CN103208973A - 一种生产柱式三泛音晶体谐振器的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种生产柱式三泛音晶体谐振器的方法,包括以下步骤:(1)对石英晶片进行切割,使得石英晶片呈长方形;(2)将1000pcs石英晶片放入器皿中,使用另一个同一大小的器皿配置磨料;(3)将磨料与晶片倒入内壁为波浪形的滚筒中并将筒盖盖紧,并将滚筒放入倒边机进行倒边;(4)每隔24小时按相同比例更换磨料,待晶片倒边后外形呈双凸形后进入下道工序;(5)将倒边后晶片进行腐蚀工序,清洗掉晶片表面残留磨料;(6)将腐蚀后在晶片表面镀上银层,再将晶片直立放于JU3*8支架上点胶。本发明能够生产出柱式三泛音晶体谐振器并且使晶片边缘效应对谐振电阻的影响降到最低,从而满足了客户和市场的需求。
Description
技术领域
本发明涉及一种生产三泛音晶体谐振器的方法,尤其是一种生产柱式三泛音晶体谐振器的方法。
背景技术
晶体电子元器件是电子学、通信工程、计算机、航空航天及消费类电子产品中必不可少的器件,被誉为电子整机的“心脏”。石英谐振器简称为石英晶振,石英晶体谐振器是由满足一定频率标准、具有一定形状、尺寸和切型的石英晶片与电极、封装外壳组成。具体型号可分为:49U、49US、49S/SMD、UM-1、UM-5、SMD等。石英晶振的制作过程大体如下:在石英晶片的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚上,再加上封装外壳就构成了石英晶振。石英晶片受到外加交变电场的作用时会产生机械振动,当交变电场的频率与石英晶片的固有频率相同时,振动便变得很强烈。石英晶振具有体积小、重量轻、可靠性高、频率稳定度高等优点,因此石英晶振被应用于家用电器和通信设备中,石英晶片越厚,石英晶振频率越低,石英晶片越薄,石英晶振频率越高。近年来,随着科技的发展,随着终端电子产品的小型化、薄型化的要求,电路集成化和微型化是发展的趋势,因此对于电路中的个电子元器件的尺寸有着较高的要求,但三泛三泛音晶体谐振器受制于石英晶片的加工设计,小型化后晶体谐振阻抗较高,不能满足线路起振要求,目前三泛音晶体谐振器的最小尺寸型号为HC-49US。
发明内容
本发明的目的是提供一种生产柱式三泛音晶体谐振器的方法,解决现有小型化后晶体谐振阻抗较高、不能满足线路起振的要求问题。
本发明采用的技术方案是:一种生产柱式三泛音晶体谐振器的方法,包括以下步骤:
(1)对石英晶片进行切割,使得石英晶片呈长方形,尺寸为5.0mm*1.5mm;
(2)将1000pcs石英晶片放入器皿中,使用另一个同一大小的器皿按体积比1:1配置磨料;
(3)将磨料与晶片倒入内壁为波浪形的滚筒中将筒盖盖紧,并将滚筒放入倒边机进行倒边;
(4)每隔24小时按相同比例更换磨料,并记录晶片长宽尺寸与晶片平台尺寸,待晶片倒边后外形呈双凸形后进入下道工序;
(5)将倒边后晶片进行腐蚀工序,清洗掉晶片表面残留磨料,腐蚀时使用饱和的氟化氢铵溶液;
(6)将腐蚀后在晶片表面镀上银层,再将晶片直立放于JU3*8支架上并在晶片的一侧点胶,将2个引脚通过胶点与晶片固连。
作为本发明的进一步改进,所述步骤(3)中滚筒的转速为140—150r/min,滚筒直径为90mm。
作为本发明的进一步改进,所述步骤(3)、(4)中的磨料为WA1500#白刚玉,所述步骤(5)中的腐蚀温度为65—70℃,所述步骤(6)中在晶片表面镀上银层时,镀银电流为70—80A。
作为本发明的进一步改进,所述步骤(6)中在点胶时使用3303E导电胶。
本发明采用的有益效果是:采用了这种方法后,本发明能够生产出柱式三泛音晶体谐振器并且使晶片边缘效应对谐振电阻的影响降到最低,从而满足了客户和市场的需求,方便在小型化电路中使用,符合三泛音晶体谐振器小型化的趋势。
具体实施方式
下面对本发明做进一步的说明。
本发明涉及一种生产柱式三泛音晶体谐振器的方法,包括以下步骤:
(1)对石英晶片进行切割,使得石英晶片呈长方形,尺寸为5.0mm*1.5mm;
(2)将1000pcs石英晶片放入器皿中,使用另一个同一大小的器皿按体积比1:1配置磨料;
(3)将磨料与晶片倒入内壁为波浪形的滚筒中将筒盖盖紧,并将滚筒放入倒边机进行倒边;
(4)每隔24小时按相同比例更换磨料,并记录晶片长宽尺寸与晶片平台尺寸,待晶片倒边后外形呈双凸形后进入下道工序;
(5)将倒边后晶片进行腐蚀工序,清洗掉晶片表面残留磨料,腐蚀时使用饱和的氟化氢铵溶液;
(6)将腐蚀后在晶片表面镀上银层,再将晶片直立放于JU3*8支架上并在晶片的一侧点胶,将2个引脚通过胶点与晶片固连。
步骤(3)中滚筒的转速为140—150r/min,滚筒直径为90mm,步骤(3)、(4)中的磨料为WA1500#白刚玉,步骤(5)中的腐蚀温度为65—70℃,步骤(6)中在晶片表面镀上银层时,镀银电流为70—80A,步骤(6)中在点胶时使用3303E导电胶。
现有技术中,倒边机倒边时,由于采用倒边机的滚筒为直筒滚筒,倒出的晶片外形边缘为三角锥形状,不能解决晶片的边缘效应。三泛音晶体谐振器的频率与晶片厚度关系:f= 1670×3/T, 为了使三泛音晶体谐振器低频率点降低边缘效应对其谐振电阻的影响,本发明中,将磨料与晶片倒入内壁为波浪形的滚筒中并将筒盖盖紧,放入倒边机中进行倒边,解决了晶片的边缘效应;传统的点胶方法是在晶片的两侧进行点胶后将引脚通过胶点与晶片固连的,采用了本发明后将晶片直立放于JU3*8支架上并在晶片的一侧点胶,将2个引脚通过胶点与晶片固连,降低了晶片的边缘效应。
综上所述,采用了这种方法后,本发明能够生产出柱式三泛音晶体谐振器并且使晶片边缘效应对谐振电阻的影响降到最低,从而满足了客户和市场的需求,方便在小型化电路中使用,符合三泛音晶体谐振器小型化的趋势。
Claims (4)
1.一种生产柱式三泛音晶体谐振器的方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)对石英晶片进行切割,使得石英晶片呈长方形,尺寸为5.0mm*1.5mm;
(2)将1000pcs石英晶片放入器皿中,使用另一个同一大小的器皿按体积比1:1配置磨料;
(3)将磨料与晶片倒入内壁为波浪形的滚筒中将筒盖盖紧,并将滚筒放入倒边机进行倒边;
(4)每隔24小时按相同比例更换磨料,并记录晶片长宽尺寸与晶片平台尺寸,待晶片倒边后外形呈双凸形后进入下道工序;
(5)将倒边后晶片进行腐蚀工序,清洗掉晶片表面残留磨料,腐蚀时使用饱和的氟化氢铵溶液;
(6)将腐蚀后在晶片表面镀上银层,再将晶片直立放于JU3*8支架上并在晶片的一侧点胶,将2个引脚通过胶点与晶片固连。
2.根据权利要求1所述的一种生产柱式三泛音晶体谐振器的方法,其特征在于所述步骤(3)中滚筒的转速为140—150r/min,滚筒直径为90mm。
3.根据权利要求2所述的一种生产柱式三泛音晶体谐振器的方法,其特征在于所述步骤(3)、(4)中的磨料为WA1500#白刚玉。
4.根据权利要求3所述的一种生产柱式三泛音晶体谐振器的方法,其特征在于所述步骤(5)中的腐蚀温度为65—70℃,所述步骤(6)中在晶片表面镀上银层时,镀银电流为70—80A,所述步骤(6)中在点胶时使用3303E导电胶。
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