CN103560190B - 阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法及其结构 - Google Patents
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- 230000012010 growth Effects 0.000 title claims abstract description 78
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 49
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 174
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007773 growth pattern Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000034655 secondary growth Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/16—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
- H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
本发明提供了一种阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法，在所述生长多量子阱InxGa（1-x）N层和生长P型GaN层之间，通入NH3、TMGa、TMAl，生长厚度为8-25nm的电子阻挡层；该层包括2-6组双层结构，每一双层结构的UAlGaN层相比上一双层结构的UAlGaN层中的Al组分含量减少15%-50%。本发明采用了Al组分逐层降低的UAlGaN/UGaN结构作为电子阻挡层，改变了传统P-spacer能带的单一能阶高度分布，减弱了其对空穴注入时的阻挡作用，提高MQW的发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及LED外延设计技术领域，特别地，涉及一种阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法及其结构。
背景技术
以GaN为基础的发光二极管(LED)已经广泛应用于交通信号灯、户外全彩显示屏、城市景观照明、汽车内外灯、隧道灯领域。大尺寸大功率芯片规格如30mil*30mil、45mil*45mil、50mil*50mil等多用于照明。大尺寸芯片的关键的技术不再以高流明数定义大尺寸芯片的发光性能，而以流明/瓦(即光效)作为衡量大功率发光器件的一个重要指标。
目前提高大尺寸光效的多数创新在于对量子阱层和P型层的改进，例如降低量子阱的能带扭曲程度，提高电子和空穴的复合概率；调整P层Mg掺杂浓度或者生长压力、长速等提高Mg的激活效率。但P层自身的Mg电离率非常低，因此P层对于大功率光效的提高空间不大。
现有外延结构是在量子阱MQW层之后即生长P型层，还存在以下不足：
(1)P型层生长的温度采用和量子阱的垒层相同的高温，对量子阱的伤害比较大，进而影响到器件的光电性能；
(2)生长气氛、压力和转速等与MQW层完全相同，MQW的生长压力较大，造成此层发生预反应，晶格质量变差，阻挡电子和缺陷能力下降；
(3)由于掺杂的Al组分较低，所以不能有效的阻挡电子泄漏到P层，特别是大电流下工作的大功率芯片，电子外溢情况严重，引起Droop效率比较明显。
因此，现有外延结构的光效和阻挡电子泄漏的性能还有待提高。
发明内容
本发明目的在于提供一种阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法及其结构，以解决电子泄漏、缺陷向上延伸、光效不足等技术问题。
为实现上述目的，本发明提供了一种阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长不掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长多量子阱InxGa(1-x)N层、生长第一P型GaN层、生长P型AlGaN层、生长第二P型GaN层步骤，
xxGa(1-x)N层xGa(1-x)N层和生长第一P型GaN层步骤之间，包括生长电子阻挡层的步骤：
在温度为800-880℃、100-300torr压力的反应室内，采用H2和/或N2作为载气，持续通入5-40sccm的NH3和15-50sccm的TMGa，每隔10-30s通入一次10-40sccm的TMAl，每次通入的TMAl含量渐减，生长电子阻挡层，电子阻挡层的厚度为8-25nm；
所述电子阻挡层包括2-6组双层结构，每个双层结构包括UAlGaN层和UGaN层；每一双层结构的UAlGaN层相比上一双层结构的UAlGaN层中的Al组分含量减少15％-50％。
优选的，每一所述UAlGaN层的Al组分与每一UAlGaN层的摩尔比在0.1-0.3之间。
优选的，所述相邻UAlGaN层的Al组分含量波动的幅度与每一UAlGaN层的摩尔比为0.01-0.05。
优选的，所述生长低温缓冲GaN层步骤为：
在温度为530-560℃、300-500torr压力的反应室内，在衬底上生长厚度为20-45nm的低温缓冲GaN层；
所述生长不掺杂GaN层步骤为：
降低温度到1000-1100℃，反应室压力控制在300-600torr，持续生长2-3.5μm厚度的不掺杂UGaN层；
所述生长掺Si的GaN层步骤为：
保持温度不变，反应室压力控制在200-300torr生长2-3μm厚度的n型掺Si的GaN层，Si的掺杂浓度为5E18-1E19个原子/cm3。
优选的，所述生长多量子阱InxGa(1-x)N层步骤为：
反应室压力控制在200-300torr，降温至750-770℃生长掺杂In的2.5-3.5nm厚度的InxGa(1-x)N层，其中x＝0.20-0.22，再降低温度至860-890℃生长10-12nm厚度的GaN层；InxGa(1-x)N/GaN周期数为11-13，厚度在130-160nm。
优选的，所述生长第一P型GaN层、生长P型AlGaN层、生长第二P型GaN层的步骤为：
降温至730-770℃，反应室压力在200-300torr生长厚度为40-70nm低温掺Mg的P型GaN，Mg的掺杂浓度为5E19-1E20个原子/cm3；
降低温度到920-970℃，反应室压力控制在100-200torr，持续生长30-50nm厚度的掺铝、掺镁的P型AlyGaN电子阻挡层，其中，y＝0.15-0.25；Al的掺杂浓度为1E20-2E20个原子/cm3，Mg的掺杂浓度为3E19-4E19个原子/cm3；
将反应室压力控制在200-500torr，再同温持续生长80-120nm厚度的掺Mg的第二P型GaN层，Mg的掺杂浓度为6E19-1.5E20个原子/cm3。
本发明还提供一种阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延结构，在多量子阱InxGa(1-x)N层和第一P型GaN层之间包括电子阻挡层：
UAlGaN/UGaN电子阻挡层包括2-6组双层结构，每个双层结构包括UAlGaN层和UGaN层；每一双层结构的UAlGaN层相比上一双层结构UAlGaN层中的Al组分含量减少15％-50％；
UAlGaN/UGaN层的厚度为8-25nm。
优选的，在UAlGaN/UGaN层之下，从下至上依次包括：
衬底；
低温缓冲GaN层：厚度为20-45nm；
不掺杂GaN层：厚度为2-3.5μm；
掺Si的GaN层：Si的掺杂浓度为5E18-1E19个原子/cm3，厚度控制在2-3μm；
多量子阱InxGa(1-x)N层：发光层为掺杂In的InxGa(1-x)N层，InxGa(1-x)N/GaN层的周期数为11-13，厚度为130-160nm；InxGa(1-x)N的厚度为2.5-3.5nm，x＝0.20-0.22，In的掺杂浓度为2E20-3E20个原子/cm3；GaN层的厚度为10-12nm。
优选的，在UAlGaN/UGaN层之上，从下至上依次包括：
第一P型GaN层：厚度为40-70nm，Al的掺杂浓度为5E19-1E20个原子/cm3；
P型AlyGaN电子阻挡层：厚度为30-50nm，Al的掺杂浓度为1E20-2E20个原子/cm3，Mg的掺杂浓度为3E19-4E19个原子/cm3；
第二P型GaN层：厚度为100-150nm，Mg的掺杂浓度为6E19-1.5E20个原子/cm3。
本发明具有以下有益效果：本发明采用了Al组分渐变的UAlGaN/UGaN电子阻挡层，取代传统的量子阱中后的单一P型层，有效的阻挡电子从量子阱泄漏到P层，又能保证空穴有效的进入量子阱与电子复合。提高了内部量子效率，进而提高了亮度。具体如下：
(1)采用了Al组分逐层降低的UAlGaN/UGaN结构作为电子阻挡层，改变了传统P-spacer能带的单一能阶高度分布，减弱了其对空穴注入时的阻挡作用；同时电子阻挡层的Al组分渐变生长，能更好的阻挡电子泄露，可有效改善大电流下电子的外溢情况，防止了电子进入P层产生非发光复合，提高MQW的发光效率；
(2)量子阱垒层的生长温度为860-890℃，本发明电子阻挡层的生长温度为800-880℃。电子阻挡层在低于量子阱垒层的温度下生长，减少了高温对量子阱的伤害，使得量子阱层结构破坏减少，复合效率相对减少；
(3)生长气氛、压力等与MQW层完全不同，避免了预反应的发生，提高了晶体质量，阻挡电子和缺陷的能力大大提高；
(4)电子阻挡层的UAlGaN/UGaN层之前生长的是INGaN/GaN超晶格结构，和UAlGaN/UGaN结构完全不同，缺陷不可能沿着原来的通道延伸。另外这也是由于UAlGaN/UGaN循环结构本身所具有的特性，可以过滤掉量子阱区域形成的缺陷或位错。即阻断缺陷或位错一直向上生长，因此改善后续外延层的晶格质量和LED的光电性能。
除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明作进一步详细的说明。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1是现有的LED外延结构示意图；
图2是本发明优选实施例的LED外延结构示意图；
图3是传统P-Spacer层的能带结构示意图；
图4是本发明优选实施例的发光层和电子阻挡层的能带结构示意图；
图5是本发明优选实施例和对比实施例的芯片亮度对比示意图；
图6是本发明优选实施例和对比实施例的芯片电压对比示意图；
图7是本发明优选实施例和对比实施例的Φe的分布曲线对比示意图；
图8是本发明优选实施例和对比实施例的光效的分布曲线对比示意图；
其中，1、低温缓冲GaN层；2、不掺杂GaN层，3、掺杂Si的GaN层；4、多量子阱InxGa(1-x)N层；5、第一P型GaN层；6、P型AlGaN层，7、第二P型GaN层，8、电子阻挡层，9、UAlGaN层，10、UGaN层；11、传统P-Spacer层。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的实施例进行详细说明，但是本发明可以根据权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
本发明公开了一种阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层1、生长不掺杂GaN层2、生长掺Si的GaN层3、生长多量子阱InxGa(1-x)N层4、生长第一P型GaN层、生长P型AlGaN层、生长第二P型GaN层步骤。
在所述生长多量子阱InxGa(1-x)N层和生长第一P型GaN层步骤之间，包括生长电子阻挡层的步骤：
在温度为800-880℃、100-300torr压力的反应室内，采用H2和/或N2作为载气，持续通入5-40sccm的NH3和15-50sccm的TMGa，每隔10-30s通入一次10-40sccm的TMAl，生长电子阻挡层，电子阻挡层的厚度为8-25nm；
参见图2，所述电子阻挡层包括2-6组双层结构，每个双层结构包括UAlGaN层和UGaN层；每一双层结构的UAlGaN层相比上一双层结构的UAlGaN层中的Al组分含量减少15％-50％。
每一UAlGaN层的厚度可以随着Al组分的变化成同比例变化，或者厚度不变化。
本发明采用了Al组分逐层降低的UAlGaN/UGaN结构作为电子阻挡层，改变了传统P-spacer能带的单一能阶高度分布，减弱了其对空穴注入时的阻挡作用；同时电子阻挡层的Al组分渐变生长，能更好的阻挡电子泄露，可有效改善大电流下电子的外溢情况，防止了电子进入P层产生非发光复合，提高MQW的发光效率。
以下分别说明采用以现有传统方法制备样品1的对比实施例一，和采用本发明生长方法制备样品2的实施例一，再将两种方法得到样品1和样品2进行性能检测比较。
对比实施例一、
1、在1000-1100℃的的氢气气氛下,反应室压力控制在200-500torr，高温处理蓝宝石衬底5-6min；再降温至530-560℃，反应室压力控制在300-500torr在蓝宝石衬底上生长厚度为20-45nm的低温缓冲层GaN(Nucleation)；
2、降低温度到1000-1100℃，反应室压力控制在300-600torr持续生长2-3.5μm的不掺杂UGaN；
3、保持温度不变，反应室压力控制在100-300torr生长2-3μm的n型掺Si的GaN层；
4、周期性生长有源层MQW，反应室压力控制在100-300torr，降温至750-770℃生长掺杂In的2.5-3.5nmInxGa(1-x)N(x＝0.20-0.22)层，再降低温度至860-890℃生长10-12nmGaN层。InxGa(1-x)N/GaN周期数为11-13，厚度在130-160nm；
5、在和MQW同等条件下生长厚度约6-12nm的P-spacer层；
6、再降温至730-770℃，反应室压力在200-300torr生长厚度为40-70nm厚度的低温掺Mg的第一P型GaN层；
7、再降低温度到920-970℃，反应室压力控制在100-200torr，持续生长30-50nm掺铝、掺镁的P型AlyGaN(y＝0.15-0.25)电子阻挡层；
8、将反应室压力控制在200-500torr，再同温持续生长80-120nm厚度的高温掺Mg的第二P型GaN层；
9、最后再降低温度到650-750℃，在氮气气氛下，持续时间20-30min，活化PGaN后，得到样品1。
样品1的结构可参见图1所示，其能带图见图3所示。该能带图是传统结构的电子阻挡层，只含一个Al组分，因此只有一个能带高度。
实施例一、
本发明运用VeecoK465iMOCVD来生长高亮度GaN基LED外延片。采用高纯H2或高纯N2或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，三甲基镓(TMGa)及三乙基镓(TEGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，硅烷(SiH4)作为N型掺杂剂，三甲基铝(TMAl)作为铝源，二茂镁(CP2Mg)作为P型掺杂剂，衬底为(0001)面蓝宝石，反应室压力在100torr到600torr之间。具体生长方式如下(外延结构见图2，第5步电子阻挡层能带请参考图4)：
1、在1000-1100℃的的氢气气氛下,反应室压力控制在200-500torr，高温处理蓝宝石衬底5-6min；再降温至530-560℃，反应室压力控制在300-500torr在蓝宝石衬底上生长厚度为20-45nm的低温缓冲层GaN(Nucleation)；
2、降低温度到1000-1100℃，反应室压力控制在300-600torr持续生长2-3.5μm的不掺杂UGaN；
3、保持温度不变，反应室压力控制在200-300torr生长2-3μm的n型掺Si的GaN层；
4、周期性生长有源层MQW，反应室压力控制在200-300torr，降温至750-770℃生长掺杂In的2.5-3.5nmInxGa(1-x)N(x＝0.20-0.22)层，再降低温度至860-890℃生长10-12nmGaN层。InxGa(1-x)N/GaN周期数为11-13，厚度在130-160nm；
5、将反应室压力降至100torr，反应温度在800-880℃，持续通入5-40sccm的NH3和15-50sccm的TMGa，每隔10-30s通入一次10-40sccm的TMAl，每次通入的TMAl含量渐减，持续生长新电子阻挡层，厚度8-25nm且Al组分渐减。
在TMAl通入时，生长出来的为UAlGaN层，在TMAl不通入时，生长出来的为UGaN层。因此，随着TMAl时断时续的2-6次通入，则生长出了2-6个UAlGaN/UGaN循环结构。
每一所述UAlGaN层的Al组分与每一UAlGaN层的摩尔比在0.1-0.3之间。相邻UAlGaN层的Al组分含量波动的幅度与每一UAlGaN层的摩尔比可以为0.01-0.05摩尔比。
例如，第一次生长UAlGaN层时，通入40sccm的TMAl，Al组分约为0.2摩尔比；第二次生长UAlGaN层时，通入33sccm的TMAl，Al组分约为0.18摩尔比；第三次生长UAlGaN层时，通入27sccm的TMAl，Al组分约为0.15摩尔比；第四次生长UAlGaN层时，通入23sccm的TMAl，Al组分约为0.1摩尔比。
6、再降温至730-770℃，反应室压力在200-300torr生长厚度为40-70nm厚度的低温掺Mg的第一P型GaN层，Mg的掺杂浓度为5E+19-1E+20个原子/cm3；
7、再降低温度到920-970℃，反应室压力控制在100-200torr，持续生长30-50nm掺铝、掺镁的P型AlyGaN(y＝0.15-0.25)电子阻挡层；
8、将反应室压力控制在200-500torr，再同温持续生长80-120nm厚度的掺Mg的第二P型GaN层，Mg的掺杂浓度为6E+19-1.5E+20个原子/cm3；
9、最后再降低温度到650-750℃，在氮气气氛下，持续时间20-30min，活化PGaN后，得到样品2。
样品2的结构可参见图2所示，其能带图见图4所示。该能带图为电子阻挡层UAlGaN/UGaN循环结构的能带变化，显示出2-6个Al组分的减少所引起的能带逐层向上减少。
将样品1和样品2在相同的前工艺条件下镀ITO层180nm，相同的条件下镀Cr/Pt/Au电极150nm和保护层SiO250nm以及将样品研磨切割成712μm*712μm(28mi*28mil)的芯粒。
样品1和样品2在相同的测试电流350mA条件下，亮度分布图见图5，VF分布图见图6。样品2较样品1亮度(Lop)提升约5％，VF也有所降低。
再将样品1和样品2在相同位置各自挑选150颗晶粒，在相同的封装工艺下，封装成白光LED。采用积分球分别在驱动电流350mA条件下测试样品1和样品2的光电性能，得到的参数见图7、图8。图7说明样品2随着电流减少很大时(如大于800mA)，其光功率仍然是减少的，而传统结构在电流大于800mA时，光功率开始呈下降趋势。本发明的结构优于传统结构。
图8说明：随着电流逐渐加大，本发明结构(样品2)的光效衰减幅度要远小于传统结构。
本发明还提供了一种阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延结构，在多量子阱InxGa(1-x)N层4和第一P型GaN层5之间包括电子阻挡层8：
UAlGaN/UGaN电子阻挡层8包括2-6组双层结构，每个双层结构包括UAlGaN层9和UGaN层10；每一双层结构的UAlGaN层9相比上一双层结构UAlGaN层9中的Al组分含量减少15％-50％；
UAlGaN/UGaN层的厚度为8-25nm。
优选地，在UAlGaN/UGaN电子阻挡层8之下，从下至上依次包括：
衬底；
低温缓冲GaN层1：厚度为20-45nmnm；
不掺杂GaN层2：厚度为2-3.5μm；
掺Si的GaN层3：Si的掺杂浓度为5E+18-1E+19个原子/cm3，厚度控制在2-3μm；
多量子阱InxGa(1-x)N层4：发光层为掺杂In的InxGa(1-x)N层，InxGa(1-x)N/GaN层的周期数为11-13，厚度为130-160nm；InxGa(1-x)N的厚度为2.5-3.5nm，x＝0.20-0.22，In的掺杂浓度为2E20-3E20个原子/cm3；GaN层的厚度为10-12nm。
优选地，在UAlGaN/UGaN电子阻挡层8之上，从下至上依次包括：
第一P型GaN层5：厚度为40-70nm，Mg的掺杂浓度为5E19-1E20个原子/cm3；
P型AlyGaN电子阻挡层6：厚度为30-50nm，Al的掺杂浓度为1E20-2E20个原子/cm3，Mg的掺杂浓度为3E19-4E19个原子/cm3；
第二P型GaN层7：厚度为100-150nm，Mg的掺杂浓度为6E19-1.5E20个原子/cm3。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长不掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长多量子阱InxGa(1-x)N层、生长第一P型GaN层、生长P型AlGaN层、生长第二P型GaN层步骤，x＝0.20-0.22，其特征在于，
在所述生长多量子阱InxGa(1-x)N层和生长第一P型GaN层步骤之间，包括生长电子阻挡层的步骤：
在温度为800-880℃、100-300torr压力的反应室内，采用H2和/或N2作为载气，持续通入5-40sccm的NH3和15-50sccm的TMGa，每隔10-30s通入一次10-40sccm的TMAl，每次通入的TMAl含量渐减，生长电子阻挡层，电子阻挡层的厚度为8-25nm；
所述电子阻挡层包括2-6组双层结构，每个双层结构包括UAlGaN层和UGaN层；每一双层结构的UAlGaN层相比上一双层结构的UAlGaN层中的Al组分含量减少15％-50％。
2.根据权利要求1所述的一种阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法，其特征在于，每一所述UAlGaN层的Al组分与每一UAlGaN层的摩尔比在0.1-0.3之间。
3.根据权利要求2所述的一种阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法，其特征在于，所述相邻UAlGaN层的Al组分含量波动的幅度与每一UAlGaN层的摩尔比为0.01-0.05。
4.根据权利要求1所述的一种阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法，其特征在于，所述生长低温缓冲GaN层步骤为：
在温度为530-560℃、300-500torr压力的反应室内，在衬底上生长厚度为20-45nm的低温缓冲GaN层；
所述生长不掺杂GaN层步骤为：
降低温度到1000-1100℃，反应室压力控制在300-600torr，持续生长2-3.5μm厚度的不掺杂UGaN层；
所述生长掺Si的GaN层步骤为：
保持温度不变，反应室压力控制在200-300torr生长2-3μm厚度的n型掺Si的GaN层，Si的掺杂浓度为5E18-1E19个原子/cm3。
5.根据权利要求1所述的一种阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法，其特征在于，所述生长多量子阱InxGa(1-x)N层步骤为：
反应室压力控制在200-300torr，降温至750-770℃生长掺杂In的2.5-3.5nm厚度的InxGa(1-x)N层，其中x＝0.20-0.22，再降低温度至860-890℃生长10-12nm厚度的GaN层；InxGa(1-x)N/GaN周期数为11-13，厚度在130-160nm。
6.根据权利要求1所述的一种阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法，其特征在于，所述生长第一P型GaN层、生长P型AlGaN层、生长第二P型GaN层的步骤为：
降温至730-770℃，反应室压力在200-300torr生长厚度为40-70nm低温掺Mg的P型GaN，Mg的掺杂浓度为5E19-1E20个原子/cm3；
降低温度到920-970℃，反应室压力控制在100-200torr，持续生长30-50nm厚度的掺铝、掺镁的P型AlyGaN电子阻挡层，其中，y＝0.15-0.25；Al的掺杂浓度为1E20-2E20个原子/cm3，Mg的掺杂浓度为3E19-4E19个原子/cm3；
将反应室压力控制在200-500torr，再同温持续生长80-120nm厚度的掺Mg的第二P型GaN层，Mg的掺杂浓度为6E19-1.5E20个原子/cm3。
7.一种阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延结构，其特征在于，在多量子阱InxGa(1-x)N层和第一P型GaN层之间包括电子阻挡层，x＝0.20-0.22：
UAlGaN/UGaN电子阻挡层包括2-6组双层结构，每个双层结构包括UAlGaN层和UGaN层；每一双层结构的UAlGaN层相比上一双层结构UAlGaN层中的Al组分含量减少15％-50％；
UAlGaN/UGaN层的厚度为8-25nm。
8.根据权利要求7所述的一种阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延结构，其特征在于，在UAlGaN/UGaN层之下，从下至上依次包括：
衬底；
低温缓冲GaN层：厚度为20-45nm；
不掺杂GaN层：厚度为2-3.5μm；
掺Si的GaN层：Si的掺杂浓度为5E18-1E19个原子/cm3，厚度控制在2-3μm；
多量子阱InxGa(1-x)N层：发光层为掺杂In的InxGa(1-x)N层，InxGa(1-x)N/GaN层的周期数为11-13，厚度为130-160nm；InxGa(1-x)N的厚度为2.5-3.5nm，x＝0.20-0.22，In的掺杂浓度为2E20-3E20个原子/cm3；GaN层的厚度为10-12nm。
9.根据权利要求7所述的一种阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延结构，其特征在于，在UAlGaN/UGaN层之上，从下至上依次包括：
第一P型GaN层：厚度为40-70nm，Al的掺杂浓度为5E19-1E20个原子/cm3；
P型AlyGaN电子阻挡层：厚度为30-50nm，Al的掺杂浓度为1E20-2E20个原子/cm3，Mg的掺杂浓度为3E19-4E19个原子/cm3；
第二P型GaN层：厚度为100-150nm，Mg的掺杂浓度为6E19-1.5E20个原子/cm3。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310572013.1A CN103560190B (zh) | 2013-11-15 | 2013-11-15 | 阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法及其结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310572013.1A CN103560190B (zh) | 2013-11-15 | 2013-11-15 | 阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法及其结构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103560190A CN103560190A (zh) | 2014-02-05 |
| CN103560190B true CN103560190B (zh) | 2016-03-02 |
Family
ID=50014397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310572013.1A Active CN103560190B (zh) | 2013-11-15 | 2013-11-15 | 阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法及其结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103560190B (zh) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104157763B (zh) * | 2014-07-09 | 2018-01-09 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制造方法 |
| DE102015113670A1 (de) * | 2014-08-19 | 2016-02-25 | Seoul Viosys Co., Ltd | Leuchtvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
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| CN105870277B (zh) * | 2016-04-20 | 2018-05-29 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其生长方法 |
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| CN107275448A (zh) * | 2017-05-09 | 2017-10-20 | 华灿光电股份有限公司 | 一种发光二极管的外延片及制备方法 |
| CN109461802B (zh) * | 2018-09-14 | 2020-04-07 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法 |
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| CN109378371B (zh) * | 2018-10-17 | 2020-10-09 | 湘能华磊光电股份有限公司 | Led外延片生长方法 |
| CN109378377B (zh) * | 2018-10-17 | 2020-06-23 | 湘能华磊光电股份有限公司 | Led外延生长方法 |
| CN110047978B (zh) * | 2019-04-30 | 2020-10-02 | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 | 发光二极管及其形成方法 |
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| CN103746054A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-04-23 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法及其结构 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05283743A (ja) * | 1992-04-03 | 1993-10-29 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
| US7326963B2 (en) * | 2004-12-06 | 2008-02-05 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Nitride-based light emitting heterostructure |
| KR101018088B1 (ko) * | 2008-11-07 | 2011-02-25 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물 반도체 소자 |
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2013
- 2013-11-15 CN CN201310572013.1A patent/CN103560190B/zh active Active
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| CN103746054A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-04-23 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法及其结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103560190A (zh) | 2014-02-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |