)。

对于使用硅烷的膜形成方法而言，氮气和氢气是源气，另一方面，已经提出了三层的结构，以提供保护膜中的减少的残余应力并由此防止膜剥离。可以通过改变氮气浓度以控制膜厚度来形成包括介于低密度氮化硅膜之间的高密度氮化硅膜的三层结构(例如，参照日本专利公开2004-63304)。但是，这些方法导致了保护膜的降低的透射率。特别是对于蓝光波长(约450nm)而言，这导致了严重降低的透射率，由此导致了降低的色彩再现性。为此，已经提出了另一方法，其中使用氨气来形成具有改善的透射率和优良的覆盖的膜(例如，参照日本专利公开2007-184251，在下文中称为专利文献3)。

发明内容

然而，专利文献3中公开的方法尽管提供了保护膜的优良的耐湿性，但却导致了高折射率(例如1.85至1.91)。因此，在与上覆的树脂层之间的界面上发生反射。如果膜厚度减小，则由于保护膜的膜厚度分布，该反射连同薄膜干涉一起导致了跨表面取出的光的色度和照度的偏差。这使得不可能保证足够的处理容限。因此，必须增大膜厚度以产生多重干涉，以消除由于膜厚度分布导致的色度偏差。另一方面，增大膜厚度需承担增大的生产节拍时间(tact time)和成本。此外，与减小膜厚度相比，增大膜厚度导致了保护膜的更低的透射率。特别地，针对蓝光波长(约450nm)的透射率将会严重降低，由此导致了降低的色彩再现性。

本实施例为一种显示装置，其包括：具有介于上部电极与下部电极之间的、包括发光层的有机层的显示区，形成用以覆盖该显示区的、由氮化硅构成的保护膜，在保护膜上形成的树脂层。树脂层的折射率是1.5～1.6，保护膜在450nm的波长时具有介于1.65与1.75之间的折射率，以及保护膜通过使用了氨气的化学气相沉积法形成，并利用硅烷与氨气的比率为1:2以上的流速比率而得到。本实施例还涉及一种该显示装置的制造方法。本实施例还涉及一种电子设备，该电子设备在其主体壳体内具有所述显示装置。

特别地，在本实施例中使用的保护膜是使用硅烷、氨气和氮气通过化学气相沉积形成的。该膜包括逐一堆叠的低折射率氮化硅膜。该保护膜在厚度上介于100nm与1μm之间。因此，在该保护膜中几乎不存在应力。

因此，使得该保护膜的折射率更接近于树脂层的折射率，从而即使该保护膜被减小厚度也能提供较长的干涉波长。这消除了由于膜厚度分布而导致的、跨表面取出的光的色移。

例如，如果通过调整等离子体CVD参数而将用作保护膜的氮化硅膜的折射率降低到低于正常水平（在450nm的波长时的1.65至1.75的折射率）的水平，则即使对于较薄的膜而言干涉波长也将更长。这消除了由于膜厚度分布而导致的、跨表面取出的光的色移，由此提供了足够的处理容限。此外，膜厚度的减小有助于改善透射率和减少生产节拍时间和成本。此外，具有优良的覆盖且具有降低的折射率的膜的形成有助于改善密封可靠性。此外，由于膜厚度的减小，膜的内应力接近于零，从而提供了改善的装置特性。

这里，通过下面的公式来给出树脂层与保护膜（氮化硅膜）之间的反射率R，其中n1是氮化硅膜的折射率，n2是树脂层的折射率：

$R={(n1-n2)}^2/{(n1+n2)}^2.$

因此，n1越小，界面反射率越小，干涉波形的振幅也就越小。

本发明提供了以下有益效果。即，本发明提供了具有较低的折射率的、较薄的保护膜，由此由于跨表面的较小的色度分布和照度分布而确保了与树脂层之间的较弱的干涉。这确保了改善的透射率和减少的、由跨表面的变化而导致的效率变化。此外，改善的效率有助于较长的生命期。此外，较薄的保护膜有助于较短的处理节拍时间。

附图说明

图1是用于描述根据本实施例的显示装置的结构的示意性剖视图；

图2是示出了针对波长的三种不同的保护膜的折射率的表；

图3是示出了这三种不同的保护膜的特性的图示；

图4A至4C是示出了由于膜厚度分布而导致的、红色、绿色和蓝色中的每种颜色的色度变化的图示；

图5是示出了对红色、绿色和蓝色的效率和变化的比较结果的表；

图6是示出了各种情况下的取决于操作时间的照度变化的图示；

图7是示出了各种情况下的半寿命的表；

图8是示出了以模块化形式的平板显示装置的示例的示意图；

图9是示出了本实施例所应用于的电视机的透视图；

图10A和10B是示出了本实施例所应用于的数字照相机的透视图；

图11是示出了本实施例所应用于的膝上型个人计算机的透视图；

图12是示出了本实施例所应用于的视频摄录机的透视图；

图13A至13G是示出了本实施例所应用于的诸如移动电话之类的个人数字助理的图示；

图14是示出了显示/成像装置的配置的框图；

图15是示出了I/O显示面板的配置示例的框图；以及

图16是用于描述每个像素与传感器读出水平驱动器之间的连接关系的电路图。

具体实施方式

下面将参照附图来描述本发明的优选实施例。

<显示装置的结构>

图1是用于描述根据本实施例的显示装置的结构的示意性剖视图。应当注意到，在本实施例中将包括顶部发光有机EL显示器的显示装置作为示例。

也就是说，该显示装置包括具有布置在由例如玻璃构成的绝缘基板（玻璃基板10）上的多个TFT（薄膜晶体管）的驱动基板。该显示装置还包括在驱动基板上形成的显示区20、以及被形成用于覆盖显示区20的保护膜17。该显示装置还包括在保护膜17上形成的树脂层18、以及将通过树脂层18附着的密封层19。密封层19包括例如玻璃基板。

在被设计用于显示彩色图像的显示装置中，根据预定顺序以矩阵形式来布置三个不同的显示区，作为在驱动基板上形成的显示区20，在所述三个显示区中，一个显示区适合于发出红光，另一显示区适合于发出绿光，又一显示区适合于发出蓝光。

在本实施例中，显示区20具有适合于使产生的光谐振的谐振结构。显示区20具有介于用作下部电极的第一电极（例如阳极15）与用作上部电极的第二电极（例如阴极16）之间的有机层。该有机层包括发光层23。发光层23产生的光被在第一电极与第二电极之间谐振，并从第二电极侧 被取出。

可以以各种方式来配置包括在显示区20中的有机层。但是，在本实施例中，该有机层从阳极15侧起包括：空穴注入层21，空穴传输层22，发光层23，以及电子传输层24。空穴注入层21将来自阳极15的空穴注入有机层23中。空穴传输层22将从空穴注入层21注入的空穴有效地传输至发光层23。发光层23通过电流的注入而产生光。电子传输层24将来自阴极16的电子注入发光层23中。

显示区20的保护膜17由氮化硅构成，并被附着到显示区20以覆盖该显示区20。在本实施例中，保护膜17包括单个氮化硅层，该氮化硅层被形成为在450nm的波长时具有介于1.65与1.75之间的折射率。这使得保护膜17的折射率接近于上覆的树脂层18的折射率（1.5至1.6）。即使保护膜在厚度上减小，这也能提供较长的干涉波长，由此消除了由于膜厚度分布而导致的、跨表面取出的光的色移。特别地，在本实施例中，保护膜17与树脂膜18之间的折射率差在450nm的波长时为0.3或更小（优选地为0.2）。这提供了改善的对色移的抑制。

这里，通过以下公式来给出保护膜17与上覆的树脂层18之间的界面的反射率R，其中n1是用作保护膜17的氮化硅膜的折射率，n2是树脂层的折射率：

$R={(n1-n2)}^2/{(n1+n2)}^2.$

因此，n1越小，界面反射率就越小，干涉波形的振幅也就越小。

可以通过调整用于形成保护膜17的等离子体CVD参数来调整保护膜17的折射率。该膜17的厚度介于100nm与1μm之间。由于膜厚度的减小，因此该膜的内应力近似为零。这抑制了对显示区20的影响，由此提供了改善的发光特性。

<显示装置的制造处理>

接下来将按照处理顺序给出对根据本实施例的显示装置的制造方法的描述。首先，在由诸如玻璃之类的绝缘材料构成的基板（玻璃基板10）上形成TFT阵列。该TFT阵列包括布置在其中的多个TFT。

第一绝缘膜11被施加并被形成在其上形成有TFT阵列的玻璃基板10上。第一绝缘膜11由正性光敏聚苯并恶唑构成，并且例如通过旋涂来施加。该膜11用作适合于使在玻璃基板10的表面上产生的不均匀部分平坦化的平坦化膜。尽管在本实施例中使用聚苯并恶唑，但是也可以使用诸 如正性光敏聚酰亚胺之类的其它绝缘材料。

然后，第一绝缘膜11被暴露于光中，并被显影以在该膜11中形成接触孔。所述接触孔用于与所述TFT相连接。接下来，在该情况下，将玻璃基板10在诸如N2之类的惰性气体环境中烘烤，以使聚苯并恶唑硬化以及从绝缘膜11中去除湿气和其它物质。

接下来，在第一绝缘膜11上以填充接触孔的方式形成导电材料层。该导电材料层包括按以下顺序从玻璃基板表面侧起堆叠的氧化铟锡（ITO）膜、银（Ag）合金膜以及另一ITO膜。对于从玻璃基板10一侧起的ITO膜、银合金膜和ITO膜而言，构成导电材料层的所述膜的厚度分别为例如约30nm、约100nm和约10nm。这里，银合金膜用作在后续处理中通过对导电材料层进行图案化而形成的下部电极（阳极15）的反射层。

接下来，使用通过通常的光刻技术形成的光致抗蚀图作为掩膜，来蚀刻导电材料层。这允许在像素区中将下部电极（阳极15）布置在第一绝缘膜11上。每个下部电极（阳极15）与像素之一相关联，并经由接触孔而连接到TFT之一。同时，在像素区之外的周围区域中在第一绝缘膜11上形成导电膜。以具有约3mm的宽度的像框的形状在像素区周围形成该导电膜。该膜连接到驱动电路。

这里，导电膜用作辅助线路，并将连接到在后续处理中将形成的上部电极以降低线路阻抗。这提供了改善的照度和跨表面的优良的照度分布。因此，优选地，该导电膜由具有优良电导率的材料构成并且是宽的。

接下来，第二绝缘膜12被施加并被形成在其上形成有下部电极（阳极15）和导电膜的第一绝缘膜11上。第二绝缘膜12由正性光敏聚苯并恶唑构成，并且例如通过再次旋涂来施加第二绝缘膜12。

然后，第二绝缘膜12被暴露于光中，被显影，并被硬化，以在像素区中形成用于形成像素、即有机EL元件的像素开口，由此暴露出周围区域中的下部电极（阳极15）表面和导电膜表面。尽管在本实施例中使用聚苯并恶唑，但是也可以使用诸如正性光敏聚酰亚胺之类的其它绝缘材料。

接下来，在该情况下，将玻璃基板10在诸如N2之类的惰性气体环境中烘烤，以使聚苯并恶唑硬化以及从第一绝缘膜11和第二绝缘膜12中去除湿气和其它物质。

然后，玻璃基板10被旋转清洗以去除微小异物，此后将玻璃基板10在真空环境中进行烘烤。然后，该基板10在真空环境中被传输至预处理室。在预处理室中，通过O2等离子体对基板10进行预处理，然后在真空环境中将该基板传输至用于有机层的真空沉积的下个处理。由于上述处理可以防止空气中的湿气和其它微粒被吸收到基板表面上，因此上述处理是优选的。

接下来，在像素开口中的下部电极（阳极15）上形成由相应颜色的有机EL元件（红色有机EL元件、绿色有机EL元件和蓝色有机EL元件）构成的有机层，即，红色有机层、绿色有机层和蓝色有机层。

在该情况下，例如在真空环境中将基板传输至适合于真空沉积蓝色有机层的室。真空沉积掩膜被定位在基板上。空穴注入层21、空穴传输层22、发光层23和电子传输层24依次被以覆盖像素开口的内壁的方式而沉积在像素开口中，由此形成了厚度达约200nm的蓝色有机层。下部电极被暴露在该开口的底面上。

接下来，在被保持在真空下的环境中，将基板传输至适合于真空沉积红色有机层的室。真空沉积掩膜被定位在基板上。然后，以与形成蓝色有机层相同的方式形成厚度达约150nm的红色有机层。

然后，在被保持在真空下的环境中，将基板传输至适合于真空沉积绿色有机层的室。真空沉积掩膜被定位在基板上。然后，以与形成蓝色有机层相同的方式形成厚度达约100nm的绿色有机层。

在如上文所述地形成相应的有机层之后，在被保持在真空下的环境中，将真空沉积掩膜定位在基板上。然后形成厚度达约1nm的由LiF构成的电子注入层（未示出），例如通过气相沉积在有机层、第二绝缘层12和导电膜上形成。

然后，在电子注入层上使用气相沉积掩膜通过真空气相沉积而形成厚度达约10nm的由例如半透明的镁银（MgAg）合金构成的上部电极（阴极16）。经由电子注入层将导电膜和上部电极（阴极16）连接在一起。

然后，使用硅烷、氨气和氮气通过CVD形成SiNx（氮化硅），这是本实施例的关键特征。以覆盖用作针对相应颜色中的每种颜色的显示区20的有机层和上部电极（阴极16）的方式来形成氮化硅。氮化硅用作保护膜17。

在形成保护膜17之后，树脂层18被施加并且不被暴露于空气中，以 形成用于密封目的的密封层19。密封层19包括玻璃基板。通过上述方法来制造具有全固体密封结构的有机发光元件。

<对保护膜的特性的比较>

这里，形成在日本专利公开2007-184251中公开的保护膜作为比较样本，以描述根据本实施例的保护膜。该膜在厚度上是5.3μm（情况1）。此外，形成厚度达1μm的在日本专利公开2007-184251中公开的保护膜的单层作为情况2（情况2）。该情况在寿命特性方面是优良的。

使用氨气通过CVD来形成根据本实施例的保护膜。按照硅烷与氨气之间的一比二或更高的流速比率，或者通过在保持所述流速不变的同时增大压力，来获得具有1.74的反射率n（450nm波长）以及86%的透射率（450nm波长）的所述膜。该膜在厚度上是0.5μm。对上述三种不同的膜进行比较。应当注意到，图2示出了这些保护膜的特性。

<比较示例1>

比较示例1示出了在由于膜厚度分布而导致的色移方面的比较结果。首先，图3示出了对上述三种膜的针对波长的折射率的测量结果。图4A至4C基于该结果示出了针对红色、绿色和蓝色中的每种颜色的、由于膜厚度分布而导致的色度变化。图4A示出了针对红色的色度变化，图4B示出了针对绿色的色度变化，图4C示出了针对蓝色的色度变化。在这些图示中的每个图示中，横轴表示膜厚度变化，纵轴表示色度u′v′上的偏差。

从这些图示中可以清楚地看出，尽管在情况1下干涉的影响由于进行了平均而不可见，但是在情况2下所述影响以特性改变的形式表现。对情况2与本实施例之间的比较使得显然可以看出：由于本实施例中的保护膜的更低的折射率，本实施例中的保护膜更不可能受到干涉的影响。

<比较示例2>

比较示例2示出了在由于折射率而导致的效率改善和变化（精度）方面的比较结果。图5示出了针对每种颜色在效率和变化方面的比较结果。针对红色、绿色和蓝色中的每种颜色，图5示出了折射率、膜厚度、此时的色度（x坐标和y坐标）、由于保护膜的膜厚度分布而导致的效率值、与情况2相比的效率差别、以及本实施例、情况1和情况2中的保护膜的效率变化（由于膜厚度分布而导致的效率分布）。

从情况1与情况2之间的比较可以清楚地看出，尽管这二者之间在折射率方面不存在大的差别，但是情况2提供了改善的效率。然而，由于情 况2中的更小的膜厚度，情况2在效率方面具有由于膜厚度变化而导致的更大的变化。另一方面，本实施例倾向于通过降低折射率在提供改善的效率的同时确保最小的变化。

<比较示例3>

比较示例3示出了在寿命改善方面的比较结果。图6示出了每种情况下的取决于操作时间的照度变化。作为通过照度匹配对寿命特性的研究的结果，由于本实施例的更小的膜厚度，本实施例在相同照度下提供了比情况1和2更高的效率。因此，可以清楚地看出，作为所有颜色中最受关注的颜色的蓝色的寿命被改善。此外，图7示出了通过找到加速常数而计算出的每种膜的寿命。在图7中示出了每种情况中的膜的半寿命。从该图示可以清楚地看出，本实施例中的保护膜提供了最长的寿命。

接下来将给出对根据本实施例的显示装置的应用示例的描述。

<电子设备>

根据本实施例的显示装置包括如图8所示的以模块化形式的平板显示装置。例如，像素阵列部件2002a被设于绝缘基板2002上。像素阵列部件2002a具有被集成并被以矩阵形式形成的像素。所述像素中的每个像素包括发光区、薄膜晶体管、光接收元件和其它组件。粘合剂2021被施加在像素阵列部件（像素矩阵部件）2002a周围，然后由玻璃或其它材料构成的对置的基板2006被附着上，以用作显示模块。该透明的对置基板2006在必要时可以具有滤色片、保护膜、光屏蔽膜等。适合于允许在外部设备与像素阵列部件2002a之间交换信号或其它信息的FPC（柔性印刷电路）2023可以被设于显示模块上作为连接器。

前述的根据本实施例的显示装置可应用为包括图9至13所示的数字照相机、膝上型个人计算机、诸如移动电话之类的个人数字助理以及视频摄录机在内的广泛范围的电子设备的显示器。这些设备被设计用于显示被馈给电子设备或在电子设备内部产生的视频信号的图像或视频。下面将描述本实施例所应用于的电子设备的示例。

图9是示出了本实施例所应用于的电视机的透视图。根据本应用示例的电视机包括由例如面板102、滤色玻璃103和其它部分构成的视频显示屏幕部件101。通过使用根据本实施例的显示装置作为视频显示屏幕部件101来制造该电视机。

图10A和10B是示出了本实施例所应用于的数字照相机的图示。图 10A是从正面看的该数字照相机的透视图，图10B是从背面看的该数字照相机的透视图。根据本应用示例的数字照相机包括闪光发射部件111、显示部件112、菜单开关113、快门按钮114和其它部分。通过使用根据本实施例的显示装置作为显示部件112来制造该数字照相机。

图11是示出了本实施例所应用于的膝上型个人计算机的透视图。根据本应用示例的膝上型个人计算机在主体121中包括：适合于被操作用于输入文本或其它信息的键盘122，适合于显示图像的显示部件123，以及其它部分。通过使用根据本实施例的显示装置作为显示部件123来制造该膝上型个人计算机。

图12是示出了本实施例所应用于的视频摄录机的透视图。根据本应用示例的视频摄录机包括主体部件131、设于正面侧表面上以捕获对象的图像的镜头132、成像启动/停止开关133、显示部件134以及其它部分。通过使用根据本实施例的显示装置作为显示部件134来制造该视频摄录机。

图13A至13G是示出了本实施例所应用于的诸如移动电话之类的个人数字助理的透视图。图13A是在打开状态的移动电话的正视图。图13B是该在打开状态的移动电话的侧视图。图13C是在闭合状态的该移动电话的正视图。图13D是左侧视图。图13E是右侧视图。图13F是俯视图。图13G是仰视图。根据本应用示例的移动电话包括上部壳体141、下部壳体142、连接部分（在本示例中是铰链部分）143、显示器144、子显示器145、画面灯（picture light）146、照相机147和其它部分。通过使用根据本实施例的显示装置作为显示器144和子显示器145来制造移动电话。

<显示/成像装置>

根据本实施例的显示装置可应用于下文所述的显示/成像装置。该显示/成像装置可应用于先前所述的各种类型的电子设备。图14示出了该显示/成像装置的总体配置。该显示/成像装置包括I/O显示面板2000、背光1500、显示驱动电路1200、光接收驱动电路1300、图像处理部件1400以及应用程序执行部件1100。

I/O显示面板2000包括以矩阵形式布置在整个表面上的多个像素。每个像素包括有机电场发光元件。该面板2000能够在其被逐个线路地顺序地驱动时，基于显示数据来显示诸如预定的图像和文本之类的图像（显示能力）。同时，如同稍后描述的，该面板2000能够对与该面板2000相 接触或在该面板2000的附近的对象进行成像（成像能力）。另一方面，背光1500是I/O显示面板2000的光源，并包括例如跨越其表面布置的多个发光二极管。背光1500被设计用于以与稍后描述的I/O显示面板2000的操作时序相同步的预定时序来快速地导通和关断发光二极管。

显示驱动电路1200驱动I/O显示面板2000（逐个线路地顺序地驱动I/O显示面板2000）以基于显示数据在该面板2000上显示图像（执行显示操作）。

光接收驱动电路1300驱动I/O驱动面板2000（逐个线路地顺序地驱动I/O显示面板2000）以获得该面板2000的光接收数据（以对对象成像）。应当注意到，每个像素的光接收数据被逐帧地存储在帧存储器1300A中，并被作为所捕获的图像而输出至图像处理部件1400。

图像处理部件1400基于来自光接收驱动电路1300的所捕获的图像来执行预定的图像处理（算术操作），以检测和获得关于与I/O显示面板2000相接触或在I/O显示面板2000附近的对象的信息（例如，位置坐标数据，对象形状和尺寸）。应当注意到，稍后将描述该检测处理。

应用程序执行部件1100基于图像处理部件1400的检测结果、根据预定的应用软件来执行处理。例如，在这种处理中，将显示数据连同检测到的对象的位置坐标一起显示在I/O显示面板2000上。应当注意到，应用程序执行部件1100所产生的显示数据被提供给显示驱动电路1200。

接下来将参照图15给出对I/O显示面板2000的详细示例的描述。I/O显示面板2000包括显示区（传感器区）2100、水平显示驱动器2200、垂直显示驱动器2300、水平传感器读出驱动器2500和垂直传感器驱动器2400。

显示区（传感器区）2100对来自有机电场发光元件的光进行调制，以发出显示光和对与显示区2100相接触或在显示区2100附近的对象进行成像。稍后将描述的用作发光元件（显示元件）和光接收元件（成像元件）的有机电场发光元件均被以矩阵形式布置在该区域中。

水平显示驱动器2200连同垂直显示驱动器2300一起基于从显示驱动电路1200供应的显示驱动显示信号和控制时钟来驱动显示区2100中的相应像素的有机电场发光元件。

水平传感器读出驱动器2500连同垂直传感器驱动器2400一起逐个线路地顺序地驱动传感器区2100中的相应像素的光接收元件，以获得光接 收信号。

接下来将参照图16来给出对显示区2100中的每个像素与水平传感器读出驱动器2500之间的连接关系的描述。红色（R）像素3100、绿色（G）像素3200和蓝色（B）像素3300被并排地布置在显示区2100中。

在连接到具有相应颜色的像素的光接收元件3100c、3200c和3300c中的每个光接收元件的电容器中存储的电荷分别被通过缓冲放大器3100f、3200f和3300f来进行放大，并在读出开关3100g、3200g和3300g被接通时被经由信号输出电极而供应给水平传感器读出驱动器2500。应当注意到，恒定电流源4100a、4100b或4100c连接到所述信号输出电极中的每个信号输出电极，使得水平传感器读出驱动器2500可以高灵敏度地检测到与接收到的光的量相应的信号。

本领域的技术人员应当理解，取决于设计需求和其它因素，可以进行各种修改、组合、子组合和改变，只要所述修改、组合、子组合和改变在所附的权利要求或其等同内容的范围之内即可。

Claims (14)

1.一种显示装置，包括：

具有介于上部电极与下部电极之间的、包括发光层的有机层的显示区；

被形成用于覆盖所述显示区的、由氮化硅构成的保护膜；以及

被形成在所述保护膜上的树脂层；

其中：

所述树脂层的折射率是1.5～1.6，

所述保护膜在450nm的波长时具有介于1.65与1.75之间的折射率，以及

所述保护膜通过使用了氨气的化学气相沉积法形成，并利用硅烷与氨气的比率为1:2以上的流速比率而得到。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中：

所述显示区具有用于使由所述发光层产生的光谐振的谐振结构。

3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中：

所述保护膜由单个氮化硅层构成。

4.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中：

所述保护膜的厚度介于100nm与1μm之间。

5.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中：

所述显示区被所述保护膜覆盖以便不暴露在空气中。

6.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中：

所述显示区从所述上部电极侧取出由所述发光层产生的光。

7.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中：

所述保护膜与所述树脂层之间的折射率差在450nm的波长时小于等于0.3。

8.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中：

具有通过所述树脂层附着的密封层。

9.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中：

所述上部电极由镁银合金构成。

10.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中：

所述上部电极覆盖所述有机层。

11.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中：

所述保护膜是在覆盖所述上部电极和所述有机层的状态下形成的。

12.一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括：

具有介于上部电极与下部电极之间的、包括发光层的有机层的显示区；

被形成用于覆盖所述显示区的、由氮化硅构成的保护膜；以及

被形成在所述保护膜上的树脂层；

在制造所述显示装置时，其中：

所述保护膜通过使用了氨气的化学气相沉积法并利用硅烷与氨气的比率为1:2以上的流速比率而形成。

13.根据权利要求12所述的显示装置的制造方法，其中：

通过维持所述流速比率的流量并提高压力来形成所述保护膜。

14.一种在其主体壳体中具有显示装置的电子设备，所述显示装置包括：

具有介于上部电极与下部电极之间的、包括发光层的有机层的显示区；

被形成用于覆盖所述显示区的、由氮化硅构成的保护膜；以及

被形成在所述保护膜上的树脂层；

其中：

所述保护膜通过使用了氨气的化学气相沉积法形成，并利用硅烷与氨气的比率为1:2以上的流速比率而得到。