CN202906850U - Smd型高基频石英晶体谐振器 - Google Patents
Smd型高基频石英晶体谐振器 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及一种SMD型高基频石英晶体谐振器，包括绝缘底座、晶片和上盖，绝缘底座上端设有电极，晶片通过点胶固定在绝缘底座上，所述晶片呈长方形，其厚度为0.05～0.08mm，晶片上下两侧中间区域对称设置呈盲孔状圆形凹槽，使得凹槽底部形成振荡区域。本实用新型晶片中间形成厚度在6～27μm的振荡区域，使得振荡频率可以提高至60～255MHz，可以满足高基频石英晶体谐振器的需要，并且还具有等效串联阻抗小和Ts值大的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种高基频石英晶体谐振器，具体地说是一种SMD型高基频石英晶体谐振器。
背景技术
石英晶体谐振器是一种高精度和高稳定度的频率器件，被称为数字电路的心脏。它的基本构成是：一块石英晶片，在晶片中间位置的两个对应面上涂覆金属膜层作为电极，在每个电极上通过引带连接到引线上，再加上封装上盖组成。
石英晶体的主要性能由晶片决定，其频率由晶片的厚度决定，与晶片厚度成反比（AT切晶片，频率=1660/晶片厚度）。传统的石英晶片为平面结构，主要加工方法为机械双面研磨。由于加工工艺和晶片强度的原因，频率范围一般在1～40MHz（晶片厚度0.04mm）,最高也只能达到60MHz（晶片厚度0.027mm）。随着电子电路小型化、高频化，越来越多的场合需要用到60MHz以上的石英晶体，故传统的晶片无法满足高基频产品要求。
发明内容
本实用新型的目的是针对现有技术的不足，提供一种SMD型高基频石英晶体谐振器，振荡频率可以提高至60MHz以上。
本实用新型采用了以下技术方案：包括绝缘底座、晶片和上盖，绝缘底座上端设有电极，晶片通过点胶固定在绝缘底座上，所述晶片呈长方形，其厚度为0.05～0.08mm，晶片上下两侧中间区域对称设置呈盲孔状圆形凹槽，使得凹槽底部形成振荡区域。
上述振荡区域可以通过离子刻蚀法形成，用该方法加工可以将振荡区域的厚度加工至6～27μm，使得振荡频率可以提高至60～255MHz。
上述振荡区域的直径随晶片大小而改变，分别为1.5mm、0.65mm和0.4mm。
本实用新型通过离子刻蚀法形成可以在晶片中间形成厚度在0.05～0.08mm的振荡区域，使得振荡频率可以提高至60～255MHz，可以满足高基频石英晶体谐振器的需要，并且还具有等效串联阻抗小和Ts值大的优点，可以满足电子电路低消耗功率和可调性要求。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图2为图1中去掉上盖后的俯视图。
具体实施方式
由图1、图2所示，本实用新型包括绝缘底座1、晶片3和上盖2，绝缘底座1上端设有电极4，晶片3在电极4处通过点胶固定在绝缘底座1上端，所述晶片3呈长方形，其厚度为0.05～0.08mm。晶片3上下两侧中间区域对称设置呈盲孔状圆形凹槽32，使得凹槽32底部形成振荡区域31。该振荡区域31的直径随晶片大小而改变，分别为1.5mm、0.65mm和0.4mm，厚度为6～27μm。该振荡区域通过在晶片两侧采用离子刻蚀法形成。
晶片3表面设有通过镀膜形成的导电层（图中末画出），该导电层通过点胶与电极4电连接。电极4与设有绝缘底座1底部的外电极电连接。
晶片的长、宽尺寸可以分别为3.5*1.8mm、2.0*1.0mm和1.2*0.6mm。
Claims (2)
1.SMD型高基频石英晶体谐振器，包括绝缘底座(1)、晶片(3)和上盖(2)，绝缘底座(1)上端设有电极(4)，晶片(3)通过点胶固定在绝缘底座(1)上，其特征是：所述晶片(3)呈长方形，其厚度为0.05～0.08mm，晶片(3)上下两侧中间区域对称设置呈盲孔状圆形凹槽(33)，使得凹槽(33)底部形成振荡区域(31)。
2.根据权利要求1所述的SMD型高基频石英晶体谐振器，其特征是：振荡区域(31)的厚度为6～27μm。
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| CN 201220493765 CN202906850U (zh) | 2012-09-25 | 2012-09-25 | Smd型高基频石英晶体谐振器 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021003755A1 (zh) * | 2019-07-09 | 2021-01-14 | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 一种边缘具有凸台结构的抛光石英晶体频率片 |
| CN113395053A (zh) * | 2021-03-02 | 2021-09-14 | 天津大学 | 石英薄膜谐振器及其制造方法 |
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2012
- 2012-09-25 CN CN 201220493765 patent/CN202906850U/zh not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
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| GR01 | Patent grant | ||
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Granted publication date: 20130424 Termination date: 20160925 |