CN102385656A - 集成电路版图冗余金属填充的方法及集成电路 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提出了一种集成电路版图冗余金属填充的方法，所述集成电路版图包括信号线和冗余金属，其中所述信号线之间的冗余金属的密度不变，调整所述冗余金属的分布，减小所述冗余金属对信号线耦合电容的影响。本发明实施例另一方面还提出了一种集成电路版图。本发明提出的方案，通过考量冗余金属对互连线耦合电容的影响，减小冗余金属对信号线耦合电容的影响，降低冗余金属对时序的收敛性和信号的完整性的影响，提高产品的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域，具体而言，本发明涉及集成电路版图冗余金属填充的方法及集成电路。
背景技术
冗余金属填充(Dummy Fill)是集成电路制造中所应用的改善表面平坦化的技术，它借助冗余金属来提高版图密度的均匀性，改善在化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)后表面的平坦性，减小碟形缺陷(dishing)、侵蚀(erosion)，进而提高产品的可靠性和良率。集成电路(Integrated Circuit，IC)制造技术按照摩尔定律以每18个月集成度提高一倍的速度发展，但当集成电路的特征尺寸降到90纳米以下的时候，IC制造技术遇到了空前的挑战，表面不平坦性已经严重影响到了器件的性能和稳定性，冗余金属填充已经成为不可或缺的步骤。
在90纳米以下最严重的问题则是加工过程的变化。有一些因素会影响到加工过程的这些变化，如平版印刷术，化学机械研磨等等。在CMP阶段，不均匀的金属密度导致金属以及内部绝缘体厚度的不一致，因此冗余金属被用来调节金属密度，使金属层密度一致从而在CMP阶段达到更好的平坦化。然而，冗余金属增加了互连电容、信号延迟、色度亮度干扰噪声以及能量的消耗。同时，因为计算量的急剧增加，冗余金属同时也增加了设计的难度，例如：设计规则的检查，版图寄生参数的提取，光学校正(OPC)等。在现行的冗余金属填充中，只考虑了冗余金属对表面平坦性的影响，而没有关注冗余金属对版图电性能的影响，而冗余金属所引起的耦合电容的增加则会对电路的延迟产生印象，进而对版图的性能产生不利影响。
因此，基于现实的需要，有必要提出相应的技术方案，优化冗余金属的填充方式，使版图的冗余金属对互连线耦合电容的影响更小，减小冗余 金属的填充对电性能影响，从而提高产品可靠性。
发明内容
本发明的目的旨在至少解决上述技术缺陷之一，特别是通过考量冗余金属对互连线耦合电容的影响，减小冗余金属的填充对电性能影响，提高产品可靠性。
本发明实施例一方面提出了一种集成电路版图冗余金属填充的方法，所述集成电路版图包括信号线和冗余金属，其中所述信号线之间的冗余金属的密度不变，调整所述冗余金属的分布，减小所述冗余金属对信号线耦合电容的影响。
本发明实施例另一方面还提出了一种集成电路版图，所述集成电路版图包括信号线和冗余金属，其中所述信号线之间的冗余金属的密度不变，所述冗余金属的尺寸保持不变，增加所述信号线与冗余金属之间的距离，同时减小了所述冗余金属之间的距离，减小所述冗余金属对信号线耦合电容的影响。
本发明实施例另一方面还提出了一种集成电路版图，所述集成电路版图包括信号线和冗余金属，其中所述信号线之间的冗余金属的密度不变，所述冗余金属与所述信号线之间的距离保持不变，等比例缩小所述冗余金属的尺寸，减小所述冗余金属对信号线耦合电容的影响。
本发明实施例另一方面还提出了一种集成电路版图，所述集成电路版图包括信号线和冗余金属，其中所述信号线之间的冗余金属的密度不变，所述冗余金属与所述信号线之间的距离保持不变，所述冗余金属的宽度保持不变，减小所述冗余金属的长度，减小所述冗余金属对信号线耦合电容的影响。
本发明提出的上述方案，通过考量冗余金属对互连线耦合电容的影响，提高产品可靠性。例如，通过增加冗余金属与信号线之间的距离、等比例缩小冗余金属的尺寸或者增加冗余金属与信号线对应边的边长，从而减小冗余金属对信号线耦合电容的影响，这样可以降低冗余金属对时序的收敛性和信号的完整性的影响，提高产品的可靠性。此外，本发明提出的上述 方案，对现有集成电路设计的改动不大，而且实现简单、高效。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为现有技术中冗余金属与信号线位置关系；
图2为本发明实施例冗余金属与信号线位置关系；
图3为本发明实施例等比例缩小冗余金属尺寸示意图；
图4为本发明实施例减小冗余金属长度的示意图；
图5为本发明实施例增加冗余金属与信号线之间的距离时信号线之间耦合电容的大小变化示意图；
图6为本发明实施例等比例缩小冗余金属的尺寸时信号线之间耦合电容的大小变化示意图；
图7为本发明实施例增加冗余金属的长度时信号线之间耦合电容的大小变化示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。
为了实现本发明之目的，本发明实施例提出了一种集成电路版图冗余金属填充的方法，所述集成电路版图包括信号线和冗余金属，其中所述信号线之间的冗余金属的密度不变，调整所述冗余金属的分布，减小所述冗余金属对信号线耦合电容的影响。
如图1所示，为现有技术中冗余金属与信号线位置关系。参照上述关系，对本发明进行阐述。
为了达到本发明之目的，本发明采用的技术方案为：一种集成电路版图，包括信号线和冗余金属，其特殊之处在于：当信号线之间冗余金属的密度、尺寸保持不变，信号线的尺寸和信号线之间的距离均不变的时候，增加冗余金属与信号线之间的距离，例如使得距离最远；当冗余金属的密度、冗余金属与信号线之间的距离、信号线的尺寸和信号线之间的距离均不变的时候，缩小冗余金属的尺寸；当冗余金属的密度、冗余金属的宽度、信号线的尺寸和信号线之间的距离均不变的时候，增加冗余金属的长度，即延长对应信号线的边的长度。
下面结合附图和具体实施方式，对本发明的技术方案做进一步说明。
参见图2，本发明为集成电路版图中对冗余金属进行定位的方法，此方法是在信号线之间冗余金属的密度及尺寸保持不变的时候，增加信号线与冗余金属之间的距离，同时减小了冗余金属之间的距离。
如图3所示，冗余金属的密度、与信号线之间的距离保持不变，等比例缩小冗余金属的尺寸。
如图4所示，冗余金属的密度、宽度、与信号线之间的距离保持不变，增加冗余金属的长度。
如图5所示，冗余金属的密度及尺寸一定，当d(如图2所示，d表示冗余金属与信号线之间的距离)越大的时候，信号线之间耦合电容越小，也就是说，应该增加冗余金属与信号线之间的距离。
如图6所示，冗余金属的形状、密度、与信号线之间的距离保持不变，等比例缩小冗余金属的尺寸，同时相应增加了冗余金属的数目，信号线之间耦合电容减小，因此，应使用小尺寸的冗余金属。
如图7所示，冗余金属的密度、宽度、与信号线之间的距离保持不变，增加冗余金属的长度，信号线之间耦合电容减小，故应该使冗余金属正对信号线的边长增加(如图4所示，即为L)。
相应地，根据上述方法，本发明实施例另一方面还提出了一种集成电路版图，所述集成电路版图包括信号线和冗余金属，其中所述信号线之间的冗余金属的密度不变，所述冗余金属的尺寸保持不变，增加所述信号线与冗余金属之间的距离，同时减小了所述冗余金属之间的距离，减小所述 冗余金属对信号线耦合电容的影响。
相应地，根据上述方法，本发明实施例另一方面还提出了一种集成电路版图，所述集成电路版图包括信号线和冗余金属，其中所述信号线之间的冗余金属的密度不变，所述冗余金属与所述信号线之间的距离保持不变，等比例缩小所述冗余金属的尺寸，减小所述冗余金属对信号线耦合电容的影响。
相应地，根据上述方法，本发明实施例另一方面还提出了一种集成电路版图，所述集成电路版图包括信号线和冗余金属，其中所述信号线之间的冗余金属的密度不变，所述冗余金属与所述信号线之间的距离保持不变，所述冗余金属的宽度保持不变，减小所述冗余金属的长度，减小所述冗余金属对信号线耦合电容的影响。
本发明提出的上述方案，通过考量冗余金属对互连线耦合电容的影响，提高产品可靠性。例如，通过增加冗余金属与信号线之间的距离、等比例缩小冗余金属的尺寸或者增加冗余金属与信号线对应边的边长，从而减小冗余金属对信号线耦合电容的影响，这样可以降低冗余金属对时序的收敛性和信号的完整性的影响，提高产品的可靠性。此外，本发明提出的上述方案，对现有集成电路设计的改动不大，而且实现简单、高效。
虽然关于示例实施例及其优点已经详细说明，应当理解在不脱离本发明的精神和所附权利要求限定的保护范围的情况下，可以对这些实施例进行各种变化、替换和修改。对于其他例子，本领域的普通技术人员应当容易理解在保持本发明保护范围内的同时，工艺步骤的次序可以变化。
此外，本发明的应用范围不局限于说明书中描述的特定实施例的工艺、机构、制造、物质组成、手段、方法及步骤。从本发明的公开内容，作为本领域的普通技术人员将容易地理解，对于目前已存在或者以后即将开发出的工艺、机构、制造、物质组成、手段、方法或步骤，其中它们执行与本发明描述的对应实施例大体相同的功能或者获得大体相同的结果，依照本发明可以对它们进行应用。
因此，本发明所附权利要求旨在将这些工艺、机构、制造、物质组成、手段、方法或步骤包含在其保护范围内。应当指出，对于本技术领域的普 通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种集成电路版图冗余金属填充的方法，其特征在于，所述集成电路版图包括信号线和冗余金属，其中所述信号线之间的冗余金属的密度不变，调整所述冗余金属的分布，减小所述冗余金属对信号线耦合电容的影响。
2.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，调整所述冗余金属的分布包括：
所述冗余金属的尺寸保持不变，增加所述信号线与冗余金属之间的距离，同时减小了所述冗余金属之间的距离。
3.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，调整所述冗余金属的分布包括：
所述冗余金属与所述信号线之间的距离保持不变，等比例缩小所述冗余金属的尺寸。
4.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，调整所述冗余金属的分布包括：
所述冗余金属与所述信号线之间的距离保持不变，所述冗余金属的宽度保持不变，减小所述冗余金属的长度。
5.一种集成电路版图，其特征在于，所述集成电路版图包括信号线和冗余金属，其中所述信号线之间的冗余金属的密度不变，所述冗余金属的尺寸保持不变，增加所述信号线与冗余金属之间的距离，同时减小了所述冗余金属之间的距离，减小所述冗余金属对信号线耦合电容的影响。
6.一种集成电路版图，其特征在于，所述集成电路版图包括信号线和冗余金属，其中所述信号线之间的冗余金属的密度不变，所述冗余金属与所述信号线之间的距离保持不变，等比例缩小所述冗余金属的尺寸，减小所述冗余金属对信号线耦合电容的影响。
7.一种集成电路版图，其特征在于，所述集成电路版图包括信号线和冗余金属，其中所述信号线之间的冗余金属的密度不变，所述冗余金属与所述信号线之间的距离保持不变，所述冗余金属的宽度保持不变，减小所述冗余金属的长度，减小所述冗余金属对信号线耦合电容的影响。
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| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
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