CN103098235B - 发光二极管芯片及其制造方法 - Google Patents
发光二极管芯片及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103098235B CN103098235B CN201180043421.7A CN201180043421A CN103098235B CN 103098235 B CN103098235 B CN 103098235B CN 201180043421 A CN201180043421 A CN 201180043421A CN 103098235 B CN103098235 B CN 103098235B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- emitting diode
- light
- backlight unit
- diode chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 65
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 37
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 36
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 17
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 13
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 claims description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 7
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 190
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 nitrilo compound Chemical class 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N O.O.O.[Al] Chemical compound O.O.O.[Al] MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001400675 Sympodium Species 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000287680 Garcinia dulcis Species 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
- H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
详述了一种发光二极管芯片，其包括n导电区（1）、p导电区（2）、处于n导电区（1）与p导电区（2）之间的有源区（3）、处于p导电区（2）的远离有源区（3）的那侧处的镜面层（4）、以及被形成为具有电绝缘材料的绝缘层（5），其中镜面层（4）被设计成反射在有源区（3）中产生的电磁辐射，并且镜面层（4）具有穿孔（41），其中，镜面层（4）的侧面区域（4a）在穿孔（41）的区域中完全被绝缘层（5）覆盖。
Description
详述了一种发光二极管芯片。此外，详述了一种用于制造发光二极管芯片的方法。
一个目的在于详述一种能够以特别简单的方式制造的发光二极管芯片。
根据发光二极管芯片的至少一个实施例，发光二极管芯片包括n导电区、p导电区和处于n导电区与p导电区之间的有源区。在这种情况下，导电区以及还有有源区优选地被形成为具有III-V族化合物半导体材料。具体地，导电区和有源区可以被形成为具有氮基化合物半导体材料。
III/V族化合物半导体材料包括第三主族的至少一个元素（例如像B、Al、Ga、In）以及第五主族的元素（例如像N、P、As）。具体地，术语“III/V族化合物半导体材料”涵盖包含第三主族的至少一个元素以及第五主族的至少一个元素的二元、三元或四元化合物的组，例如，氮化物和磷化物化合物半导体。这种二元、三元或四元化合物另外可以包括例如一种或多种掺杂剂和附加成分。
在本上下文中，基于氮化物的化合物半导体材料是指半导体层序列或其至少一部分，特别优选地是至少有源区和/或生长基底晶片，包括氮化物化合物半导体材料或由氮化物化合物半导体材料构成，优选地为AlnGamIn1-n-mN,其中，0≤n≤1,0≤m≤1且n+m≤1。在这种情况下，所述材料不一定需要具有根据上述公式的数学上精确的成分。而是，所述材料可以包括例如一种或多种掺杂剂和附加成分。为了简便，然而，上述公式仅包括晶格的必要成分（Al、Ga、In、N），即使这些成分可以由小量的其它物质部分地替代和/或补充。
在这种情况下，在发光二极管芯片的操作期间，有源区被设置成例如根据UV辐射与红外辐射之间的频率范围来产生电磁辐射，特别是产生可见光。为此目的，有源区包括例如单量子阱结构或多量子阱结构。
根据发光二极管芯片的至少一个实施例，发光二极管芯片包括镜面层（mirrorlayer），该镜面层被布置在p导电区的远离有源区的那侧。镜面层被优选地设计成在p导电区的方向上反射在发光二极管芯片的操作期间在有源层中产生的电磁辐射。为此目的，镜面层可以包含金属或由金属构成。具体地，镜面层还可以包括共同形成镜面层的多个子层。在本实例中，镜面层优选地以导电方式实施。
根据发光二极管芯片的至少一个实施例，镜面层具有穿孔，其中镜面层的侧面区域在穿孔的区域中完全被绝缘层覆盖，所述绝缘层被形成为具有电绝缘材料。穿孔具有镜面层中的完全去除镜面层的至少一个位置。因此，穿孔构成镜面层中的开口。在穿孔的区域中，镜面层具有邻接穿孔的至少一个侧面区域。穿孔被布置在镜面层中，例如其方式为使得镜面层横向地包围穿孔。然后，穿孔通过镜面层的该至少一个侧面区域朝向镜面层来定界。
根据发光二极管芯片的至少一个实施例，所述侧面区域完全被绝缘层覆盖，该绝缘层由电绝缘材料构成。也就是说，绝缘层将镜面层的侧面区域以电的方式钝化。
如果在这种情况下镜面层具有面向穿孔的（也就是说，横向地将穿孔定界）多个侧面区域，于是，优选地镜面层的所有侧面区域在穿孔的区域中完全被绝缘层覆盖。换言之，镜面层通过绝缘层朝向穿孔以电的方式钝化。
绝缘层优选地具有与镜面层相同的厚度，也就是说，绝缘层优选地不在竖直方向上突出超过镜面层。竖直方向是关于镜面层的主延伸平面横向或垂直延伸的方向。平行于镜面层的主延伸平面的方向被指定为横向方向。
根据发光二极管芯片的至少一个实施例，发光二极管芯片包括n导电区、p导电区、以及处于n导电区与p导电区之间的有源区。此外，发光二极管芯片在p导电区的远离有源区的那侧具有镜面层。此外，发光二极管芯片包括形成有电绝缘材料的绝缘层。在这种情况下，镜面层被设计成反射在有源区中产生的电磁辐射，镜面层具有穿孔，其中镜面层的侧面区域在穿孔的区域中完全被绝缘层覆盖。
在这种情况下，证明绝缘层不仅在发光二极管芯片的操作期间，而且具体还在发光二极管芯片的制造期间作为电绝缘层是有用的。通过绝缘层，中空凹槽或底切或圆角可以被形成在发光二极管芯片的包含导电区和有源区的半导体主体的边缘区域中，在该中空凹槽中可以布置用于保护镜面层的钝化层。
根据发光二极管芯片的至少一个实施例，镜面层的其余外部区域没有绝缘层。也就是说，绝缘层仅被布置在镜面层处的穿孔的区域中。具体地，绝缘层可以在此处于与镜面层直接接触。相比较，镜面层的外部区域的其他区域没有绝缘层。通过举例的方式，在制造发光二极管芯片的过程中，从镜面层的外部区域的其他区域中去除绝缘层。
根据发光二极管芯片的至少一个实施例，绝缘层可以通过磷酸，特别是正磷酸（H3PO4）来蚀刻。这证明是特别有利的，由于以这种方式在发光二极管芯片的制造期间，可以与同样可以通过磷酸（特别是正磷酸）蚀刻的半导体材料共同地去除绝缘层。
根据发光二极管芯片的至少一个实施例，绝缘层被形成为具有无定形陶瓷材料或由无定形陶瓷材料构成。在这种情况下，具体地，无定形氧化铝（Al2O3）的使用证明是特别有利的，由于可以使用磷酸（特别是正磷酸）特别容易地去除该材料。
绝缘层例如通过溅射或气相沉积来制造。在这种情况下，“通过溅射制造”还具体指定实质特征，由于通过溅射制造的层可以例如通过电子显微镜执行的检查而与区别制造的层区分开。
根据发光二极管芯片的至少一个实施例，镜面层中的穿孔邻接下述开口：该开口延伸穿过p导电区和有源区正好进入或远至n导电区。换言之，开口被形成为穿过p导电区和有源区，该开口可以延伸远至或正好进入n导电区。在这种情况下，开口不完全穿透n导电区。开口被布置，其方式为使得开口邻接穿孔，以使得穿孔和开口形成连续的切口，该连续的切口从镜面层开始延伸远至或正好进入n导电区。在这种情况下，穿孔和开口优选地彼此独立地且关于彼此合轴地制造。穿孔和开口可以在横向方向上具有相同尺寸。
根据发光二极管芯片的至少一个实施例，穿孔和开口填充有导电材料，其中绝缘层被布置在导电材料与镜面层之间。也就是说，绝缘层以电绝缘方式将导电材料与镜面层分隔开。因此，在导电材料与镜面层之间不存在直接的电连接。穿孔和开口中的导电材料优选地用于在n侧与发光二极管芯片进行接触。也就是说，导电材料处于与发光二极管芯片的n导电半导体材料导电接触。在这种情况下，导电材料可以由金属形成或形成为具有金属，该金属在发光二极管芯片的操作期间对在有源区中产生的电磁辐射是反射性的。换言之，导电材料可以连接到发光二极管芯片的另一镜面或形成发光二极管芯片的另一镜面。
根据发光二极管芯片的至少一个实施例，发光二极管芯片具有辐射通过区域，该辐射通过区域由n导电区的远离p导电区的外部区域在一些地方形成。也就是说，发光二极管芯片在操作期间发出的大部分或全部电磁辐射通过由n导电区的外部区域形成的辐射通过区域。该辐射例如从此处通过以到达发光二极管芯片的辐射出射区域，该辐射出射区域由钝化层的远离n导电区的外部区域形成。在这种情况下，在发光二极管芯片的操作期间用于给有源区通电的电流分布优选被实现在由n导电区的外部区域形成的辐射通过区域下方。也就是说，具体地，发光二极管芯片在辐射通过区域处没有会吸收入射的电磁辐射的接触区域或电流分布结构。
根据发光二极管芯片的至少一个实施例，镜面层包含银或镜面层由银构成。银是在电场中易于迁移-易于所谓的电磁辐射-的金属。在这里描述的发光二极管芯片的情况下，可以以特别简单的方式保护镜面层免受水分的影响。为此目的，通过举例的方式，介电的电绝缘材料被布置在围绕整个半导体主体延伸的中空凹槽中。所述中空凹槽可以通过绝缘层以特别简单的方式来制造。由于特别是在水分的影响下，银在电场中易于迁移并且水分会导致镜面层的腐蚀，这里描述的发光二极管芯片证明在老化方面是特别稳定的。
根据发光二极管芯片的至少一个实施例，导电层被布置在镜面层的远离p导电区的此外部区域处，所述导电层在横向方向上突出超过镜面层、n导电区、p导电区和有源区，其中导电层在其面向镜面层的侧处可在一些地方随意地接近。换言之，导电层在横向方向上向外拉伸以远离半导体主体，半导体主体包括在镜面层下方的p导电区、n导电区和有源区。在这种情况下，导电层在其面向镜面层的侧处从发光二极管芯片的外部在一些地方可被随意地接近。在一些地方可随意接近的区域中，导电层形成发光二极管芯片的p侧连接区。以这种方式，发光二极管芯片的p侧连接区按照在横向方向上与发光二极管芯片的半导体主体间隔开的方式被布置。这证明是特别有利的，如果用于将在有源区中产生的电磁辐射完全或部分转换成具有重波的电磁辐射的转换元件意在布置在发光二极管芯片的辐射通过区域处。由于p侧连接区被布置在距半导体主体的一定距离处的事实，所以转换元件例如不必具有用于接触引线的切口。此外，接触引线不会干扰应用转换元件的处理。
根据发光二极管芯片的至少一个实施例，通过钝化层以电绝缘的方式将导电材料与导电层分隔开，其中，钝化层具有填充有导电材料的开口。开口中的导电材料在横向方向上周向地围绕发光二极管芯片的半导体主体。钝化层中的开口增加了发光二极管芯片耐水性。
此外，详述了一种用于制造发光二极管芯片的方法。例如，根据一个实施例的这里描述的发光二极管芯片，可以通过该方法制造这里描述的多个或所有实施例。换言之，针对发光二极管芯片描述的所有特征也被公开用于制造发光二极管芯片的方法，反之亦然。
该方法包括根据至少一个实施例的以下步骤：
首先，设置了p掺杂层。例如可以外延生长p掺杂层。为此目的，n掺杂层可以被外延沉积在生长基底上。有源区可以被外延沉积在n掺杂层的远离生长基底的那侧上。然后，例如在p掺杂层之后为有源区，其同样可以外延沉积。
在另一方法步骤中，将镜面层涂敷到p掺杂区的外部区域。外部区域在这种情况下优选为p掺杂层的远离有源区的外部区域。
在此之后是，通过至少在一些地方去除镜面层而在一些地方露出p掺杂层。也就是说，在预定区域中去除镜面层，使得在镜面层下方露出p掺杂层。
在此之后是，将绝缘层涂敷到没有镜面层的区域，其中，镜面层在其远离p掺杂层的侧与绝缘层齐平地终止，并且p掺杂层的侧面区域直接邻接绝缘层。换言之，其中已去除镜面层的区域填充有绝缘层。在这种情况下，绝缘层的厚度被选择为使得其对应于镜面层的厚度。在这种情况下，“齐平地终止”还包括镜面层比绝缘层厚或薄了绝缘层厚度的+/-10%的实施例。也就是说，例如，以通过制造进行管理的方式，绝缘层可以突出稍微超过镜面层，或镜面层可以突出稍微超过绝缘层。
在这种情况下，按照以下方式来涂敷绝缘层，该方式为使得绝缘层紧贴在镜面层的在露出p掺杂层的过程期间制造的侧面区域，并且处于与所述侧面区域的直接接触。
在另一方法步骤中，在镜面层的远离p掺杂层的那侧处涂敷承载体。在这种情况下，用于抑制来自或进入镜面层的原子和/或分子的扩散的诸如阻挡层的另外的层以及用于在镜面层处机械连接承载体的连接层可以处于镜面层与承载体之间。
最后，在一些地方去除绝缘层，其中，在承载体与p掺杂层之间产生中空凹槽。所述中空凹槽优选地在横向方向上完全围绕p掺杂层延伸。
随后，中空凹槽可以填充有用于形成钝化层的钝化材料。所述钝化材料于是用于保护半导体主体免受水分影响。
下面，基于示例性实施例并参照相关附图，更详细地说明了这里描述的发光二极管芯片以及还有这里描述的用于制造发光二极管芯片的方法。
在这种情况下，图1P和1Q示出了这里描述的发光二极管芯片的示例性实施例的示意图。
结合图1A至1Q，更详细地说明了这里描述的用于制造发光二极管芯片的方法的示例性实施例。
在附图中，相同的、相同类型的或起相同作用的元件设置有相同的附图标记。附图以及附图中示出的元件彼此之间的尺寸关系不应被认为是按比例的。而是，各个元件可以被示出为具有夸大的尺寸，以使得能够实现更好的图示和/或以提供更好的理解。
图1P示出了基于这里描述的发光二极管芯片的第一示例性实施例的示意截面视图。发光二极管芯片包括n导电区1和p导电区2。被设置成产生辐射的有源区3被布置在n导电区1与p导电区2之间。在这种情况下，导电区1、2和有源区3形成了发光二极管芯片的半导体主体。例如包含银或由银构成的镜面层4被布置在p导电区2的远离n导电区1的那侧。镜面层4具有穿孔41，在该穿孔41中，例如以圆柱形区域去除该镜面层。在本实例中例如由无定形氧化铝构成的绝缘层5被布置在镜面层4的面向穿孔41的侧面区域4a处。
开口8以合轴（centered）的方式邻接镜面层4的穿孔41，所述开口延伸穿过p导电区和有源区3，远至n导电区1。中立区2’’被布置在p导电区2的面向开口8的侧面区域处，所述中立区是通过p掺杂层2’的中立化而产生的。在这种情况下，中立区2’’在其侧面区域处周向地封装p导电区2。中立区2’’与p导电区2一起形成p掺杂层2’。
穿孔41和开口8填充有例如包含银和钛的导电材料6。在这种情况下，导电材料6也被实施为使得导电材料6对在有源区3中产生的电磁辐射是反射性的，其结果是，导电材料6形成用于电磁辐射的镜面。
导电层7被布置在镜面层4与导电材料6之间且在镜面层4的远离p导电区的此外部区域处，所述导电层例如包含金，并例如通过钛/金/钛的层序列形成。导电层7用于通过镜面层4与p导电区进行电接触。导电层7在横向方向1上延伸以离开镜面层4、p导电区2、n导电区1和有源区3。在发光二极管芯片的半导体主体外部，导电层7可在一些地方被随意地接近。导电层7在这里例如用作具有p侧连接区16的p侧连接位置。例如，可以通过接触引线在这里进行接触。
朝向导电材料6，导电层7通过钝化层12以电绝缘的方式被分隔开。电绝缘层12由例如二氧化硅构成并具有例如400nm与600nm之间的厚度，例如为450nm。
在本实例中，导电材料6用于与n导电区1进行电接触。在这种情况下，发光二极管芯片在本实例中通过承载体9在n侧通电，承载体9通过例如包含金的连接层14被导电地且机械固定地连接到导电材料6。在这种情况下，阻挡层13可以被布置在导电材料6与连接层14之间，所述阻挡层例如包含钛。阻挡层13防止进入或来自导电材料6的扩散过程。
承载体9优选地由诸如锗、钼、硅或铜的导电材料构成或包括上述导电材料。在图1P的示例性实施例中，承载体9优选地以电解方式来制造，也就是说，承载体9不通过粘合处理连接到发光二极管芯片的其余区域。以这种方式，钝化层12未暴露于过高的热负荷下。例如由二氧化硅构成的钝化层12以这种方式保持防水。
发光二极管芯片在其远离承载体9的侧设置有另一钝化层15，该另一钝化层15具体地填充p掺杂层2’’与承载体9之间的中空凹槽10。在这种情况下，钝化层15通过例如ALD（原子层沉积）来涂敷。通过这种方法，中空凹槽10可以具体填满有该另一钝化层15的材料。在这种情况下，钝化层15可以包含以下材料之一或由以下材料之一构成：Al2O3、ZrO2、TiO2、HfO2。
该另一钝化层15优选地被实施为透射辐射的，特别是透明的。该另一钝化层15在n导电层1的远离p导电层的那侧覆盖粗化部101，其被设置用于减少电磁辐射出现期间的全反射。n导电层1的面向该另一钝化层15并远离p导电区2的该外部区域形成了辐射通过区域102。
与图1P中的示例性实施例相比，结合图1Q的示例性实施例来描述这里描述的发光二极管芯片的另一示例性实施例，在图1Q中，钝化层12具有填充有导电材料6的开口12’。以这种方式，导电材料6围绕发光二极管芯片的所有半导体区域完全横向地延伸。
换言之，围绕整个发光二极管芯片延伸的中断以填充有导电材料6的开口12’的形式被引入到钝化层12中。以这种方式，发光二极管芯片用导电材料6横向周向地进行金属性封装。在图1Q的示例性实施例中，承载体9可以通过粘合处理连接到发光二极管芯片的其余区域。诸如硅或锗的导电半导体材料于是也适合作用于承载体的材料。由于周向延伸的开口12’产生钝化层12的中断，作为粘合的结果而发生的热负荷证明不是有害的。在没有所述热负荷的情况下，钝化层12本身已是防水的。然而，粘合的热负荷打开了被开口12’中断的水分的路径。
结合图1A至1Q中的示意截面图示，更详细地说明这里描述的用于制造发光二极管芯片的方法的示例性实施例。
首先，在可以由例如蓝宝石形成的生长基底11上外延生长半导体层堆。半导体层堆包括n导电区1和p掺杂层2’。有源区3被布置在n导电区1与p掺杂层2’之间，见图1A。
在另一方法步骤中，见图1B，镜面层4被涂敷到p掺杂层2’的远离生长基底的那侧，所述镜面层例如通过气相沉积来沉积。镜面层4可以包括银层，该银层可以在其远离p掺杂层2’的侧设置有由钛构成的覆盖层。
在后续方法步骤中，见图1C，通过光掩膜（未示出），通过在一些地方去除镜面层4以及露出p掺杂层2’来进行对镜面层4的图案化。
光掩膜（未示出）还保持用于下一方法步骤，见图1D，用于中立化p掺杂层2’的区域以形成中立区2’’。这可以通过例如Ar溅射来实现。以这种方式，p导电区2出现在当前镜面层4下方，所述p导电区通过中立区2’被横向地（也就是说，在横向方向上）且周向地封装。
在下一方法步骤中，见图1E，在本实例中由无定形Al2O3构成的绝缘层5通过溅射被涂敷到p掺杂层2’的露出区域。在这种情况下，绝缘层5覆盖镜面层4的侧面区域4a，具体是在穿孔41中。绝缘层5的厚度被选择为等于镜面层4的厚度。该方法步骤还是在针对图1C中的方法步骤施加的光掩膜的协助下实现的。随后可以去除光掩膜。
在下一方法步骤中，见图1F，涂敷导电层7，导电层7稍后部分地形成发光二极管芯片的p型连接区。通过示例，导电层7是以下层的序列：钛/金/钛。
在另一方法步骤1G中，例如通过CVD，将钝化层12涂敷到远离生长基底11的外部区域。
图1H示出了可选的方法步骤，其中，横向包围镜面层4的周向延伸的开口12’被引入到钝化层12中。需要光技术（phototechnique）用于此目的。该开口导致图1Q的示例性实施例。通过该开口，确保了由例如二氧化硅构成的钝化层没有延伸远至发光二极管芯片的边缘，并且在这里打开了延伸远至镜面层4的可能的水分通道。
在另一方法步骤中，见图1I，镜面层4中的穿孔41通过去除钝化层12和绝缘层5而露出，并且开口8被制造为穿过p导电区2和有源区3以远至n导电区1或正好进入n导电区1。需要进一步的光技术用于此目的。
在下一方法步骤中，见图1J，将导电材料6涂敷到远离生长基底11的露出的外部区域，导电材料6例如通过以下层形成：钛/银/钛。
图1K中的方法步骤涉及借助粘合或电沉积，通过连接层14和阻挡层13来涂敷承载体9。
在图1L中的方法步骤中，通过例如激光剥离方法去除生长基底。
在此之后是，例如通过KOH蚀刻，在n导电区1的远离承载体9的该外部区域处制造粗化部101，参见图1M。
在下一方法步骤中，见图1N，通过第四光技术来实现例如在H3PO4的协助下的台面蚀刻。在这种情况下，蚀刻剂例如停留在银上，但是去除区域1、2、2’’的半导体材料以及还有绝缘层5。也就是说，在中立区2’下方去除绝缘层5，以使得产生中空凹槽，其中露出镜面层4的侧面区域。换言之，在图案化之后，半导体主体在横向方向上横向地突出超过镜面层4。保持钝化层12不被蚀刻剂侵蚀。
在下一方法步骤中，见图1O，涂敷另一钝化层15，具体地，其完全填充中空凹槽10。在这种情况下，优选地通过ALD涂敷钝化层15。
在另一方法步骤中，见图1P、1Q，在p型连接区16的区域中去除另一钝化层15。
作为示出的示例性实施例的替选方案，发光二极管芯片还可以不通过承载体9，而是借助于位于导电材料6的远离承载体9的那侧的另一连接区，在n侧上接触连接。在这种情况下，电绝缘材料也可以用于承载体。
本发明不限于通过基于所述示例性实施例进行描述的示例性实施例。而是，本发明涵盖任何新颖的特征以及还有特征的任何组合，其具体地包括专利权利要求书中的特征的任何组合，即使该特征或其组合本身未在专利权利要求书或示例性实施例中明确说明。
本专利申请要求德国专利申请102010044986.5的优先权，其公开内容通过引用并入本申请。
附图标记列表
1n导电区
101粗化部
102辐射通过区域
2p导电区
2’p掺杂层
2’ap掺杂层的侧面区域
2’’中立区
3有源区
4镜面层
4a镜面层的侧面区域
41穿孔
5绝缘层
6导电材料
7导电层
8开口
9承载体
10中空凹槽（还有底切或圆角）
11生长基底
12钝化层
12’钝化层中的开口
13阻挡层
14连接层
15另一钝化层
16连接区
Claims (13)
1.一种发光二极管芯片，包括：
-n导电区(1)；
-p导电区(2)；
-有源区(3)，所述有源区(3)处于所述n导电区(1)与p导电区(2)之间；
-镜面层(4)，所述镜面层(4)处于所述p导电区(2)的远离所述有源区(3)的那侧；以及
-绝缘层(5)，所述绝缘层(5)被形成为具有电绝缘材料，其中
-所述镜面层(4)被设计成反射在所述有源区(3)中产生的电磁辐射；以及
-所述镜面层(4)具有穿孔(41)，其中，所述镜面层(4)的侧面区域(4a)在所述穿孔(41)的区域中完全被所述绝缘层(5)覆盖，
其中，所述镜面层(4)的其余外部区域没有所述绝缘层(5)，并且其中所述绝缘层不在竖直方向上突出超过所述镜面层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，
其中，所述绝缘层(5)具有与所述镜面层(4)相同的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，
其中，所述绝缘层(5)能够通过正磷酸来蚀刻。
4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，
其中，所述绝缘层(5)由无定形陶瓷材料构成。
5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，
其中，所述绝缘层(5)被形成为具有无定形Al2O3或由无定形Al2O3构成。
6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，
其中，所述穿孔(41)邻接开口(8)，所述开口(8)延伸穿过所述p导电区(2)和所述有源区(3)、正好进入所述n导电区(1)中或远至所述n导电区(1)。
7.根据权利要求6所述的发光二极管芯片，
其中，所述穿孔(41)和所述开口(8)填充有导电材料(6)，其中，所述绝缘层(5)被布置在所述导电材料(6)与所述镜面层(4)之间。
8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，包括
-辐射通过区域(102)，所述辐射通过区域(102)由所述n导电区(1)的远离所述p导电区(2)的外部区域在一些地方形成，其中
-在所述辐射通过区域(102)下方实现用于在所述发光二极管芯片的操作期间使所述有源区(3)通电的电流分布。
9.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，
其中，所述镜面层(4)包含银或由银构成。
10.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，
其中，导电层(7)被布置在所述镜面层(4)的远离所述p导电区(2)的此外部区域，所述导电层在横向方向上突出超过所述镜面层(4)、所述n导电区(1)、所述p导电区(2)和所述有源区(3)，其中，所述导电层(7)在其面向所述镜面层(4)的侧能够在一些地方被随意地接近。
11.根据权利要求10所述的发光二极管芯片，
其中，所述穿孔(41)邻接开口(8)，所述开口(8)延伸穿过所述p导电区(2)和所述有源区(3)、正好进入所述n导电区(1)中或远至所述n导电区(1)，
其中，所述穿孔(41)和所述开口(8)填充有导电材料(6)，其中，所述绝缘层(5)被布置在所述导电材料(6)与所述镜面层(4)之间，并且
其中，所述导电材料(6)通过钝化层(12)以电绝缘的方式与所述导电层(7)分隔开，其中，所述钝化层(12)具有开口(12’)，所述开口(12’)填充有所述导电材料(6)。
12.一种用于制造发光二极管芯片的方法，包括以下步骤：
-设置p掺杂层(2’)；
-将镜面层(4)涂敷到所述p掺杂层(2’)的外部区域(21)；
-通过在一些地方去除所述镜面层(4)而在一些地方露出所述p掺杂层(2’)；
-将绝缘层(5)涂敷到没有所述镜面层(4)的区域中，其中，所述镜面层(4)在其远离所述p掺杂层(2’)的侧与所述绝缘层(5)齐平地终止，并且所述p掺杂层(2’)的侧面区域(2’a)直接邻接所述绝缘层(5)；
-将承载体(9)涂敷在所述镜面层(4)的远离所述p掺杂层(2’)的那侧；以及
-在一些地方去除所述绝缘层(5)，以在所述承载体(9)与所述p掺杂层(2’)之间产生中空凹槽(10)，使得所述绝缘层(5)不在竖直方向上突出超过所述镜面层(4)。
13.根据权利要求12所述的方法，
其中，制造根据权利要求1至11中任一项所述的发光二极管芯片。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102010044986A DE102010044986A1 (de) | 2010-09-10 | 2010-09-10 | Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips |
| DE102010044986.5 | 2010-09-10 | ||
| PCT/EP2011/063881 WO2012031852A1 (en) | 2010-09-10 | 2011-08-11 | Light-emitting diode chip and method for producing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103098235A CN103098235A (zh) | 2013-05-08 |
| CN103098235B true CN103098235B (zh) | 2016-04-20 |
Family
ID=44630219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201180043421.7A Active CN103098235B (zh) | 2010-09-10 | 2011-08-11 | 发光二极管芯片及其制造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9276167B2 (zh) |
| EP (1) | EP2614534B1 (zh) |
| JP (1) | JP5686900B2 (zh) |
| KR (1) | KR20130060312A (zh) |
| CN (1) | CN103098235B (zh) |
| DE (1) | DE102010044986A1 (zh) |
| TW (1) | TWI478391B (zh) |
| WO (1) | WO2012031852A1 (zh) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102011016302A1 (de) | 2011-04-07 | 2012-10-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| DE102011016935A1 (de) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements und Licht emittierendes Halbleiterbauelement |
| JP5912442B2 (ja) * | 2011-11-17 | 2016-04-27 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
| DE102012107921A1 (de) * | 2012-08-28 | 2014-03-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
| DE102012108879B4 (de) | 2012-09-20 | 2024-03-28 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip mit mehreren nebeneinander angeordneten aktiven Bereichen |
| DE102013100818B4 (de) * | 2013-01-28 | 2023-07-27 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
| DE102013103079A1 (de) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
| DE102013107531A1 (de) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| JP6398323B2 (ja) * | 2014-05-25 | 2018-10-03 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
| CN106848027B (zh) * | 2015-12-03 | 2019-08-23 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 高可靠性垂直倒装led芯片的制备方法 |
| DE102016106928A1 (de) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
| US10340415B2 (en) | 2016-09-01 | 2019-07-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device package including the same |
| KR102524303B1 (ko) | 2016-09-10 | 2023-04-24 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 반도체 소자 |
| EP3514840A4 (en) | 2016-09-13 | 2019-08-21 | LG Innotek Co., Ltd. | SEMICONDUCTOR COMPONENT AND SEMICONDUCTOR COMPONENT HOUSING THEREWITH |
| US10903395B2 (en) | 2016-11-24 | 2021-01-26 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor device having varying concentrations of aluminum |
| JP6645486B2 (ja) * | 2017-02-13 | 2020-02-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| KR102390828B1 (ko) | 2017-08-14 | 2022-04-26 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 반도체 소자 |
| WO2022247742A1 (zh) * | 2021-05-24 | 2022-12-01 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种led芯片及其制作方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101681958A (zh) * | 2007-04-26 | 2010-03-24 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 光电子半导体本体及其制造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10147886B4 (de) * | 2001-09-28 | 2006-07-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiode mit vergrabenem Kontakt und Herstellungsverfahren |
| US6828596B2 (en) | 2002-06-13 | 2004-12-07 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices |
| JP4946195B2 (ja) | 2006-06-19 | 2012-06-06 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2008053685A (ja) | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法 |
| KR100856089B1 (ko) | 2006-08-23 | 2008-09-02 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법 |
| TWI416754B (zh) * | 2007-07-19 | 2013-11-21 | Epistar Corp | 一發光元件 |
| KR100946523B1 (ko) | 2008-04-24 | 2010-03-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| DE102008030584A1 (de) | 2008-06-27 | 2009-12-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und optoelektronisches Bauelement |
| US8008683B2 (en) * | 2008-10-22 | 2011-08-30 | Samsung Led Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| DE202009017981U1 (de) * | 2009-02-25 | 2010-10-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon | Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung und Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungs-Baugruppe, die diese verwendet |
| JP5312988B2 (ja) * | 2009-03-04 | 2013-10-09 | スタンレー電気株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-09-10 DE DE102010044986A patent/DE102010044986A1/de active Pending
-
2011
- 2011-08-11 JP JP2013527527A patent/JP5686900B2/ja active Active
- 2011-08-11 KR KR1020137008264A patent/KR20130060312A/ko active Search and Examination
- 2011-08-11 US US13/820,999 patent/US9276167B2/en active Active
- 2011-08-11 CN CN201180043421.7A patent/CN103098235B/zh active Active
- 2011-08-11 EP EP11743539.6A patent/EP2614534B1/en active Active
- 2011-08-11 WO PCT/EP2011/063881 patent/WO2012031852A1/en active Application Filing
- 2011-09-05 TW TW100131878A patent/TWI478391B/zh active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101681958A (zh) * | 2007-04-26 | 2010-03-24 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 光电子半导体本体及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9276167B2 (en) | 2016-03-01 |
| DE102010044986A1 (de) | 2012-03-15 |
| EP2614534A1 (en) | 2013-07-17 |
| TW201232833A (en) | 2012-08-01 |
| JP2013539603A (ja) | 2013-10-24 |
| JP5686900B2 (ja) | 2015-03-18 |
| TWI478391B (zh) | 2015-03-21 |
| US20130228798A1 (en) | 2013-09-05 |
| KR20130060312A (ko) | 2013-06-07 |
| CN103098235A (zh) | 2013-05-08 |
| WO2012031852A1 (en) | 2012-03-15 |
| EP2614534B1 (en) | 2020-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103098235B (zh) | 发光二极管芯片及其制造方法 | |
| TWI524550B (zh) | 用於製造光電半導體晶片之方法及光電半導體晶片 | |
| TWI499090B (zh) | 光電半導體晶片 | |
| CN102428581B (zh) | 光电子器件 | |
| CN105637636B (zh) | 用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 | |
| CN103098242B (zh) | 发光二极管芯片 | |
| KR102305162B1 (ko) | 광전 반도체 소자를 제조하기 위한 방법 및 광전 반도체 소자 | |
| CN105593991B (zh) | 发射辐射的半导体芯片和用于制造发射辐射的半导体芯片的方法 | |
| US20150129901A1 (en) | Optoelectronic Semiconductor Chip and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Chip | |
| CN105977359A (zh) | 光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 | |
| JP6577659B2 (ja) | オプトエレクトロニクス部品の製造方法 | |
| US20160005930A1 (en) | Optoelectronic semiconductor chip encapsulated with an ald layer and corresponding method of production | |
| US10784408B2 (en) | Optoelectronic semiconductor chip and method of producing an optoelectronic semiconductor chip | |
| CN104956501A (zh) | 用ald层封装的光电子半导体芯片和相应的制造方法 | |
| CN104813487A (zh) | 光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 | |
| KR102268352B1 (ko) | 광전 반도체 칩 | |
| US10573787B2 (en) | Light-emitting semiconductor chip and method for producing a light-emitting semiconductor chip | |
| KR20150087352A (ko) | 광전자 반도체칩의 접속 영역의 제조 방법 | |
| US20220293815A1 (en) | Method for producing a radiation emitting semiconductor chip and radiation emitting semiconductor chip |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |