CN103107255A - 一种led外延片生长方法 - Google Patents
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Abstract
一种LED外延片生长方法，在生长N型掺杂Si的GaN层时，采用掺杂Si的N型GaN层和不掺杂Si的U型GaN层交替生长方法。该生长方法保持原来N型GaN层的厚度，将传统生长方法持续生长的掺杂Si的GaN层改进为生长掺杂Si的N型GaN层和不掺杂Si的U型GaN层构成的交替结构层，在一定程度上节约掺杂剂的用量。并且，在生长掺杂Si的GaN层和不掺杂Si的GaN层的交替结构中，掺杂Si的GaN层为低电阻值，而不掺杂Si的GaN层为高电阻值，高、低电阻值N型GaN层在电流输送过程中，使得电子横向扩展能力加强，从而降低了驱动电压，同时提升了亮度和光效。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED外延片的生长方法。
背景技术
半导体照明技术是继白炽灯、荧光灯之后，照明光源的又一次革命。半导体照明技术发展迅速、应用领域广、节能潜力大、绿色环保，被公认为是最有发展前景的高技术节能产业之一，而半导体照明的核心就是LED芯片。普通白炽灯的光效为15lm/W，而目前照明用LED灯的光效已可达到100lm/W以上，即6瓦的LED灯就可以代替40瓦的白炽灯。LED代替传统照明已表现出明显的节能优势，持续提高LED灯的发光效率，即在额定驱动电流时，减小电压和提高发光亮度，能更有效的降低能源消耗。提高LED的发光效率的一个方法就是优化外延片的设计，提高载流子的发光复合效率。
目前存在传统的外延片的生长方法，其通过对量子阱和P型层生长方法的设计，进而提高光效和亮度，例如，通过将量子阱设计成阶梯量子阱、改变电子和空穴波函数的重合度，以及P层生长PAlGaN/PInGaN、PAlGaN/PGaN、PAlGaN/GaN等超晶格的结构来提高电流的扩展能力，从而达到提高亮度的目的。
传统的LED外延片生长方法，包括以下步骤：
1）在1100-1200℃的氢气气氛下，高温处理蓝宝石衬底5-6分钟；
2）降温至530-570℃下，在蓝宝石衬底上生长厚度为30-50nm的低温GaN缓冲层；
3）升高温度到1000-1100℃下，持续生长1-2.5μm不掺杂的GaN层；
4）然后首先生长1-1.5μm掺杂Si的N型GaN层，掺杂浓度为1×1018-5×1018cm-3，接着生长0.8-1.0μm的N型掺杂Si的GaN层，掺 杂浓度为3×1018-10×1018cm-3，再持续生长0.07-0.28μm的N型掺杂Si的GaN层，掺杂浓度为3×1018-9×1018cm-3，总厚度控制在2.0-2.5μm；
5）周期性生长有缘层MQW，低温750℃生长厚度为2-3nm的掺杂In的InxGa(1-x)N（x=0.20-0.21）层而高温840℃生长厚度为10-13nm的GaN层，其中InxGa（1-x）N/GaN周期数为5-15；
6）再升高温度到930-950℃，持续生长30-50nm的P型AlGaN层；
7）再升高温度到950-980℃，持续生长0.15-0.3μm的掺杂Mg的P型GaN层；
8）最后降温至670-680℃，恒温10-30min，接着降至室温。
图1显示了一种传统的LED外延片，其结构依次包括衬底、低温GaN缓冲层、U型GaN层（其为不掺杂Si的GaN层)、N型GaN层、量子阱MQW（其为发光层量子阱）、低温P型GaN层（其为低温掺杂Mg的GaN层）、P型AlGaN层（其为掺杂Mg、Al型GaN层）和高温P型GaN层。
然而该生长方法存在突出的缺点。例如，采用持续生长掺杂Si的GaN层，由于掺杂剂Si的用量过多。并且，传统生长的N型GaN层，因为掺杂Si浓度一样，每一处的电阻值是相同的。这使得电子运输过程中选择最短路径传输，在最短路径上将会出现电流拥挤的现象。同时，整个外延层电流分布不均匀，流经量子阱的电流比较集中，造成的后果是，芯片的电压较高，光效偏低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种LED外延片的生长方法。该方法通过生长掺杂Si的GaN层和不掺杂Si的GaN层的交替结构，进而改变N型电流横向扩展能力，解决电流拥挤现象，降低驱动电压，从而使得量子阱电流均匀化，总体发光面积增加，使亮度和光效得到有效提升。
根据本发明提供的一种LED外延片生长方法，在衬底上，依次包括生长低温GaN缓冲层，生长不掺杂Si的GaN层，生长掺杂Si的GaN层，生长量子阱MWQ，生长P型AlGaN层和生长掺杂Mg的P 型GaN层，其中所述生长掺杂Si的GaN层包括以下步骤：
1）生长掺杂Si的第一N型GaN层；
2）生长掺杂Si的第二N型GaN层；
3）生长掺杂Si的第三N型GaN层和不掺杂Si的U型GaN层的交替层。
在本文中，用语“依次”是相对于沿着从衬底指向整个外延片的顶部方向来定义的，并且相邻的两个部分直接接触。
在一个实施例中，所述交替层的周期为10-20个周期，总厚度为70nm-280nm。
在一个实施例中，所述第三N型GaN层的厚度为5-10nm，所述不掺杂Si的U型GaN层的厚度为2-4nm。
在一个实施例中，所述第三N型GaN层的掺杂浓度为3×1018-9×1018cm-3。
在一个实施例中，所述第一N型GaN层厚度为1.0-1.5μm，掺杂浓度为1×1018-5×1018cm-3。
在一个实施例中，所述第二N型GaN层厚度为0.8-1.0μm，掺杂浓度为3×1018-10×1018cm-3。
在一个实施例中，所述衬底为（0001）面蓝宝石。
在一个实施例中，采用三甲基镓或三乙基镓作为镓源。
在一个实施例中，采用三甲基铟作为铟源。
在一个实施例中，所述N型掺杂剂为硅烷，所述P型掺杂剂为二茂镁。
本发明的有益效果在于：通过保持原来N型GaN层的厚度，将传统生长的掺杂Si的GaN层改进为生长掺杂Si的N型GaN层和不掺杂Si的U型GaN层构成的交替结构层，进而在一定程度上节约掺杂剂的用量。并且，在生长掺杂Si的GaN层和不掺杂Si的GaN层的交替结构中，掺杂Si的GaN层为低电阻值，而不掺杂Si的GaN层为高电阻值，高、低电阻值的N型GaN层在电流输送过程中使得电子横向扩展能力加强，从而降低了驱动电压，并且提升了亮度和光效。
附图说明
以下结合附图来对本发明进行详细的描述。然而应当理解，附图的提供仅为于更好地理解本发明，它们不应被理解成对本发明的限制。
图1是传统N型LED结构示意图；
图2是新型N型LED结构示意图；
图3是传统N型GaN的能带结构示意图；
图4是新型N型GaN的能带结构示意图；
图5是规格为30mil×30mil的芯片光效分布图；
图6是规格为30mil×30mil的芯片电压分布图；
图7是规格为10mil×18mil的芯片亮度分布图。
具体实施方式
本发明LED外延片的生长方法包括以下步骤：
1）在1100-1200℃的氢气气氛下，高温处理蓝宝石衬底5-6分钟；
2）降温至530-570℃下，在蓝宝石衬底上生长厚度为30-50nm的低温GaN缓冲层；
3）升高温度到1000-1100℃下，持续生长1-2.5μm的不掺杂GaN层；
4）根据本发明，持续生长2.0-2.5μm的N型掺杂Si的GaN层取代传统生长方法生长的N型GaN层，具体生长方法如下：（1）首先生长1.0-1.5μm持续掺杂Si的N型GaN层，其掺杂浓度为1×1018-5×1018cm-3；（2）接着交替生长5-10nm的掺杂浓度为3×1018-9×1018cm-3的掺杂Si的N型GaN层，和2-4nm的不掺杂Si的U型GaN层，一共交替生长10-20个周期，共70nm-280nm；（3）再持续生长0.8-1.0μm的N型掺杂Si的GaN层，其掺杂浓度为3×1018-9×1018cm-3，总厚度控制在2.0-2.5μm；
5）周期性生长有缘层MQW，低温750℃生长厚度为2-3nm的掺杂In的InxGa（1-x）N（x=0.20-0.21）层，高温840℃生长厚度为10-13nm 的GaN层，其中InxGa（1-x）N/GaN的周期数为5-15；
6）再升高温度到930-950℃，持续生长30-50nm的P型AlGaN层；
7）再升高温度到950-980℃，持续生长0.15-0.3μm的掺杂Mg的P型GaN层；
8）最后降温至670-680℃，恒温10-30min，接着降至室温。
图2显示了根据本发明的生长方法获得的LED外延片结构，如图所示，该LED外延片结构依次包括衬底、低温GaN缓冲层、U型GaN层、掺杂Si的N型GaN层、周期量子阱MQW、低温P型GaN层、P型AlGaN层和高温P型GaN层。其中，衬底优选是蓝宝石衬底，U型GaN层为不掺杂Si的GaN层，周期量子阱MQW为InGaN/GaN，低温P型GaN层为低温掺杂Mg的GaN层，P型AlGaN为掺杂Mg的AlGaN层，高温P型GaN层为高温掺杂Mg的GaN层。
根据本发明，掺杂Si的N型GaN层包括掺杂Si的第一N型GaN（N1）层、掺杂Si的第二N型GaN（N2）层以及至少一个交替结构层。该交替结构层包括掺杂Si的GaN（N3-1）层和不掺杂Si的GaN（N3-2）层。
在一个实施例中，掺杂Si的GaN（N3-1）层的厚度为5-10nm，不掺杂Si的GaN（N3-2）层的厚度为2-4nm。
根据本发明，可以设置多个N3-1/N3-2交替结构层。例如，在一个具体实施例中，可以设置10-20个N3-1/N3-2交替结构层。
如图3所示，因为N2和N3为均匀掺杂，所以能带平缓，即电子从n极向量子阱方向的运动是在一个均匀的势场中，电子沿电场方向走最短路径，其结果是大部分电子的路径相同，造成电流密度分布不均匀，进而影响载流子的复合效率。图4显示N3-1和N3-2的交替掺杂，能带产生显著的起伏，不掺杂Si的GaN层的势能高，掺杂Si的GaN层的势能低，电子从n极向量子阱方向运动遇到周期变化势场的调制，电子从低势能的掺杂Si的N3-1层运动到不掺杂Si的N3-2层时，受势垒的阻碍作用，就会产生横向的扩展，此周期交替掺杂结构使电子在运动过程横向扩展逐级增强，从而提高载流子密度的均匀 性，提高载流子的复合效率，进而降低电压，并提高发光亮度。
实施方案一：
根据传统的LED的生长方法制备样品1，根据本发明描述的方法制备样品2。样品1和样品2外延生长方法参数不同点在于，样品2采用16个由N3-1层和N3-2层交替生长构成的交替结构层而代替了样品1生长的N3层，具体可参考表1。样品1和样品2在相同的前工艺条件下，镀ITO层200nm，相同的条件下镀Cr/Pt/Au电极130nm，相同的条件下镀保护层SiO2约50nm，然后在相同的条件下将样品研磨切割成762μm×762μm(30mi×30mil)的芯片颗粒，然后样品1和样品2在相同位置各自挑选150颗晶粒，在相同的封装工艺下，封装成白光LED。然后采用积分球，在驱动电流350mA条件下，测试样品1和样品2的光电性能。
表1N型GaN生长参数的对比
数据分析结论：将积分球获得的数据进行分析对比，请参考图5和图6。从图5数据得出样品2较样品1光效提升5-6％，从图6数据得出样品2较样品1电压降低0.1-0.15V。
实施方案二：
根据传统的LED的生长方法制备样品3，根据本发明描述的方法制备样品4。样品3和样品4外延生长方法参数不同点在于，样品4采用15个由N3-1层和N3-2层交替生长构成的交替结构层而代替了样品3生长的N3层，具体可参考表2。样品3和样品4在相同的前工艺条件下镀ITO层180nm，相同的条件下镀Cr/Pt/Au电极120nm，相同的条件下镀保护层SiO2约50nm，然后在相同的条件下将样品研磨切割成250μm×457μm(10mi×18mil)的芯片颗粒，然后样品3和样品4在相同位置各自挑选150颗晶粒，在相同的封装工艺下，封装成白光LED。然后采用积分球，在驱动电流20mA条件下，测试样品3和样品4的光电性能。
表2N型GaN生长参数的对比
数据分析结论：将积分球获得的数据进行分析对比，请参考图7。从图7数据得出样品4较样品3亮度提升5-6%，样品4较样品3电压降低约0.1V。
从上述实施方案中可以看到，通过采用本发明的技术方案，可以较大幅度地提升芯片的光效和亮度，且降低其电压。
以上所述具体的实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果 进行了进一步说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改，等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种LED外延片生长方法，其特征在于，在衬底上，依次生长低温GaN缓冲层，不掺杂Si的GaN层，掺杂Si的GaN层，量子阱MWQ，P型AlGaN层和掺杂Mg的P型GaN层，其中所述生长掺杂Si的GaN层包括以下步骤：
1）生长掺杂Si的第一N型GaN层；
2）生长掺杂Si的第二N型GaN层；
3）生长掺杂Si的第三N型GaN层和不掺杂Si的U型GaN层的交替层。
2.如权利要求1所述LED外延片生长方法，其特征在于，所述第三N型GaN层的厚度为5-10nm，所述不掺杂Si的U型GaN层的厚度为2-4nm。
3.如权利要求1或3所述LED外延片生长方法，其特征在于，所述第三N型GaN层的掺杂浓度为3×1018-9×1018cm-3。
4.如权利要求1所述LED外延片生长方法，其特征在于，所述交替层的周期为10-20个周期，总厚度为70nm-280nm。
5.如权利要求上述权利要求任一项所述LED外延片生长方法，其特征在于，所述第一N型GaN层厚度为1.0-1.5μm，掺杂浓度为1×1018-5×1018cm-3。
6.如权利要求上述权利要求任一项所述LED外延片生长方法，其特征在于，所述第二N型GaN层厚度为800-1000nm，掺杂浓度为3×1018-10×1018cm-3。
7.如权利要求上述权利要求任一项所述LED外延片生长方法，其特征在于，所述衬底为（0001）面蓝宝石。
8.如权利要求上述权利要求任一项所述LED外延片生长方法，其特征在于，采用三甲基镓或三乙基镓作为镓源。
9.如权利要求上述权利要求任一项所述LED外延片生长方法，其特征在于，采用三甲基铟作为铟源。
10.如权利要求上述权利要求任一项所述LED外延片生长方法，其特征在于，所述N型掺杂剂为硅烷，所述P型掺杂剂为二茂镁。
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|---|---|
| CN (1) | CN103107255B (zh) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103474538A (zh) * | 2013-09-25 | 2013-12-25 | 湘能华磊光电股份有限公司 | Led外延片、其制作方法及包含其的led芯片 |
| CN103730555A (zh) * | 2013-06-17 | 2014-04-16 | 天津三安光电有限公司 | 氮化物半导体发光器件 |
| CN103956413A (zh) * | 2014-04-23 | 2014-07-30 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led外延层生长方法及制得的led外延层 |
| CN104091871A (zh) * | 2014-06-17 | 2014-10-08 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制造方法 |
| CN104157760A (zh) * | 2014-08-06 | 2014-11-19 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 发光二极管的外延片及其制作方法 |
| CN109037410A (zh) * | 2018-08-10 | 2018-12-18 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 发光二极管的半导体芯片及其电流扩展层和制造方法 |
| CN111244233A (zh) * | 2020-01-26 | 2020-06-05 | 孙蕾蕾 | Led制备工艺 |
| CN112310251A (zh) * | 2020-09-23 | 2021-02-02 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 微型发光二极管外延片的生长方法 |
| CN112951963A (zh) * | 2021-02-09 | 2021-06-11 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN113161451A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-07-23 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led外延结构及其生长方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060081861A1 (en) * | 2004-10-12 | 2006-04-20 | Liang-Wen Wu | Gallium-nitride based multi-quantum well light-emitting diode n-type contact layer structure |
| CN102208505A (zh) * | 2010-03-29 | 2011-10-05 | 大连美明外延片科技有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法 |
| CN102364706A (zh) * | 2011-11-17 | 2012-02-29 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种发光二极管的外延生产方法 |
| CN102709424A (zh) * | 2012-06-11 | 2012-10-03 | 华灿光电股份有限公司 | 一种提高发光二极管发光效率的方法 |
-
2012
- 2012-12-21 CN CN201210563126.0A patent/CN103107255B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060081861A1 (en) * | 2004-10-12 | 2006-04-20 | Liang-Wen Wu | Gallium-nitride based multi-quantum well light-emitting diode n-type contact layer structure |
| CN102208505A (zh) * | 2010-03-29 | 2011-10-05 | 大连美明外延片科技有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法 |
| CN102364706A (zh) * | 2011-11-17 | 2012-02-29 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种发光二极管的外延生产方法 |
| CN102709424A (zh) * | 2012-06-11 | 2012-10-03 | 华灿光电股份有限公司 | 一种提高发光二极管发光效率的方法 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103730555A (zh) * | 2013-06-17 | 2014-04-16 | 天津三安光电有限公司 | 氮化物半导体发光器件 |
| CN103474538A (zh) * | 2013-09-25 | 2013-12-25 | 湘能华磊光电股份有限公司 | Led外延片、其制作方法及包含其的led芯片 |
| CN103474538B (zh) * | 2013-09-25 | 2016-06-22 | 湘能华磊光电股份有限公司 | Led外延片、其制作方法及包含其的led芯片 |
| CN103956413A (zh) * | 2014-04-23 | 2014-07-30 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led外延层生长方法及制得的led外延层 |
| CN103956413B (zh) * | 2014-04-23 | 2017-04-12 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led外延层生长方法及制得的led外延层 |
| CN104091871A (zh) * | 2014-06-17 | 2014-10-08 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制造方法 |
| CN104091871B (zh) * | 2014-06-17 | 2017-09-15 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制造方法 |
| CN104157760A (zh) * | 2014-08-06 | 2014-11-19 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 发光二极管的外延片及其制作方法 |
| CN109037410A (zh) * | 2018-08-10 | 2018-12-18 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 发光二极管的半导体芯片及其电流扩展层和制造方法 |
| CN111244233A (zh) * | 2020-01-26 | 2020-06-05 | 孙蕾蕾 | Led制备工艺 |
| CN111244233B (zh) * | 2020-01-26 | 2021-09-24 | 江苏明纳半导体科技有限公司 | Led制备工艺 |
| CN112310251A (zh) * | 2020-09-23 | 2021-02-02 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 微型发光二极管外延片的生长方法 |
| CN112951963A (zh) * | 2021-02-09 | 2021-06-11 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN112951963B (zh) * | 2021-02-09 | 2023-10-13 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN113161451A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-07-23 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led外延结构及其生长方法 |
| CN113161451B (zh) * | 2021-04-20 | 2023-02-28 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led外延结构及其生长方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103107255B (zh) | 2016-04-06 |
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|---|---|---|---|
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |