CN103153864A - 用于接触部的浆料及利用所述浆料的太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种用于接触部的浆料及利用所述浆料的太阳能电池。所述用于接触部的浆料包括Al粉末、玻璃熔块、无机黏合剂和含有I族元素的P型氧化物。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于形成太阳能电池的接触材料及该接触材料的制造方法。
背景技术
随着对能源的需求增加，正在积极研制将太阳能转换为电能的太阳能电池。在这些太阳能电池中，在商业上广泛地使用利用硅晶片的太阳能电池。
具体地，硅晶片包括PN结，其中，N+层和P层附接到彼此并且背面场（BSF）层是P+层。这里，BSF层可以减小与后接触部的接触电阻以提高太阳能电池的特性。因此，当BSF层厚度增加时，可以提高太阳能电池的性能。
发明内容
技术问题
本发明提供一种增加BSF层的厚度以提高效率的太阳能电池。
技术方案
在一个实施例中，一种用于接触部的浆料包括：Al粉末、玻璃熔块、无机黏合剂和含有I族元素的P型氧化物。
在另一实施例中，一种太阳能电池包括：位于半导体衬底的一个表面上的前接触部；位于所述半导体衬底的另一表面上的背面场（BSF）层；以及位于所述BSF层上的后接触部，其中，所述BSF层或所述后接触部包括含有I族元素的P型氧化物。
在另一实施例中，一种太阳能电池的制造方法包括：在半导体衬底的另一表面上形成用于接触部的浆料，所述浆料包括含有I族元素的P型氧化物；在所述半导体衬底的一个表面上形成前接触部；以及对所述浆料和所述前接触部进行热处理，以在所述半导体衬底的所述另一表面上同时形成后接触部和BSF层。
有益效果
根据实施例的用于接触部的浆料可以包括含有I族元素的P型氧化物。在太阳能电池的制造过程中，当对包括含有I族元素的P型氧化物的浆料进行热处理时，可以增加BSF的厚度。
就是说，包含在P型氧化物中的I族元素可以扩散到硅衬底中，或包含在P型氧化物中的I族元素氧化物可以扩散到硅衬底中，以增大BSF层的厚度。因此，根据太阳能电池的制造方法，可以提供包括厚度增大的BSF层的太阳能电池。
因此，在根据实施例的太阳能电池中，由于BSF的厚度增加，因此可以减小漏电流，可以防止电子再结合并且可以减小电阻。因此，可以防止太阳能电池短路，并且可以提高太阳能电池的光电转换效率。
附图说明
图1至5是图示根据实施例的太阳能电池的制造过程的剖视图。
图6是图示根据对比例的硅太阳能电池的后接触部的剖视图。
图7是图示根据实施例3的硅太阳能电池的后接触部的剖视图。
图8是图示根据实施例4的硅太阳能电池的后接触部的剖视图。
图9是图示根据实施例5的硅太阳能电池的后接触部的剖视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，应该理解，当一个衬底、层、膜或电极被表述为在另一个衬底、层、膜或电极“上”或“下”时，它可以直接地在另一个层或衬底上或下，或者也可以存在中间层。此外，将基于附图对在每个组成层“上”和“下”做出参考。此外，为了进一步理解本公开，可以夸大元件的尺寸和元件之间的相对尺寸。
太阳能电池是将太阳能转化为电能的半导体器件。太阳能电池主要由硅材料形成。一般地，硅太阳能电池包括具有PN结结构的硅衬底、位于硅衬底上以将光线良好地吸收到太阳能电池中的防反射层、位于硅衬底上表面上的前接触部以及位于硅衬底下表面上的BSF层和后接触部。
利用Ag作为主要接触材料可以形成前接触部400。利用Al作为主要接触材料可以形成后接触部320。
通过以下过程可以形成后接触部320。首先，Al浆料可以被丝网印刷在硅衬底100的一个表面上，然后干燥。之后，可以在高于Al的熔点的温度下灼烧硅衬底100，以形成Al-Si熔融物。接着，在冷却Al-Si熔融物的过程中，可以在硅衬底10的一个表面上形成掺杂Al的Si外延生长层和后接触部。就是说，通过灼烧和干燥Al浆料可以将Al浆料转化为后接触部和生长层。
生长层可以被称作背面场（BSF）层。BSF层可以提高太阳能电池的能量转化效率。就是说，被称作BSF层的P+层可以形成在由硅材料形成的PN结型太阳能电池的后表面上，以提高太阳能电池的效率。
根据实施例的用于接触部的浆料可以包括Al粉末、玻璃熔块、无机黏合剂和含有I族元素的P-型氧化物。就是说，用于接触部的浆料可以包括含有I族元素的P-型氧化物以增加BSF层的厚度。
Al粉末可以给予后接触部导电性并且减小与硅衬底的接触电阻。因此，可以稳定地形成后接触部。
Al粉末可以具有各种形状。例如，Al粉末可以具有球形形状、板形形状或柱形形状。
Al粉末可以具有约1μm至约10μm的尺寸，但不限于此。此外，Al粉末可以与尺寸与其不同的Al粉末混合。例如，可以通过将尺寸为约1μm至约2μm的Al粉末与尺寸为约5μm至约10μm的Al粉末混合来形成所述Al粉末，但不限于此。
无机黏合剂可以具有约300°至约600°的软化点。无机黏合剂可以由玻璃熔块形成。例如，无机黏合剂可以由从由SiO2、Al2O3、B2O3、Bi2O3、Na2O、ZnO及其组合构成的组中选择的混合物形成。所述混合物可以包括这样一种材料，在该材料中两种或多种原材料互相混合或所有原材料都互相混合。
例如，无机黏合剂可以是基于PbO-SiO2的、基于PbO-SiO2-B2O3的、基于ZnO-SiO2的、基于ZnO-B2O3-SiO2的或基于Bi2O3-B2O3-ZnO-SiO2的。此外，无机黏合剂可以具有约1μm至约10μm的平均粒子大小。
对于100重量份的Al粉末，无机黏合剂的含量可以在约1重量份至约5重量份的范围内。当无机黏合剂的含量小于约1重量份时，可能难以在灼烧期间实现与硅衬底的附接。此外，当无机黏合剂的含量可能超过约5重量份时，可以增加与硅衬底的附接。但是，硅衬底和接触部之间的接触电阻会增大。因此，太阳能电池中形成的电子流会中断。此外，会降低太阳能电池的转换效率以及会发生翘曲现象或起泡（bead generation）。
接触部的浆料可以进一步包括选自Tl2O3、ZnO和Bi2O3的一种或两种或多种添加剂作为其它添加剂。其它添加剂的含量可以在约1重量份到约5重量份的范围内，但不限于此。所述其它添加剂可以提高消泡或平整（level）以及分散稳定性，并且增加与硅衬底的附接力。
P型氧化物可以包括I族元素。I族元素可以仅是I族元素或是I族氧化物。I族元素可以包括B、Al、Ga、In、TI、Li、Na、K、Rb、Cs或Fr，但不限于此。
此外，P型氧化物可以额外包括碱土金属、过渡金属、III族元素或V族元素。包含在P型氧化物中的碱土金属、过渡金属、III族元素或V族元素的每一种都可以作为氧化物存在。就是说，P型氧化物可以包括碱土金属氧化物、过渡金属氧化物、III族氧化物或V族氧化物。例如，P型氧化物可以是I-III族氧化物或I-V族氧化物。
碱土金属可以包括Ca、Sr或Ba，但不限于此。过渡金属可以包括Ma、Y、La、Fe或Cr，但不限于此。
根据实施例的用于接触部的浆料可以由以下化学式1所表示的P型氧化物形成。
[化学式1]AXBYOZ
（其中，0.5<X≤1.5，0.5<Y≤2.5，1.5<Z≤4.5，A选自Cu和Ag之一，并且B选自由B、Al、Ga、In、Ti、Mn、Y、La、Fe、Cr、Sb、Sc、Nd和Bi构成的组中的一个）。
详细地，P型氧化物可以被表示为ABO2或AB2O4。
可以通过灼烧互不相同的氧化物来制造化学式1所表示的P型氧化物。例如，可以通过在真空气氛下灼烧I族氧化物和III族氧化物来制造化学式1所表示的P型氧化物。此外，可以通过在真空气氛下灼烧I族和V族氧化物、I族氧化物和过渡金属氧化物或I族氧化物和碱土金属氧化物来制造化学式1所表示的P型氧化物。
此外，可以在约870℃至约950℃的温度下执行灼烧过程。更详细地，可以在约950℃的温度下执行灼烧过程。当在小于约870℃的温度下执行灼烧过程时，难以制造单相。当在大于约950℃的温度下执行灼烧过程时，会发生熔化和过度灼烧。
此外，执行灼烧过程的时间可以为约24小时至约96小时。就是说，初次灼烧过程可以执行约72小时，第二次灼烧过程可以执行约24小时，第三次灼烧过程可以执行约24小时，但是不限于此。当初次、第二次和第三次灼烧过程中的每个执行少于24小时时，会难以固定单相。当初次、第二次和第三次灼烧过程中的每个执行超过24小时时，会发生次相。
根据实施例的用于接触部的浆料可以由以下化学式2所表示的P型氧化物形成。
[化学式2]Sr1-xMxCuYOZ
（其中，0.03<X≤0.2，1.5<Y≤2.5，1.5<Z≤2.5，并且M选自由K、Na和Ca构成的组中的一个）。例如，P型氧化物可以被表示为Sr1-xMxCu2O2。
可以通过向Sr位同时掺杂碱土金属中的两种或多种来制造化学式2所表示的P型氧化物。通过上述过程制造的P型SrCu2O2可以具有显著增加的掺杂量以及提高的物理性能。
更详细地，可以通过执行将基于Sr的材料和掺杂碱金属的材料互相混合的过程和煅烧混合物的过程，来制造化学式2所表示的P型氧化物。
含Sr的材料可以包括从SrCO3和SrO构成的组中选择的氧化物。更详细地，含Sr的材料可以是SrCO3。
掺杂的碱金属可以是Li、Na、k、Rb、Cs或Fr。用于掺杂K的材料可以包括K2CO3或K2O。此外，用于掺杂Na的材料包括Na2CO3或Na2O。
煅烧过程中使用的气体可以使用N2或Ar。更详细地，N2可以用作煅烧过程中的气体。N2可以用作用于防止氧气结合的净化气体。
此外，可以在约870℃至约950℃的温度下执行煅烧过程。更详细地，可以在约950℃的温度下执行煅烧过程。当在小于约870℃的温度下执行煅烧过程时，难以制造单相。当在大于约950℃的温度下执行煅烧过程时，会发生融化和过度灼烧。
此外，煅烧过程可以执行约24小时至约96小时。就是说，初次煅烧过程可以执行约72小时，第二次煅烧过程可以执行约24小时，第三次煅烧过程可以执行约24小时，但是不限于此。当初次、第二次和第三次煅烧过程中的每个执行少于24小时时，会难以固定单相。当初次、第二次和第三次煅烧过程中的每个执行超过24小时时，会发生次相。
P型氧化物的含量可以占混合的Al浆料合成物的总量的约0.1重量份至约5重量份的范围内，而不限于此。当P型氧化物的含量小于约0.1重量份时，将P型氧化物加入浆料中的效果可能不足。因此，可能难以排除将P型氧化物作为添加剂来提高效率的功能。在另一方面，当P型氧化物的含量大于约5重量份时，效率会降低，并且还会发生弯曲。
将通过上述过程合成的含有I族元素的P型氧化物和Al浆料彼此混合，然后同时搅拌和研磨，以制造用于接触部的Al浆料合成物，该Al浆料合成物中混合有P型氧化物。可以利用行星轧机研磨和混合Al粉末、P型氧化物、无机黏合剂和其它添加剂。之后，可以利用3辊轧机将混合物放入分散设备中，以挤出所混合的原材料，由此制造浆料。
图1至5是图示根据实施例的太阳能电池的制造过程的剖视图。将参照上述用于接触部的浆料来描述根据本实施例的制造过程。在对制造过程的描述中，可以基本上应用对上述用于接触部的浆料的描述。
参照图1，半导体衬底100包括硅衬底110和位于硅衬底110上的N+层120。就是说，N+层120可以形成在硅衬底110上，以制造半导体层100。例如，可以通过将N型杂质注入硅衬底110中来形成N+层120。
半导体层110可以具有板形形状。例如，半导体衬底100可以由硅形成。半导体衬底100可以具有PN结。
半导体衬底100可以将入射光转化为电能。就是说，半导体衬底100可以从外部接收光线，以形成电子和空穴。
参照图2，可以在N+层120上形成防反射层200。例如，可以在N+层120上形成氮化硅层，然后可以图案化氮化硅层以制造防反射层200。防反射层200可以提高入射到半导体衬底100中的光入射效率。例如，防反射层200可以由氮化硅形成。
参照图3，包括含有I族元素的P型氧化物的用于接触部的浆料300可以形成在硅衬底100的另一表面上。例如，浆料300可以形成在硅衬底100的下表面上。
可以通过合成含有I族元素的P型氧化物、将P型氧化物加入并混入Al浆料中并且轧制P型氧化物和Al浆料的混合物，来制造浆料300。在用于接触部的浆料的制造过程中，可以应用上述用于接触部的浆料的描述。因此，为了描述方便，将省略重复的描述。
可以在硅衬底100的另一表面上形成通过前述过程制造的包括P型氧化物添加剂的浆料300。可以利用本领域技术人员已知的方法在硅衬底100上涂布浆料300。例如，可以利用丝网印刷法、刮刀（doctor blade）或狭缝涂布机（slit coater）在硅衬底100的另一表面上印刷或涂布浆料300。
参照图4，在半导体衬底100的一个表面上形成前接触部400。前接触部400可以由导电材料形成。例如，前接触部400可以由Ag、W、Ni、Pt及其合金之一形成。前接触部400可以位于半导体衬底100的上表面上。就是说，前接触部400可以位于半导体衬底100的与浆料300的表面相对应的表面上。
参照图5，可以同时灼烧和干燥前接触部400和浆料300，以形成后接触部和BSF层。后接触部320和BSF层310可以通过热处理形成在半导体层100的下表面上。可以在约650℃至约950℃的温度下执行灼烧过程，但是不限于此。
就是说，包含在浆料300中的Al以及含有I族元素的P型氧化物可以扩散到硅衬底100中，以形成BSF层310。因此，可以增加BSF层310的厚度。
此外，BSF层310可以包括含有Al和I族元素的P型氧化物。例如，BSF层310可以具有掺杂了包含Al和I族元素的P型氧化物的结构。
此外，包含在BSF层310中的材料可以包括含有I族元素的P型氧化物以及I族元素或I族元素的离子材料。此外，可以将包含在浆料300中的材料额外添加到BSF层310中。例如，BSF层310可以包括碱土金属、过渡元素、III族元素、V族元素及其氧化物或其离子材料。
此外，包含Al和I族元素的P型氧化物可以保留在后接触部320中。例如，后接触部320可以具有掺杂了包含Al和I族元素的P型氧化物的结构。
此外，包含在后接触部320中的材料可以包括含有I族元素的P型氧化物以及I族元素或I族元素的离子材料。此外，可以将包含在浆料300中的材料额外添加到后接触部320中。例如，后接触部320可以包括碱土金属、过渡元素、III族元素、V族元素及其氧化物或其离子材料。
目前为止，可以通过在半导体衬底100上形成前接触部400之后同时对前接触部400和浆料300进行热处理来形成后接触部320和BSF层310。
在另一方面，可以在半导体衬底100的下表面上形成浆料300，然后，可以仅对浆料300进行热处理，以首先形成后接触部320和BSF层310。
BSF层310可以具有约4μm至约10μm的厚度。更详细地，BSF层310可以具有约5μm至约6μm的厚度，但不限于此。
如上所述，包括含有I族元素的P型氧化物的用于接触部的浆料可以被印刷在太阳能电池的后表面上并且被干燥和灼烧。在干燥和灼烧过程中，从混合的P型氧化物中产生的P+离子可以通过热量或扩散移动到BSF层中。
因此，在干燥浆料时形成的BSF层可以具有较厚的厚度。因此，包括均匀且厚的BSF层的太阳能电池的转换效率可以提高。
下面，将详细描述实施例。然而，本公开的范围不限于以下实施例。
实施例1
合成CuSbO2氧化物：
通过混合Cu2O和Sb2O3氧化物然后在真空气氛下利用燃烧炉煅烧所得混合物来制备CuSbO2氧化物。在煅烧过程期间，使用氮气（N2）。在72小时的初次煅烧过程之后，分别执行第二次和第三次煅烧过程24小时，以由此形成CuSbO2氧化物。
通过将尺寸为1μm的铝粉末和尺寸为8μm的铝粉末以9：1的比例混合来制备和使用铝粉末。此外，加入氧化铊（Tl2O3）作为另一添加剂。
混合铝粉末、3重量份的CuSbO2、5重量份的作为无机黏合剂的玻璃熔块以及1重量份的Tl2O3，之后通过行星轧机轧制所得混合物。在将轧制的混合物放入3辊轧机的分散单元中之后，原材料混合物被研磨和混合，然后被挤成浆料。
通过丝网印刷将浆料印刷在半导体衬底（例如硅衬底）的下表面上。在半导体衬底的上表面上印刷防反射层和前接触部，然后在800℃下执行30秒热处理，以由此形成前接触部和后接触部。
这里，尺寸为125×125cm的Cz单体p型硅衬底（0.5-2Ω）被用作半导体衬底，并且n+发射极层形成为具有60Ω/片的电阻。
实施例2
合成CuYO2氧化物：
除了混合的是Cu2O和Y2O3氧化物之外，通过与以上实施例1相同的方法合成CuYO2。此外，除了使用3重量份的CuYO2来替代3重量份的CuSbO2之外，以与实施例1相同的方式执行用于接触部的浆料的制造过程和太阳能电池的制造过程。
实施例3
合成CuFeO2氧化物：
除了混合的是Cu2O和Fe2O3之外，通过与以上实施例1相同的方法合成CuFeO2。此外，除了使用3重量份的CuFeO2来替代3重量份的CuSbO2之外，以与实施例1相同的方式执行用于接触部的浆料的制造过程和太阳能电池的制造过程。
实施例4
合成CuTlO2氧化物：
除了混合的是Cu2O和Tl2O3氧化物之外，通过与以上实施例1相同的方法合成CuFeO2。此外，除了使用1重量份的CuTlO2来替代3重量份的CuSbO2之外，以与实施例1相同的方式执行用于接触部的浆料的制造过程和太阳能电池的制造过程。
实施例5
合成Sr0.9(K0.05Na0.05)Cu2O2氧化物：
除了混合的是分别用于将钾和钠掺杂到碳酸锶（Sr2CO3）中的碳酸钾（K2CO3）和碳酸钠（Na2CO3）之外，通过与以上实施例1相同的方法合成Sr0.9(K0.05Na0.05)Cu2O2。此外，除了使用3重量份的Sr0.9(K0.05Na0.05)Cu2O2来替代3重量份的CuSbO2之外，以与实施例1相同的方式执行用于接触部的浆料的制造过程和太阳能电池的制造过程。
对比例
当与实施例1相比较时，除了浆料仅包括铝粉末、无机黏合剂和另一添加剂但是不添加p型氧化物之外，以与实施例1相同的方式执行用于接触部的浆料的制造过程和太阳能电池的制造过程。
测量通过实施例1至5以及对比例制造的硅太阳能电池的表面电阻，并且观察BSF层的截面。在下面的表1和附图（即图6至9）中示出结果。
表1
图6至9是根据前述实施例和对比例1印刷各个接触材料之后取得的截面的照片。图6是图示根据对比例的硅太阳能电池的后接触部的剖视图。图7是图示根据实施例3的硅太阳能电池的后接触部的剖视图。图8是图示根据实施例4的硅太阳能电池的后接触部的剖视图。图9是图示根据实施例5的硅太阳能电池的后接触部的剖视图。
在照片中，最上部分、最下部分和中间部分分别代表用于接触材料的浆料、晶片和BSF层。
可以确定，在根据实施例的图7至9中所示的截面相比在根据对比例的图6中所示的截面具有更均匀的层和较厚的BSF层。这证明根据本公开的太阳能电池相比现有技术的太阳能电池可以表现出更高的转换效率。
在以上实施例中描述的特征、结构和效果合并在本公开的至少一个实施例中，但是不仅仅限于一个实施例。此外，本领域技术人员可以容易地将在一个实施例中举例说明的特征、结构和效果结合和改进用于另一实施例。因此，这些结合和改进应该被认为落在本公开的范围内。
尽管已参照本发明的若干示例性实施例描述了本发明，但是应该理解，本领域技术人员可以推导出的许多其它改进和实施例都将落在本公开的原理的精神和范围内。更具体地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内可以对所讨论的组合排列的组成部件和/或排列方式进行各种变型和改进。除了对组成部件和/或排列方式进行变型和改进之外，替换使用对本领域技术人员来说也是显而易见的。
Claims (17)
1.一种用于接触部的浆料，包括：Al粉末、玻璃熔块、无机黏合剂和含有I族元素的P型氧化物。
2.根据权利要求1所述的浆料，其中，所述P型氧化物额外包括碱土金属、过渡元素、III族元素或V族元素。
3.根据权利要求1所述的浆料，其中，所述P型氧化物由以下化学式1表示：
[化学式1]AXBYOZ
（其中，0.5<X≤1.5，0.5<Y≤2.5，1.5<Z≤4.5，A选自Cu和Ag之一，并且B选自由B、Al、Ga、In、Ti、Mn、Y、La、Fe、Cr、Sb、Sc、Nd和Bi构成的组中的一个）。
4.根据权利要求1所述的浆料，其中，所述P型氧化物由以下化学式2表示：
[化学式2]Sr1-xMxCuYOZ
（其中，0.03<X≤0.2，1.5<Y≤2.5，1.5<Z≤2.5，并且M选自由K、Na和Ca构成的组中的一个）。
5.根据权利要求1所述的浆料，其中，所述P型氧化物的含量占所述浆料的总量的约0.1重量份到约5重量份的范围内。
6.根据权利要求1所述的浆料，其中，所述用于接触部的浆料包括用于太阳能电池后接触部的浆料。
7.一种太阳能电池，包括：
位于半导体衬底的一个表面上的前接触部；
位于所述半导体衬底的另一表面上的背面场（BSF）层；以及
位于所述BSF层上的后接触部，
其中，所述BSF层或所述后接触部包括含有I族元素的P型氧化物。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中，所述P型氧化物由以下化学式1表示：
[化学式1]AXBYOZ
（其中，0.5<X≤1.5，0.5<Y≤2.5，1.5<Z≤4.5，A选自Cu和Ag之一，并且B选自由B、Al、Ga、In、Ti、Mn、Y、La、Fe、Cr、Sb、Sc、Nd和Bi构成的组中的一个）。
9.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中，所述P型氧化物由以下化学式2表示：
[化学式2]Sr1-xMxCuYOZ
（其中，0.03<X≤0.2，1.5<Y≤2.5，1.5<Z≤2.5，并且M选自由K、Na和Ca构成的组中的一个）。
10.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中，所述BSF层和所述后接触部中的每个都包括所述P型氧化物。
11.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中，所述BSF层具有约4μm至约10μm的厚度。
12.根据权利要求7所述的太阳能电池，进一步包括在所述半导体衬底上的防反射层。
13.一种太阳能电池的制造方法，所述方法包括：
在半导体衬底的另一表面上形成用于接触部的浆料，所述浆料包括含有I族元素的P型氧化物；
在所述半导体衬底的一个表面上形成前接触部；以及
对所述浆料和所述前接触部进行热处理，以在所述半导体衬底的所述另一表面上同时形成后接触部和BSF层。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述P型氧化物由以下化学式1表示：
[化学式1]AXBYOZ
（其中，0.5<X≤1.5，0.5<Y≤2.5，1.5<Z≤4.5，A选自Cu和Ag之一，并且B选自由B、Al、Ga、In、Ti、Mn、Y、La、Fe、Cr、Sb、Sc、Nd和Bi构成的组中的一个）。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述P型氧化物由以下化学式2表示：
[化学式2]Sr1-xMxCuYOZ
其中，0.03<X≤0.2，1.5<Y≤2.5，1.5<Z≤2.5，并且M选自由K、Na和Ca构成的组中的一个。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述P型氧化物的含量占所述浆料的总量的约0.1重量份到约5重量份的范围内。
17.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述浆料包括：
合成所述P型氧化物；
将所述P型氧化物加入Al浆料中；
将所述P型氧化物与所述Al浆料混合以形成混合物；以及
轧制所述P型氧化物与所述Al浆料的混合物。
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Granted publication date: 20150513 Termination date: 20180809 |