CN103137436A - 改善晶圆局部露光的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种改善晶圆局部露光的方法，包括：同步预对准阶段，预先进行水平及平坦侦测，检测晶面晶背状况；实时体现机台露光阶段的状态，同时也以实时数据对露光晶圆进行预先聚焦、水平及平坦补正。本发明使得在露光前，保证晶圆较平坦且稳定的状态。

Description

改善晶圆局部露光的方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域。
背景技术
如图1所示，目前放置晶圆的机台，通过定期的聚焦Focus，水平Leveling及平坦Flatness检测数据对nikon机台进行预补，并将以上数据对机台进行预补。当曝光阶段作业时，预补的数据对晶圆进行预对准及露光。然而，因晶圆的晶面、晶背出现大的颗粒、或者处理引起的晶圆翘曲等使晶圆表面不平的情形时，机台聚焦无法充分覆盖因面内高度差异造成的晶圆露光。从而影响机台的露光成功率，如严重时会使晶圆无法作业。
传统的方法，通过定期的聚焦Focus，水平Leveling及平坦Flatness检测数据对nikon机台进行预补，但不能实时反映当前机台阶段的聚焦Focus、水平Leveling及平坦Flatness状况。正常露光时不能实时针对晶圆的状态进行补正。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种改善晶圆局部露光的方法，它可以使得在露光前，保证晶圆较平坦且稳定的状态。
为了解决以上技术问题，本发明提供了一种改善晶圆局部露光的方法，包括：同步预对准阶段，预先进行水平及平坦侦测，检测晶面晶背状况；实时体现机台露光阶段的状态，同时也以实时数据对露光晶圆进行预先聚焦、水平及平坦补正。
本发明的有益效果在于：使得在露光前，保证晶圆较平坦且稳定的状态。
对预对准阶段，主要针对预先水平及平坦检测后，反馈给曝光阶段。
同步预对准阶段是通过中间服务器转换器，实现数据互通及预补。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1是现有的方法工作原理示意图；
图2是本发明所述技术方案工作原理示意图。
具体实施方式
如图2所示，本发明增加一个同步预对准的阶段，该阶段的引入实时体现机台露光阶段的状态，同时也以实时数据对露光晶圆进行预先聚焦Focus、水平Leveling及平坦Flatness补正。使得在露光前，保证晶圆较平坦且稳定的状态。同步预对准阶段可以实时体现机台状态，同时能够针对晶圆的晶面晶背状况进行预先补正。
本发明首先以露光阶段为基准建立起来，并且各项参数基本一致，当露光阶段或者预对准阶段其中一个阶段在X，Y，Z方向发生移动时通过中间连线的服务器实时反馈并先前状态为基准进行监控并补正，形成联动结构。当晶圆进行露光时，首先通过同步预对准阶段对晶圆，预Leveling及Flatness对晶圆阶段的状态监控。并实时反馈给露光阶段，当露光时，阶段将各位置的预补状态补入，从而避免当晶圆阶段不平坦或者晶圆晶面晶背存在颗粒补正聚焦，处理引起的晶圆翘曲等使晶圆表面不平的情形时，机台聚焦无法充分覆盖因面内高度差异造成的晶圆散光。从而影响机台的露光成功率，如严重时会使晶圆无法作业。
本发明并不限于上文讨论的实施方式。以上对具体实施方式的描述旨在于为了描述和说明本发明涉及的技术方案。基于本发明启示的显而易见的变换或替代也应当被认为落入本发明的保护范围。以上的具体实施方式用来揭示本发明的最佳实施方法，以使得本领域的普通技术人员能够应用本发明的多种实施方式以及多种替代方式来达到本发明的目的。

Claims (3)

1.一种改善晶圆局部露光的方法，其特征在于，包括：
同步预对准阶段，预先进行水平及平坦侦测，检测晶面晶背状况；
实时体现机台露光阶段的状态，同时也以实时数据对露光晶圆进行预先聚焦、水平及平坦补正。
2.如权利要求1所述的改善晶圆局部露光的方法，其特征在于，在预对准阶段，预先水平及平坦检测后，将检测数据反馈给曝光阶段。
3.如权利要求1所述的改善晶圆局部露光的方法，其特征在于，同步预对准阶段通过中间服务器转换器，实现数据互通及预补。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020064453A (ko) * 2001-02-01 2002-08-09 삼성전자 주식회사 반도체 노광시스템 및 이를 이용한 반도체 노광방법
KR20050055909A (ko) * 2003-12-09 2005-06-14 삼성전자주식회사 노광 설비의 웨이퍼 정렬 방법
CN101882591A (zh) * 2009-05-05 2010-11-10 旺宏电子股份有限公司 晶片的检测方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020064453A (ko) * 2001-02-01 2002-08-09 삼성전자 주식회사 반도체 노광시스템 및 이를 이용한 반도체 노광방법
KR20050055909A (ko) * 2003-12-09 2005-06-14 삼성전자주식회사 노광 설비의 웨이퍼 정렬 방법
CN101882591A (zh) * 2009-05-05 2010-11-10 旺宏电子股份有限公司 晶片的检测方法

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