TWI498039B - 顯示元件及電子裝置 - Google Patents

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Description

顯示元件及電子裝置
本發明係關於一顯示元件，其具有一具有適於共振所產生光之一共振器結構之顯示區域，且更特定而言，係關於一使用有機電致發光器件之具有高光抽取效率之頂發射顯示元件，及使用該顯示元件之電子裝置。
本發明含有在2008年3月3日向日本專利局申請之日本專利申請案JP 2008-052136的相關標的物，該申請案之全部內容以引用之方式併入本文中。
現在有機電場發光器件正引起關注。該等器件具有一在其陽極與陰極之間的有機層。該有機層包含一者堆疊於另一者上之一有機電洞傳輸層及有機發光層。另一方面，該等器件具有包含隨時間穩定性變低之缺陷，其典型特徵為作為濕氣吸收結果之減少光發射亮度及不穩定光發射。因此，在一使用有機電場發光器件之顯示元件中，用一保護膜覆蓋相同器件以防止濕氣進入其中。
因此，自此觀點，例如使用一矽氧化物氮化物膜或氮化矽膜作為一適於覆蓋該等有機電場發光器件之保護膜。一矽氧化物氮化物膜折射率低且透射率高，此皆為明顯有利之元件特性。然而，此膜防潮性較差。因此，必須將該膜形成得相當厚。然而，形成一厚膜導致內應力增加，從而致使該膜剝落陰極電極或在其中產生微裂紋。此導致一矛盾，亦即有機電場發光器件之特性及防潮性之降格。
另一方面，對於氮化矽，建議一電漿CVD(化學氣相沈積)方法，其中僅使用矽烷及氮氣體作為源氣體而不使用氨氣體。一由此形成之由一氮化矽膜製成之保護膜保持無裂紋且不剝落，因此確保有機電場發光器件之穩定作業(例如，參見日本專利特許公開案第2000-223264號)。
另一方面，對於一使用矽烷、氮及氫氣體作為源氣體之膜形成方法，建議一三層結構以在保護膜中提供減少之殘餘應力且藉此防止膜剝落。藉由改變氮氣體濃度以控制膜厚度使該三層結構(其包含低密度氮化矽膜之間的一高密度氮化矽膜)成為可能(例如，參見日本專利特許公開案第2004-63304號)。然而，該等方法導致保護膜透射率減小。此致使透射率明顯減少，尤其對於藍色光波長(約450nm)，因此導致色彩再現性減少。出於此原因，建議另一方法，其中使用氨氣體來形成一具有改良透射率及極佳覆蓋之膜(例如，參見日本專利特許公開案第2007-184251號，後文稱作專利文檔3)。
然而，專利文檔3中所揭示之方法導致一高折射率(例如1.85至1.91)，儘管其提供保護膜之極佳防潮性。因此，在與上覆樹脂層之介面處發生反射。若膜厚度減小，則此與膜干涉一起由於保護膜之厚度分佈而導致跨越表面所抽取之光之色度及亮度之偏離。此使確保一充分過程限度不可能。因此，必需增加膜厚度以產生多重干涉來消除由於膜厚度分佈所致之色度偏離。另一方面，增加膜厚度伴隨節 拍時間及成本增加。此外，增加膜厚度比減少膜厚度導致保護膜之低透射率。特定而言，對於藍色光波長(約450nm)之透射率將明顯下降，因此導致色彩再現性減少。
本實施例係一種顯示元件，其包含一具有適於共振所產生光之一共振器結構之顯示區域，一經形成以覆蓋該顯示區域之保護膜、一形成於該保護膜上之樹脂層及一藉由該樹脂層附接之密封層。該保護膜包含一單一氮化矽層。該保護膜在450nm之一波長下具有一在1.65與1.75之間的折射率。本實施例還係一種電子裝置，其具有在其主體外殼中之該顯示元件。
特定而言，本實施例中使用之保護膜係使用矽烷、氨及氮氣體藉由化學氣相沈積而形成。相同膜包含一者堆疊於另一者上之低折射率氮化矽膜。保護膜在厚度上在100nm與1μm之間。因此，在該保護膜中幾乎不存在應力。
因此，使該保護膜之折射率更接近樹脂層之折射率，從而即使在保護膜厚度減少時亦提供一較長干涉波長。此消除跨越表面所抽取之光由於膜厚度分佈所致之色彩移位。
例如，若藉由調節電漿CVD參數將擔當一保護膜之氮化矽膜之折射率減少至一低於正常(在一450nm之波長下折射率為1.65至1.75)之位準，則即使對於較薄膜，干涉波長亦將較長。此消除跨越表面所抽取之光由於膜厚度分佈所致之色彩移位，因此提供一充分過程限度。此外，膜厚度之減少有利於改良透射率及減少節拍時間及成本。更進一步，形成一具有極佳覆蓋且具有減少之折射率之膜有利於 改良密封可靠性。更進一步，由於膜厚度減少，膜之內應力幾乎為零，從而提供改良之元件特性。
此處，樹脂層與保護膜(氮化矽膜)之間的介面之反射比R由以下方程式給出，其中n1為氮化矽膜之折射率且n2為樹脂層之折射率：R=(n1-n2)2/(n1+n2)2
因此，n1越小，介面反射比可越小且干涉波形之振幅就越小。
本發明提供以下有利效應。亦即，本發明提供一具有一較低折射率之較薄保護膜，因此確保對樹脂層之一較弱干涉以達成跨越該表面之較小色度及亮度分佈。此確保改良透射率及減少由跨越表面之變化產生之效率變化。此外，改良之效率有利於一較長壽命。更進一步，較薄保護膜有利於一較短過程節拍時間。
下文將參照附圖闡述本發明之較佳實施例。
<顯示元件之結構>
圖1係一用於闡述一根據本實施例之顯示元件之結構之示意截面圖。應注意，在本實施例中將採用一包含一頂發射有機EL顯示器之顯示元件作為一實例。
亦即，此顯示元件包含一驅動基板，其具有配置在一由(例如)玻璃製成之絕緣基板(玻璃基板10)上之複數個TFT(薄膜電晶體)。顯示元件進一步包含一形成於該驅動基板上之顯示區域20、一經形成以覆蓋顯示區域20之保護 膜17。該顯示元件更進一步包含一形成於保護膜17上之樹脂層18及欲藉由樹脂層18附接之密封層19。密封層19包含，例如一玻璃基板。
在一經設計以顯示一彩色圖像之顯示元件中，三種不同顯示區域(一者適於發射紅色光、另一者適於發射綠色光且再另一者適於發射藍色光)在於驅動基板上形成顯示區域20時按照一預定順序配置成一矩陣。
在本實施例中，顯示區域20具有一適於共振所產生光之共振器結構。顯示區域20具有一在擔當一下部電極之第一電極(例如，陽極15)與一擔當一上部電極之第二電極(陰極16)之間的有機層。該有機層包含一發光層23。由發光層23所產生之光在第一與第二電極之間經受共振且自第二電極之側抽取該光。
包含在顯示區域20中之有機層可以各種方式進行組態。然而，在本發明中，有機層自陽極15之側包含一電洞注入層21、一電洞傳輸層22、發光層23及一電子傳輸層24。電洞注入層21將來自陽極15之電洞注入至有機層23中。電洞傳輸層22有效地將自電洞注入層21注入之電洞傳輸至發光層23。發光層23藉由注入一電流產生光。電子傳輸層24將來自陰極16之電子注入至發光層23中。
顯示區域20之保護膜17由氮化矽製成且附接至顯示區域20以覆蓋相同區域20。在本實施例中，保護膜17包含一單一氮化矽層，其經形成以在一450nm之波長下具有一1.65與1.75之間的折射率。此使保護膜17之折射率接近上覆樹 脂層18之折射率(1.5至1.6)。即使保護膜在厚度上減少此亦提供一較長干涉波長，因此消除跨越表面所抽取之光由於膜厚度分佈所致之色彩移位。特定而言，在本實施例中，在一450nm之波長下保護膜17與樹脂層18之間的折射率差為0.3或更小(較佳地為0.2)。此提供對色彩移位之改良抑制。
此處，保護膜17與上覆樹脂層18之間的介面之反射比R由以下方程式給出，其中n1為擔當保護膜17之氮化矽膜之折射率，且n2為樹脂層之折射率：R=(n1-n2)2/(n1+n2)2
因此，n1越小，介面反射比可係越小且干涉波形之振幅越小。
可藉由調節用於形成保護膜17之電漿CVD參數來調節保護膜17之折射率。相同膜17之厚度在100nm與1μm之間。由於膜厚度減少，該膜之內應力幾乎為零。此抑制對顯示區域20之影響，因此提供改良之光發射特性。
<該顯示元件之製造過程>
接下來，將按照過程次序給出對根據本實施例之顯示元件之製造方法之闡述。首先，在一由一絕緣材料(例如玻璃)製成之基板(玻璃基板10)上形成一TFT陣列。該TFT陣列包含配置於其中之複數個TFT。
在其上形成有TFT陣列之玻璃基板10上施加並形成一第一絕緣膜11。第一絕緣膜11由正光敏聚苯并惡唑製成，且例如藉由旋轉塗佈來施加。相同膜11用作一適於平面化玻 璃基板10之表面上所產生之不平整之平面化膜。儘管在本實施例中使用聚苯并惡唑，但亦可使用其他絕緣材料，例如正光敏聚醯亞胺。
然後，將第一絕緣膜11曝露於光並顯影以在相同膜11中形成若干接觸孔。該等接觸孔用於與TFT之連接。接下來，在一惰性氣體氣氛(例如N2)中烘烤處於此條件下之玻璃基板10以硬化聚苯并惡唑并自第一絕緣膜11移除濕氣及其他物質
接下來，以一填充該等接觸孔之方式在第一絕緣膜11上形成一導電材料層。該導電材料層包含一氧化銦錫(ITO)膜、Ag合金膜及另一ITO膜，該等膜自玻璃基板表面之側以此次序堆疊。構成該導電材料層之該等膜之厚度針對自玻璃基板10之側之ITO膜、Ag合金膜及另一ITO膜分別為例如約30nm、約100nm及約10nm。此處，該Ag合金膜擔當在一隨後過程中藉由圖案化導電材料層形成之下部電極(陽極15)之反射層。
接下來，使用一由正常微影技術形成之抗蝕劑圖案作為一遮罩藉由蝕刻圖案化該導電材料層。此允許將下部電極(陽極15)配置在像素區域中之第一絕緣膜11上。下部電極(陽極15)中之每一者皆與像素中之每一者相關聯且經由一接觸孔連接至TFT中之一者。同時，在第一絕緣膜11上在像素區域外部之周圍區域中形成一導電膜。圍繞像素區域將此導電膜形成為一具有約3mm之寬度之圖片框架之形狀。相同膜連接至驅動電路。
此處，該導電膜用作一輔助佈線且將連接至將在一隨後過程中形成之上部電極以減少佈線電阻。此提供跨越該表面之改良亮度及極佳亮度分佈。因此，該導電膜較佳地應由一具有極佳導電性之材料製成且應為寬的。
接下來，在其上形成有下部電極(陽極15)及導電膜之第一絕緣膜11上施加並形成一第二絕緣膜12。第二絕緣膜12由正光敏聚苯并惡唑製成且例如再次藉由旋轉塗佈來施加。
然後，將第二絕緣膜12曝露於光、顯影且硬化以在像素區域中形成用於形成像素之像素開口(亦即，有機EL器件)，因此曝露下部電極(陽極15)表面及周圍區域中之導電膜表面。儘管在本實施例中使用聚苯并惡唑，但亦可使用其他絕緣材料，例如正光敏聚醯亞胺。
接下來，在一惰性氣體氣氛例如N2中烘烤處於此條件下之玻璃基板10以硬化聚苯并惡唑且自第一及第二絕緣膜11及12移除濕氣及其他物質。
然而，旋轉清洗玻璃基板10以移除微小異物，此後在一真空氣氛中烘烤相同基板10。然後，在一真空氣氛中將相同基板10傳輸至預處理室。在該預處理室中，藉由O2電漿預處理基板10，此後在一真空氣氛中將該基板傳輸至下一過程以真空沈積一有機層。上述過程為較佳，此乃因其可防止大氣中之濕氣及其他顆粒被吸收至基板表面上。
接下來，在像素開口中之下部電極(陽極15)上形成相應色彩之有機EL器件(紅色、綠色及藍色有機EL器件)之有機 層，亦即紅色、綠色及藍色有機層。
在此情況下，例如，在一真空氣氛中將該基板傳輸至適於真空沈積一藍色有機層之室中。在該基板上對準一真空沈積遮罩。以一覆蓋該開口之內壁之方式連續地將電洞注入層21、電洞傳輸層22、發光層23及電子傳輸層24沈積在像素開口中，因此形成一藍色有機層至約200nm之厚度。該下部電極曝露於該開口之底部上。
接下來，在一維持在真空下之氣氛中，將該基板傳輸至適於真空沈積一紅色有機層之室。在該基板上對準一真空沈積遮罩。然後，以一與藍色有機層相同之方式形成一紅色有機層至約150nm之厚度。
然後，在一維持在真空下之氣氛中，將該基板傳輸至適於真空沈積一綠色有機層之室。在該基板上對準一真空沈積遮罩。然後，以一與藍色有機層相同之方式形成一綠色有機層至約100nm之厚度。
在形成如上所述之相應有機層之後，在一維持在真空下之氣氛中在該基板上對準一真空沈積遮罩。然後，在有機層、第二絕緣膜12及導電膜上(例如)藉由氣相沈積形成一由LiF製成之電子注入層(未顯示)至約1nm之厚度。
然後，在電子注入層上使用一氣相沈積遮罩藉由真空氣相沈積形成由例如半透明MgAg合金製成之上部電極(陰極16)至約10nm之厚度。此經由電子注入層將導電膜與上部電極(陰極16)連接在一起。
然後，藉由使用矽烷、氨及氮氣體之CVD形成SiNx(氮 化矽)，其為本實施例之關鍵特徵。以一覆蓋擔當相應色彩中之每一者之顯示區域20之有機層及上部電極(陰極16)之方式形成氮化矽。氮化矽擔當保護膜17。
在形成保護膜17之後，在不曝露至大氣之情形下施加樹脂層18以形成用於密封目的之密封層19。密封層19包含一玻璃基板。藉由上述方法製造一具有一全固體密封結構之有機發光器件。
<若干保護膜之特性對比>
此處，形成日本專利特許公開申請案第2007-184251號中所揭示之保護膜作為一對比實例以闡述根據本實施例之保護膜。該膜在厚度上為5.3μm(條件1)。此外，將日本專利特許公開申請案第2007-184251號中所揭示之一單層保護膜作為條件2形成至1μm之厚度(條件2)。此條件在壽命特性方面極佳。
藉由使用氨氣體之CVD形成根據本實施例之保護膜。藉由矽烷與氨氣體之間的一1：2或更高流速比率或藉由增加壓力同時維持流速不變來獲得此具有一1.74之折射率n(450nm波長)及一86%之透射率(450nm波長)之膜。該膜在厚度上為0.5μm。比較上述三種不同膜。應注意，表1顯示該等保護膜之特性。
<對比實例1>
對比實例1顯示由於膜厚度分佈所致之色彩移位方面之對比結果。首先，圖2顯示針對波長所量測之上述三種膜之折射率的結果。圖3A至3C基於該等結果圖解說明紅色、綠色及藍色中之每一者之由於膜厚度分佈所致之色度變化。圖3A圖解說明紅色色度變化，圖3B圖解說明綠色色度變化且圖3C圖解說明藍色色度變化。在該等圖中之每一者中，水平軸表示膜厚度變化且垂直軸表示色度偏離u'v'。
自該等圖可瞭解，儘管由於平均化而在條件1中看不到干涉影響，但在條件2中該影響以特性變化之形式表現出。條件2與本實施例之間的對比使以下顯而易見：本實施例之保護膜由於其較低折射率較少可能受干涉影響。
<對比實例2>
對比實例2顯示由於折射率所致之效率改良及變化(準確性)方面之對比結果。表2針對每一色彩顯示效率及變化方面之對比結果。表2針對紅色、綠色及藍色中之每一者顯示本實施例、條件1及條件2之保護膜之折射率、膜厚度、 彼時之色度(x及y坐標)、由於保護膜之膜厚度分佈所致之效率值、與條件2相比較之效率差，及效率變化(由於膜厚度分佈所致之效率分佈)。
自條件1與條件2之間的對比清晰可見，條件2提供改良之效率，儘管在其兩者之間不存在太大之折射率差。然而，條件2具有一較大之由於膜厚度變化所致之效率變化，此乃因其具有較小膜厚度。另一方面，本實施例意欲確保最小變化而同時藉由減少折射率提供改良之效率。
<對比實例3>
對比實例3顯示在壽命改良方面之對比結果。圖4圖解說明亮度在每一條件下隨運作時間之改變。作為藉由亮度匹配對壽命特性進行調查之結果，本實施例由於其較小膜厚度在相同亮度下比條件1及2提供高的效率。因此，清晰可 見，改良了藍色壽命(其係所有色彩中最受關注的)。此外，表3顯示藉由找到加速常數所計算之每一膜之壽命。在表3中顯示每一條件之膜之半壽命。自此圖清晰可見，本實施例之保護膜提供最長壽命。
接下來，將給出對根據本實施例之顯示元件之應用實例之闡述。
<電子裝置>
根據本實施例之顯示元件包含一如圖5中所圖解說明之呈一模組形式之平板顯示元件。例如，在一絕緣基板2002上提供一像素陣列區段2002a。該像素陣列區段2002a具有整合及形成為一矩陣之像素。該等像素中之每一者皆包含一發光區域、薄膜電晶體、光接收器件及其他組件。在該像素陣列區段(像素矩陣區段)2002a周圍施加一黏合劑2021，此後附接一由玻璃或其他材料製成之對置基板2006以用作一顯示模組。此透明對置基板2006可具有一濾色器、保護膜、光遮蔽膜及必要器件等等。一FPC(撓性印刷電路)2023可作為一連接器提供於該顯示模組上，該FPC 2023適於允許在外部裝置與像素陣列區段2002a之間交換信號或其他資訊。
前述根據本實施例之顯示元件可作為寬廣範圍之電子裝置之一顯示器來應用，該等電子裝置包含圖6至10中所圖解說明之一數位相機、膝上型個人電腦、諸如行動電話及攝錄像機等個人數位助理。此等裝置件經設計以顯示被饋送至該電子裝置或在其內部產生的一視訊信號之一圖像或視訊。下文將闡述應用本實施例之電子裝置之若干實例。
圖6係一圖解說明應用本實施例之一電視機之透視圖。根據本應用實例之電視機包含一視訊顯示螢幕區段101，該區段101由(例如)一前面板102、過濾器玻璃103及其他零件構成。該電視機係藉由使用根據本實施例之顯示元件作為視訊顯示螢幕區段101而製造。
圖7A及7B係圖解說明應用本實施例之一數位相機之視圖。圖7A係自前面看去之該數位相機之一透視圖，且圖7B係自後面看去之該數位相機之一透視圖。根據本應用實例之數位相機包含一閃光發射區段111、顯示區段112、選單開關113、快門按鈕114及其他零件。該數位相機係藉由使用根據本實施例之顯示元件作為顯示區段112而製造。
圖8係一圖解說明應用本實施例之一膝上型個人電腦之透視圖。根據本應用實例之膝上型個人電腦包含一主體121中之一適於被操縱而輸入文字或其他資訊之鍵盤122、一適於顯示一圖像之顯示區段123及其他零件。該膝上型個人電腦係藉由使用根據本實施例之顯示元件作為顯示區段123而製造。
圖9係一圖解說明應用本實施例之一攝錄像機之透視 圖。根據本應用實例之攝錄像機包含一主體區段131、提供於面向前側表面上以捕獲被攝體之圖像之透鏡132、成像開始/停止開關133、顯示區段134及其他零件。該攝錄像機係藉由使用根據本實施例之顯示元件作為顯示區段134而製造。
圖10A至10G係圖解說明應用本實施例之一諸如行動電話之個人數位助理之透視圖。圖10A係該行動電話處於一打開位置之一正視圖。圖10B係該行動電話之一側視圖。圖10C係該行動電話處於一閉合位置之一正視圖。圖10D係一左視圖。圖10E係一右視圖。圖10F係一俯視圖。圖10G係一仰視圖。根據本應用實例之行動電話包含一上外殼141、下外殼142、連接區段(於此實例中為鉸鏈區段)143、顯示器144、子顯示器145、圖片燈146、相機147及其他零件。該行動電話係藉由使用根據本實施例之顯示元件作為顯示器144及子顯示器145而製造。
<顯示/成像元件>
根據本實施例之顯示元件可應用於一下文所述之顯示/成像元件。此顯示/成像元件可應用於早期所述之各種類型電子裝置。圖11圖解說明該顯示/成像元件之總體組態。此顯示/成像元件包含一I/O顯示面板2000、背光1500、顯示驅動電路1200、光接收驅動電路1300、圖像處理區段1400及一應用程式執行區段1100。
I/O顯示面板2000包含在整個表面上配置成一矩陣形式之複數個像素。該等像素中之每一者皆包含一有機電場發 光器件。相同面板2000在其被按順序逐線地驅動時能夠基於顯示資料顯示一圖像，例如預定圖形及文字(顯示能力)。同時，相同面板2000能夠成像一與其接觸或接近之物件(成像能力)，如以後所述。另一方面，背光1500為顯示面板I/O顯示面板2000之一光源且包含(例如)跨越其表面配置之複數個發光二極體。背光1500經設計以與以後闡述之I/O顯示面板2000之作業定時同步之預定定時迅速地導通及關斷發光二極體。
顯示驅動電路1200驅動I/O顯示面板2000(按順序逐線地驅動I/O顯示面板2000)以在相同面板2000上基於顯示資料顯示一圖像(執行一顯示作業)。
光接收驅動電路1300驅動I/O顯示面板2000(按順序逐線地驅動I/O顯示面板2000)以獲得相同面板2000之光接收資料(以成像該物件)。應注意，每一像素之光接收資料在逐訊框基礎上儲存於一訊框記憶體1300A中且作為一所捕獲圖像輸出至圖像處理區段1400。
圖像處理區段1400基於來自光接收驅動電路1300之所捕獲圖像來執行預定圖像處理(算術運算)以偵測並獲得關於與I/O顯示面板2000接觸或接近之物件之資訊(例如，位置坐標資料、物件形狀及大小)。應注意，以後將詳細闡述此偵測過程。
基於圖像處理區段1400之偵測結果，應用程式執行區段1100根據預定應用軟體來執行處理。例如，在此處理之中在I/O顯示面板2000上顯示顯示資料連同所偵測物件之位 置坐標。應注意，由應用程式執行區段1100所產生之顯示資料被供應至顯示驅動電路1200。
接下來，將參照圖12給出對I/O顯示面板2000之一詳細實例之闡述。I/O顯示面板2000包含一顯示區域(感測器區域)2100、水平顯示驅動器2200、垂直顯示驅動器2300、水平感測器讀出驅動器2500及垂直感測器驅動器2400。
顯示區域(感測器區域)2100調變來自有機電場發光器件之光以發射顯示光且成像一與其接觸或接近之物件。在此區域中，以後將闡述之擔當發光器件之有機電場發光器件(顯示器件)及光接收器件(成像器件)兩者皆配置成一矩陣形式。
水平顯示驅動器2200連同垂直顯示驅動器2300基於自顯示驅動電路1200供應之顯示驅動顯示信號及控制時鐘驅動顯示區域2100中相應像素之有機電場發光器件。
水平感測器讀出驅動器2500連同垂直感測器驅動器2400按順序逐線地驅動感測器區域2100中相應像素之光接收器件以獲得一光接收信號。
接下來，將參照圖13給出對顯示區域2100中之若干像素中之每一者與水平感測器讀出驅動器2500之間的連接關係之闡述。在顯示區域2100中，紅色(R)像素3100、綠色(G)像素3200及藍色(B)像素3300係並排配置。
儲存於連接至相應色彩之像素之光接收器件3100c、3200c及3300c中之每一者之電容器的電荷分別被緩衝放大器3100f、3200f及3300f放大且在讀出開關3100g、3200g及 3300g導通時經由一信號讀出電極供應至水平感測器讀出驅動器2500應注意，一恆定電流源4100a、4100b或4100c連接至信號輸出電極中之每一者以使得水平感測器讀出驅動器2500可偵測與藉由光敏接收之光的量相稱之信號。
熟習此項技術者應瞭解，可端視設計要求及其他因子而作出各種修改、組合、子組合及變更，只要其歸屬於隨附申請專利範圍及其等效範圍之範疇內即可。
10‧‧‧玻璃基板
11‧‧‧第一絕緣膜
12‧‧‧第二絕緣膜
15‧‧‧陽極
16‧‧‧陰極
17‧‧‧保護膜
18‧‧‧樹脂層
19‧‧‧密封層
20‧‧‧顯示區域
21‧‧‧電洞注入層
22‧‧‧電洞傳輸層
23‧‧‧發光層
24‧‧‧電子傳輸層
2002‧‧‧絕緣基板
2002a‧‧‧像素陣列區段
2006‧‧‧對置基板
2021‧‧‧黏合劑
2023‧‧‧FPC(撓性印刷電路)
101‧‧‧視訊顯示螢幕區段
102‧‧‧前面板
103‧‧‧過濾器玻璃
111‧‧‧閃光發射區段
112‧‧‧顯示區段
113‧‧‧選單開關
114‧‧‧快門按鈕
121‧‧‧主體
122‧‧‧鍵盤
123‧‧‧顯示區段
131‧‧‧主體區段
132‧‧‧透鏡
133‧‧‧成像開始/停止開關
134‧‧‧顯示區段
141‧‧‧上外殼
142‧‧‧下外殼
143‧‧‧連接區段
144‧‧‧顯示器
145‧‧‧子顯示器
146‧‧‧圖片燈
147‧‧‧相機
1100‧‧‧應用程式執行區段
1200‧‧‧顯示驅動電路
1300‧‧‧光接收驅動電路
1300A‧‧‧訊框記憶體
1400‧‧‧圖像處理區段
2000‧‧‧I/O顯示面板
2100‧‧‧顯示區域(感測器區域)
2200‧‧‧水平顯示驅動器
2300‧‧‧垂直顯示驅動器
2400‧‧‧垂直感測器驅動器
2500‧‧‧水平感測器讀出驅動器
3100‧‧‧紅色(R)像素
3200‧‧‧綠色(G)像素
3300‧‧‧藍色(B)像素
3100c‧‧‧光接收器件
3200c‧‧‧光接收器件
3300c‧‧‧光接收器件
3100f‧‧‧緩衝放大器
3200f‧‧‧緩衝放大器
3300f‧‧‧緩衝放大器
3100g‧‧‧讀出開關
3200g‧‧‧讀出開關
3300g‧‧‧讀出開關
4100a‧‧‧恆定電流源
4100b‧‧‧恆定電流源
4100c‧‧‧恆定電流源
圖1係一用於闡述一根據本實施例之顯示元件之結構之示意截面圖；圖2係一圖解說明三種不同保護膜之特性之圖；圖3A至3C係圖解說明由於膜厚度分佈所致之紅色、綠色及藍色中之每一者之色度變化之圖；圖4係一圖解說明亮度在每一條件下隨運作時間而變化之圖；圖5係一圖解說明一呈模組形式之扁平顯示元件之一實例之示意圖；圖6係一圖解說明一應用本實施例之電視機之透視圖；圖7A及7B係圖解說明一應用本實施例之數位相機之透視圖；圖8係一圖解說明一應用本實施例之膝上型個人電腦之透視圖；圖9係一圖解說明一應用本實施例之攝錄像機之透視圖； 圖10A至10G係圖解說明一應用本實施例之諸如行動電話之個人數位助理之視圖；圖11係一圖解說明一顯示/成像元件之組態之方塊圖；圖12係一圖解說明一I/O顯示面板之一組態實例之方塊圖；及圖13係一電路圖，其用於闡述每一像素與一感測器讀出水平驅動器之間的連接關係。
10‧‧‧玻璃基板
11‧‧‧第一絕緣膜
12‧‧‧第二絕緣膜
15‧‧‧陽極
16‧‧‧陰極
17‧‧‧保護膜
18‧‧‧樹脂層
19‧‧‧密封層
20‧‧‧顯示區域
21‧‧‧電洞注入層
22‧‧‧電洞傳輸層
23‧‧‧發光層
24‧‧‧電子傳輸層

Claims (5)

  1. 一種顯示元件，其包括：一顯示區域，其具有用於共振光之一共振器結構；一保護膜，其覆蓋該顯示區域；一樹脂層，其直接配置於該保護膜上；及一密封層，其直接配置於該樹脂層上，其中該保護膜係氮化矽之一單一層，其在一450nm之波長下具有在1.65與1.75之間的一折射率；其中該保護膜之一內應力幾乎為零；其中該保護膜在厚度上係在100nm與0.5μm之間。
  2. 如請求項1之顯示元件，其中該顯示區域係由該保護膜所覆蓋以不曝露至大氣。
  3. 如請求項1之顯示元件，其中該顯示區域(a)具有包含在第一與第二電極之間的一發光層之一有機層，且(b)具有適於在該等第二電極之側抽取由該發光層所產生之光之有機發光器件。
  4. 如請求項1之顯示元件，其中在該450nm之波長下，該保護膜與該樹脂層之間的折射率差為0.3或更小。
  5. 一種具有一顯示元件之電子裝置，該顯示元件包括：一顯示區域，其具有用於共振光之一共振器結構；一保護膜，其覆蓋該顯示區域；一樹脂層，其直接配置於該保護膜上；及一密封層，其直接配置於該樹脂層上，其中 該保護膜係氮化矽之一單一層，其在一450nm之波長下具有在1.65與1.75之間的一折射率；其中該保護膜之一內應力幾乎為零；其中該保護膜在厚度上係在100nm與0.5μm之間。
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