CN103213398A - 液体喷出头及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

液体喷出头及其制造方法。一种液体喷出头的制造方法，包括下述步骤：（1）在基板的第二表面形成凹部以形成共用供给口，（2）形成蚀刻掩模，蚀刻掩模规定独立供给口的在共用供给口的底面的开口位置，以及（3）在采用蚀刻掩模作为掩模的状态下使用等离子体进行离子蚀刻，由此形成独立供给口。蚀刻掩模中形成的开口图案使得从喷出能量产生元件到与该喷出能量产生元件邻近的两个独立供给口的在基板的第一表面侧的开口的各自的距离彼此相等。

Description

液体喷出头及其制造方法
技术领域
本发明涉及用于喷出液体的液体喷出头。
背景技术
在喷墨记录设备中，通过根据记录信号从记录头的多个微细喷嘴喷墨而将信息记录在记录介质上。喷墨记录设备因为具有诸如高速记录、高分辨率、高图像品质以及低噪音等优点而被普遍地、广泛地应用。
喷墨记录设备中所使用的记录头是例如通过利用热能来记录图像的喷墨类型的记录头。在喷墨类型的记录头中，通过将电流供给到记录元件以加热墨使得墨在气泡生成时所产生的压力下经由喷出口喷出来记录信息。经由喷出口被喷出的墨在与记录元件基板的主表面垂直的方向上飞行并且落在记录介质上的期望位置。结果，实现了高图像品质和高清晰度的记录。
日本特开2010-201921号公报描述了一种喷墨记录头，其中墨供给口和用于喷墨的压力室在喷嘴的排列方向上邻近地排列。日本特开2010-201921号公报的图2是喷嘴列的放大视图。多个电热转换器6和多个墨供给口2A在喷嘴列方向上交替排列。日本特开2010-201921号公报的图3是沿着图2中的线III-III截取的剖视图。喷出口7形成于孔板3的与各个电热转换器6相对的位置处。在日本特开2010-201921号公报的图2和图3中，压力室R形成于电热转换器6和孔板3之间，并且墨供给口2A形成为与压力室邻近。因为具有比电热转换器大的尺寸的开口的墨供给口形成在压力室附近，所以当墨被再填充到压力室中时能够降低流阻。结果，通过提高墨喷出频率能进行高速打印。另外，通过将具有上述开口宽度设定的墨供给口配置为在电热转换器（发热电阻器）的列方向上邻近压力室的这种配置，墨供给口能够有效地吸收压力室中的压力，从而减少相邻压力室之间的所谓的串扰。
作为在压力室附近高精度地形成具有预定尺寸的墨供给口的方法，美国专利No.6534247描述了在硅基板上进行的两步蚀刻处理。参照美国专利No.6534247的图5a至图6c，根据该专利中描述的制造喷墨记录头的方法，首先通过例如干法蚀刻（dryetching）从基板的前表面形成独立的供给口（在该美国专利中称为“进墨通道（ink feed channel）”）。接着，通过对硅基板进行作为第一蚀刻的湿法蚀刻（wet etching）来形成凹部，从而形成液室（美国专利No.6534247的图5b）。接着，在该凹部的底面形成狭缝状图案，并且通过硅干法蚀刻（silicon dry etching）沿着狭缝状图案对凹部的底面进行第二蚀刻。结果，凹部与之前形成的独立的供给口连通，由此完成喷墨记录头（美国专利No.6534247的图6b）。从而，根据美国专利No.6534247中描述的喷墨记录头的制造方法，从基板的前表面形成具有与加热器尺寸相同尺寸的独立供给口。由于等离子体鞘（plasma sheath）的变形而产生的歪斜现象（即，方向性的偏移）不会发生。而且，当从基板背侧形成狭缝状图案时在等离子体鞘变形的情况下，因为仅要求在凹部和独立供给口之间建立连通，所以不会影响喷墨记录头的喷出特性。因此，美国专利No.6534247既未描述等离子体成型效果的影响，也未描述等离子体鞘的变形。
发明内容
本发明的实施方式提供了一种液体喷出头的制造方法，所述液体喷出头包括：基板，所述基板在其第一表面包括多个喷出能量产生元件，所述喷出能量产生元件被构造为产生喷出液体用的能量；以及孔板，所述孔板被布置于所述基板的第一表面侧，以形成所述液体被喷出所经过的喷出口，并且限定与所述喷出口连通的液体流路，所述基板包括：凹部形状的共用供给口，所述共用供给口形成在所述基板的位于所述第一表面所在侧的相反侧的第二表面；以及多个独立供给口，所述独立供给口从所述共用供给口的底面贯穿到所述第一表面并且与所述液体流路连通，所述喷出口布置于所述喷出能量产生元件上方，邻近各个所述喷出能量产生元件地布置将所述液体供给到该喷出能量产生元件的两个独立供给口，该喷出能量产生元件布置于所述两个独立供给口之间，所述方法包括下述步骤：1)在所述基板的所述第二表面形成凹部以形成所述共用供给口，2)形成蚀刻掩模，所述蚀刻掩模规定所述独立供给口的在所述共用供给口的所述底面的开口位置，以及3)在采用所述蚀刻掩模作为掩模的状态下使用等离子体进行离子蚀刻，由此形成所述独立供给口，其中，所述蚀刻掩模具有在所述蚀刻掩模中形成的开口图案，使得从所述喷出能量产生元件到与该喷出能量产生元件邻近的两个独立供给口的在所述第一表面侧的开口的各自的距离彼此相等。
本发明的另一个实施方式提供了一种液体喷出头，其包括：基板，所述基板在其第一表面包括多个喷出能量产生元件，所述喷出能量产生元件被构造为产生喷出液体用的能量；以及孔板，所述孔板被布置于所述基板的第一表面侧，以形成所述液体被喷出所经过的喷出口，并且限定与所述喷出口连通的液体流路，其中，所述基板包括：凹部形状的共用供给口，所述共用供给口形成在所述基板的位于所述第一表面所在侧的相反侧的第二表面；以及多个独立供给口，所述独立供给口从所述共用供给口的底面贯穿到所述第一表面并且与所述液体流路连通，所述喷出口布置于所述喷出能量产生元件上方，邻近各个所述喷出能量产生元件地布置将所述液体供给到该喷出能量产生元件的两个独立供给口，该喷出能量产生元件布置于所述两个独立供给口之间，并且从所述喷出能量产生元件到与该喷出能量产生元件邻近的两个独立供给口的在所述第一表面侧的开口的各自的距离彼此相等。
从以下参照附图对示例性实施方式的描述，本发明的其他特征将变得明显。
附图说明
图1A和图1B分别是用于说明根据第一实施方式的喷墨记录头的结构示例的示意性平面图和示意性剖视图。
图2A和图2B分别是用于说明根据现有技术的喷墨记录头的结构示例的示意性剖视图和示意性平面图。
图3A和图3B分别是用于说明根据第二实施方式的喷墨记录头的结构示例的示意性平面图和示意性剖视图。
图4A和图4B分别是用于说明根据第三实施方式的喷墨记录头的结构示例的示意性平面图和示意性剖视图。
图5A和图5B分别是用于说明根据第四实施方式的喷墨记录头的结构示例的示意性平面图和示意性剖视图。
图6A、图6B和图6C均为用于说明实施方式的基板的示意性剖视图。
图7是用于说明ICP蚀刻机的构造示例的示意图。
图8A和图8B分别是用于说明根据实施方式的喷墨记录头的结构示例的示意性平面图和示意性底面图。
图9是用于说明根据实施方式的喷墨记录头的结构示例的示意性平面图。
图10A、图10B、图10C、图10D、图10E、图10F、图10G以及图10H是用于说明根据实施方式的喷墨记录头的制造步骤示例的剖视图。
图11是用于说明根据实施方式的喷墨记录头的基板的结构示例的示意性剖视图。
图12是绘出利用实施方式得到的预测值和实测值的图表。
图13是绘出利用实施方式得到的预测值和实测值的图表。
图14是绘出利用实施方式得到的预测值和实测值的图表。
图15是绘出利用实施方式得到的预测值和实测值的图表。
图16是绘出利用实施方式得到的预测值和实测值的图表。
具体实施方式
通常已知，当通过硅干法蚀刻在平坦的半导体基板（硅晶片）中形成凹部（开口）时，具有由下面的公式（3）表示的鞘长度的正的空间电荷层（space charge layer）均一地形成在基板上。
s = 2 V 0 3 / 4 3 ϵ 0 J 0 ( 2 e m i ) 1 / 4 . . . ( 3 )
J0：离子电流密度（A/m2）
ε0：真空介电常数（8.85×10-12F/m）
e：元电荷（1.60×10-19C）
mi：离子质量（kg）
V0：鞘电压（V）
s：鞘长度（m）
以下参考性论文“Shape Development Modeling of Si DeepEtching under Molding by2-Frequency Capacity-CoupledPlasma”(Fukutaro Hamaoka,Doctoral Thesis of MakabeLaboratory,Faculty of Electrical Engineering at Keio University'sDepartment of Science and Engineering,2008)报告了等离子体鞘对形成于硅晶片上的微尺度图案的影响。
上述参考性论文详细地报告了当图案化形状中的微尺度图案通过硅蚀刻深度地形成于硅晶片时的等离子成型效果以及鞘分布在那时的变化。另外，该参考性论文公开了基于硅深度蚀刻（silicon deep etching）中的等离子成型效果的形状预测方法。此外，该参考性论文提出包括保护侧壁的工艺的博世（Bosch）工艺蚀刻被用于硅深度蚀刻。
然而，上述参考性论文没有描述当通过干法蚀刻在已经形成为凹状的共用供给口的底面中形成独立供给口时，包括凹部的台阶状部分的表面上产生的等离子体鞘对独立供给口的形状的影响。更详细地，上述参考性论文陈述了下述内容：在深度蚀刻硅基板的步骤中，等离子体鞘的分布根据处理中的基板的形状而变化。另外，该参考性论文详细讨论了影响处理后形状的等离子体鞘的分布的这种变化所导致的效果。然而，该参考性论文没有描述当在已经具有一定的台阶形状的基板中、图案被处理成排列在台阶形状的底面中时，等离子体鞘的变形对初期处理阶段中将要垂直地形成的槽（trench）形状的影响。
另一方面，本申请的发明人已经发现，当在形成独立供给口的步骤中在具有正的空间电荷层的等离子体鞘区域加速负的带电离子束（ion flux）时，由于凹部的侧壁附近的等离子体鞘的影响，蚀刻以与蚀刻的开始位置成一定角度的方式进行。由此，因为在基板中的凹部的底面中，硅蚀刻以与硅蚀刻的开始位置成一定角度的方式进行（参见图6A），所以独立供给口在基板的前表面侧的开口形成于从期望的开口位置偏移的位置。不仅在博世工艺中观察到了这种现象，而且在使用下述的ICP（感应耦合等离子）蚀刻机的非Bosch工艺中也出现了相同的趋势，其中在Bosch工艺中，在形成沉积膜之后重复硅蚀刻，并且随后在蚀刻处理中除去蚀刻出的孔的底面上的沉积膜。
在墨从多个墨供给口被再填充到压力室中的情况下，如果独立供给口的开口位置从期望的位置偏移，则从各个墨供给口到发热电阻器的流阻彼此不同。结果，墨从包括发热电阻器的压力室相对于与记录元件基板的主表面垂直的方向倾斜地喷出，由此可能在记录介质上发生例如条纹和不均匀等记录不良。
鉴于上述问题，本发明提供了制造液体喷出头的方法，该液体喷出头能够减小例如墨等液体的喷出方向的倾斜度。
下面将详细描述本发明的实施方式。要注意的是本发明不限于那些实施方式。当主要与作为根据本发明的实施方式的液体喷出头的应用示例的喷墨记录头相关地进行下面的描述时，本发明的应用领域不限于喷墨记录头，本发明还可以应用于制造生物芯片和印刷电子线路所用的其他液体喷出头。除喷墨记录头之外的另一个液体喷出头示例是用于制造滤色器的头。
图8A和图8B是以简化形式示出通过切割（dicing）而从硅晶片切出的喷墨记录头的芯片的示意图。图8A的示意性平面图中所示的喷墨记录头800包括喷嘴列，四色（黑色、青色、品红色和黄色）墨从所述喷嘴列被喷出而飞溅。喷墨记录头800还包括作为喷出能量产生元件的加热器（也称为“发热电阻器”）。喷墨记录头800包括位于同一基板上的多个加热器列和用于分别驱动各个加热器的功能元件区域（8021、8022、8031、8032、8041、8042、8051和8052）。喷嘴区域（8023、8033、8043和8053）布置于基板，其中墨从所述喷嘴区域被喷出而飞溅。另外，用于将电力和驱动信号从外部供给到加热器以及功能元件的电极焊盘区域801布置于基板的端部。考虑布置于基板的加热器列的方向上的分辨率和一次走纸打印的打印宽度来选择喷嘴区域的长度和喷嘴的数量。
图8B是当从基板的背侧观察时图8A中示出的喷墨记录头800的示意性底面图。在该实施方式的喷墨记录头800中，共用供给口（8024、8034、8044和8054）布置于除了接合区域807以外的区域中，所述接合区域807被接合到支撑构件（未示出）并且具有接合宽度8071。与布置于基板的前表面的喷嘴连通的独立供给口806形成于共用供给口的底面。通过将粘接剂施加到接合区域807，喷墨记录头被接合到支撑构件（未示出）。
为了获得足够的接合强度并且防止墨色的混合，接合宽度8071为0.5mm以上。另外，各共用供给口在其宽度方向上的开口宽度W808为1.5mm以下。这种设定有利于减小喷墨记录头的芯片尺寸并且有利于增多从一个硅晶片切出的芯片的数量。因此，能够降低喷墨记录头的成本。另外，当共用供给口在其宽度方向上的开口宽度W808为0.32mm以下并且开口宽度W808与开口深度的比（即，宽高比）为0.64以下时，在基板表面产生的等离子体鞘的变形没有分布到共用供给口的底面附近。因此，抑制了独立供给口的歪斜现象（倾斜度）的发生。而且，当共用供给口的开口宽度W808为0.32mm以上时，能够排列在图8A所示的各色用的喷嘴区域中的喷嘴的分辨率提升。结果，能够更容易地提供具有高图像品质并能以高速操作的喷墨记录头。
图9是示出根据实施方式的喷墨记录头的结构示例的示意性平面图。在图9中，第一加热器91被布置为喷出能量产生元件。第二加热器96被布置在喷嘴区域的外周部。对于各第一加热器91来说，如图9所示，两个第一液体流路92关于第一加热器91对称地形成。换言之，图9是根据实施方式的喷墨记录头中一种色所用的喷嘴配置的从上方观察的放大示意图。第一加热器91被配置于配置在中央的独立供给口93和配置在上述独立供给口93两侧的其他独立供给口93之间。从各第一加热器91到与该第一加热器91邻近的两个独立供给口的距离彼此相等。布置于第一加热器91两侧的第一液体流路92关于该第一加热器91对称。利用这种配置，从位于两侧的独立供给口93经由关于第一加热器91对称的两个第一液体流路92将墨供给到第一加热器91。独立供给口93与相应的共用供给口连通。为第二加热器96布置用于向第二加热器96供墨的一个第二液体流路97。在如图9所示的第二加热器布置在喷嘴区域的外周部的实施方式中，设置有两个对称的第一液体流路92的第一加热器91与本发明的喷出能量产生元件对应。
在本说明书中，表述“等于”意味着两个距离之间的差值例如在1.0μm内，优选地在0.5μm内，更优选地在0.3μm内，进一步优选地在0.1μm内。
下面将参照作为示出连续步骤的剖视图的图10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G和10H描述根据实施方式的喷墨记录头的制造方法。
首先，如图10A所示，制备基板10，该基板10包括作为喷出能量产生元件的加热器11。保护层12和附着性增强层13布置在基板10的前表面（第一表面侧）。氧化膜14布置在基板10的背面（即，位于第一表面的相反侧的表面；也称为第二表面）。图案化掩模15布置于氧化膜14。
例如，可以将硅基板用作基板10。氧化膜14例如是氧化硅膜。可以通过氧化硅基板来形成氧化硅膜。
例如，氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜可以用作保护膜12。
例如，HIMAL（商品名，日立化学有限公司）可以用作附着性增强层13。可以通过使用光刻法对HIMAL的膜进行图案化而形成附着性增强层13。图案化掩模15还可以例如使用HIMAL来形成。
接着，如图10B所示，用作形成墨流路（液体流路）用的模具的流路模具构件16形成于基板10上。
流路模具构件16可以使用例如正性抗蚀剂来形成。正性抗蚀剂的示例例如是包含PMIPK的抗蚀剂。包含作为主要成分的PMIPK的涂布型抗蚀剂是市售可得的，例如是东京応化工业株式会社的ODUR-1010（商品名）。可以通过通用的旋涂（spin-coating）工艺在基板上形成这种抗蚀剂的涂层。图10B所示的图案可以例如通过将包含PMIPK的抗蚀剂的涂层在波长为230至350nm的曝光光线下曝光、然后显影曝光后的涂层而形成。
接着，如图10C所示，形成涂覆树脂层17以覆盖流路模具构件16。在图10C中，拒水性涂层18布置在涂覆树脂层17上。
例如，抗蚀剂材料可以用作涂覆树脂层17。更具体地，将使用负性抗蚀剂。
用于涂覆树脂层17的抗蚀剂材料可以例如是日本特许第3143307号公报中所述的包含作为主要组成材料的环氧树脂的感光性材料。优选地，通过将该感光性材料溶解在例如二甲苯等芳香族溶剂里并且通过涂布该溶剂而防止该感光性材料与PMIPK相溶。曝光涂布后的抗蚀剂材料。一般情况下，因为负性抗蚀剂被用作涂覆树脂层17用的抗蚀剂材料，所以挡光的光掩模（未示出）被涂布在变成喷出口19的部分上。
当拒水性涂层18形成于涂覆树脂层17上时，如日本特开2000-326515号公报中所述的那样，可以通过配置感光性拒水材料并且通过将感光性拒水材料与涂覆树脂层17的抗蚀剂材料一起曝光和显影而形成拒水性涂层18。例如，层压材料可以用作感光性拒水材料。一般情况下，因为涂覆树脂层17所用的抗蚀剂材料具有负性特性，所以通过将挡光的光掩模（未示出）涂布在变成喷出口19的部分上而进行曝光。在曝光后通过使涂覆树脂层17的抗蚀剂材料和感光性拒水材料显影而形成喷出口19。使用例如二甲苯等芳香族溶剂来进行显影。
接着，如图10D所示，材料保护层20形成在涂覆树脂层17和拒水性涂层18上以保护这些层不受蚀刻剂影响。之后，通过从基板的背面侧蚀刻基板而形成共用供给口21。
例如，环化异戊二烯可以用作材料保护层20。环化异戊二烯可以是从例如东京応化工业株式会社购买到的OBC（商品名）。
当蚀刻硅基板时，例如22wt%（重量百分比）的四甲基氢化铵（TMAH）溶液等碱性溶液可以用作蚀刻剂。例如，可以通过将基板浸入83℃的22wt%TMAH溶液12小时而形成共用供给口21。
从基板10的背面（第二表面）到共用供给口21的平坦面（底面）的距离例如为500μm。基板的厚度例如为625μm（在使用由三菱综合材料株式会社制作的CZ基板的情况下），并且基板大小为6英寸
Figure BDA00002765401300111
。
接着，如图10E所示，在除去形成在基板的背面的图案化掩模15和氧化膜14两者之后，形成独立供给口时所用的蚀刻掩模的材料（即蚀刻掩模材料）22涂布在共用供给口21的底面。
蚀刻掩模材料22可以例如通过采用喷涂装置（EVG公司制作的EVG150）来涂布。蚀刻掩模材料22可以例如是感光性材料（AZ电子材料公司制作的AZP4620，东京応化工业株式会社制作的OFPR或道康宁公司制作的BCB）。蚀刻掩模材料22的膜厚例如为10μm。
接着，如图10F所示，通过将蚀刻掩模材料22的膜图案化而形成蚀刻掩模22'。
蚀刻掩模材料22的膜例如通过曝光和显影被图案化。蚀刻掩模22'具有与独立供给口对应的开口图案。换言之，蚀刻掩模22'限定了独立供给口的开口位置，并且蚀刻掩模22'的开口图案与位于基板背面侧的独立供给口的开口图案对应。
在本实施方式中，蚀刻掩模22'的开口图案被形成为使得，从喷出能量产生元件到邻近该喷出能量产生元件的两个独立供给口在第一表面侧的各自的开口的距离彼此相等。
曝光设备可以是在利用该曝光设备获得期望图案的情况下没有问题的投影式或接近式曝光设备。
接着，如图10G所示，在采用蚀刻掩模22'作为掩模的情况下使用等离子体通过离子蚀刻形成从共用供给口21的底面贯穿到基板的前表面的开口，由此形成独立供给口23。
例如可以通过首先除去硅基板上的硅层、然后依次除去作为隔膜的P-SiO膜和P-SiN膜，来进行上述干法蚀刻。
接着，如图10H所示，除去了材料保护层20，并且进一步除去了流路模具构件16。除去流路模具构件16之后形成的空间提供了成对的两个液体流路24。
例如，通过将基板浸入二甲苯中以除去OBC，然后通过将基板的整个表面曝光来分解形成流路模具构件16的正性抗蚀剂层。例如通过利用波长为不超过330nm的光照射正性抗蚀剂的材料将正性抗蚀剂的材料分解成低分子化合物，并且通过溶剂容易地除去这些低分子化合物。分解之后，使用溶剂除去正性抗蚀剂层。
利用上述步骤，如图10H的剖视图所示，形成了与喷出口19连通的成对的两个液体流路24。
与一个加热器11连通的上述两个液体流路关于加热器11对称。换言之，例如如后述的图1B和图3B所示，在沿着经过喷出能量产生元件的中心和与该喷出能量产生元件邻近的两个独立供给口的各自的中心并且与基板的表面方向垂直的平面截取的剖面中，从该喷出能量产生元件向两个独立供给口中的一个独立供给口延伸的一个液体流路以及从该喷出能量产生元件向另一个独立供给口延伸的另一个液体流路关于该喷出能量产生元件对称。两个液体流路关于喷出能量产生元件的对称性意味着这些液体流路在上述剖面中关于经过该喷出能量产生元件的中心并且与基板表面垂直的线对称。
下面将详细说明在本实施方式中进行的使用等离子体的离子蚀刻。要注意的是，下面的说明主要与使用ICP蚀刻机的情况相关，但是本发明不限于这种情况。
图6A示出在导体基板的背面形成具有大阶差的共用供给口之后，在该共用供给口内形成贯通到基板的前表面的独立供给口的步骤。在很多情况下使用图7所示的感应耦合等离子体设备（下文也称为“ICP蚀刻机”）来执行该步骤。ICP蚀刻机适于在常温附近将硅蚀刻到大约为10μm以上的深度。在ICP蚀刻机中，如图7所示，采用了包括线圈状天线和用于使天线与等离子体绝缘的介电体的等离子体源，并且通过流经天线的RF电流产生磁场。RF磁场利用电磁感应产生感应电场，从而产生和维持等离子体。如图7所示，用于产生感应电场的线圈状天线以介电体窗介于天线和真空容器之间的方式定位于真空容器外部。另外，ICP蚀刻机的有利之处在于蚀刻形状和与底层材料（underlying material）相关的选择比在ICP蚀刻机中容易被控制，这是因为依赖于放电电源的离子束和依赖于偏压电源的离子能量彼此独立地可控。而且，ICP蚀刻机具有能够获得高达1011cm-3至1013cm-3的电子密度的特征。ICP蚀刻机产生具有高电子密度的等离子体并利用等离子体分解蚀刻气体，由此产生离子和自由基。所产生的离子和自由基在生成于基板上的等离子体鞘中被朝向基板加速，由此蚀刻例如硅等要被蚀刻的材料。ICP蚀刻机能够在维持垂直性的状态下深度地蚀刻要被蚀刻的材料。
然而，如上所述，当采用ICP蚀刻机将多个独立供给口形成于已经形成在硅晶片中的凹部的底面时，正性空间电荷层（等离子体鞘）由于凹部的形状的影响而变形。更详细地，当高密度等离子体移动到将由等离子体处理的基板所放置的区域时，等离子体鞘由于基板中的凹部的形状的影响而变形，该高密度等离子体是通过布置于ICP蚀刻机的下部的RF偏压电源在等离子体室中形成的。等离子体鞘的这种变形使得形成于共用供给口的底面的独立供给口的垂直性劣化。为了检查变形的详细分布，本申请的发明人通过采用东北大学寒川研究室研发的“晶圆上监控系统（On-Wafer Monitoring System）”实测了ICP蚀刻机中产生等离子体时的电子温度、密度以及鞘电势。“晶圆上监控系统”能够在ICP蚀刻机中进行等离子体监控。
（参考论文）Journal of Applied Physics,Vol.17(2010),043302“Prediction of UV spectra and UV-radiation damage inactual plasma etching processes using on-wafer monitoringtechnique”
ASE-Pegasus（住友精密工业株式会社制）被用作ICP蚀刻机。基于测量结果，使用等离子体分析仿真器来预测用于垂直地形成独立供给口所需的离子轨道和蚀刻形状。FabMeister-PB（瑞穗信息研究院有限公司制）被用作等离子体分析仿真器。独立供给口如下地形成。首先，如图6A所示，具有大约500μm阶差的共用供给口通过各向异性湿法蚀刻形成于硅基板的背面。然后，具有与独立供给口对应的开口图案的蚀刻掩模形成于共用供给口的底面，并且通过采用ICP蚀刻机从背面侧对基板进行蚀刻。
图12是示出利用上述方法获得的预测值和实测值的图表。要注意的是图12的图表中的预测值和实测值表示利用呈图6B所示的形态的基板而获得的结果。如从图12的图表所看到的，上述预测方法能够正确地预测实际现象。
在图10G的步骤中，当独立供给口23沿着加热器列形成于共用供给口中时，等离子体鞘由于共用供给口的阶差的影响而变形，由此使在蚀刻气体的分解时产生的蚀刻离子的离子轨道弯曲。因此，共用供给口的侧壁附近的独立供给口被蚀刻并形成为从与基板表面垂直的方向略微倾斜的形状。这种倾斜角被定义为Y（参见图6B）。当通过各向异性蚀刻形成共用供给口时，从共用供给口的底面边缘到共用供给口的开口缘的距离在与基板表面平行的方向上被表示为a（=h/tanθ，h：共用供给口的深度）。
图6C示出沿着经过独立供给口的形成区域、与基板表面垂直并且与共用供给口的宽度方向平行的平面截取的剖面。在图6C中，从共用供给口的底面边缘到任何一个独立供给口的距离被定义为X。具体地，X表示从共用供给口的底面边缘到独立供给口的位于底面边缘附近侧的边缘的距离，或者到独立供给口的中心的距离。假设独立供给口的深度为H，则从基板的背面（第二表面）到独立供给口的位于第一表面侧的开口底端（即，到独立供给口的底面）的距离被表示为（h+H）。另外，从上述预测值推导出下面的公式（4）。
Y=2.0×10-14×(X+a)4-2.0×10-10×(X+a)3+1.0×10-6×(X+a)2-1.8×10-3×(X+a)+3.3×10-3×h-4.5×10-3     …(4)
如上所述，可以理解的是形成于共用供给口的底面的独立供给口以由上述公式（4）表示的倾斜角Y形成。倾斜角Y根据从共用供给口的底面边缘到独立供给口的距离X而变化。而且，假设独立供给口与基板的前表面中的喷嘴（喷出口）连通的位置的偏移量为如图6C中所示的Δx，则在独立供给口的深度为H的条件下由下面的公式（1）表示Δx：
Δx=H×Tan(Y)       …(1)
由此，可以使用公式（1）预测位置偏移量Δx。
图12的图表中所示的预测值表示当共用供给口的深度为500μm时获得的结果。图13表示当共用供给口的深度为564μm时获得的预测值的结果和实测值的结果。
从图12和图13可以推断，如果ICP蚀刻机的加工条件（诸如RF功率值、加工压力以及气体流速）保持恒定，则等离子体鞘的变形表现出相似的倾向。因此，可以基于离共用供给口的底面边缘的距离预测各个独立供给口的倾斜角。因此可以预先预测独立供给口的（歪斜）移位（偏移量）Δx。
图14和图15均为示出当ICP蚀刻机的加工条件改变时形成于共用供给口的底面的独立供给口的倾斜角Y与从底面边缘到独立供给口的距离X之间的关系的图表。ICP蚀刻机的加工条件包括例如RF功率值、加工压力以及气体流速。
图14示出当共用供给口的深度为500μm时获得的结果，图15示出当共用供给口的深度为564μm时获得的结果。
在图14中，a、b和c表示计算值，d表示实测值。a情况下的加工条件是RF功率为3.0kw、偏压为75w以及压力为12Pa。b情况下的加工条件是RF功率为6.0kw、偏压为150w以及压力为12Pa。c情况下的加工条件是RF功率为3.0kw、偏压为150w以及压力为12Pa。d情况下的加工条件是RF功率为3.0kw、偏压为150w以及压力为12Pa。
在图15中，a'、b'和c'表示计算值，d'表示实测值。a'情况下的加工条件是RF功率为3.0kw、偏压为75w以及压力为12Pa。b'情况下的加工条件是RF功率为6.0kw、偏压为150w以及压力为12Pa。c'情况下的加工条件是RF功率为3.0kw、偏压为150w以及压力为12Pa。d'情况下的加工条件是RF功率为3.0kw、偏压为150w以及压力为12Pa。
如从图14和图15所看到的，存在如下趋势：当改变RF功率和偏压值以增大蚀刻速率时，倾斜角Y增大并且由上述公式（3）表示的鞘长度增大。另外，考虑到例如对于底层材料的选择性，以及对于当采用博世工艺时侧壁上的沉积膜的选择性，在独立供给口的位于与共用供给口的底面相同侧的开口以及独立供给口的位于与基板的前侧相同侧的开口能够以期望的精度（±2.0%内）形成的范围内，倾斜角Y与从共用供给口的底面边缘到独立供给口的中心的距离X之间的关系由下面的公式（5）表示：
Y=k{2.0×10-14×(X+a)4-2.0×10-10×(X+a)3+1.0×10-6×(X+a)2-1.8×10-3×(X+a)+3.3×10-3×h-4.5×10-3}     …(5)
在公式（5）中，k是系数。如从图14和图15所看到的，在满足0<k<2.5的范围内，即使在考虑到上述事项时，也能够使用公式（5）预测独立供给口的开口位置。
而且，检查了共用供给口的形状和独立供给口的倾斜角之间的关系。关于共用供给口的形状，共用供给口的开口宽度808（参见图8B）被改变为1.0mm、0.32mm、0.24mm以及0.18mm，并且采用了如图11所示的具有竖直侧壁的槽形状而不是具有倾斜的侧壁的形状（参见图6A）。共用供给口的开口宽度808意味着共用供给口在自身宽度方向上的宽度，如图8B所示。图16是Y轴代表歪斜偏移量并且X轴代表从共用供给口的底面边缘到独立供给口的距离的图表。
如从图16所看到的，当共用供给口的开口宽度为0.32mm以下并且开口宽度与深度的比率（即宽高比）为0.64以下时，基板表面上生成的等离子体鞘的变形没有分布到共用供给口的底面附近。因此，减少了待要形成的独立供给口的歪斜现象。此外，如从图16所看到的，当共用供给口的形状从图6A中的倒梯形形状变为图11中的槽形状时，独立供给口的倾斜角减小。这表明等离子体鞘在基板表面的、由上述公式（3）表示的变形减少并且还减小了到达基板的离子束的弯曲。
假设共用供给口的宽度和深度分别为W和h，则当宽高比A（=W/h）在0.64<A<3.0的范围内并且宽度W在0.32mm<W<1.5mm的范围内时，倾斜角Y与从底面边缘到独立供给口的距离X之间的关系由下面基于公式（5）的公式（6）表示：
Y≤k{2.0×10-14×(X+a)4-2.0×10-10×(X+a)3+1.0×10-6×(X+a)2-1.8×10-3×(X+a)+3.3×10-3×h-4.5×10-3}     …(6)
在公式（6）中，k是系数。考虑到上述公式（5），可以理解的是公式（6）保持在0<k<2.5的范围。
如上所述，当共用供给口的开口直径、共用供给口的深度以及从共用供给口的底面边缘到独立供给口的开口中心的距离已知时，基于公式（1）、（5）和（6）能够预测独立供给口的位置偏移。因此，通过利用考虑到各个独立供给口的各自的预测偏移而制备的蚀刻掩模形成独立供给口，能够在基板表面中形成以相等间距开口的或在期望位置开口的独立供给口。
第一实施方式
图1A和图1B是根据本发明的第一实施方式的喷墨记录头的示意图。具体地，图1A是基板的示意性平面图。
在图1A中，定位于喷嘴列方向上的端部的喷嘴组由109a表示，并且定位于中央部的喷嘴组由109b表示。在图1A中，基板101包括在喷嘴列方向（也称为“喷出口列方向”）上以相等间距排列的、作为喷出能量产生元件的多个发热电阻器102。喷嘴列方向与图1A中的点线IB-IB对应。在图1A的喷墨记录头中，喷出口设置于发热电阻器102的上方。为在喷嘴列方向上邻近独立供给口的各个发热电阻器102配置多个独立供给口103（具有位于图1A所示的基板的前表面侧的开口）。在图1A中，数字104表示液体流路。从独立供给口103将墨供给到液体流路104并且进一步将墨传送到形成于发热电阻器102上方的喷出口。在两个邻近的喷嘴列中，一个喷嘴列被配置为从另一喷嘴列沿喷嘴列的方向移位发热电阻器102的列间距的1/4。
图1B是沿着图1A中的与基板表面垂直的点线IB-IB截取的剖视图。具体地，图1B是沿着包括喷出能量产生元件列和独立供给口列并且与基板表面垂直的平面截取的示意性剖视图。在图1B中，包括喷嘴（也称为“喷出口”）110的孔板（也称为“涂覆树脂层”）105形成于基板101的前表面侧（第一表面侧）。在发热电阻器102上方，喷嘴（喷出口）110被布置成与发热电阻器102一一对应。独立供给口103形成于基板101中所形成的共用供给口（也称为“凹部”）的底面106。数字107表示凹部的侧壁。共用供给口的底面边缘指的是凹部的侧壁107和底面106之间的边界。独立供给口103均形成为从共用供给口的底面106贯穿到基板101的前表面。在第一实施方式中，以相同的节距（pitch）形成多个喷出能量产生元件，而独立供给口103在共用供给口的底面106中的开口的节距从共用供给口的底面106的中央朝向底面106的边缘逐渐变窄。
图8A中示出的共用供给口例如具有1.0mm的宽度和500μm的深度。共用供给口可以通过使用强碱溶液（例如TMAH）各向异性湿法蚀刻到例如500μm的深度来形成。当对硅晶体进行各向异性蚀刻时，共用供给口的底面106和侧壁107之间的倾斜角θ为大约55°。独立供给口103中的最外一个独立供给口例如形成于从底面106的边缘到该一个独立供给口的中心的距离为大约85μm的位置处。
另一方面，图2A和图2B是作为比较例的喷墨记录头的示意图。具体地，图2A是喷墨记录头的示意性剖视图，图2B是基板的示意性平面图。在图2A和图2B中，作为喷出能量产生元件的发热电阻器以相等间距排列。
在图2A中的共用供给口的底面（即，凹部的底面），以朝向基板的外侧的较大倾斜度形成定位于底面边缘附近的独立供给口。因此，当形成于将要用于形成独立供给口的共用供给口的底面上的蚀刻掩模的开口图案的开口（与独立供给口在凹部侧的贯通位置对应）在没有考虑到误差的情况下以相等间距形成时，独立供给口在前表面侧的开口位置在底面边缘附近的位置处移位较大程度。更具体地，如图2B所示，观察邻近同一发热电阻器的两个独立供给口，从该发热电阻器的中心到两个独立供给口在第一（前）表面侧的各自的开口缘的距离（Wa和Wb）之间的差值对于定位于共用供给口侧壁附近的独立供给口来说增大。如从上述表11、12、13、14和15所看到的，独立供给口的位置例如可以偏移大约5.0μm。这样的位置偏移使得从发热电阻器到与该发热电阻器邻近的两个独立供给口的流阻彼此不同。结果，从设置于发热电阻器上方的压力室喷出的墨被迫相对于与基板表面垂直的方向倾斜地喷出。
鉴于上述问题，在第一实施方式中，如图1A和图1B所示，通过基于上述公式（1）预测独立供给口在第一表面侧的开口位置，以使得从发热电阻器102到与其邻近的两个独立供给口在第一表面侧的开口的各自的距离彼此相等的方式，调整独立供给口103的在共用供给口的底面106中的开口位置。换言之，如上所述，根据从共用供给口的底面边缘到独立供给口的距离，使用公式（1）能够确定将要形成独立供给口在第一表面侧的开口的位置。由此，蚀刻掩模的开口图案被形成为使得从发热电阻器到与该发热电阻器邻近的两个独立供给口在第一表面侧的开口的各自的距离彼此相等。
例如，以使得能够从距离共用供给口的底面边缘85μm的位置开始形成独立供给口的方式，将作为与喷嘴（喷出口）连通的部分的液体流路用的模具构件布置在喷墨记录头用的基板的前表面侧。基于公式（1)预测利用ICP蚀刻机进行处理的过程中由于等离子体鞘的变形引起的歪斜偏移，并且设计用于规定独立供给口在共用供给口侧的开口位置的蚀刻掩模。在采用由此设计的蚀刻掩模的状态下通过利用等离子体的离子蚀刻形成独立供给口，能够使从发热电阻器到与该发热电阻器邻近的两个独立供给口的各自的距离彼此相等，并且能够减小两者之间的流阻差值。这里，从喷出能量产生元件到独立供给口的距离意味着与基板表面平行的距离，并且该距离是从喷出能量产生元件的中心到独立供给口的开口缘的距离。
独立供给口能够以例如与喷嘴节距对应的300dpi与喷嘴连通。
另外，如从公式（1）和（6）所看出的，贯通开口位置的偏移对于与共用供给口的中央区域对应的喷嘴组来说小到可以忽略。换言之，独立供给口的开口位置在共用供给口侧壁附近的区域中被较大程度地调整。
结果，减小了墨喷出方向的倾斜度并且能够实现如下喷墨记录头：在该喷墨记录头中，诸如条纹和不均匀等记录不良更不引人注意。
以一列中喷嘴数量为128并且喷嘴间距为300dpi的喷墨记录头为例，下面说明当以7.5kHz喷出2.8pl（皮升）液滴时从发热电阻器到与该发热电阻器邻近的两个独立供给口的开口的各自的距离之间的差值对Y偏斜的影响。术语“Y偏斜”意味着实际落墨位置从理想落墨位置的偏移，该偏移被当做沿喷嘴列方向的值而测量。记录头与记录介质之间的距离为1.25mm，并且记录头在扫描方向上的速度为12.5inch/sec。
在图2A和图2B中的被示出为比较例的喷墨记录头中，Y偏斜对于最外端处的喷嘴来说为大约8μm。在该情况下，从发热电阻器到两个邻近的墨供给口的贯穿开口位置的各自的距离之间的差值（即Wa和Wb之间的差值）最大为5μm。
另一方面，在根据图1A和图1B所示的第一实施方式的喷墨记录头中的Y偏斜大约为2μm。在第一实施方式中，远离硅基板中的共用供给口的底面边缘形成独立供给口的位置基于公式（1）被调整为从凹部的侧壁适当地移位。由此，可以理解的是，能够通过消除硅基板前表面中的从发热电阻器到与该发热电阻器邻近的两个独立供给口的各自的距离之间的差值而减小Y偏斜。
第二实施方式
图3A和图3B是根据本发明的第二实施方式的喷墨记录头的示意图。图3A是根据第二实施方式的喷墨记录头用的基板的、在基板的前表面（第一表面）301观察的示意性平面图。第二实施方式与第一实施方式的不同之处是在与喷嘴列垂直的方向上邻近发热电阻器302地配置多个独立供给口303。
在图3A中，多个发热电阻器302在喷嘴列方向上以相等间距排列。与每个发热电阻器302邻近地布置有两个独立供给口303以用于将墨供给到该发热电阻器302。在与喷嘴列垂直的方向上将两个独立供给口303配置为邻近该发热电阻器302。发热电阻器302均布置在两个独立供给口303之间。用于限定压力室304的压力室壁312形成在发热电阻器302之间。在第二实施方式中，压力室304也用作液体流路。在两个邻近的喷嘴列中，一个喷嘴列被配置为从另一个喷嘴列沿喷嘴列方向移位发热电阻器302的列间距的1/8。
在第二实施方式的喷墨记录头中，例如在图8A所示的结构中共用供给口（凹部）具有1.2mm的开口宽度和600μm的深度。共用供给口可以通过使用强碱溶液（例如TMAH）各向异性湿法蚀刻到600μm的深度来形成。在该情况下，共用供给口的底面和侧壁（倾斜表面）之间的倾斜角θ为大约55°。例如在距离共用供给口的底面边缘大约100μm的位置处开始形成独立供给口。
图3B是沿着图3A中的点线IIIB-IIIB截取的剖视图。在图3B中，包括喷嘴（喷出口）310的孔板305形成于喷墨记录头用的基板的前表面301上。独立供给口303形成于共用供给口的底面306，该底面306与侧壁307毗连。独立供给口303形成为从共用供给口的底面306贯穿喷墨记录头用的基板。
在第二实施方式中，基于公式（1）预测独立供给口303在基板的前表面侧的开口位置，并且确定独立供给口303在基板的背面侧的开口位置。由此，独立供给口303在基板的背面侧的开口位置均根据离凹部壁面的距离而依据公式（1）进行移位，其中凹部壁面定位于与喷嘴列垂直的方向上。
在图3B中，如从上述公式（4）和（5）所看出的，端部喷嘴组中的墨供给口的开口位置的偏移量呈下述关系：311a>311b>311c>311d。另外，发热电阻器均形成为使得从发热电阻器到与该发热电阻器邻近的两个独立供给口在基板的前表面侧的开口缘的各自的距离彼此相等。而且，如从公式（1)和（6）所看出的，对于共用供给口的中央附近的喷嘴组，由于独立供给口的开口位置的偏移小到可以忽略，所以这些偏移可以被认为是0。结果，能够减小从发热电阻器到与该发热电阻器邻近的两个独立供给口的各自的距离之间的差值，并且两者之间的流阻的差值也可以减小。从而减小了墨喷出方向的倾斜度并且可以提供如下喷墨记录头：在该喷墨记录头中，诸如条纹和不均匀等记录不良更不引人注意。
第三实施方式
图4A和图4B是根据本发明的第三实施方式的喷墨记录头的示意图。图4A是在根据第三实施方式的喷墨记录头用的基板的前表面401观察的基板的示意性平面图。在图4A中，多个发热电阻器402在喷嘴列方向上以相等间距排列。与每个发热电阻器402邻近地布置有两个独立供给口403。换言之，发热电阻器402均布置在两个独立供给口403之间。也用作液体流路的压力室404被形成为包括发热电阻器402和独立供给口403的相应部分。
在图4A中，在两个邻近的喷嘴列中，一个喷嘴列被配置为从另一个喷嘴列沿喷嘴列方向移位发热电阻器402的列间距的1/4。
在第三实施方式的喷墨记录头中，例如在图8A所示的结构中，共用供给口（凹部）具有1.0mm的开口宽度和500μm的深度。共用供给口可以通过例如ICP蚀刻机加工成槽形状直到达到500μm的深度。例如在距离槽形凹部的端部大约400μm的位置处开始形成独立供给口。在槽形状的情况下，k值具有减小的趋势。
图4B是沿着图4A中的点线IVB-IVB截取的剖视图。在图4B中，包括喷嘴（喷出口）410的孔板405形成于基板的前表面401上。具有槽形状的共用供给口由基板中的凹部的壁面407和该凹部的底面406限定，底面406与壁面407毗连。独立供给口403形成为以从共用供给口的底面（即，凹部的底面406）到基板的前表面的方式贯穿基板。
在第三实施方式中，基于公式（1）预测独立供给口403在基板的前表面侧的开口位置，并且确定独立供给口403在基板的背面侧的开口位置。由此，如图4A和图4B所示，独立供给口403在共用供给口的底面406中的开口位置均依赖于离与横过喷嘴列方向地定位的凹部壁面的距离根据公式（1）移位以进行调整。当在第三实施方式中考虑离横过喷嘴列方向地定位的凹部壁面（即，离在其宽度方向上延伸的凹部壁面）的距离时，实施方式不限于所述示例。例如，独立供给口的开口位置均可以考虑离在喷嘴列方向上延伸的凹部壁面（即，离横过其宽度方向地定位的凹部壁面）的距离而进行调整。
在图4B中，端部喷嘴组中的墨供给口的开口位置的偏移量呈如下关系：411a>411b>411c。另外，发热电阻器均形成为使得从发热电阻器到与该发热电阻器邻近的两个独立供给口的在基板的前表面侧的开口缘的各自的距离彼此相等。而且，如从公式（1）和（6）所看出的，对于共用供给口的中央附近的喷嘴组，由于独立供给口的开口位置的偏移小到可以忽略，所以这些偏移可以被认为是0。结果，可以减小从发热电阻器到与该发热电阻器邻近的两个独立供给口的各自的距离之间的差值，并且还可以减小两者之间的流阻差值。因此减小了墨喷出方向的倾斜度，并且可以提供如下喷墨记录头：在该喷墨记录头中，诸如条纹和不均匀等记录不良更不引人注意。
第四实施方式
图5A和图5B是根据本发明的第四实施方式的喷墨记录头的示意图。图5A是在根据第四实施方式的喷墨记录头用的基板的前表面501观察的基板的示意性平面图。
在图5A中，多个发热电阻器502在喷嘴列方向上以相等间距排列。与每个发热电阻器502邻近地布置有两个独立供给口503。换言之，发热电阻器502均布置在两个独立供给口503之间。用于限定压力室504的压力室壁512形成于发热电阻器502之间。压力室504也用作液体流路。在两个邻近的喷嘴列中，一个喷嘴列被配置为从另一个喷嘴列沿喷嘴列方向移位发热电阻器502的列间距的1/8。
在第四实施方式的喷墨记录头中，例如在图8A所示的结构中共用供给口（凹部）具有1.2mm的开口宽度和600μm的深度。共用供给口可以通过例如ICP蚀刻机加工成槽形状直到达到600μm的深度。例如在距离凹部的壁面507大约380μm的位置处开始形成独立供给口。
图5B是沿着图5A中的点线VB-VB截取的示意剖视图。在图5B中，包括喷嘴（喷出口）510的孔板505形成于基板的前表面501上。共用供给口由基板中的凹部的壁面507和该凹部的底面506限定，底面506与壁面507毗连。独立供给口503形成为以从共用供给口的底面到喷墨记录头用的基板的前表面501的方式贯穿基板。
在第四实施方式中，基于公式（1）预测独立供给口503在基板的前表面侧的开口位置，并且确定独立供给口503在基板的背面侧的开口位置。由此，独立供给口在共用供给口的底面中的开口位置均依赖于离与横过喷嘴列方向地定位的凹部壁面的距离根据公式（1）移位。
在图5B中，端部喷嘴组中的墨供给口的开口位置的偏移量呈如下关系：511a>511b>511c>511d。另外，发热电阻器均形成为使得从发热电阻器到与该发热电阻器邻近的两个独立供给口的在基板的前表面侧的开口缘的各自的距离彼此相等。而且，如从公式（1）和（6）所看出的，对于共用供给口的中央附近的喷嘴组，由于独立供给口的开口位置的偏移小到可以忽略，所以这些偏移可以被认为是0。结果，可以减小从发热电阻器到与该发热电阻器邻近的两个独立供给口的各自的距离之间的差值，并且还可以减小两者之间的流阻差值。因此减小了墨喷出方向的倾斜度，并且可以提供如下喷墨记录头：在该喷墨记录头中，诸如条纹和不均匀等记录不良更不引人注意。
利用根据本发明的实施方式的液体喷出头的制造方法，可以减小独立供给口在基板的前表面侧的开口位置的偏移。因此，能够减小从喷出能量产生元件到与该喷出能量产生元件邻近的两个独立供给口的各自的距离之间的差值，并且还可以减小两者之间的流阻差值。结果，减小了液体喷出方向的倾斜度并且可以提供如下液体喷出头：在该液体喷出头中，抑制了诸如条纹和不均匀等记录不良。
尽管已经参照示例性实施方式描述了本发明，但是应理解，本发明不限于所公开的示例性实施方式。所附权利要求书的范围应符合最宽泛的阐释，以包含所有变型、等同结构和功能。

Claims (8)

1.一种液体喷出头的制造方法，所述液体喷出头包括：基板，所述基板在其第一表面包括多个喷出能量产生元件，所述喷出能量产生元件被构造为产生喷出液体用的能量；以及孔板，所述孔板被布置于所述基板的第一表面侧，以形成所述液体被喷出所经过的喷出口，并且限定与所述喷出口连通的液体流路，
所述基板包括：凹部形状的共用供给口，所述共用供给口形成在所述基板的位于所述第一表面所在侧的相反侧的第二表面；以及多个独立供给口，所述独立供给口从所述共用供给口的底面贯穿到所述第一表面并且与所述液体流路连通，
所述喷出口布置于所述喷出能量产生元件上方，
邻近各个所述喷出能量产生元件地布置将所述液体供给到该喷出能量产生元件的两个独立供给口，该喷出能量产生元件布置于所述两个独立供给口之间，
所述方法包括下述步骤：
1)在所述基板的所述第二表面形成凹部以形成所述共用供给口，
2)形成蚀刻掩模，所述蚀刻掩模规定所述独立供给口的在所述共用供给口的所述底面的开口位置，以及
3)在采用所述蚀刻掩模作为掩模的状态下使用等离子体进行离子蚀刻，由此形成所述独立供给口，
其中，所述蚀刻掩模具有在所述蚀刻掩模中形成的开口图案，使得从所述喷出能量产生元件到与该喷出能量产生元件邻近的两个独立供给口的在所述第一表面侧的开口的各自的距离彼此相等。
2.根据权利要求1所述的液体喷出头的制造方法，其中，在沿着经过所述喷出能量产生元件的中心和与该喷出能量产生元件邻近的两个独立供给口的各自的中心、并且与所述基板的表面方向垂直的平面截取的剖面中，从所述喷出能量产生元件向所述两个独立供给口中的一个独立供给口延伸的一条液体流路以及从该喷出能量产生元件向所述两个独立供给口中的另一个独立供给口延伸的另一条液体流路关于该喷出能量产生元件对称。
3.根据权利要求1所述的液体喷出头的制造方法，其中，当Δx表示所述独立供给口的在所述共用供给口的底面侧的开口相对于所述独立供给口的在所述基板的所述第一表面侧的开口的偏移量时，由下述公式（1）表示Δx：
Δx=H×Tan(Y)…(1)
其中，H：{（所述基板的厚度）-（所述共用供给口的深度：h）}，
Y：当通过所述离子蚀刻形成所述独立供给口时离子束由于等离子体鞘的变形而弯曲的角度，
并且
在从所述凹部的中央部到所述凹部的端部的区域中基于所述公式（1)来调整所述多个独立供给口的节距。
4.根据权利要求3所述的液体喷出头的制造方法，其中，当通过所述离子蚀刻形成所述独立供给口时，所述离子束由于所述等离子体鞘的变形而弯曲的所述角度Y满足下述公式（2）：
Y≤k{2.0×10-14×(X+a)4-2.0×10-10×(X+a)3+1.0×10-6×(X+a)2-1.8×10-3×(X+a)+3.3×10-3×h-4.5×10-3}     …(2)
其中，k：系数，0<k<2.5，
a：从所述共用供给口的所述底面的边缘到所述共用供给口的开口缘在平行于基板表面的方向上的距离，以及
X：从所述共用供给口的所述底面的边缘到所述独立供给口的距离。
5.一种液体喷出头，其包括：
基板，所述基板在其第一表面包括多个喷出能量产生元件，所述喷出能量产生元件被构造为产生喷出液体用的能量；以及
孔板，所述孔板被布置于所述基板的第一表面侧，以形成所述液体被喷出所经过的喷出口，并且限定与所述喷出口连通的液体流路，
其中，所述基板包括：凹部形状的共用供给口，所述共用供给口形成在所述基板的位于所述第一表面所在侧的相反侧的第二表面；以及多个独立供给口，所述独立供给口从所述共用供给口的底面贯穿到所述第一表面并且与所述液体流路连通，
所述喷出口布置于所述喷出能量产生元件上方，
邻近各个所述喷出能量产生元件地布置将所述液体供给到该喷出能量产生元件的两个独立供给口，该喷出能量产生元件布置于所述两个独立供给口之间，并且
从所述喷出能量产生元件到与该喷出能量产生元件邻近的两个独立供给口的在所述第一表面侧的开口的各自的距离彼此相等。
6.根据权利要求5所述的液体喷出头，其中，在沿着经过所述喷出能量产生元件的中心和与该喷出能量产生元件邻近的两个独立供给口的各自的中心、并且与所述基板的表面方向垂直的平面截取的剖面中，从各个所述喷出能量产生元件延伸到所述两个独立供给口中的一个独立供给口的一条液体流路以及从该喷出能量产生元件延伸到所述两个独立供给口中的另一个独立供给口的另一条液体流路关于该喷出能量产生元件对称。
7.根据权利要求5所述的液体喷出头，其中，在沿着包括所述喷出能量产生元件的列以及所述独立供给口的列、并且与所述基板垂直的平面截取的剖面中，所述喷出能量产生元件以均一的节距形成，并且所述独立供给口在所述共用供给口的所述底面的开口的节距从所述共用供给口的所述底面的中央朝向所述底面的边缘逐渐变窄。
8.根据权利要求5所述的液体喷出头，其中，所述共用供给口在其宽度方向上的开口宽度W处于下述范围：
0.32mm<W<1.5mm。
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