CN103160815B - 化学水浴法镀膜设备 - Google Patents

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Abstract

一种化学水浴法镀膜设备，包括化学水浴法镀膜设备，包括第一盖板、第二盖板与溶液出入装置。第一盖板与第二盖板对应设置，构成镀膜空间。溶液出入装置位于第一盖板中，供溶液进出镀膜空间。溶液出入装置的位置为固定或可以在镀膜空间内移动。

Description

化学水浴法镀膜设备
技术领域
本发明是有关于一种液相镀膜设备，且特别是有关于一种化学水浴法镀膜设备。
背景技术
化学水浴沉积法(chemicalbathdeposition，CBD)是目前许多产业广泛采用的一种液相镀膜方式。最常见的化学水浴沉积法是在化学槽中进行。然而，化学槽的体积相当大，必须使用大量的化学镀液，其溶液利用率低，不仅造成镀膜成本高，而且废液处理也是一大问题。另外一种化学水浴沉积法，是将欲镀基板以面朝上的方式置于坩锅中，再将溶液倒入坩锅中，覆盖欲镀基板，以进行镀膜。但是，在镀膜过程中，镀液也会沉积在坩锅上，不仅降低了镀液的利用率，而且镀完膜厚的坩锅也需要清洗，因而增加了制程时间。举例来说，于铜铟镓硒(CIGS)太阳电池的制作成本中缓冲层扮演相当重要的角色。以传统的化学水浴沉积法制备厚度50nm的CdS缓冲层，其成本约占电池成本的20％(不含基板)，因此若能有效改善上述缺点便能大幅降低电池的制作成本。此外，传统的化学水浴沉积法伴随着团簇-团簇成长机制，溶液中的离子先于容易中形成固态粒子后才附着于固相的基材上，所形成的薄膜不透光、不均匀且附着力差，若能有效移除基板上的成核粒子，应可有效改善电池效率。
发明内容
本发明提供一种化学水浴法镀膜设备，可以简化制程、节省能源、减少废液量、提升薄膜品质、降低设备成本。
本发明提出一种化学水浴法镀膜设备，包括第一盖板、第二盖板与溶液出入装置。第一盖板与第二盖板对应设置，构成镀膜空间。溶液出入装置装配于第一盖板中，供溶液进出镀膜空间。溶液出入装置的位置为固定或可以在镀膜空间内移动。
在一实施例中，上述化学水浴法镀膜设备，更包括混合装置，设置于上述第二盖板之下。
在一实施例中，上述混合装置包括摇晃设备。
在一实施例中，上述混合装置包括加热设备。
在一实施例中，上述第一盖板或上述第二盖板的边缘具有间隙物(spacer)，使上述第一盖板或上述第二盖板之间形成上述镀膜空间。
在一实施例中，上述间隙物的材料包括橡胶(rubber)、硅胶(silicone)或聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)。
在一实施例中，上述第二盖板或上述第一盖板的边缘具有凹槽(groove)，且上述间隙物是设置于上述凹槽中。
在一实施例中，上述凹槽的形状包括圆形、方形或不规则形状。
在一实施例中，上述第一盖板内更包括磁性物质。
在一实施例中，上述第一盖板的材料包括铝合金、玻璃、石英、氧化铝、高分子材料，或其组合。
在一实施例中，上述第一盖板的材料为高分子，且上述高分子材料包括聚氯乙烯(PolyVinlyChloride，PVC)、聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)或聚丙烯(Polypropylene，PP)。
在一实施例中，上述第二盖板的材料包括玻璃、不锈钢、聚亚酰胺(polyimide，PI)或半导体材料。
在一实施例中，上述第一盖板之外部边缘(outeredge)具有延伸部(extensionportion)以提供上述镀膜空间的高度。
在一实施例中，上述第二盖板为一欲镀基板。
在一实施例中，上述化学水浴法镀膜设备，更包括于上述第一盖板之上可供设置欲镀基板。
在一实施例中，上述溶液出入装置可具有润湿、进出溶液以及清洁镀膜空间功能。
在一实施例中，上述溶液出入装置可使喷出的溶液呈雾状、膜状或柱状。
在一实施例中，上述溶液出入装置可任意角度喷出上述镀膜空间的溶液。
在一实施例中，上述溶液出入装置的出入口可于溶液出入装置的任意位置。
在一实施例中，上述化学水浴法镀膜设备，更包括倾斜装置，设置于上述第二盖板之下。
在一实施例中，上述溶液出入装置包括至少一支臂、至少一溶液注入室以及至少一溶液管线。支臂连接上述第一盖板的延伸部。溶液注入室连接支臂。溶液管线位于支臂中，用以输送流体至上述溶液注入室中。
在一实施例中，上述支臂可伸缩活动。
在一实施例中，上述溶液注入室具有至少一出入口。
在一实施例中，上述出入口包括镶嵌喷嘴。
在一实施例中，上述出入口位于上述溶液出入装置的任意位置。
本发明的化学水浴法镀膜设备，可以简化制程、节省能源、减少废液量、提升薄膜品质、降低设备成本非常是何用于各种需要镀膜的产业。
为让本发明之上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1是本发明一种化学水浴法镀膜设备的上视图。
图2是沿图1中切线II-II的剖面示意图。
图3是沿图1中切线III-III的剖面示意图。
图4是沿图1中切线IV-IV的剖面示意图。
图5是本发明另一种化学水浴法镀膜设备的上视图。
图5A是是图5的溶液出入装置的俯视图。
图5B是是图5A的溶液出入装置的剖面图。
图6是沿图5中切线VI-VI的剖面示意图。
图7与图8是沿图5中切线VII-VII的剖面示意图。
图9是本发明又一种化学水浴法镀膜设备的剖面图。
图9A是图9的溶液出入装置的俯视图。
图10是以镀膜后且未经清洗的镀膜的电子显微镜照片。
图11是利用本发明的化学水浴法镀膜设备镀膜后并经清洗的镀膜的电子显微镜照片。
图12是以镀膜后且未经清洗的镀膜以及利用本发明的设备镀膜后并经清洗的镀膜的穿透率。
附图标记说明
10A、10B、10C：化学水浴法镀膜设备
11：第一盖板
11a：主体部
11b：延伸部
12：溶液出入装置
13：开孔
14：间隙壁
15：第二盖板
16：混合装置
17：倾斜装置
18：倾斜支架
19：凹槽
20：镀膜空间
21：进料口
22：欲镀基板
23：支臂
24：出入口
25、25a、25b、25c：管线
26：溶液注入室
26a：第一室
26b：第二室
27a：第一区
27b：第二区
27c：第三区
h1、h2或h3：高度
100、200：曲线
具体实施方式
图1是本发明一种化学水浴法镀膜设备的上视图。图2是沿图1中切线II-II的剖面示意图。图3是沿图1中切线III-III的剖面示意图。图4是沿图1中切线IV-IV的剖面示意图。图5是本发明另一种化学水浴法镀膜设备的上视图。图6是沿图5中切线VI-VI的剖面示意图。图7与图8是沿图5中切线VII-VII的剖面示意图。图9是本发明又一种化学水浴法镀膜设备的剖面图。
为简化起见，以下的实施例中，相同的元件以相同的标号来表示。此外，图式中的各元件的尺寸或形状仅是示意，并未完全依照实际元件的尺寸或形状绘制。
请参照图1与图2，化学水浴法镀膜设备10A，包括第一盖板11、第二盖板15与溶液出入装置12。
第一盖板11与第二盖板15对应设置，构成镀膜空间20。第一盖板11可避免镀液中易挥发物质散逸而造成镀液组成改变，以维持镀膜品质。在一实施例中，第一盖板11的材料可以包括保温性佳的材料、抗蚀的材料、表面能小，或兼具前述特性者。第一盖板11其可以是无机材料、导体材料、聚合物或是复合材料所制成的基板。无机材料例如是玻璃、石英、陶瓷或氧化铝。导体材料包括金属或合金，例如是铝合金、钛或钼。聚合物例如是聚氯乙烯(PolyVinlyChloride，PVC)、聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)或聚丙烯(Polypropylene，PP)。值得一提的是，聚四氟乙烯可抗酸碱，且表面能相当小，溶液中的粒子难以在其上方成核，因此，以其做为第一盖板11，在镀膜形成之后，其表面非常容易清洗。
此外，第一盖板11还可提供第二盖板15一下压力，此下压力能有效避免镀膜过程中镀液流出而影响镀膜品质。第一盖板11重量例如是约为2公斤或更高，并不以此为限。
第二盖板15为欲镀膜的基板，具有盛载镀液的功能。第二盖板15可以是无机材料、导体材料、半导体材料、聚合物或是复合材料所制成的基板。无机材料例如是玻璃、石英、或陶瓷。导体材料包括金属，例如是铝合金、钛、钼、不锈钢。半导体材料例如是硅、铜铟镓硒、鍗化镉或其他具有光电转换功能的半导体材料。聚合物例如是聚亚酰胺(polyimide，PI)或聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)。在另一实施例中，请参照图6，第一盖板11上还可设置另一欲镀基板22。
请继续参照图1与图2，在一实施例中，本发明的化学水浴法镀膜设备10A还具有间隙物14，其具有密封的功能。间隙物14位于第一盖板11与第二盖板15的边缘，第一盖板11、第二盖板15或其二者的边缘刻有凹槽19，以利于间隙物14嵌于第一盖板11或第二盖板15其中。在图1至图4的实施例中，间隙物14可提供第一盖板11与第二盖板15之间的距离，以形成化学水浴法镀膜所需要盛载镀液的空间。间隙物14可以提供第一盖板11与第二盖板15之间的距离例如是5mm至70mm，但本发明并不以此为限，可以依照实际欲镀膜的基板的厚度调整。在一实施例中，间隙物14可以提供可提供第一盖板11以及第二盖板15之间的距离。间隙物14需具备有弹性、抗酸碱以及低表面能的特性。间隙物14例如是O型环(O-ring)。O型环的材料粒如是橡胶(rubber)、硅胶(silicone)或聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)。O-ring尺寸周长例如为100mm，厚度例如为2mm。凹槽19可为圆形、方形或是任意形状，控制此凹槽19形状将可形成相对应的不同镀膜外观。
以上图1至图4的实施例是以间隙物14来提供化学水浴法镀膜所需要盛载镀液的镀膜空间20的高度h1，然而，本发明并不以上述为限，镀膜空间20的高度也可改变第一盖板11或第二盖板15的设计而得。举例来说，请参照图6至图8以及图9所示，化学水浴法镀膜设备10B与10C的第一盖板11包括主体部11a以及延伸部(extensionportion)11b。在图6至图8中，第一盖板11的延伸部11b自主体部11a向下延伸，其与间隙物14共同提供了镀液空间20的高度h2。在图9中，则仅以第一盖板11的延伸部11b提供镀液空间20的高度h3。
镀液空间20的高度h1、h2或h3例如是5mm至70mm，但本发明并不以此为限，可以依照实际需要调整。
请参照图1至图8，溶液出入装置12装配于第一盖板11中。溶液出入装置12的位置可以是固定(如图1至图4所示)，或是可以在镀膜空间20内移动(如图5至图8所示)。
请参照图5至6，溶液出入装置12包括可伸缩活动的支臂23与溶液注入室26。溶液出入装置12透过支臂23装设在第一盖板11的延伸部11b。支臂23中具有溶液管线25，可以将流体输送到溶液出入装置12，藉由活动支臂23的伸缩，溶液出入装置12可以在镀膜空间20内移动。
再者，由于溶液出入装置12装设在第一盖板11的延伸部11b，因此，若第一盖板11的主体部11a与溶液出入装置12之间具有足够的距离，则可以将另一欲镀基板22装设在第一盖板11的主体部11a上，透过镀液充满镀膜空间20的方式，以使得第二盖板15的欲镀基板以及第一盖板11的主体部11a上的另一欲镀基板同时镀膜。
溶液出入装置12可以提供润湿溶液、镀液或是清洗液至镀膜空间20。润湿溶液是在镀膜溶液通入之前，先经由溶液出入装置12，对基板进行表面润湿处理，其目的为避免后续镀膜溶液注入时因微气泡产生而使镀膜覆盖率下降，润湿动作可先使用雾状喷嘴喷出雾气润湿基板表面。清洗液则可以移除杂质，如使用KCN溶液对CIGS吸收层中进行CuSe是列化合物的移除，也可能为使用如溴水等溶液对基板进行蚀刻或缺陷移除。此外，溶液出入装置12也可以具有超音波振动清洗功能。
溶液出入装置12除了具清洗基板功能外，也提供溶液进出、压力平衡以及气体进出的路径。再者，在基板表面清洗干净后，亦可透过溶液出入装置12将空气、氩气或是氮气通入镀液空间中，以清除欲镀基板表面上的水分。
溶液进出装置12的材料包括铁氟龙、金属或其组合，例如是铝，或不锈钢外镀铁氟龙。
图5A是依据本发明一实施例所是的一种溶液出入装置的俯视图。图5B是是图5A的溶液出入装置的剖面图。图9A是图9的溶液出入装置的俯视图。
请参照图5、5A与5B，装设于溶液出入装置12的支臂23之中的溶液管线25，可以是单一管线或是多管线。若溶液管线25为单一管线，则可以在不同时段输送去离子水、化学反应溶液或气体，亦即，不同的溶液或气体是在相同的管线中流动。若溶液管线25为多管线，在一实施例中，请参照图5A与图5B，溶液管线25例如是包括管线25a、管线25b、管线25c。管线25a、管线25b、管线25c可以分别输送DI水、化学反应溶液、气体，使得不同的溶液或气体在不同的管线中流动。然而，溶液管线25输送的液体或气体并不以上述为限。除此之外，支臂23中也可再添增一管线，其可连接泵，以提供废液输出。
再者，请继续参照图5、5A与5B，溶液注入室26可以仅有单室，或依据实际的需求区分为两室或更多室。在一实施中，溶液注入室26可区分别为第一室26a和第二室26b，其中第一室26a可装盛管线25b所输送的化学溶液，以提供化学溶液进入镀膜空间20的路径。第二室26b可装盛或容纳管线25a所输送的DI水和管线25c所输送的气体，并具有可以提供DI水和气体进入镀膜空间20内的出入口24。出入口24可以是镶嵌喷嘴。溶液注入室26的各室可以具有单一个出入口24(如图1中心处)或是多个出入口24(如图1中两侧处)。单一个出入口24，于清洁大尺寸基板时，需要考虑降压问题。多个出入口24，则可以改善压力不均的问题。出入口24可以设置于溶液出入装置12的任意位置。在图3中，仅以位于溶液出入装置12的底部来表示，然而，并不以此为限。在图6中，溶液出入装置12可以任意角度喷出溶液。溶液出入装置12可使喷出的溶液呈雾状、膜状或柱状。例如，溶液出入装置12可以使得所喷出的溶液呈垂直液流(如图3或7所示)或是倾斜液流(如图4或8所示)。垂直液流是将溶液垂直提供至(入射)基板上。倾斜液流则可以将溶液提供至整个镀膜空间20，以增加设备的可工作范围。倾斜液流例如是交叉液流、环形液流等不同喷洒方式。交叉液流可以避免两个不同方向的液流同时喷洒至基板上所造成的均质成核移除不良的缺点。
在一实施例中，管路25a用以输送去离子水，空气管路25c用以输送空气，管路25a和管路25c可外接泵以利调整出入口24所送出的去离子水和气体的压力，而达到清洁的目的。
此外，请参照图9、9A，若是溶液出入装置12的尺寸较大，则可以利用单一个支臂23或多个支臂23连接第一盖板11的延伸部11b。在图9A所绘示的溶液出入装置12，是具有多个支臂23，然而，本发明并不以此为限。每一个支臂23中同样可以设置单一管线或是多管线。在图式中，是以每一个支臂23中具有管线25a、管线25b、管线25c，但本发明并不以此为限。溶液注入室26可以依据实际的需求区分为多区。在一实施中，溶液注入室26可区分别为第一区27a、第二区27b、第三区27c。第一区27a、第二区27b、第三区27c中分别具有上述的第一室26a和第二室26b，其详细说明如上，于此不再赘述。藉由多个管线的设置，可以解决管线过长所造成的压力降问题。
请参照图1至图8，溶液出入装置12是透过第一盖板11中的进料口21进料，将润湿溶液、镀液或是清洗液提供至镀膜空间20之中。进料口21的形状可以是圆形、方形、矩形或任意的形状。圆形的直径粒如是约为3～5mm。进料口21的尺寸不宜过大，以避免溶液蒸发而影响镀膜品质。于进料时，开启进料口21以提供压力平衡功能而利溶液注入。进料口21可位于溶液出入装置的任意位置。
上述化学水浴法镀膜设备10A、10B或10C可更包括混合装置16，设置于上述第二盖板15之下。混合装置16可包括加热设备及摇晃设备，以提供热源并且可以混合溶液。加热设备可提供镀膜时所需要的热源，其可以是普通加热器，例如使用电阻加热或红外线方式加热。加热设备也可为一种可以提供热源的物质，例如是将热传导系数高的材料如不锈钢或是铜块泡入热液中，待温度稳定后取出以作为热源。于镀膜过程中调整混合装置16中的加热设备，可以控制镀膜速度，通常镀膜速度和温度成正比，但过高的温度将导致大量均质成核产生而降低镀膜品质，因此镀膜温度通常控制在40～90℃之间，例如是70℃左右。
再者，化学水浴法镀膜设备10A、10B或10C中除了混合装置16中的加热设备可以控制温度之外，当第二盖板15材料为不锈钢或是钛板等导电材料时，可利用其导电的特性，藉由直接施加电压于第二盖板15上，并经由控制施加电压的大小，而达到控制镀液空间20的溶液温度的目的。
此外，若混合装置16为具有磁性的材料材料，也可于第一盖板11内放入磁铁。当第一盖板11置于混合装置16上方时，第一盖板11的磁力便会吸引下方的混合装置16，藉由此方式也可提供压力以增加第一盖板11和第二盖板15之间的密封性而避免漏液问题产生。
上述化学水浴法镀膜设备10A、10B或10C，还可以包括倾斜装置17，或更进一步包括倾斜支架18。倾斜支架18则可以使倾斜装置17倾斜，并且维持在特定的角度。倾斜装置17设置于第二盖板15之下，以提供化学水浴法镀膜设备10A、10B或10C倾斜的功能，以使镀膜空间20中的溶液集中，特别是在镀膜形成之后，可以使得剩余的镀液、清洗液或是湿润溶液透过第一盖板11中的进料口21排出。
更详细地说，请参照图1与图2，若是溶液出入装置12是以固定方式装配在第一盖板11较边缘之处，镀膜空间20中的溶液因为倾斜集中于边缘时，进料口21还可以做为废液的排出孔，将上述制程所得的废液、废气可再透过溶液出入装置12的出入口24经由进料口21而排出。若是溶液出入装置12是以固定方是装配在第一盖板11较中心之处，则第一盖板11还可以包括开孔13(图9)，其位于第一盖板11较边缘之处，当镀膜空间20中的溶液因为倾斜而集中于边缘时，开孔13可透过管件而延伸至镀膜空间20之中，做为废液的排出路径。请参照图5与图6，若是溶液出入装置12是以可以移动的方式装配在第一盖板11时，溶液出入装置12可以移动到第一盖板11较边缘之处，因为倾斜而集中于边缘的废液、废气可再透过溶液出入装置12的出入口24经由进料口21而排出。进料口21或开孔13所排出的废液可搜集于废液桶中回收利用。
以下将以镀CdS膜为例说明本发明的化学水浴法镀膜设备的使用方法。
取面积约为100cm2的欲镀基板，以含有0.0015M的硫酸镉、1M氨水以及0.0075M硫脲的镀液20ml，使溶液平均高度约为2mm，将镀膜温度控制在70℃进行镀膜。
请参照图2，进行镀膜时，首先将欲镀基板置于混合装置16上方，欲镀基板做为第二盖板15，其上可盛载镀液。在本实验中使用玻璃做为第二盖板15。混合装置16以热传是数高的物质(如铜)做为热源。
于镀膜过程中，待第二盖板15放置于混合装置16上方后，将第一盖板11和间隙物14置于第二盖板15上，利用第一盖板11的边缘处的凹槽19使间隙物14镶嵌于第一盖板11。于本实施例中，使用的PTFE作为第一盖板11的材料，其可抗酸碱，且在镀膜后容易清洗。使用全氟化橡胶材料的O-ring作为间隙物14，O-ring尺寸周长约为100mm，厚度约为2mm，经实验证实，O-ring可镀膜300次且无劣化的问题产生。
第一盖板11除了提供上述功能外还提供第二盖板15一向下压力，此向下压力能有效避于镀膜过程中镀液流出而影响镀膜品质。于实验中所使用的第一盖板11的重量约为2kg，透过第一盖板11所提供的下压力于镀膜实验中均无镀液泄漏的疑虑。
待第一盖板11及间隙物14盖于第二盖板15上方后，由进料口21处进料，进料口21直径约为3～5mm。在进行镀膜前，可先透过溶液出入装置12对镀膜空间20进行清洗或润湿动作。于镀膜过程中可调整混合装置16以控制镀膜速度，镀膜温度例如是控制在40～90℃之间，于实验中所使用的镀膜温度为70℃。
镀膜过程中可控制镀膜参数而得特定的薄膜厚度，待镀膜完成后，可由溶液出入装置12经由进料口21将镀膜溶液排出，或是经由开孔13将镀膜溶液排出。排出溶液的过程中，可藉由调整倾斜装置17中的倾斜支架18来控制镀膜设备的倾斜度，使设备倾斜而利于溶液排出。清洗制程对于镀膜品质有极大的影响，其可清除于镀膜过程中所附着于表面的均质成核粒子。溶液出入装置12可为图1与图2中以固定方式进行清洁表面，也可如图5与图6中以移动方式进行表面清洁。而清洁方式可以水流方式冲洗基板表面外，也可以超音波振动方式进行表面清洁。于图1至图9中的溶液出入装置12除了具清洗基板功能外也提供溶液进出、压力平衡以及气体进出的路径，待基板表面清洗干净后，可透过溶液出入装置12将空气、氩气或是氮气通入镀膜空间20，以清除基板表面水分，而上述制程所得的废液、废气则透过溶液出入装置12排出并搜集于废液桶中回收。上述制程时间为20min，所得薄膜厚度约为80nm。
图10是镀膜后未经清洗的镀膜的电子显微镜照片。图11是利用本发明的化学水浴法镀膜设备镀膜并经清洗的镀膜的电子显微镜照片。由照片可以很清楚看到，透过本发明的化学水浴法镀膜设备清洗，可以有效移除镀膜表面的杂质。
图12是镀膜后未经清洗的镀膜以及利用本发明的化学水浴法镀膜设备镀膜并经清洗的镀膜的穿透率。由图12的结果显示经过清洗的镀膜的曲线100的穿透率相较于未经过清洗的镀膜的曲线200的穿透率有显著地提升。
表1
表2
表1是以化学水浴法镀膜且未经清洗的镀膜的电性表现。表2是利用本发明的化学水浴法镀膜设备镀膜后并经清洗的镀膜的电性表现。由表1和表2的结果显示，经过清洗的镀膜，其电性表现优于未经清洗的镀膜。
综上所述，本发明透过特殊的盖板设计，可有效改善并简化化学水浴法制程。由于本发明的镀膜设备简单，无须使用坩埚，因此除了能减少坩埚的费用，也可以降低废液产出量。再者，本发明透过特殊的晶片清洗设计，可以大幅提升镀膜后的晶片品质，广泛应用于化学水浴法镀半导体化合物的薄膜，如太阳能电池缓冲层等的制作。
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围以权利要求书为准。

Claims (21)

1.一种化学水浴法镀膜设备，包括：
第一盖板与一第二盖板，其中所述第一盖板与所述第二盖板对应设置，构成一镀膜空间；
溶液出入装置位于所述第一盖板中，所述溶液出入装置在所述镀膜空间内移动；
其中，所述第一盖板内更包括磁性物质，该溶液出入装置可任意角度喷出所述镀膜空间的溶液。
2.如权利要求1所述的化学水浴法镀膜设备，其特征在于，进一步包括一混合装置，设置于所述第二盖板之下。
3.如权利要求2所述的化学水浴法镀膜设备，其特征在于，所述混合装置包括一摇晃设备。
4.如权利要求2所述的化学水浴法镀膜设备，其特征在于，所述混合装置包括一加热设备。
5.如权利要求1所述的化学水浴法镀膜设备，其特征在于，所述第一盖板或所述第二盖板的边缘具有一间隙物，使所述第一盖板与所述第二盖板之间形成所述镀膜空间。
6.如权利要求5所述的化学水浴法镀膜设备，其特征在于，所述间隙物的材料包括橡胶、硅胶或聚四氟乙烯。
7.如权利要求5所述的化学水浴法镀膜设备，其特征在于，所述第二盖板或所述第一盖板的边缘具有凹槽，且所述间隙物是设置于所述凹槽中。
8.如权利要求7所述的化学水浴法镀膜设备，其特征在于，所述凹槽的形状包括圆形、方形或不规则形状。
9.如权利要求1所述的化学水浴法镀膜设备，其特征在于，所述第一盖板的材料包括铝合金、玻璃、石英、氧化铝、高分子材料，或其组合。
10.如权利要求9所述的化学水浴法镀膜设备，其特征在于，所述第一盖板的材料为高分子，且所述高分子材料包括聚氯乙烯、聚四氟乙烯或聚丙烯。
11.如权利要求1所述的化学水浴法镀膜设备，其特征在于，所述第二盖板的材料包括玻璃基板、不锈钢基板、聚亚酰胺或各种半导体材料基板。
12.如权利要求1所述的化学水浴法镀膜设备，其特征在于，所述第一盖板之外部边缘具有延伸部以提供所述镀膜空间的高度。
13.如权利要求1所述的化学水浴法镀膜设备，其特征在于，所述第二盖板为欲镀基板。
14.如权利要求1所述的化学水浴法镀膜设备，其特征在于，在所述镀膜空间中的所述第一盖板之上用以设置欲镀基板。
15.如权利要求1所述的化学水浴法镀膜设备，其特征在于，所述溶液出入装置使喷出的溶液呈雾状、膜状或柱状。
16.如权利要求1所述的化学水浴法镀膜设备，其特征在于，更包括倾斜装置，设置于所述第二盖板之下。
17.如权利要求12所述的化学水浴法镀膜设备，其特征在于，所述溶液出入装置包括：
至少一支臂，连接所述第一盖板的所述延伸部；
至少一溶液注入室，连接所述支臂；以及
至少一溶液管线，位于所述支臂中，用以输送流体至所述溶液注入室中。
18.如权利要求17所述的化学水浴法镀膜设备，其特征在于，所述支臂可伸缩活动。
19.如权利要求17所述的化学水浴法镀膜设备，其特征在于，所述溶液注入室具有至少一出入口。
20.如权利要求19所述的化学水浴法镀膜设备，其特征在于，所述出入口包括镶嵌喷嘴。
21.如权利要求19所述的化学水浴法镀膜设备，其特征在于，所述出入口位于所述溶液出入装置的任意位置。
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