CN103178126A - 一种胶体量子点敏化硅基太阳能电池片及其制备方法 - Google Patents

一种胶体量子点敏化硅基太阳能电池片及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103178126A
CN103178126A CN2013101160111A CN201310116011A CN103178126A CN 103178126 A CN103178126 A CN 103178126A CN 2013101160111 A CN2013101160111 A CN 2013101160111A CN 201310116011 A CN201310116011 A CN 201310116011A CN 103178126 A CN103178126 A CN 103178126A
Authority
CN
China
Prior art keywords
based solar
solar cell
quantum dots
silica
cell sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2013101160111A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103178126B (zh
Inventor
余锡宾
冯吴亮
夏玉胜
浦旭鑫
葛岩
王雅文
刘洁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Normal University
University of Shanghai for Science and Technology
Original Assignee
Shanghai Normal University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Normal University filed Critical Shanghai Normal University
Priority to CN201310116011.1A priority Critical patent/CN103178126B/zh
Publication of CN103178126A publication Critical patent/CN103178126A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103178126B publication Critical patent/CN103178126B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及光电纳米材料及太阳能电池领域，特别涉及一种胶体量子点敏化硅基太阳能电池片及其制备方法，该硅基太阳能电池片表面沉积量子点，该量子点的粒径为5-10nm。制备方法为：首先在金属盐溶液中加入络合剂或表面活性剂中的一种或两种，配制成前驱液；将含硫溶液缓慢滴入前驱液中，搅拌，制得胶体量子点溶液；再将胶体量子点溶液涂覆在经过预处理的硅基太阳能电池片表面；最后将硅基太阳能电池片真空干燥5-15分钟。所述硅基太阳能电池片的量子点粒径均一、结合紧密，对太阳光具有较强的吸收作用，可以减少电池表面光反射，提高了硅基太阳能电池的光电转换率，且制备工艺简单、易操作，原料廉价、易得，适合工业化生产。

Description

一种胶体量子点敏化硅基太阳能电池片及其制备方法
技术领域
本发明涉及光电纳米材料及太阳能电池领域，特别涉及一种胶体量子点敏化硅基太阳能电池片及其制备方法。
背景技术
太阳能，是人类取之不尽用之不竭的可再生能源，也是清洁能源，不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中，大阳能光电利用是近些年来发展最快，最具活力的研究领域，也是其中最受瞩目的项目之一。为此，人们研制和开发了太阳能电池。在太阳能电池众多分类中，硅基电池是目前转换效率最高，技术最为成熟的光伏器件。晶硅太阳能电池的理论转化效率可达31%，实验报道的最高转化效率为25%，而工业化生产的成品电池效率约为15%。制约晶硅电池光电转换效率的主要原因，其一是晶硅材料的光吸收效率不高。其二是电池板的光反射作用影响了晶硅电池的光吸收效率，而一系列减反射措施如：表面织构化、表面蚀刻、发射区钝化、分区掺杂、溅射Si3N4减反射涂层等处理大大增加了生产成本。因此，进一步提高晶硅电池的光电转换效率并降低生产成本是此行业努力方向。
量子点具有吸收光谱宽、吸收系数高的特性，因而能够作为与氮化硅辅助的光吸收材料，能够拓宽晶硅电池的吸收光谱。量子点的量子限域效应，使得其具有减缓热载流子冷却速率和电子驰豫的作用，可使热载流子在冷却到带边之前，将它们捕获利用。如果热载流子的全部能量能够被捕获，则光电转换效率理论上可以达到66%以上。若将现有硅基材料与量子点结合，形成量子点与硅基材料的异质结构，则硅基电池光电转换效率将具有进一步提升的潜力。现有的胶体量子点太阳能电池的光电转换效率较低，而且量子点的粒径偏大，量子点间结合不够紧密，导致量子点之间的距离偏大，从而影响了电池的光电转化效率。
发明内容
本发明的目的是提供一种胶体量子点敏化硅基太阳能电池片，该胶体量子点稳定性高，粒径均匀，量子点间结合紧密，量子点的粒径在5-10nm，而且该硅基电池片的光点转化效率高。
本发明的另一个目的是提供上述胶体量子点敏化硅基太阳能电池片的制备方法，该制备工艺简单易操作，原料价廉易得，适合工业化生产。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：
一种胶体量子点敏化硅基太阳能电池片，其特征在于：在硅基太阳能电池片表面沉积量子点，该量子点的粒径为5-10nm。
所述硅基太阳能电池片为硅基太阳能电池片为单晶硅、多晶硅、非晶硅及微晶硅太阳能电池片成品或半成品中的一种。
一种上述胶体量子点敏化硅基太阳能电池片的制备方法，其步骤包括，
（1）在金属盐溶液中加入络合剂或表面活性剂中的一种或两种，配制成前驱液；将含硫溶液缓慢滴入前驱液中，搅拌，制得胶体量子点溶液；
（2）将步骤（1）中的胶体量子点溶液涂覆在经过预处理的硅基太阳能电池片表面并真空干燥5-15分钟。
所述步骤（1）中的前驱液中的金属元素、络合剂和表面活性剂的用量比为：1mmol：0.02-1.0g：0.05-0.8g；金属元素与硫元素的摩尔比为1-4:1；含硫溶液以每分钟2-5滴的速度滴入前驱液中。优选的金属元素与硫元素的摩尔比为1-2:1。
所述步骤（1）中的金属盐为铅、锌、镉、铜、锡、铁、钴、镍的醋酸盐、氯化盐及硝酸盐中的一种；所述络合剂为3-巯基丙酸、2-巯基乙醇、乙二胺四乙酸、三乙醇胺中的一种；所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵、六亚甲基四胺、十二烷基苯磺酸钠中的一种；所述含硫溶液中的硫元素来自硫化铵、硫化钠、硫代乙酰胺、硫脲中的一种；所述金属盐浓度为0.005-0.05mol/L；所述含硫溶液浓度为0.005-0.03mol/L。
所述步骤（2）中，将胶体量子点溶液采用滴涂、旋涂、喷涂、浸渍、点涂或刷涂中的一种，涂覆在预处理的硅基太阳能电池片表面。
所述步骤（2）中，用胶体量子点溶液浸渍或旋涂在硅基太阳能电池片表面后吹干，重复2-6次，真空干燥；或用胶体量子点溶液喷涂、滴涂、点涂或刷涂在硅基太阳能电池片表面、真空干燥，重复2-6次。
所述步骤（2）中，采用喷涂、滴涂、点涂或刷涂的涂覆方法前，用无水乙醇将胶体量子点溶液稀释成含有量子点浓度为0.001-0.06mol/L的胶体溶液。
所述步骤（2）中的硅基太阳能电池片的预处理方法为将硅基电池片分别浸入无水乙醇和二次蒸馏水超声清洗、烘干。
所述步骤（3）中的真空干燥的温度为200℃-250℃，真空度为0.05-0.1MPa。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
（1）本发明的胶体量子点的粒径均匀，量子点间结合紧密，量子点的粒径在5-10nm，对太阳光具有较强的吸收作用，可以减少电池表面光反射，且量子点能够减缓载流子复合速率，提高硅基太阳能电池的光电性能。
（2）本发明的胶体量子点在室温下可稳定存在120小时以上，胶体溶液可多次重复利用。
（3）经敏化处理后的硅基太阳能电池片的吸光度及光电转换效率明显提高，而且比现有技术中采用原位生长法敏化的晶硅电池片的光电转换效率提高了1%左右。
（4）本发明的制备工艺简单、易操作，原料廉价、易得，适合工业化生产。
附图说明
图1为实施例1中制得的硫化铅胶体量子点敏化半成品晶硅电池片FESEM图像。
图2为实施例2中制得的硫化铅胶体量子点敏化成品晶硅电池片FESEM图像。
图3为实施例1中制得的硫化铅胶体量子点敏化半成品晶硅电池片与未经敏化处理样片吸收光谱对比图。
图4为实施例2中制得的硫化铅胶体量子点敏化成品晶硅电池片与未经敏化处理样片吸收光谱对比图。
图5为实施例1中制得的硫化铅胶体量子点敏化半成品晶硅电池片与未经敏化处理样片光电性能对比图。
图6为实施例2中制得的硫化铅胶体量子点敏化成品晶硅电池片与未经敏化处理样片光电性能对比图。
图7为采用现有技术中的原位生长法敏化成品晶硅电池片与实施例2中制得的硫化铅胶体量子点敏化成品晶硅电池片的光电性能对比图。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明作进一步说明：
实施例1
（1）硅基太阳能电池片的预处理：
将单晶硅太阳能电池片半成品浸入无水乙醇溶剂超声清洗20s，再浸入二次蒸馏水中超声清洗2min，烘干；
（2）胶体量子点溶液的制备：
在体积为1L、浓度为0.005mol/L的醋酸铅溶液中加入1.06g的络合剂3-巯基丙酸和0.91g的表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵，制得前驱液；将体积为100mL、浓度为0.05mol/L硫化胺溶液，以20s一滴的速度，缓慢滴入至前驱液中，制得胶体量子点溶液；
（3）硅基太阳能电池片的涂覆：
将步骤（1）中的经过预处理的单晶硅太阳能电池片半成品浸入步骤（2）中的胶体量子点溶液中，浸渍30s，以0.5cm/s的速度缓慢提拉，用吹风机吹干，此为一个沉积吸附周期，如此循环2次；
（4）热处理：
将步骤（3）中的单晶硅太阳能电池片放在真空干燥箱中干燥，干燥温度为200℃，干燥时间为10min，真空度为0.097-0.099MPa，得到胶体量子点敏化半成品晶硅电池片样品，进行检测，检测结果如下：
图1为胶体量子点敏化半成品晶硅电池片FESEM图像，从图中可看出，晶硅电池片表面的量子点的粒径在5-10nm之间，量子点间结合比较紧密。
图3为胶体量子点敏化半成品晶硅电池片与未经敏化处理样片吸收光谱对比图，从图中可看出，经过硫化铅胶体量子点敏化后，晶硅电池片的吸光度明显提高。
图5为胶体量子点敏化半成品晶硅电池片与未经敏化处理样片光电性能对比图，经三电极体系检测（光照条件为AM1.5，电解液为1mol/L硫化钠），短路电流增大17%-41%，开路电压增大2.8%-8.2%，填充因子增大13%-34%，光电转化效率相对值最大增加51%。
实施例2
将实施例1中的单晶硅太阳能电池片半成品换成单晶硅太阳能电池片成品，其他条件均不变，制得胶体量子点敏化成品晶硅电池片样品，进行检测，检测结果如下：
图2为胶体量子点敏化成品晶硅电池片FESEM图像，从图中可看出，晶硅电池片表面的量子点的粒径在5-10nm之间，量子点间结合比较紧密。
图4为胶体量子点敏化成品晶硅电池片与未经敏化处理样片吸收光谱对比图，从图4中可看出，经过硫化铅胶体量子点敏化后，晶硅电池片的吸光度明显提高。
图6为胶体量子点敏化成品晶硅电池片与未经敏化处理样片光电性能对比图，经两电极体系检测（光照条件为AM1.5，电解液为1mol/L硫化钠），短路电流增大0.9%-3.8%，开路电压增大0.8%-1.6%，填充因子增大2.2%-7.1%，光电转化效率最大增加0.9%。
图7为采用现有技术中的原位生长法敏化成品晶硅电池片与本实施例中制得的胶体量子点敏化成品晶硅电池片的光电性能对比图，从图中可看出，本实施例中制得的晶硅电池片比现有技术敏化得到的电池片的光电转换效率提高了1%左右。
实施例3
（1）硅基太阳能电池片的预处理：
将多晶硅太阳能成品电池片浸入无水乙醇溶剂超声清洗20s，再浸入二次蒸馏水中超声清洗3min，烘干硅基太阳能电池片的预处理；
（2）胶体量子点溶液的制备：
在体积为1L、浓度为0.005mol/L的醋酸铅溶液中加入0.78g的络合剂2-巯基丙酸，制得前驱液；将体积为100mL、浓度为0.05mol/L硫化钠溶液，以10s一滴的速度，缓慢滴入至前驱液中，制得胶体量子点溶液；
步骤（3）和步骤（4）同实施例1。
实施例4
（1）硅基太阳能电池片的预处理：
将多晶硅太阳能电池片成品浸入无水乙醇溶剂超声清洗30s，再浸入二次蒸馏水中超声清洗2min，烘干硅基太阳能电池片的预处理；
（2）胶体量子点溶液的制备：
在体积为1L、浓度为0.005mol/L的醋酸铅溶液中加入2.93g的络合剂乙二胺四乙酸，制得前驱液；将体积为100mL、浓度为0.05mol/L硫化钠溶液，以10s一滴的速度，缓慢滴入至前驱液中，制得胶体量子点溶液；
步骤（3）和步骤（4）同实施例1。
实施例5
（1）硅基太阳能电池片的预处理同实施例1；
（2）胶体量子点溶液的制备：
在体积为1L、浓度为0.01mol/L醋酸镉溶液中加入1.06g的络合剂3-巯基丙酸和1.1g的表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵，制得前驱液；将体积为100mL、浓度为0.05mol/L硫化胺溶液，以20s一滴的速度，缓慢滴入至前驱液中，制得胶体量子点溶液；
（3）硅基太阳能电池片的涂覆：
将步骤（1）中的经过预处理的单晶硅太阳能电池片浸入步骤（2）中的胶体量子点溶液中，浸渍30s，以0.5cm/s的速度缓慢提拉，用吹风机吹干；
（4）热处理：
将步骤（3）中的单晶硅太阳能电池片在真空干燥箱中干燥，干燥温度为250℃，干燥时间为15min，真空度为0.097-0.099MPa。
实施例6
步骤（1）和步骤（2）同实施例1；
（3）硅基太阳能电池片的涂覆：
将步骤（2）中的胶体量子点溶液与无水乙醇按照体积比为1:1的比例混合，使用喷涂的方法将其涂覆于电池片光照面上，直至溶液完全浸润硅基太阳能电池片表面；将太阳能电池片在真空干燥箱中干燥，干燥温度为200℃，干燥时间为10min，真空度为0.097-0.099MPa，如此为一个周期，再重复喷涂2次。
实施例7
步骤（1）同实施例1；
（2）胶体量子点溶液的制备：
在体积为1L、浓度为0.01mol/L醋酸铜溶液中加入1.33g的络合剂3-巯基丙酸和0.91g的表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵，制得前驱液；将体积为100mL、浓度为0.05mol/L硫化胺溶液，以20s一滴的速度，缓慢滴入至前驱液中，制得胶体量子点溶液；
（3）硅基太阳能电池片的涂覆：
将步骤（2）中的胶体量子点溶液与无水乙醇按照体积比为1:1的比例混合，使用喷涂的方法将其涂覆于电池片光照面上，直至溶液完全浸润硅基太阳能电池片表面；
（4）将太阳能电池片在真空干燥箱中干燥，干燥温度为200℃，干燥时间为10min，真空度为0.097-0.099MPa，如此为一个周期，再重复喷涂1次。
实施例8
步骤（1）和（2）同实施例1；
（3）硅基太阳能电池片的涂覆：
将步骤（2）中的胶体量子点溶液与无水乙醇按照体积比为1:1的比例混合，缓慢均匀地滴至电池片光照面，待溶液浸润表面后开启旋涂机，转速为2000r/min，旋转时间为30s；如此为一个周期，旋涂6次。
（4）热处理：
将步骤（3）中的单晶硅太阳能电池片在真空干燥箱中干燥，干燥温度为200℃，干燥时间为15min，真空度为0.097-0.099MPa。
实施例9
步骤（1）同实施例1；
（2）胶体量子点溶液的制备：
在体积为1L、浓度为0.005mol/L硝酸铅溶液中加入1.06g的络合剂3-巯基丙酸和1.1g的表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵，制得前驱液；将体积为100mL、浓度为0.05mol/L硫化胺溶液，以20s一滴的速度，缓慢滴入至前驱液中，制得胶体量子点溶液。
（3）硅基太阳能电池片的涂覆：
将步骤（2）中的胶体量子点溶液与无水乙醇按照体积比为1:1的比例混合，缓慢均匀地滴至电池片光照面，待溶液浸润表面后开启旋涂机，转速为2000r/min，旋转时间为30s；如此为一个周期，再重复旋涂3次。
步骤（4）同实施例1。
实施例10
步骤（1）和步骤（2）同实施例1；
（3）硅基太阳能电池片的涂覆：
将步骤（2）中的胶体量子点溶液与无水乙醇按照体积比为1:1的比例混合，将其采用滴涂的方法，缓慢均匀地滴至电池片光照面，直至溶液完全浸润表面后，使用真空干燥箱200℃下，热处理10min，如此为一个周期，再重复滴涂2次。
实施例11
步骤（1）同实施例1；
（2）胶体量子点溶液的制备：
在体积为1L、浓度为0.01mol/L醋酸铅溶液中加入2.12g的络合剂3-巯基丙酸和2.2g的表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵，制得前驱液；将体积为100mL、浓度为0.05mol/L硫化胺溶液，以20s一滴的速度，缓慢滴入至前驱液中，制得胶体量子点溶液；
（3）硅基太阳能电池片的涂覆：
将步骤（2）中的胶体量子点溶液与无水乙醇按照体积比为1:1的比例混合，将其采用点涂的方法，缓慢均匀地滴至电池片光照面，直至溶液完全浸润表面后，使用真空干燥箱200℃下，热处理10min，如此为一个周期，再重复点涂1次。
实施例12
步骤（1）和步骤（2）同实施例1；
（3）硅基太阳能电池片的涂覆：
将步骤（2）中的胶体量子点溶液与无水乙醇按照体积比为1:1的比例混合，将其采用涂刷的方法，由软毛刷缓慢均匀地刷至电池片光照面，直至溶液完全浸润表面后，使用真空干燥箱200℃下，热处理10min，如此为一个周期，再重复涂刷2次。
实施例13
步骤（1）同实施例1；
（2）胶体量子点溶液的制备：
在体积为1L、浓度为0.01mol/L硝酸铅溶液中加入2.12g的络合剂3-巯基丙酸和2.2g的表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵，制得前驱液；将体积为100mL、浓度为0.05mol/L硫化胺溶液，以20s一滴的速度，缓慢滴入至前驱液中，制得胶体量子点溶液；
（3）硅基太阳能电池片的涂覆：
将步骤（2）中的胶体量子点溶液与无水乙醇按照体积比为1:1的比例混合，将其采用涂刷的方法，由软毛刷缓慢均匀地刷至电池片光照面，直至溶液完全浸润表面后，使用真空干燥箱200℃条件下，热处理10min，如此为一个周期，再重复涂刷1次。
以上所述为本发明的较佳实施例而已，但本发明不应该局限于该实施例所公开的内容。所以凡是不脱离本发明所公开的精神下完成的等效或修改，都落入本发明保护的范围。

Claims (10)

1.一种胶体量子点敏化硅基太阳能电池片，其特征在于：在硅基太阳能电池片表面沉积量子点，该量子点的粒径为5-10nm。
2.根据权利要求1所述的胶体量子点敏化硅基太阳能电池片，其特征在于：所述硅基太阳能电池片为单晶硅、多晶硅、非晶硅及微晶硅太阳能电池片成品或半成品中的一种。
3.权利要求1或2所述的胶体量子点敏化硅基太阳能电池片的制备方法，其步骤包括，
（1）在金属盐溶液中加入络合剂或表面活性剂中的一种或两种，配制成前驱液；将含硫溶液缓慢滴入前驱液中，搅拌，制得胶体量子点溶液；
（2）将步骤（1）中的胶体量子点溶液涂覆在经过预处理的硅基太阳能电池片表面并真空干燥5-15分钟。
4.根据权利要求3所述的胶体量子点敏化硅基太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中的前驱液中的金属元素、络合剂和表面活性剂的用量比为：1mmol：0.02-1.0g：0.05-0.8g；金属元素与硫元素的摩尔比为1-4:1；含硫溶液以每分钟2-5滴的速度滴入前驱液中。
5.根据权利要求3或4所述的胶体量子点敏化硅基太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中的金属盐为铅、锌、镉、铜、锡、铁、钴或镍的醋酸盐、氯化盐或硝酸盐中的一种；所述络合剂为3-巯基丙酸、2-巯基乙醇、乙二胺四乙酸、三乙醇胺中的一种；所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵、六亚甲基四胺、十二烷基苯磺酸钠中的一种；所述含硫溶液中的硫元素来自硫化铵、硫化钠、硫代乙酰胺、硫脲中的一种；所述金属盐浓度为0.005-0.05mol/L；所述含硫溶液浓度为0.005-0.03mol/L。
6.根据权利要求3所述的胶体量子点敏化硅基太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，将胶体量子点溶液采用滴涂、旋涂、喷涂、浸渍、点涂或刷涂中的一种，涂覆在预处理的硅基太阳能电池片表面。
7.根据权利要求3所述的胶体量子点敏化硅基太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，用胶体量子点溶液浸渍或旋涂在硅基太阳能电池片表面后吹干，重复2-6次，真空干燥；或用胶体量子点溶液喷涂、滴涂、点涂或刷涂在硅基太阳能电池片表面、真空干燥，重复2-6次。
8.根据权利要求3、6或7所述的胶体量子点敏化硅基太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，采用喷涂、滴涂、点涂或刷涂的涂覆方法前，用无水乙醇将胶体量子点溶液稀释成含有量子点浓度为0.001-0.06mol/L的胶体溶液。
9.根据权利要求3所述的胶体量子点敏化硅基太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中的硅基太阳能电池片的预处理方法为将硅基电池片分别浸入无水乙醇和二次蒸馏水超声清洗、烘干。
10.根据权利要求3所述的胶体量子点敏化硅基太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中的真空干燥的温度为200℃-250℃，真空度为0.05-0.1MPa。
CN201310116011.1A 2013-04-03 2013-04-03 一种胶体量子点敏化硅基太阳能电池片的制备方法 Expired - Fee Related CN103178126B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310116011.1A CN103178126B (zh) 2013-04-03 2013-04-03 一种胶体量子点敏化硅基太阳能电池片的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310116011.1A CN103178126B (zh) 2013-04-03 2013-04-03 一种胶体量子点敏化硅基太阳能电池片的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103178126A true CN103178126A (zh) 2013-06-26
CN103178126B CN103178126B (zh) 2016-07-06

Family

ID=48637867

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310116011.1A Expired - Fee Related CN103178126B (zh) 2013-04-03 2013-04-03 一种胶体量子点敏化硅基太阳能电池片的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103178126B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109906375A (zh) * 2016-11-02 2019-06-18 株式会社Lg化学 量子点生物传感器
CN109950330A (zh) * 2019-03-19 2019-06-28 扬州大学 一种CsPbBr3量子点-硅基复合结构太阳能电池

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020050288A1 (en) * 2000-11-01 2002-05-02 Yoshiyuki Suzuki Solar cell and process of manufacturing the same
JP2006114815A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Fujitsu Ltd 太陽電池
CN102709348A (zh) * 2012-06-08 2012-10-03 上海师范大学 一种纳米晶/量子点敏化硅基电池片及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020050288A1 (en) * 2000-11-01 2002-05-02 Yoshiyuki Suzuki Solar cell and process of manufacturing the same
JP2006114815A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Fujitsu Ltd 太陽電池
CN102709348A (zh) * 2012-06-08 2012-10-03 上海师范大学 一种纳米晶/量子点敏化硅基电池片及其制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109906375A (zh) * 2016-11-02 2019-06-18 株式会社Lg化学 量子点生物传感器
CN109950330A (zh) * 2019-03-19 2019-06-28 扬州大学 一种CsPbBr3量子点-硅基复合结构太阳能电池

Also Published As

Publication number Publication date
CN103178126B (zh) 2016-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109103338B (zh) 一种大面积钙钛矿薄膜及其电池组件的制备方法
CN109267096B (zh) 高效稳定的硅基光解水制氢电极及其制备方法和应用
CN103346193B (zh) 一种CdTe纳米晶异质结太阳电池及其制备方法
CN104659123A (zh) 化合物薄膜太阳能电池及其制备方法
EP3047524B1 (en) Solar cell and method of fabricating solar cells
CN107130256B (zh) 硼掺杂氮化碳修饰二氧化钛复合光电极及其制备方法、应用
CN103943721A (zh) 一种铜锌锡硫薄膜及其制备方法和用途
CN102709348B (zh) 一种纳米晶/量子点敏化硅基电池片及其制备方法
CN108539026B (zh) 一种具有微米管阵列结构的钙钛矿薄膜的制备方法
Iftiquar et al. Fabrication of crystalline silicon solar cell with emitter diffusion, SiNx surface passivation and screen printing of electrode
CN103178126A (zh) 一种胶体量子点敏化硅基太阳能电池片及其制备方法
CN103400894B (zh) 一种制备硫化锌光电薄膜的方法
CN105040062A (zh) Cu2O纳米粒子敏化TiO2纳米管阵列光电极的方法
CN102203952A (zh) 以氧化锌为主要成分的透明导电膜的纹理加工液及具有凹凸的透明导电膜的制造方法
CN109037034B (zh) 硒化锑薄膜及其制备方法、应用其的太阳能电池
CN116234331A (zh) 基于苯甲酰胺溴修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN112837997B (zh) 一种ZnCdS薄膜的制备方法及铜锌锡硫硒太阳电池的制备方法
CN102656710A (zh) 具有CdS/(Zn(S,O))缓冲层的黄铜薄膜太阳能电池及其制备方法
CN108493299A (zh) Azo透明导电薄膜及其制备方法和应用
CN110016681B (zh) 一种三元半导体叠层复合光电极及其制备方法和应用
CN103545400B (zh) Si纳米杆/QDs复合硅基太阳能电池片及其制备方法
CN114188429A (zh) 一种带有隧穿隧道结的同质异质结电池及其制备方法
CN110190192B (zh) 一种反式有机无机杂化钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN110611032B (zh) 一种提升镉基钙钛矿光吸收层结晶度和覆盖率的方法
EP2860281A1 (en) Method of recycling solution, solar cell including buffer layer formed by the method, and deposition apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160706

Termination date: 20190403

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee