JP2010052303A - 記録ヘッド及び記録ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】吐出口の中心軸に関して対称に配置された複数の連通路を微細に形成することに適した記録ヘッドを提供する。
【解決手段】記録ヘッドは、液体に熱エネルギーを作用させることにより、前記液体を吐出口から吐出させる記録ヘッドであって、前記吐出口の下に配され前記液体が前記吐出口から吐出されるように前記液体に圧力を加えるための加圧空間を含む供給室と、前記液体を前記供給室へ供給する液体供給流路及び前記液体供給流路と前記供給室とを仕切る仕切り部を含む半導体基板とを備え、前記仕切り部には、前記液体供給流路を前記供給室へ連通させる複数の連通路が形成されており、前記複数の連通路は、前記吐出口の中心軸に関して対称に配されており、前記仕切り部は、前記半導体基板における前記仕切り部の周辺より高い濃度で不純物を有する半導体で形成されている。
【選択図】図1
【解決手段】記録ヘッドは、液体に熱エネルギーを作用させることにより、前記液体を吐出口から吐出させる記録ヘッドであって、前記吐出口の下に配され前記液体が前記吐出口から吐出されるように前記液体に圧力を加えるための加圧空間を含む供給室と、前記液体を前記供給室へ供給する液体供給流路及び前記液体供給流路と前記供給室とを仕切る仕切り部を含む半導体基板とを備え、前記仕切り部には、前記液体供給流路を前記供給室へ連通させる複数の連通路が形成されており、前記複数の連通路は、前記吐出口の中心軸に関して対称に配されており、前記仕切り部は、前記半導体基板における前記仕切り部の周辺より高い濃度で不純物を有する半導体で形成されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、記録ヘッド及び記録ヘッドの製造方法に関する。
特許文献1〜4に開示されたインクジェット記録ヘッドでは、記録信号によってヒータを駆動させてインク中に発生させた気泡でインクを加圧することによりそのインクを吐出口から紙へ向けて吐出させるとともに気泡を大気と連通させる。
また、特許文献5には、吐出口の中心に対して複数のヒータを対称に配置することにより、吐出口のメニスカスの偏りを防ぐことが記載されている。
特開昭54−161935号公報
特開昭61−185455号公報
特開昭61−249768号公報
特開平4−10941号公報
特開2006−175822号公報
S.Yamamoto,T.Suzuki,O.Nkao,H.Mishimura,M.Sato、フジクラ技報第101号、p73、2001
特許文献1〜4には、吐出口の中心に対して液体供給流路を対称に配置することに関して開示がない。
特許文献5の図8には、ノズル5の中心に対してインク供給路9,7bを対称に配置することに関して開示がある。しかし、特許文献5には、どのようにしてインク供給路9,7bを微細に形成するかについて開示がない。
本発明の目的は、吐出口の中心軸に関して対称に配置された複数の連通路を微細に形成することに適した記録ヘッドを提供することにある。
本発明の第1側面に係る記録ヘッドは、液体に熱エネルギーを作用させることにより、前記液体を吐出口から吐出させる記録ヘッドであって、前記吐出口の下に配され前記液体が前記吐出口から吐出されるように前記液体に圧力を加えるための加圧空間を含む供給室と、前記液体を前記供給室へ供給する液体供給流路及び前記液体供給流路と前記供給室とを仕切る仕切り部を含む半導体基板とを備え、前記仕切り部には、前記液体供給流路を前記供給室へ連通させる複数の連通路が形成されており、前記複数の連通路は、前記吐出口の中心軸に関して対称に配されており、前記仕切り部は、前記半導体基板における前記仕切り部の周辺より高い濃度で不純物を有する半導体で形成されていることを特徴とする。
本発明の第2側面に係る記録ヘッドの製造方法は、液体に熱エネルギーを作用させることにより、前記液体を吐出口から吐出させる記録ヘッドの製造方法であって、半導体基板の表面側における前記吐出口の下方となるべき第1の領域に、格子状のパターンで不純物を注入する第1の工程と、前記半導体基板の裏面の一部から前記第1の領域へ連続する第2の領域を、不純物の濃度に応じたエッチング選択比を有するエッチャントを用いて選択的にエッチングすることにより、液体供給流路を形成するとともに、前記第1の領域における前記不純物が注入されていない領域を前記エッチャントを用いて選択的にエッチングすることにより、前記格子状のパターンを有し複数の連通路を含む仕切り部を形成する第2の工程と、前記仕切り部により前記液体供給流路と仕切られ前記複数の連通路により前記液体供給流路と連通された供給室を、前記半導体基板の上方に形成する第3の工程とを備え、前記複数の連通路は、前記吐出口の中心軸に関して対称に形成されていることを特徴とする。
本発明によれば、吐出口の中心軸に関して対称に配置された複数の連通路を微細に形成することに適した記録ヘッドを提供することができる。
本発明の課題を、図面を用いて詳細に説明する。
インクジェット方式の記録装置(例えば、プリンタ)に用いられる記録ヘッドにおいて、吐出されるインク滴を小さくするために、吐出口径を小さくした場合を考える。その場合、電気熱変換素子を駆動してインクを発泡させたとき、吐出口部内にインクが淀みやすく、供給路から供給されるインクが吐出口部に流れ込み、大気連通の際に吐出口のメニスカスに偏りが生じる。その結果として、図5に示すように、最初に飛翔した主滴501に対し速度が著しく遅く粒径の小さい液滴502である“サテライト”が後から吐出される。
このようなサテライト502の発生を防止するために、図6に示すように、吐出口の中心に対して、半導体基板内に電気熱変換素子603を対称に設けるとともに、半導体基板内に2つのインク供給口601,602を対称に設けることも考えられる。この構成では、インク供給口601,602が薬液を用いてシリコンの結晶方位に沿った異方性エッチングによって半導体基板を裏面からくり貫く方法で形成される。このため、電気熱変換素子及びインク吐出口に対して複数のインク供給流路を中心対称に配置しようとすると、図6のように「インク供給口の数×インク供給口の面積」だけ、インクジェット記録ヘッドが大型化してしまうという問題がある。
次に、本発明の第1実施形態に係る記録ヘッド100について、図1を用いて説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る記録ヘッド100の構成を示す図である。図1(a)は、記録ヘッド100の断面構成を示す図である。図1(b)は、記録ヘッド100のレイアウト構成を示す図である。
記録ヘッド100は、液体に熱エネルギーを作用させることにより、液体を吐出口30から吐出させる。液体は、例えば、インクである。記録ヘッド100は、例えば、DNAチップ、有機トランジスタ、カラーフィルタなどの作製に用いられる装置に適用できる。また、記録ヘッド100は、液滴を記録媒体(例えば、紙)上に付着させるインクジェット方式の記録装置(例えば、プリンタ)に適用できる。
記録ヘッド100は、半導体基板10、及び供給室60を備える。半導体基板10は、液体を通過させる。供給室60は、加圧空間50、空間21、及び空間22を含む。加圧空間50は、半導体基板10の上方であって吐出口30の下に配されている。加圧空間50は、後述する電気熱変換素子14から受けた熱エネルギーを作用させて液体中に気泡を発生させることにより、半導体基板10を通過した液体を吐出口30へ導くように加圧する。空間21、及び空間22は、加圧空間50に対して側方に隣接している。
半導体基板10は、シリコンを主成分とする半導体で形成されている。半導体基板10は、液体供給流路11、本体部12、仕切り部13、及び電気熱変換素子14を含む。
液体供給流路11は、下方から液体が供給されるように半導体基板10の裏面10bの一部が開口されたものである。液体供給流路11は、その液体を供給室60へ供給する。液体供給流路11は、上部の断面積CA1が下部の断面積CA2より小さい。液体供給流路11の側面は、シリコンの<100>面または<110>面である。これにより、液体供給流路11の下方から供給された液体は、液体供給流路11の下部から液体供給流路11の上部へ流れる際にその圧力が上昇する。
液体供給流路11は、後述するように、半導体基板10の下面に形成された酸化膜7のパターンをマスクとして、半導体基板10における第2の領域AR2に対して薬液を用いた結晶異方性エッチングを行うことにより形成されたものである。第2の領域AR2は、半導体基板10の裏面10bの一部から後述の第1の領域AR1へ連続するように延びた領域である。
本体部12は、液体供給流路11を囲む。本体部12は、後述のように、半導体基板10に対して薬液を用いた結晶異方性エッチングを行った際にエッチングされなかった部分である。
仕切り部13は、液体供給流路11の上部に接するように配されている。仕切り部13は、液体供給流路11と供給室60とを仕切る。仕切り部13には、複数の連通路13aが形成されている。すなわち、仕切り部13は、複数の連通路13a及びフレーム部13bを含む。
複数の連通路13aは、液体供給流路11を供給室60へ連通させる。複数の連通路13aは、加圧空間50に対して側方に隣接する空間21,22と液体供給流路11とをそれぞれ連通する。複数の連通路13aは、いずれも、吐出口30の中心軸CA(図1(b)参照)上(中心軸上)に位置せず、それぞれ、吐出口30の中心軸CAからシフトした位置において吐出口30の中心軸CAに沿って延びている(図1(a)参照)。これにより、複数の連通路13aを通過した液体は、空間21,22に下方から流れ込み供給室60の上壁にぶつかった後に加圧空間50へ導かれる。すなわち、複数の連通路13aを通過する液体が加圧空間50で発生する気泡に直接流れ込むことが抑制されているので、加圧空間50で発生する気泡の変形が抑制されている。
複数の連通路13aは、図1(b)に示すように、吐出口30の中心軸CAに関して対称に配されている。これにより、液体が連通路13aを介して加圧空間50に対して対称な方向から供給されるので、加圧空間50に発生した気泡の変形が抑制されている。
また、複数の連通路13aのそれぞれは、例えば、図1(b)に示すように、上面視において略矩形状であり、第1の領域AR1において2次元的に規則的な間隔で配列されている。第1の領域AR1は、半導体基板10の表面10a側における仕切り部13となるべき領域である。
ここで、複数の連通路13aのそれぞれの平均開口面積をOA1、連通路の数をN、吐出口30の開口面積をOA2、複数の連通路13aの総開口面積をSOAとするとき、
OA1×N=SOA・・・数式1
かつ
OA2<SOA・・・数式2
が成り立つ。すなわち、数式1に示されるように、連通路13aの数Nを多くすることで総開口面積SOAを大きくさせることができる。また、数式2に示されるように、複数の連通路13aの総開口面積をSOAを吐出口30の開口面積をOA2に対して十分に大きくするので、吐出口30へ十分な量の液体を供給することができる。
OA1×N=SOA・・・数式1
かつ
OA2<SOA・・・数式2
が成り立つ。すなわち、数式1に示されるように、連通路13aの数Nを多くすることで総開口面積SOAを大きくさせることができる。また、数式2に示されるように、複数の連通路13aの総開口面積をSOAを吐出口30の開口面積をOA2に対して十分に大きくするので、吐出口30へ十分な量の液体を供給することができる。
フレーム部13bは、複数の連通路13aを囲むように配され、本体部12より高い濃度で不純物を有する半導体で形成されている。すなわち、仕切り部13は、半導体基板10における仕切り部の周辺より高い濃度で不純物を有する半導体で形成されている。フレーム部13bが有する不純物は、例えば、ホウ素(ボロン)、リン、砒素、及びアンチモンのいずれかである。フレーム部13bは、液体が通過する方向に交差するように延びた板形状をしている。これにより、フレーム部13bにより囲まれた複数の連通路13aの深さを容易に短くすることができる。複数の連通路13aのそれぞれの深さは、例えば、5μm以下である。これにより、仕切り部13における複数の連通路13aを通過する液体の圧力損失を低減できる。
また、フレーム部13bのパターンは、後述するように、リソグラフィ技術を用いて微細に形成することができる。これにより、インク供給口を複数設けなくても、1つのインク供給口に対して複数の連通路13aを吐出口30の中心に関して対称に配置できるようになるので、吐出口30の中心に関して対称な複数の流路を形成することができる。
電気熱変換素子14は、加圧空間50に導かれた液体に熱エネルギーを作用させることにより液体を吐出口30へ導くように、吐出口30及び加圧空間50の下方に配されている。これにより、加圧空間50に導かれた液体に対して、吐出口30から吐出されるのに十分な圧力を与えることができる。
ここで、複数の連通路13aは、半導体基板10の表面10aに垂直な方向から透視した場合に、電気熱変換素子14の中心に関して対称に配されている。これにより、加圧空間50で発生する気泡に対して対称な方向から液体が流れ込むようにすることができる。
加圧空間50は、空間21,22、流路4a及び流路5aを介して複数の連通路13aとつながっている。
流路4aは、半導体基板10の上に配された表面保護膜4における複数の連通路13aに沿った開口である。表面保護膜4は、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物で形成されている。流路4aは、仕切り部13を通過した液体を流路5aへ供給する。
流路5aは、表面保護膜4の上に配された密着性向上層5における流路4aに沿った開口である。密着性向上層5は、例えば、HIMALで形成されている。流路5aは、流路4aを通過した液体を流路6aへ供給する。
加圧空間50及び空間21,22は、密着性向上層5の上に配された被覆感光性樹脂6における半導体基板10の表面に沿って延びた開口である。空間21,22は、流路5aを通過した液体を加圧空間50へ供給する。加圧空間50は、その液体を吐出口30へ導く。吐出口30は、密着性向上層5の上に配された被覆感光性樹脂6における半導体基板10の表面に垂直に延びた開口である。
このように、本実施形態に係る記録ヘッド100では、複数の連通路13aを通過する液体が加圧空間50で発生する気泡に直接流れ込むことが抑制されているので、加圧空間50で発生する気泡の変形が抑制されている。また、液体が複数の連通路13aを介して加圧空間50に対して対称な方向から供給されるので、加圧空間50に発生した気泡の変形が抑制されている。この結果、記録ヘッド100における吐出口30のメニスカスの偏りを低減することができる。
次に、本発明の第1実施形態に係る記録ヘッド100の製造方法について、図2を用いて説明する。図2は、本発明の第1実施形態に係る記録ヘッド100の製造方法を示す工程断面図である。
図2(a)に示す工程では、半導体基板10iを準備する。
図2(b)に示す工程では、半導体基板10iにおける第1の領域AR1に、格子状のパターンで不純物イオンを注入する。第1の領域AR1は、半導体基板10iの表面10ia側(表面側)における吐出口30の下方となるべき領域であって仕切り部13となるべき領域である。不純物イオンは、例えば、ボロンイオンである。第1の領域AR1に注入されるボロンイオンの深さ(第1の領域AR1の深さ)は、表面10iaから5μm以内であることが好ましい。
第1の領域AR1に注入されるボロンイオンの濃度は、1×1019atm/cm3以上であることが望ましい。非特許文献1にも記載されている通り、この濃度以上でエッチングレートが急激に低下することを利用し、ボロンイオンが注入された領域をエッチングされずに残すことが可能となる。
なお、イオン注入法の代わりに固相拡散法を用いて、第1の領域AR1に複数の連通路13aに対応したメッシュ状のパターンで不純物を注入してもよい。
次に、半導体基板10iの裏面10ibに酸化膜7iを形成する。
図2(c)に示す工程では、半導体基板10iにおける第1の領域AR1に、図1(b)に示すようなパターンで所定の不純物イオンを注入することにより、電気熱変換素子14を形成する。また、半導体基板10iの表面10ia側における第1の領域AR1に隣接した領域に、電気熱変換素子14を駆動するドライバーIC(不図示)等を形成する。
次に、半導体基板10iの表面10iaを覆うように表面保護膜4iを形成する。表面保護膜4iは、液体から電気熱変換素子14やドライバIC等を保護する。表面保護膜4は、例えば、プラズマCVD法などを用いてシリコン窒化物又はシリコン酸化物で成膜する。
図2(d)で示す工程では、半導体基板10の表面10ia及び裏面10ibに樹脂を塗布してレジストによりパターニングして灰化処理を行うことにより、密着性向上層5及び密着性向上層5jを形成する。密着性向上層5及び密着性向上層5jは、例えば、東京応化製の樹脂ODURを用いて形成される。
次に、液体供給流路20となるべき領域に、溶解可能な樹脂40で液体供給流路20に対応した形状を形成する。
さらに、密着性向上層5及び樹脂40の上に被覆性感光樹脂6を塗布することにより、ノズル構造すなわち液体供給流路20及び吐出口30に対応した構造を成型する。
図2(e)で示す工程では、ドライエッチング法またはウェットエッチング法を用いて、密着性向上層5jのパターンをマクスとして酸化膜7iをエッチングすることにより、パターニングされた酸化膜7を形成する。
次に、半導体基板10iの裏面10ib側から薬液による結晶異方性エッチングを行うことにより、液体供給流路11及び複数の連通路13aを形成する。
具体的には、酸化膜7及び密着性向上層5jのパターンをマスクとして、第2の領域AR2をエッチャントを用いて選択的にエッチングすることにより、液体供給流路11を形成する。第2の領域AR2は、半導体基板10iの裏面10ibの一部から第1の領域AR1へ連続するように延びた領域である。このエッチャントは、不純物の濃度に応じてエッチング速度が変化する。すなわち、このエッチャントは、半導体において不純物が注入されていない領域に対して不純物が注入された領域のエッチング速度が低下することで、高いエッチング選択比を有する。エッチャントは、例えば、TMAH(Tri-methyl Anmonium Hydrate)やKOHなどが望ましい。このとき、半導体基板10iは、例えば、シリコンの結晶方位に沿ってエッチングされていくので、液体供給流路11の側面は、シリコンの<100>面または<110>面になる。
その後、上記のエッチャントを用いて第1の領域AR1を引き続きエッチングする。これにより、第1の領域AR1における不純物イオンが注入されていない領域を上記のエッチャントを用いて選択的にエッチングすることにより、複数の連通路13aが形成される。また、第1の領域AR1における不純物イオンが注入された領域がエッチングされずに残ることにより、フレーム部13bが形成される。すなわち、格子状のパターンを有し複数の連通路13aを含む仕切り部13が形成される。
図2(f)で示す工程では、液体供給流路20となるべき領域を満たす樹脂40を所定の溶媒で溶解することにより除去することにより、液体供給流路20における流路5a及び加圧空間50、空間21,22を形成する。また、ドライエッチング法により、密着性向上層5jを除去するとともに、表面保護膜4における連通路13aにより露出された部分を選択的に除去することにより液体供給流路20における流路4aを形成する。
そして、半導体基板10の裏面10b側すなわち酸化膜7の裏面7bにインク供給部材(不図示)を貼り付けることにより、記録ヘッドを完成する。
本実施形態によれば、複数の連通路をリソグラフィ技術を用いて半導体基板内に微細に形成することができる。これにより、吐出口の中心軸に関して対称に配置された複数の連通路を微細に形成することに適した記録ヘッドを提供することができる。
また、複数の連通路13aを、加圧空間50に対して側方に隣接する空間21,22と液体供給流路11とをそれぞれ連通するように形成できる。すなわち、複数の連通路13aを、いずれも、吐出口30の中心軸CA上に位置せず、それぞれ、吐出口30の中心軸CAからシフトした位置において吐出口30の中心軸CAに沿って延びるように形成できる。これにより、複数の連通路13aを通過する液体が加圧空間50で発生する気泡に直接流れ込むことが抑制されているので、加圧空間50で発生する気泡の変形が抑制されている。また、複数の連通路13aを、半導体基板10の表面10aに垂直な方向から透視した場合に、吐出口30の中心に関して対称に形成することができる。これにより、液体が複数の連通路13aを介して加圧空間50に対して対称な方向から供給されるので、加圧空間50に発生した気泡の変形が抑制されている。この結果、記録ヘッド100における吐出口30のメニスカスの偏りを低減することができる。
また、半導体基板に液体供給流路及び複数の連通路を同じ薬液を用いて連続的にエッチングすることにより、液体供給流路及び仕切り部を連続的に形成できる。これにより、液体供給流路及び仕切り部が製造装置内における発塵の影響を受けにくいので、記録ヘッドの製造歩留まりを向上できる。
さらに、仕切り部を半導体基板の外部でなく内部に形成するので、仕切り部が半導体基板の表面から剥がれることが無い。
本発明の第2実施形態に係る記録ヘッド200について、図3を用いて説明する。図3は、本発明の第2実施形態に係る記録ヘッド200の構成を示す図である。図3(a)は、記録ヘッド200の断面構成を示す図である。図3(b)は、記録ヘッド200のレイアウト構成を示す図である。以下では、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
本発明の第2実施形態に係る記録ヘッド200は、金属膜240をさらに備える。
金属膜240は、図3(a)に示すように、吐出口30と電気熱変換素子14との間であって密着性向上層5と表面保護膜204との間に配されている。金属膜240は、例えば、Taで形成されている。金属膜240は、図3(b)に示すように、半導体基板10の表面10aに垂直な方向から透視した場合に、第3の領域AR3における複数の電気熱変換素子14を完全に覆って連続して延びるように形成される。これにより、吐出口30から液体が吐出される際に気泡(キャビテーション)が表面保護膜204に及ぼす応力を緩和することができるので、表面保護膜204におけるクラックの発生を抑制することができる。この目的のためには、金属膜240がTaで形成されていることが有効である。この結果、表面保護膜204の厚さを薄くしても要求される耐久性を満たすことができる。表面保護膜204は、例えば、3000Åの厚さにすることができる。
ここで、複数の連通路13aは、半導体基板10の表面10aに垂直な方向から透視した場合に、金属膜240の中心に関して対称に配されている。これにより、気泡が表面保護膜204に及ぼす応力を緩和する際に気泡が変形することを抑制できる。
また、記録ヘッド200の製造方法が、図4に示すように、次の点で第1実施形態と異なる。図4は、本発明の第2実施形態に係る記録ヘッド200の製造方法を示す工程断面図である。
図4(c1)に示す工程では、表面保護膜204iを形成した後に、スパッタリング法により、表面保護膜204iの上に金属膜240となるべき金属層を形成する。金属層は、例えば、Taで形成される。そして、金属層を図3(b)に示すパターンにパターニングすることにより、金属膜240を形成する。
100、200 記録ヘッド
Claims (7)
- 液体に熱エネルギーを作用させることにより、前記液体を吐出口から吐出させる記録ヘッドであって、
前記吐出口の下に配され前記液体が前記吐出口から吐出されるように前記液体に圧力を加えるための加圧空間を含む供給室と、
前記液体を前記供給室へ供給する液体供給流路及び前記液体供給流路と前記供給室とを仕切る仕切り部を含む半導体基板と、
を備え、
前記仕切り部には、前記液体供給流路を前記供給室へ連通させる複数の連通路が形成されており、
前記複数の連通路は、前記吐出口の中心軸に関して対称に配されており、
前記仕切り部は、前記半導体基板における前記仕切り部の周辺より高い濃度で不純物を有する半導体で形成されている
ことを特徴とする記録ヘッド。 - 前記複数の連通路は、いずれも、前記吐出口の中心軸上に位置せず、それぞれ、前記吐出口の中心軸からシフトした位置において前記吐出口の中心軸に沿って延びている
ことを特徴とする請求項1に記載の記録ヘッド。 - 前記仕切り部における前記複数の連通路の間の部分に含まれる前記不純物の濃度は、1×1019atm/cm3以上である
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の記録ヘッド。 - 前記不純物は、ホウ素、リン、砒素、及びアンチモンのいずれかである
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の記録ヘッド。 - 前記半導体基板は、
前記加圧空間に導かれた前記液体に熱エネルギーを作用させることにより前記液体が前記吐出口から吐出されるように、前記吐出口及び前記加圧空間の下方に配された電気熱変換素子をさらに含み、
前記複数の連通路は、前記半導体基板の表面に垂直な方向から透視した場合に、前記電気熱変換素子の中心に関して対称に配されている
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の記録ヘッド。 - 前記吐出口と前記電気熱変換素子との間に金属膜をさらに備え、
前記複数の連通路は、前記半導体基板の表面に垂直な方向から透視した場合に、前記金属膜の中心に関して対称に配されている
ことを特徴とする請求項5に記載の記録ヘッド。 - 液体に熱エネルギーを作用させることにより、前記液体を吐出口から吐出させる記録ヘッドの製造方法であって、
半導体基板の表面側における前記吐出口の下方となるべき第1の領域に、格子状のパターンで不純物を注入する第1の工程と、
前記半導体基板の裏面の一部から前記第1の領域へ連続する第2の領域を、不純物の濃度に応じたエッチング選択比を有するエッチャントを用いて選択的にエッチングすることにより、液体供給流路を形成するとともに、前記第1の領域における前記不純物が注入されていない領域を前記エッチャントを用いて選択的にエッチングすることにより、前記格子状のパターンを有し複数の連通路を含む仕切り部を形成する第2の工程と、
前記仕切り部により前記液体供給流路と仕切られ前記複数の連通路により前記液体供給流路と連通された供給室を、前記半導体基板の上方に形成する第3の工程と、
を備え、
前記複数の連通路は、前記吐出口の中心軸に関して対称に形成されている
ことを特徴とする記録ヘッドの製造方法。
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JP2008220502A JP2010052303A (ja) | 2008-08-28 | 2008-08-28 | 記録ヘッド及び記録ヘッドの製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013525160A (ja) * | 2010-04-28 | 2013-06-20 | イーストマン コダック カンパニー | 複合基板を有するインクジェット印刷装置 |
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2008
- 2008-08-28 JP JP2008220502A patent/JP2010052303A/ja not_active Withdrawn
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