CN103107083A - 一种聚二甲基硅氧烷三维结构的功能涂层自图形化方法 - Google Patents
一种聚二甲基硅氧烷三维结构的功能涂层自图形化方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103107083A CN103107083A CN2012102197049A CN201210219704A CN103107083A CN 103107083 A CN103107083 A CN 103107083A CN 2012102197049 A CN2012102197049 A CN 2012102197049A CN 201210219704 A CN201210219704 A CN 201210219704A CN 103107083 A CN103107083 A CN 103107083A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- dimethyl silicone
- silicone polymer
- substrate
- dimensional structure
- graphic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 title abstract description 12
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 title abstract description 12
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 title abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims abstract description 5
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 96
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 claims description 95
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 4
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 3
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 claims description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 4
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- 238000012940 design transfer Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- 208000031481 Pathologic Constriction Diseases 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- CMXPERZAMAQXSF-UHFFFAOYSA-M sodium;1,4-bis(2-ethylhexoxy)-1,4-dioxobutane-2-sulfonate;1,8-dihydroxyanthracene-9,10-dione Chemical compound [Na+].O=C1C2=CC=CC(O)=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2O.CCCCC(CC)COC(=O)CC(S([O-])(=O)=O)C(=O)OCC(CC)CCCC CMXPERZAMAQXSF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000036262 stenosis Effects 0.000 description 1
- 208000037804 stenosis Diseases 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
本发明公开了一种聚二甲基硅氧烷(PDMS)三维微结构的功能涂层自图形化方法，通过对PDMS进行三维微结构制作、粗糙化、沉积CxFy聚合物、浇铸与脱模、覆盖易挥发的功能涂层溶液、蒸发至溶液只残留在粗糙表面、涂层固化、聚二甲基硅氧烷-玻璃邦定等一系列步骤，使得聚二甲基硅氧烷的图形化具有高覆盖率、高均匀性而不影响PDMS与衬底的邦定特性，对PDMS进行有效的表面改性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术的表面改性技术领域，特别涉及一种聚二甲基硅氧烷三维结构的功能涂层自图形化方法。
背景技术
聚二甲基硅氧烷（PDMS）透明且价格低廉、合成简便，是一种在微全分析系统(MicroTAS)中广泛使用的功能材料。但是，聚二甲基硅氧烷是疏水的，且在有机溶剂中会溶胀，对疏水物质会有非选择性的吸收。上述缺点极大地限制了它在生物和化学等领域的应用。
为了解决上述问题，现有的办法是将聚二甲基硅氧烷进行表面改性或者在聚二甲基硅氧烷表面覆盖功能涂层。由于聚二甲基硅氧烷的化学性质比较稳定，难以进行化学处理，所以现有的聚二甲基硅氧烷表面改性技术只能针对一些特殊的应用，通常不可取。而功能涂层可以根据涂层特性获得各种需要的表面性质和化学特性，同时不会改变聚二甲基硅氧烷本身的特性，故相对来说是更简便而有效的办法。
聚二甲基硅氧烷通常做成通道然后与玻璃、硅片等衬底材料邦定（或称键合）后才能成为器件工作；因此，目前一般是在邦定之后才对聚二甲基硅氧烷进行涂层。由于聚二甲基硅氧烷表面是封闭的，所以此时的涂层存在诸多困难。首先，邦定后的涂层需要使用气相涂层分子或液相溶液，但两者难以得到足够高的覆盖率和均匀度，气相方法难以到达通道深处，而在液相沉积过程中在狭窄处常常发生堵塞。在邦定前进行镀膜则不存在封闭空间的问题，便于控制成膜质量，以获得更高的覆盖率和均匀度。然而现有的邦定前成膜技术或者需要对涂层进行额外的图形化才能进行聚二甲基硅氧烷与玻璃等衬底的邦定，或者需要开发该涂层与衬底的邦定技术，技术难度较大，方法不太成熟，易造成邦定率不高、低粘接强度、邦定温度高等问题。
发明内容
本发明的发明目的是针对现有表面改性的技术不足，提供一种聚二甲基硅氧烷三维结构的功能涂层自图形化方法。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案为：
提供一种聚二甲基硅氧烷三维结构的功能涂层自图形化方法，包括以下步骤：
1）三维微结构制作：选择衬底，在衬底上均匀涂布光刻胶层；经过对准和光刻之后，在光刻胶层进行光刻处理，形成若干贯穿第二光刻胶层的通孔，所述相邻通孔之间设有三维微结构；
2）润湿特性修饰：利用干法刻蚀表面处理技术使三维微结构的表面变得粗糙,而衬底保持光滑；
3）沉积：通过CHF3等离子体处理从而在衬底上沉积CxFy聚合物，使得衬底恢复疏水性，便于在后续步骤中使聚二甲基硅氧烷顺利脱模；
4）图形转移：在经过上述步骤2）处理的衬底上浇铸聚二甲基硅氧烷溶液，经脱气后在50-90°C的温度下加热固化；在上述步骤2）处理的衬底上形成聚二甲基硅氧烷图形膜；且所述聚二甲基硅氧烷图形膜覆盖光刻胶层；然后脱模，将聚二甲基硅氧烷图形膜从衬底上剥下，该聚二甲基硅氧烷图形膜上与三维微结构接触的位置形成微阱，若干所述微阱形成微阱阵列；该聚二甲基硅氧烷图形膜上与通孔接触的位置形成聚二甲基硅氧烷三维结构；该聚二甲基硅氧烷三维结构的表面为与三维微结构粗糙度相同的粗糙区域，其他部分为光滑区域；
5）涂布：采用低粘滞性、低沸点的溶剂与功能涂层材料配成涂层溶液，再将所述涂层溶液浇铸到上述步骤4）处理过的聚二甲基硅氧烷图形膜上；接着在高于室温的温度（40°C -150°C）下烘烤，聚二甲基硅氧烷图形膜光滑区域的溶液挥发无残留，聚二甲基硅氧烷三维结构表面则留下涂层薄膜；
6）固化：烘烤上述步骤5）处理过的聚二甲基硅氧烷图形膜至功能涂层材料的固化温度（100°C -250°C）以上，且溶剂的挥发温度低于功能涂层材料的固化温度；从而除掉溶剂，固化涂层薄膜；
7）邦定：将固化涂层薄膜的聚二甲基硅氧烷图形膜表面采用氧气等离子体活化，再将活化后的聚二甲基硅氧烷图形膜与玻璃进行粘接邦定从而构成器件。
优选地，所述衬底的材料为硅或硅的氧化物，且其表面光滑。
优选地，所述光刻胶为负胶SU-8。
优选地，步骤5）中所述溶剂为高分子聚合物溶剂、乙醇、异丙醇或甲苯，所述溶剂在室温下粘度小于10 、沸点小于150°C。
优选地，步骤2）中所述干法刻蚀技术为氧气等离子刻蚀，氧气等离子刻蚀刻三维微结构的表面，但不刻蚀衬底。
优选地，所述步骤5）中，所述功能涂层材料为高分子聚合物（CYTOP）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）或玻璃树脂。
本发明相对于现有技术，具有以下有益效果：本发明聚二甲基硅氧烷三维结构的功能涂层自图形化方法由于镀上了高覆盖率的功能涂层材料，聚二甲基硅氧烷在非极性溶剂中溶胀的现象得到了有效的抑制。其中，图案转移到聚二甲基硅氧烷图形膜上面之后，聚二甲基硅氧烷图形膜底部的粗糙度会比光刻胶三维微结构表面的稍高，而上表面则与未经处理前一样光滑；另外，开放的表面让功能涂层材料的观察和控制变得更加容易。总之，本方法使得聚二甲基硅氧烷的图形化具有高覆盖率、高均匀性而不影响聚二甲基硅氧烷与衬底的邦定特性，效果极佳。
附图说明
图1-图7为本发明PDMS图形化膜层的方法的流程图，
图8为涂层溶液CYTOP：CT-Solv180=1：10(体积比)时，开口宽度为6μm的微阱的显微镜图片；
图9为涂层溶液CYTOP：CT-Solv180=1：10(体积比)时，开口宽度为12μm的微阱的显微镜图片；
图10为涂层溶液CYTOP：CT-Solv180=1：10(体积比)时，深度为8.3μm的微阱的显微镜图片；
图11为涂层溶液CYTOP：CT-Solv180=1：10(体积比)时，深度为19.4μm的微阱的显微镜图片；
图12为涂层溶液CYTOP：CT-Solv180=1：5(体积比)时，开口宽度为4μm，深度为18μm的微阱的显微镜图片；
图13为图12的C部放大图；
图14为无功能涂层材料的聚二甲基硅氧烷三维结构通入甲苯2小时后的显微镜图片；
图15为涂有功能涂层材料的聚二甲基硅氧烷三维结构通入甲苯18小时后的显微镜图片；
图16为涂有功能涂层材料的聚二甲基硅氧烷三维结构通入甲苯18小时后的显微镜图片。
图17为使用玻璃树脂GR650F在聚二甲基硅氧烷三维结构固化后的显微镜图片。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明的发明目的作进一步详细地描述，实施例不能在此一一赘述，但本发明的实施方式并不因此限定于以下实施例。除非特别说明，本发明采用的材料和加工方法为本技术领域常规材料和加工方法。
实施例1
如图1-7中所示，(a)为SU-8图形的粗糙化；b）沉积CxFy聚合物；（c）聚二甲基硅氧烷浇铸与脱模；（d）在聚二甲基硅氧烷上覆盖易挥发的溶液；（e）蒸发至溶液只残留在粗糙表面；（f）涂层固化；（g）聚二甲基硅氧烷-玻璃邦定。工艺流程如下：
1）三维微结构制作：在硅片上均匀涂布SU-8负胶层；经过对准和光刻之后，在SU-8负胶层进行光刻处理，形成若干贯穿第二光刻胶层的通孔，相邻通孔之间设有三维微结构；
2）润湿特性修饰：利用氧气等离子体刻蚀表面处理技术使三维微结构的表面变得粗糙,而衬底保持光滑；
3）沉积：通过CHF3等离子体处理从而在衬底上沉积CxFy聚合物，使得衬底恢复疏水性，便于在后续步骤中使聚二甲基硅氧烷顺利脱模；
4）图形转移：在经过上述步骤2）处理的衬底上浇铸聚二甲基硅氧烷溶液，经脱气后在50-90°C的温度下加热固化；在上述步骤2）处理的衬底上形成聚二甲基硅氧烷图形膜；且所述聚二甲基硅氧烷图形膜覆盖光刻胶层；然后脱模，将聚二甲基硅氧烷图形膜从衬底上剥下，该聚二甲基硅氧烷图形膜上与三维微结构接触的位置形成微阱，若干所述微阱结合成微阱阵列；该聚二甲基硅氧烷图形膜上与通孔接触的位置形成聚二甲基硅氧烷三维结构；该聚二甲基硅氧烷三维结构的表面为与三维微结构粗糙度相同的粗糙区域，其他部分为光滑区域；
5）涂布：采用低粘滞性、易挥发的专用溶剂CT-Solv与氟化高分子材料CYTOP配成涂层溶液（体积比2:1-10:1），再将所述涂层溶液浇铸到上述步骤4）处理过的聚二甲基硅氧烷图形膜上；接着在40-80°C下烘烤，聚二甲基硅氧烷图形膜光滑区域的溶液挥发无残留，聚二甲基硅氧烷三维结构表面则留下涂层薄膜；
6）固化：烘烤上述步骤5）处理过的聚二甲基硅氧烷图形膜至150°C烘烤1.5小时，从而除掉溶剂，固化涂层薄膜；
7）邦定：将固化涂层薄膜的聚二甲基硅氧烷图形膜表面采用氧气等离子体活化，再将活化后的聚二甲基硅氧烷图形膜与玻璃进行粘接邦定从而构成器件。
成品的几个关键性能指标和控制参数如下：
粗糙度：三维微结构的粗糙度由氧等离子体刻蚀的时间长短决定。CHF3处理的标准时间为5s，处理时间的长短对粗糙度没有明显的影响。
在氧等离子体功率为75W，压强为20Pa的情况下，SU-8负胶的刻蚀深度正比于刻蚀时间，而三维微结构的粗糙度在刻蚀时间为3分钟时达到最大值。
图案转移到聚二甲基硅氧烷上面之后，聚二甲基硅氧烷三维结构表面的粗糙度与SU-8模板上面的基本相同，而聚二甲基硅氧烷图形膜其他部分则与未经处理前一样光滑。
覆盖率和均匀度：聚二甲基硅氧烷图形膜的粗糙化处理和蒸发过程对于获得高的覆盖率和均匀度是不可缺少的。只有进行过粗糙化处理之后，涂层溶液才能完全覆盖聚二甲基硅氧烷三维结构。
如果用旋转涂布涂层溶液来代替蒸发过程，则在光滑的上表面仍会留下涂层溶液。另外，涂层溶液的浓度要尽量降低，以避免烘烤去溶剂后由于聚二甲基硅氧烷与涂层热膨胀系数差异造成的皱褶。例如，CYTOP：CT-Solv180=1：10（体积比）的溶液得到的涂层均匀度要比CYTOP：CT-Solv180=1：5（体积比）好。
堵塞率：如图8所示，聚二甲基硅氧烷三维结构为壶状微阱。一般来说，堵塞会发生在小和浅的“壶”状聚二甲基硅氧烷三维结构的微阱阵列里，这是由于蒸发时溶液遇到阻力流动不畅。这种堵塞现象可以通过增加聚二甲基硅氧烷三维结构的开口宽度和深度来减少。如图8、9、10和11所示，黑圈表示发生堵塞的区域，小图为横截面示意图。其中，使用CYTOP：CT-Solv180=1：10（体积比）溶液时，（a）微阱的开口宽度为6μm时发生堵塞；（b）微阱的开口宽度为12μm时不发生堵塞；（c）微阱的开口深度为8.3μm时出现阻塞；（d）微阱的开口深度为19.4μm时不发生堵塞。
此外，将蒸发温度从80℃降到40℃的话，也有利于减少微阱的堵塞。如图12,13所示，直径约为9μm和开口深度约为4μm的微阱阵列中，堵塞率较小。
从制得的入口处通入甲苯，发现即使在通入甲苯的流速为1200μL/h时也不会发生渗漏，说明聚二甲基硅氧烷图形膜与玻璃的邦定没有受自图形化过程的影响，仍具有良好的强度。
通过测量，“壶”状聚二甲基硅氧烷三维结构侧壁上的涂层薄膜厚度约为50nm，而微阱底部的涂层薄膜厚度约为1μm。
将甲苯充入没有高分子聚合物(CYTOP)涂层薄膜的聚二甲基硅氧烷微阱(1mm宽，25μm深)里。如图14的6所示，15分钟以后就会出现严重的分解和渗漏。如图15的7所示，2小时后聚二甲基硅氧烷图形膜开始垮塌。
而将甲苯充入有高分子聚合物(CYTOP)涂层薄膜的聚二甲基硅氧烷微阱中，如图16、17所示，聚二甲基硅氧烷图形膜的变形和垮塌在18小时之后仍不明显。这说明，高分子聚合物(CYTOP)涂层材料的引入将聚二甲基硅氧烷在甲苯中的稳定时间提高了72倍以上。
实施例2
本实施例除下述特征外，其他均与实施例1相同：功能涂层材料采用玻璃树脂,商品型号为GR650 F；溶剂为甲苯，甲苯浓度为1-35 wt%。浓度为3.5 wt%的GR650F，甲苯溶液在聚二甲基硅氧烷（PDMS）微阱内经固化后均匀覆盖的情形。图中，9为固化后的GF650F，5为与玻璃邦定后的聚二甲基硅氧烷（PDMS）。
上述实施例仅为本发明的较佳实施例，并非用来限定本发明的实施范围。即凡依本发明内容所作的均等变化与修饰，都为本发明权利要求所要求保护的范围所涵盖。
Claims (6)
1.一种聚二甲基硅氧烷三维结构的功能涂层自图形化方法，其特征在于包括以下步骤：
1）三维微结构制作：选择衬底，在衬底上均匀涂布光刻胶层；经过对准和光刻之后，在光刻胶层进行光刻处理，形成若干贯穿光刻胶层的通孔，所述相邻通孔之间形成三维微结构；
2）润湿特性修饰：利用干法刻蚀表面处理技术刻蚀三维微结构，使三维微结构的表面变得粗糙,而衬底保持光滑；
3）沉积：通过CHF3等离子体处理从而在衬底上沉积CxFy聚合物，使得衬底恢复疏水性，便于在后续步骤中使聚二甲基硅氧烷顺利脱模；
4）图形转移：在经过上述步骤2）处理的衬底上浇铸聚二甲基硅氧烷溶液，经脱气后在50°C -90°C的温度下加热固化；在上述步骤2）处理的衬底上形成聚二甲基硅氧烷图形膜，且所述聚二甲基硅氧烷图形膜覆盖光刻胶层；然后脱模，将聚二甲基硅氧烷图形膜从衬底上剥下，该聚二甲基硅氧烷图形膜上与三维微结构接触的位置形成微阱，若干所述微阱形成微阱阵列；该聚二甲基硅氧烷图形膜上与通孔接触的位置形成聚二甲基硅氧烷三维结构；该聚二甲基硅氧烷三维结构的表面为与三维微结构粗糙度相同的粗糙区域，其他部分为光滑区域；
5）涂布：采用低粘滞性、易挥发的溶剂与功能涂层材料配成涂层溶液，再将所述涂层溶液浇铸到上述步骤4）处理过的聚二甲基硅氧烷图形膜上；接着在100°C -200°C下烘烤，聚二甲基硅氧烷图形膜光滑区域的溶液挥发无残留，聚二甲基硅氧烷三维结构表面则留下涂层薄膜；
6）固化：烘烤上述步骤5）处理过的聚二甲基硅氧烷图形膜至功能涂层材料的固化温度100°C -250°C以上，且溶剂的挥发温度低于功能涂层材料的固化温度；从而除掉溶剂，固化涂层薄膜；
7）邦定：将固化涂层薄膜的聚二甲基硅氧烷图形膜表面采用氧气等离子体活化，再将活化后的聚二甲基硅氧烷图形膜与玻璃进行粘接邦定从而构成器件。
2.根据权利要求1所述的图形化膜层的方法，其特征在于：所述衬底的材料为硅或硅的氧化物，且其表面光滑。
3.根据权利要求1所述的聚二甲基硅氧烷三维结构的功能涂层自图形化方法，其特征在于：所述光刻胶为负胶SU-8。
4.根据权利要求1所述的聚二甲基硅氧烷三维结构的功能涂层自图形化方法，其特征在于：步骤5）中所述溶剂为高分子聚合物溶剂、乙醇、异丙醇或甲苯，所述溶剂在室温下粘度小于10 、沸点小于150°C。
5.根据权利要求1所述的聚二甲基硅氧烷三维结构的功能涂层自图形化方法，其特征在于：步骤2）中所述干法刻蚀技术为氧气等离子刻蚀，氧气等离子刻蚀三维微结构的表面，但不刻蚀衬底。
6.根据权利要求1所述的聚二甲基硅氧烷三维结构的功能涂层自图形化方法，其特征在于：所述步骤5）中，所述功能涂层材料为高分子聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯或玻璃树脂。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210219704.9A CN103107083B (zh) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | 一种聚二甲基硅氧烷三维结构的功能涂层自图形化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210219704.9A CN103107083B (zh) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | 一种聚二甲基硅氧烷三维结构的功能涂层自图形化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103107083A true CN103107083A (zh) | 2013-05-15 |
| CN103107083B CN103107083B (zh) | 2015-07-08 |
Family
ID=48314845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210219704.9A Expired - Fee Related CN103107083B (zh) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | 一种聚二甲基硅氧烷三维结构的功能涂层自图形化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103107083B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108640081A (zh) * | 2018-05-07 | 2018-10-12 | 苏州宝澜环保科技有限公司 | 一种微结构的制备方法 |
| CN108957624A (zh) * | 2018-08-07 | 2018-12-07 | 纤瑟(天津)新材料科技有限公司 | 一种微纳结构在光纤端面的转印方法 |
| CN112625446A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-04-09 | 武汉大学 | 一种多重分级结构聚二甲基硅氧烷纳米基底的制备方法及其应用 |
| CN113406731A (zh) * | 2021-05-19 | 2021-09-17 | 广东工业大学 | 一种聚合物阵列结构膜的制备方法及其应用 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100285275A1 (en) * | 2009-05-06 | 2010-11-11 | Adra Smith Baca | Fingerprint-resistant glass substrates |
| CN101962614A (zh) * | 2010-08-11 | 2011-02-02 | 清华大学 | 生物芯片及其制备方法 |
| CN102033126A (zh) * | 2009-09-28 | 2011-04-27 | 上海交通大学附属第一人民医院 | 一步法制备微流诊断芯片的方法 |
| CN102190283A (zh) * | 2010-03-12 | 2011-09-21 | 国家纳米技术与工程研究院 | 一种实现微球离散化的微流控芯片制备方法 |
| CN102427083A (zh) * | 2011-11-10 | 2012-04-25 | 中山大学 | 一种疏水疏油表面微结构及其制备方法 |
-
2012
- 2012-06-28 CN CN201210219704.9A patent/CN103107083B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100285275A1 (en) * | 2009-05-06 | 2010-11-11 | Adra Smith Baca | Fingerprint-resistant glass substrates |
| CN102033126A (zh) * | 2009-09-28 | 2011-04-27 | 上海交通大学附属第一人民医院 | 一步法制备微流诊断芯片的方法 |
| CN102190283A (zh) * | 2010-03-12 | 2011-09-21 | 国家纳米技术与工程研究院 | 一种实现微球离散化的微流控芯片制备方法 |
| CN101962614A (zh) * | 2010-08-11 | 2011-02-02 | 清华大学 | 生物芯片及其制备方法 |
| CN102427083A (zh) * | 2011-11-10 | 2012-04-25 | 中山大学 | 一种疏水疏油表面微结构及其制备方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108640081A (zh) * | 2018-05-07 | 2018-10-12 | 苏州宝澜环保科技有限公司 | 一种微结构的制备方法 |
| CN108957624A (zh) * | 2018-08-07 | 2018-12-07 | 纤瑟(天津)新材料科技有限公司 | 一种微纳结构在光纤端面的转印方法 |
| CN108957624B (zh) * | 2018-08-07 | 2020-07-14 | 纤瑟(天津)新材料科技有限公司 | 一种微纳结构在光纤端面的转印方法 |
| CN112625446A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-04-09 | 武汉大学 | 一种多重分级结构聚二甲基硅氧烷纳米基底的制备方法及其应用 |
| CN112625446B (zh) * | 2020-12-17 | 2022-02-01 | 武汉大学 | 一种多重分级结构聚二甲基硅氧烷纳米基底的制备方法及其应用 |
| CN113406731A (zh) * | 2021-05-19 | 2021-09-17 | 广东工业大学 | 一种聚合物阵列结构膜的制备方法及其应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103107083B (zh) | 2015-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103107083B (zh) | 一种聚二甲基硅氧烷三维结构的功能涂层自图形化方法 | |
| KR102079018B1 (ko) | 패턴 형성용 자기 조직화 조성물 및 패턴 형성 방법 | |
| CN103991837B (zh) | 一种基于压电基底薄片的微纳米有序通孔阵列金属薄膜传感器的制造方法 | |
| CN103392221B (zh) | 纳米压印用固化性组合物、纳米压印成形体以及图案形成方法 | |
| CN105084305B (zh) | 一种纳米结构及其制备方法 | |
| Wang et al. | Fast photo‐switched wettability and color of surfaces coated with polymer brushes containing spiropyran | |
| CN105951049B (zh) | 一种具有纳米级间隙的金属颗粒制造方法 | |
| EP2948817B1 (en) | Surface nanofabrication methods using self-assembled polymer nanomasks | |
| CN106916325A (zh) | 一种制备自由的表面图案化聚吡咯薄膜的方法 | |
| CN103086372A (zh) | 一种制备大面积石墨烯海绵的方法 | |
| Li et al. | Fabrication of silicon/polymer composite nanopost arrays and their sensing applications | |
| Bahadorimehr et al. | Low cost fabrication of microfluidic microchannels for Lab-On-a-Chip applications | |
| CN103395739B (zh) | 一种微凹面镜的制备方法 | |
| KR102569627B1 (ko) | 나노임프린트 리소그래피 프로세스 및 그것으로부터 획득가능한 패터닝된 기재 | |
| FR2926162A1 (fr) | Procede de modification localisee de l'energie de surface d'un substrat | |
| Wang et al. | Fabrication of honeycomb-patterned porous films from PS-b-PNIPAM amphiphilic diblock copolymers synthesized via RITP | |
| CN108312659A (zh) | 图案化气泡阵列及其制备方法和应用 | |
| Zhou et al. | Solvent-transfer assisted photolithography of high-density and high-aspect-ratio superhydrophobic micropillar arrays | |
| CN108467011A (zh) | 一种在柔性衬底上制备金属纳米结构的方法 | |
| CN110371919A (zh) | 一种微纳米多级柱结构的自组装制备方法 | |
| US11389793B2 (en) | Method for producing a microfluidic device | |
| CN102528050B (zh) | 一种超薄金属纳米片的制备方法 | |
| KR20160020105A (ko) | 그래핀의 전사 방법 | |
| CN108636465A (zh) | 图案化流体阵列及其制备方法和应用 | |
| TWI736521B (zh) | 平坦化膜用或微透鏡用樹脂組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150708 Termination date: 20170628 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |