CN103166616B

CN103166616B - 模拟开关电路结构

Info

Publication number: CN103166616B
Application number: CN201110416325.4A
Authority: CN
Inventors: 徐栋; 叶青; 朱立群; 牛征; 彭云武; 严淼
Original assignee: Wuxi China Resources Semico Co Ltd
Current assignee: CRM ICBG Wuxi Co Ltd
Priority date: 2011-12-13
Filing date: 2011-12-13
Publication date: 2016-09-14
Anticipated expiration: 2031-12-13
Also published as: CN103166616A

Abstract

本发明涉及一种模拟开关电路结构，包括反相器电路模块、通道对管电路模块和断点保护电路模块，反相器电路模块的输入端与控制信号输入端(CRT)连接，通道对管电路接于信号输入端(IN)和信号输出端(OUT)之间，通道对管电路包括第三PMOS场效应管(P3)，反相器电路模块的输出端与第三PMOS场效应管(P3)的栅极连接，第三PMOS场效应管(P3)的衬底通过断点保护电路模块与电源(VDD)或信号输入端(IN)连接。采用该种结构的模拟开关电路结构，避免了输入信号通过场效应管源极和衬底间的寄生二极管漏电到VDD，实现了电源断电情况下的模拟开关的正常关断，有效防止了输入端到电源的漏电流，结构简单实用，工作性能稳定可靠，适用范围较为广泛。

Description

模拟开关电路结构

技术领域

本发明涉及半导体集成电路设计领域，特别涉及半导体集成电路中模拟开关技术领域，具体是指一种模拟开关电路结构。

背景技术

目前模拟开关广泛用于模拟信号的传输和选择。各种高清的视频、音频信号的传输对模拟开关的性能提出了越来越高的要求。

传统的模拟开关电路为了传输接近电源(VDD)的电压，传输通道采用PMOS和NMOS管对称连接的方式。PMOS的衬底(B端)接VDD，PMOS的S和B之间形成一个寄生二极管。当VDD断电，输入端有信号时，会造成输入端到VDD的寄生二极管的漏电，同时此信号会泄露到输出端，从而模拟开关无法正常关断。

一些新型的模拟开关电路，比如中国专利CN200810203211.X所述。为了降低电路的导通电阻，将通道PMOS的衬底在导通时连接到输入端，这种模拟开关在断电时，同样会出现输入信号泄露到输出端的现象。

请参阅图1所示，其是传统的模拟开关电路，其中：

VDD表示电路的电源电压，GND表示电路的地，IN表示信号输入端，OUT表示信号的输出端，Vthp表示PMOS管的开启电压，Vthd表示PMOS寄生二极管的正向导通电压，VGS表示MOS管的栅源电压差。P1～Pn为PMOS场效应管，N1～Nn为NMOS场效应管。S为MOS场效应管的源极，B为MOS场效应管的衬底，G为MOS场效应管的栅极，D为MOS场效应管的漏极。

电路连接关系如下：

P1源极接IN、栅极接CP、漏极接OUT；N1源极接IN、栅极接CN、漏极接OUT；P2和N2组成反相器，输入连接到CN，输出连接到CP；所有的PMOS管的衬底接VDD，所有NMOS管的衬底接GND。P1的S和B之间形成一个正向的寄生二极管D1。

电路工作原理如下：

P1和N1组成通道对管。电路正常工作时VDD为高电平(电源电压)，如需开关导通，则设置CN为VDD，从而CP为GND(低电平)，P1和N1开启，信号从IN输入，从OUT输出。如需关断开关，则设置CN为GND，从而CP为VDD，通道关断，信号被阻隔。P1的源极和衬底之间形成一个寄生的正向二极管。当VDD没有电压时，CP、CN均为低电平。此时，IN有信号输入，当输入信号大于Vthd时，D1正向导通，形成IN到VDD的漏电流；当输入信号大于|Vthp|时，P1的|VGS|＞|Vthp|，P1开启，输入信号泄露到输出端。

发明内容

本发明的目的是克服了上述现有技术中的缺点，提供一种能够在电源未供电的情况下确保模拟开关的正常关断、有效防止输入端到电源的漏电流、结构简单实用、工作性能稳定可靠、适用范围较为广泛的模拟开关电路结构。

为了实现上述的目的，本发明的模拟开关电路结构具有如下构成：

该模拟开关电路结构，包括反相器电路模块和通道对管电路模块，所述的反相器电路模块的输入端与控制信号输入端CRT相连接，所述的通道对管电路接于信号输入端IN和信号输出端OUT之间，其主要特点是，所述的电路结构还包括断点保护电路模块，所述的通道对管电路中包括第三PMOS场效应管P3，所述的反相器电路模块的输出端与该第三PMOS场效应管P3的栅极相连接，且该第三PMOS场效应管P3的衬底通过所述的断点保护电路模块与电源VDD或者信号输入端IN相连接。

该模拟开关电路结构中的反相器电路模块包括第一反相器和第二反相器，所述的第一反相器的输入端与控制信号输入端CRT相连接，且该第一反相器的输出端CN与第二反相器的输入端相连接，所述的第二反相器的输出端CP与所述的第三PMOS场效应管P3的栅极相连接。

该模拟开关电路结构中的第一反相器包括第五PMOS场效应管P5和第五NMOS场效应管N5，所述的第五PMOS场效应管P5的栅极和第五NMOS场效应管N5的栅极均与所述的控制信号输入端CRT相连接，该第五PMOS场效应管P5的源极和衬底均与电源VDD相连接，该第五PMOS场效应管P5的漏极分别与该第一反相器的输出端CN和所述的第五NMOS场效应管N5的漏极相连接，且该第五NMOS场效应管N5的衬底和源极均接地。

该模拟开关电路结构中的第二反相器可以包括第四PMOS场效应管P4和第四NMOS场效应管N4，所述的第四PMOS场效应管P4的栅极和第四NMOS场效应管N4的栅极均与所述的第一反相器的输出端CN相连接，该第四PMOS场效应管P4的源极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管P3的衬底相连接，该第四PMOS场效应管P4的漏极分别与该第二反相器的输出端CP和所述的第四NMOS场效应管N4的漏极相连接，且该第四NMOS场效应管N4的衬底和源极均接地。

该模拟开关电路结构中的断点保护电路模块可以包括第六PMOS场效应管P6和第七PMOS场效应管P7，所述的第六PMOS场效应管P6的源极与所述的信号输入端IN相连接，该第六PMOS场效应管P6的漏极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管P3的衬底相连接，且该第六PMOS场效应管P6的栅极与电源VDD相连接；所述的第七PMOS场效应管P7的源极与电源VDD相连接，该第七PMOS场效应管P7的漏极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管P3的衬底相连接，且该第七PMOS场效应管P7的栅极与所述的第二反相器的输出端CP相连接。

该模拟开关电路结构中的断点保护电路模块也可以包括第十六PMOS场效应管P16和第十七PMOS场效应管P17，所述的第十六PMOS场效应管P16的源极与所述的信号输入端IN相连接，该第十六PMOS场效应管P16的漏极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管P3的衬底相连接，且该第十六PMOS场效应管P16的栅极与电源VDD相连接；所述的第十七PMOS场效应管P17的源极与所述的信号输入端IN相连接，该第十七PMOS场效应管P17的漏极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管P3的衬底相连接，且该第十七PMOS场效应管P17的栅极与所述的第二反相器的输出端CP相连接。

该模拟开关电路结构中的第二反相器也可以包括第九PMOS场效应管P9和第九NMOS场效应管N9，所述的第九PMOS场效应管P9的栅极和第九NMOS场效应管N9的栅极均与所述的第一反相器的输出端CN相连接，该第九PMOS场效应管P9的源极和衬底均与电源VDD相连接，该第九PMOS场效应管P9的漏极分别与该第二反相器的输出端CP和所述的第九NMOS场效应管N9的漏极相连接，且该第九NMOS场效应管N9的衬底和源极均接地。

该模拟开关电路结构中的断点保护电路模块相应的可以包括第十一PMOS场效应管P11和第十二PMOS场效应管P12，所述的第十一PMOS场效应管P11的源极与所述的信号输入端IN相连接，该第十一PMOS场效应管P11的漏极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管P3的衬底相连接，且该第十一PMOS场效应管P11的栅极与所述的第二反相器的输出端CP相连接；所述的第十二PMOS场效应管P12的源极和衬底均与电源VDD相连接，该第十二PMOS场效应管P12的漏极与所述的第三PMOS场效应管P3的衬底相连接，且该第十二PMOS场效应管P12的栅极与所述的第一反相器的输出端CN相连接。

该模拟开关电路结构中的通道对管电路模块还包括第三NMOS场效应管N3，所述的第三PMOS场效应管P3的源极和第三NMOS场效应管N3的源极均与所述的信号输入端IN相连接，该第三PMOS场效应管P3的漏极和第三NMOS场效应管N3的漏极均与所述的信号输出端OUT相连接，该第三NMOS场效应管N3的栅极与所述的第一反相器的输出端CN相连接，且该第三NMOS场效应管N3的衬底接地。

采用了该发明的模拟开关电路结构，由于其中不直接将通道PMOS场效应管的衬底连接到电源VDD，从而有效避免了输入信号通过通道PMOS场效应管S和B之间的寄生二极管漏电到VDD；并将通道PMOS场效应管的栅极控制电平改由输入信号控制，当电源电压切断后，在有输入信号时，保证通道PMOS场效应管不会开启，从而实现了电源断电情况下的模拟开关的正常关断，有效防止了输入端到电源的漏电流，结构简单实用，工作性能稳定可靠，适用范围较为广泛。

附图说明

图1为现有技术中的模拟开关电路原理图。

图2为本发明的模拟开关电路结构的第一种实施方式电路原理图。

图3为本发明的模拟开关电路结构的第二种实施方式电路原理图。

图4为本发明的模拟开关电路结构的第三种实施方式电路原理图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本发明的技术内容，特举以下实施例详细说明。

请参阅图2至图4所示，该模拟开关电路结构，包括反相器电路模块和通道对管电路模块，所述的反相器电路模块的输入端与控制信号输入端CRT相连接，所述的通道对管电路接于信号输入端IN和信号输出端OUT之间，其中，所述的电路结构还包括断点保护电路模块，所述的通道对管电路中包括第三PMOS场效应管P3，所述的反相器电路模块的输出端与该第三PMOS场效应管P3的栅极相连接，且该第三PMOS场效应管P3的衬底通过所述的断点保护电路模块与电源VDD或者信号输入端IN相连接。

其中，所述的反相器电路模块包括第一反相器和第二反相器，所述的第一反相器的输入端与控制信号输入端CRT相连接，且该第一反相器的输出端CN与第二反相器的输入端相连接，所述的第二反相器的输出端CP与所述的第三PMOS场效应管P3的栅极相连接。

所述的第一反相器包括第五PMOS场效应管P5和第五NMOS场效应管N5，所述的第五PMOS场效应管P5的栅极和第五NMOS场效应管N5的栅极均与所述的控制信号输入端CRT相连接，该第五PMOS场效应管P5的源极和衬底均与电源VDD相连接，该第五PMOS场效应管P5的漏极分别与该第一反相器的输出端CN和所述的第五NMOS场效应管N5的漏极相连接，且该第五NMOS场效应管N5的衬底和源极均接地。

作为本发明的第一种实施方式，该模拟开关电路结构中的第二反相器可以包括第四PMOS场效应管P4和第四NMOS场效应管N4，所述的第四PMOS场效应管P4的栅极和第四NMOS场效应管N4的栅极均与所述的第一反相器的输出端CN相连接，该第四PMOS场效应管P4的源极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管P3的衬底相连接，该第四PMOS场效应管P4的漏极分别与该第二反相器的输出端CP和所述的第四NMOS场效应管N4的漏极相连接，且该第四NMOS场效应管N4的衬底和源极均接地。

同时，所述的断点保护电路模块可以包括第六PMOS场效应管P6和第七PMOS场效应管P7，所述的第六PMOS场效应管P6的源极与所述的信号输入端IN相连接，该第六PMOS场效应管P6的漏极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管P3的衬底相连接，且该第六PMOS场效应管P6的栅极与电源VDD相连接；所述的第七PMOS场效应管P7的源极与电源VDD相连接，该第七PMOS场效应管P7的漏极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管P3的衬底相连接，且该第七PMOS场效应管P7的栅极与所述的第二反相器的输出端CP相连接。

作为本发明的第二种实施方式，该模拟开关电路结构中的第二反相器也可以包括第九PMOS场效应管P9和第九NMOS场效应管N9，所述的第九PMOS场效应管P9的栅极和第九NMOS场效应管N9的栅极均与所述的第一反相器的输出端CN相连接，该第九PMOS场效应管P9的源极和衬底均与电源VDD相连接，该第九PMOS场效应管P9的漏极分别与该第二反相器的输出端CP和所述的第九NMOS场效应管N9的漏极相连接，且该第九NMOS场效应管N9的衬底和源极均接地。

其中，所述的断点保护电路模块相应的可以包括第十一PMOS场效应管P11和第十二PMOS场效应管P12，所述的第十一PMOS场效应管P11的源极与所述的信号输入端IN相连接，该第十一PMOS场效应管P11的漏极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管P3的衬底相连接，且该第十一PMOS场效应管P11的栅极与所述的第二反相器的输出端CP相连接；所述的第十二PMOS场效应管P12的源极和衬底均与电源VDD相连接，该第十二PMOS场效应管P12的漏极与所述的第三PMOS场效应管P3的衬底相连接，且该第十二PMOS场效应管P12的栅极与所述的第一反相器的输出端CN相连接。

作为本发明的第三种实施方式，该模拟开关电路结构中的第二反相器可以包括第四PMOS场效应管P4和第四NMOS场效应管N4，所述的第四PMOS场效应管P4的栅极和第四NMOS场效应管N4的栅极均与所述的第一反相器的输出端CN相连接，该第四PMOS场效应管P4的源极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管P3的衬底相连接，该第四PMOS场效应管P4的漏极分别与该第二反相器的输出端CP和所述的第四NMOS场效应管N4的漏极相连接，且该第四NMOS场效应管N4的衬底和源极均接地。

所述的断点保护电路模块也相应的可以包括第十六PMOS场效应管P16和第十七PMOS场效应管P17，所述的第十六PMOS场效应管P16的源极与所述的信号输入端IN相连接，该第十六PMOS场效应管P16的漏极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管P3的衬底相连接，且该第十六PMOS场效应管P16的栅极与电源VDD相连接；所述的第十七PMOS场效应管P17的源极与所述的信号输入端IN相连接，该第十七PMOS场效应管P17的漏极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管P3的衬底相连接，且该第十七PMOS场效应管P17的栅极与所述的第二反相器的输出端CP相连接。

不仅如此，该模拟开关电路结构中的通道对管电路模块还包括第三NMOS场效应管N3，所述的第三PMOS场效应管P3的源极和第三NMOS场效应管N3的源极均与所述的信号输入端IN相连接，该第三PMOS场效应管P3的漏极和第三NMOS场效应管N3的漏极均与所述的信号输出端OUT相连接，该第三NMOS场效应管N3的栅极与所述的第一反相器的输出端CN相连接，且该第三NMOS场效应管N3的衬底接地。

在实际使用当中，请参阅图2所示，其为本发明的第一种实施例的电路实现形式。

其电路连接关系如下：

P5和N5组成反相器，输入连接CTR，输出连接CN；P4和N4组成反相器，输入连接CN，输出连接CP，P4的衬底和源极连接B2；P3和N3的源极连接IN，漏极连接OUT，P3的衬底连接B2，栅极连接CP，N3的衬底连接GND，栅极连接CN；P6的源极接IN，漏极和衬底接B2，栅极接VDD；P7的源极接VDD，漏极和衬底接B2，栅极接CP。P3的S和B之间形成一个正向的寄生二极管D2。

电路工作原理如下：

P3和N3组成通道对管。电路正常工作时，VDD为高电平。如需开关导通，则设置CTR为GND，从而CN为VDD，CP为GND，P3和N3开启，信号从IN输入，从OUT输出。

当需要关断开关时，设置CTR为VDD，从而CN为GND，N3关断。P7、P6的S和B之间形成正向的寄生二极管，其正向导通电压为Vthd。

(1)当|Vthp|＞Vthd时，B2＝VDD-Vthd，从而P4开启，CP＝B2。输入信号IN最大值为VDD，所以P3的VGS最大值为CP-IN＝Vthd＜|Vthp|，P3关断，模拟开关关断；

当电源断电，VDD＝0时，CN＝0V。此时如果IN端有信号输入。

(2)当输入信号IN＞|Vthp|，从而P6开启，B2＝IN，从而P4开启，CP＝B2，P3的VGS＝CP-IN＝0V，P3被关断，模拟开关关断。同时由于CP＝B2，P7的VGS＝0V，P7关断，输入信号不会形成对VDD的漏电。

再请参阅图3所示，其为本发明的第二种实施方式，也即为低导通电阻的模拟开关电路。

电路连接关系如下：

P9和N9组成反相器，输入连接CN，输出连接CP；P10和N10组成反相器，输入连接CTR，输出连接CN；P8和N8的源极连接IN，漏极连接OUT，P8的衬底连接B3，栅极连接CP，N8的衬底连接GND，栅极连接CN；P11的源极接IN，漏极和衬底接B3，栅极接CP；P12的漏极接B3，源极和衬底接VDD，栅极接CN。

电路工作原理如下：

P8和N8组成通道对管。电路正常工作时，VDD为高电平，如需开关导通，设置CTR为GND，从而CN为VDD，CP为GND，P8、P11、N8开启，P12关闭，信号从IN输入，从OUT输出。P8的衬底通过P11接到IN，使导通电阻降低。如需开关关断，则设置CTR为VDD，从而CN为GND，P12开启，P11、N9关断。因为CN为GND，所以CP为VDD，P11关断，P8的衬底被连接到VDD，P8关断。模拟开关关断，信号被阻隔。

当电源断电时，CTR＝CN＝CP＝GND＝VDD，一旦IN有信号输入，则P11开启，B3＝IN。从而P8开启，信号泄露到输出OUT。同时，P12开启，输入信号形成对VDD的漏电流。

再请参阅图4所示，其为本发明的第三种实施方式，其中也实现了一种低导通电阻的模拟开关电路。

电路连接关系如下：

P15和N15组成反相器，输入连接CTR，输出连接CN；P14和N14组成反相器，输入连接CN，输出连接CP，P14的衬底和源极连接B2；P13和N13的源极连接IN，漏极连接OUT，P13的衬底连接B4，栅极连接CP，N13的衬底连接GND，栅极连接CN；P16的源极接IN，漏极和衬底接B4，栅极接VDD；P17的源极接VDD，漏极和衬底接B4，栅极接CP。

电路工作原理如下：

P13和N13组成通道对管。电路正常工作时，VDD为高电平。如需开关导通，则设置CTR为GND，从而CN为VDD，CP为GND，P13、P17、N13开启，信号从IN输入，从OUT输出。此时，P13的衬底通过P17连接到IN，降低了导通电阻。

当需要关断开关时，设置CTR为VDD，从而CN为GND，N13关断。

P17、P16的S和B之间形成正向的寄生二极管，其正向导通电压为Vthd。

(1)输入信号IN＜|Vthp|时，P13的|VGS|＝|IN-CP|＜|Vthp|，P13关断，模拟开关关断。

(3)当输入信号IN＞|Vthp|，|Vthp|＜Vthd时，P17、P14开启，B4＝CP＝IN，此时P13的VGS＝IN-CP＝0，P13关断，模拟开关关断。

当电源断电，VDD＝0时，CTR＝CN＝0V。此时如果IN端有信号输入。

(2)当输入信号IN＞|Vthp|时，P16开启，B4＝IN，从而P4开启，CP＝B2＝IN，从而P13的VGS＝CP-IN＝0V，P13被关断，模拟开关关断。同时不会形成IN对VDD的漏电。

在本发明的模拟开关电路中，可以实现电源断电情况下开关的正常关断，并防止输入端对电源的漏电流。

其中的基本做法是不直接把通道PMOS管的衬底连接到电源，通过一个断电保护结构将其衬底连接到电源，以防止断电情况下，输入信号对电源的漏电。

其中，将通道PMOS管的G端控制电平和衬底电压改由输入信号控制。当电源电压断电，输入有信号时，保证通道PMOS管的|VGS|小于其开启电压，以实现电源断电情况下的模拟开关的正常关断。

正常工作情况下，通道PMOS管的衬底通过一个开关连接到电源(如图2揭示了采用PMOS作为开关的一种电路实现方式)。在电源断电情况下，将通道PMOS的衬底和电源断开，防止输入信号对电源的漏电。

正常工作情况下，也可以将通道PMOS的衬底通过一个开关结构(如图4揭示了其中一种电路实现方式)连接到输入端，以减小导通电阻。电源断电情况下，由于不存在输入端到电源的电路通道，所以不会形成输入对VDD的漏电流。

采用了上述的模拟开关电路结构，由于其中不直接将通道PMOS场效应管的衬底连接到电源VDD，从而有效避免了输入信号通过通道PMOS场效应管S和B之间的寄生二极管漏电到VDD；并将通道PMOS场效应管的栅极控制电平改由输入信号控制，当电源电压切断后，在有输入信号时，保证通道PMOS场效应管不会开启，从而实现了电源断电情况下的模拟开关的正常关断，有效防止了输入端到电源的漏电流，结构简单实用，工作性能稳定可靠，适用范围较为广泛。

在此说明书中，本发明已参照其特定的实施例作了描述。但是，很显然仍可以作出各种修改和变换而不背离本发明的精神和范围。因此，说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的。

Claims

1.一种模拟开关电路结构，包括反相器电路模块和通道对管电路模块，所述的反相器电路模块的输入端与控制信号输入端(CRT)相连接，所述的通道对管电路模块接于信号输入端(IN)和信号输出端(OUT)之间，其特征在于，所述的电路结构还包括断点保护电路模块，所述的通道对管电路模块中包括第三PMOS场效应管(P3)，所述的反相器电路模块的输出端与该第三PMOS场效应管(P3)的栅极相连接，且该第三PMOS场效应管(P3)的衬底通过所述的断点保护电路模块与电源(VDD)或者信号输入端(IN)相连接；所述的反相器电路模块包括第一反相器和第二反相器，所述的第一反相器的输入端与控制信号输入端(CRT)相连接，且该第一反相器的输出端(CN)与第二反相器的输入端相连接，所述的第二反相器的输出端(CP)与所述的第三PMOS场效应管(P3)的栅极相连接；

所述的通道对管电路模块还包括第三NMOS场效应管(N3)，所述的第三PMOS场效应管(P3)的源极和第三NMOS场效应管(N3)的源极均与所述的信号输入端(IN)相连接，该第三PMOS场效应管(P3)的漏极和第三NMOS场效应管(N3)的漏极均与所述的信号输出端(OUT)相连接，该第三NMOS场效应管(N3)的栅极与所述的第一反相器的输出端(CN)相连接，且该第三NMOS场效应管(N3)的衬底接地；

所述的断点保护电路模块包括第六PMOS场效应管(P6)和第七PMOS场效应管(P7)，所述的第六PMOS场效应管(P6)的源极与所述的信号输入端(IN)相连接，该第六PMOS场效应管(P6)的漏极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管(P3)的衬底相连接，且该第六PMOS场效应管(P6)的栅极与电源(VDD)相连接；所述的第七PMOS场效应管(P7)的源极与电源(VDD)相连接，该第七PMOS场效应管(P7)的漏极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管(P3)的衬底相连接，且该第七PMOS场效应管(P7)的栅极与所述的第二反相器的输出端(CP)相连接。

2.根据权利要求1所述的模拟开关电路结构，其特征在于，所述的第一反相器包括第五PMOS场效应管(P5)和第五NMOS场效应管(N5)，所述的第五PMOS场效应管(P5)的栅极和第五NMOS场效应管(N5)的栅极均与所述的控制信号输入端(CRT)相连接，该第五PMOS场效应管(P5)的源极和衬底均与电源(VDD)相连接，该第五PMOS场效应管(P5)的漏极分别与该第一反相器的输出端(CN)和所述的第五NMOS场效应管(N5)的漏极相连接，且该第五NMOS场效应管(N5)的衬底和源极均接地。

3.根据权利要求2所述的模拟开关电路结构，其特征在于，所述的第二反相器包括第四PMOS场效应管(P4)和第四NMOS场效应管(N4)，所述的第四PMOS场效应管(P4)的栅极和第四NMOS场效应管(N4)的栅极均与所述的第一反相器的输出端(CN)相连接，该第四PMOS场效应管(P4)的源极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管(P3)的衬底相连接，该第四PMOS场效应管(P4)的漏极分别与该第二反相器的输出端(CP)和所述的第四NMOS场效应管(N4)的漏极相连接，且该第四NMOS场效应管(N4)的衬底和源极均接地。

4.一种模拟开关电路结构，包括反相器电路模块和通道对管电路模块，所述的反相器电路模块的输入端与控制信号输入端(CRT)相连接，所述的通道对管电路模块接于信号输入端(IN)和信号输出端(OUT)之间，其特征在于，所述的电路结构还包括断点保护电路模块，所述的通道对管电路模块中包括第三PMOS场效应管(P3)，所述的反相器电路模块的输出端与该第三PMOS场效应管(P3)的栅极相连接，且该第三PMOS场效应管(P3)的衬底通过所述的断点保护电路模块与电源(VDD)或者信号输入端(IN)相连接；所述的反相器电路模块包括第一反相器和第二反相器，所述的第一反相器的输入端与控制信号输入端(CRT)相连接，且该第一反相器的输出端(CN)与第二反相器的输入端相连接，所述的第二反相器的输出端(CP)与所述的第三PMOS场效应管(P3)的栅极相连接；

所述的断点保护电路模块包括第十六PMOS场效应管(P16)和第十七PMOS场效应管(P17)，所述的第十六PMOS场效应管(P16)的源极与所述的信号输入端(IN)相连接，该第十六PMOS场效应管(P16)的漏极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管(P3)的衬底相连接，且该第十六PMOS场效应管(P16)的栅极与电源(VDD)相连接；所述的第十七PMOS场效应管(P17)的源极与所述的信号输入端(IN)相连接，该第十七PMOS场效应管(P17)的漏极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管(P3)的衬底相连接，且该第十七PMOS场效应管(P17)的栅极与所述的第二反相器的输出端(CP)相连接。