CN103097568A - 薄膜沉积设备和薄膜沉积系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种薄膜沉积设备，该薄膜沉积设备使得基板和沉积掩膜的布置/对准时间的处理等待时间最短。为此，所述薄膜沉积设备包括：室，该室具有反应空间；第一基板保持件和第二基板保持件，在所述室中，在所述第一基板保持件和所述第二基板保持件之间设置有用于接收基板的空间；沉积源，该沉积源设置在所述第一基板保持件和所述第二基板保持件之间，以向所述第一基板保持件和所述第二基板保持件供应沉积材料；以及固定单元，当所述基板被接收在所述第一基板保持件和所述第二基板保持件中时，该固定单元将所述第一基板保持件和所述第二基板保持件放置在所述室中的预定位置。因而，能够实现基板和掩膜的稳定对准。

Description

薄膜沉积设备和薄膜沉积系统

技术领域

本发明涉及膜沉积设备，并且更具体地涉及用于在基板上沉积膜的膜沉积设备和膜沉积系统。

背景技术

作为自发光装置的有机发光二极管（OLED）不需要背光源并且比LCD更加节能。此外，由于OLED具有广视角和高响应速度，因此利用OLED形成的显示器能够显示既不具有视角问题也不具有余像问题的高质量图像。

这样的OLED通过将多个膜（例如有机膜或金属膜）堆叠在玻璃基板上来制造。为了沉积多个膜，常规上，主要使用聚类方法，在该聚类方法中，在绕圆形输送室布置并且连接到该圆形输送室的多个单元室中执行一系列单元处理。在聚类方法中，玻璃基板在这些室之间以水平位置被输送并且然后经受装置处理。聚类方法能够连续且快速地执行一系列处理，并且因为聚类方法允许容易更换主要用于制造OLED的沉积掩膜，因此该聚类方法也是有利的。

近来，基于利用精细金属掩膜（FMM）在大型基板上顺序地形成蓝色（B）、绿色（G）和红色（R）发光层的所谓三色独立像素方案的OLED已引人关注。三色独立像素方案实现有优良的色纯度和光效率并且还是成本有效的。

然而，由于三色独立像素方案必须在独立的处理室中顺序地形成蓝色（B）、绿色（G）和红色（R）发光层，因此其中用于执行单元处理的处理室沿直线排列的直列架构适于三色独立像素方案。因而，常规的聚类方法必须被转换成直列架构。然而，直列架构的缺点在于，在建立生产线时由于显著的设备叠置而增加成本并且由于处理速度慢而降低生产率。

同时，由于常规的聚类方法在水平放置的基板上进行膜沉积（有机膜沉积），因此基板偏转显著，这对制造装置带来许多困难。而且，用于大型基板的沉积掩膜由于它们达至数百千克重的重量而使得基板偏转更加显著，这也造成诸如基板破裂的严重问题。

发明内容

[技术问题]

因而，下列说明涉及通过一起处理多个基板并且使得用于基板和掩膜的沉积/布置的准备时间（lead time）最短而能够实现高生产率的膜沉积设备以及包括该膜沉积设备的膜沉积系统。

而且，下列说明涉及通过在两个或更多个处理步骤中共享共同使用的设备而能够节省用于建立生产线的成本的膜沉积设备以及包括该膜沉积设备的膜沉积系统。

而且，下列说明涉及通过在将基板竖直地立起之后执行膜沉积而能够防止基板掉落的膜沉积设备以及包括该膜沉积设备的膜沉积系统。

[技术方案]

根据本发明，提供了一种膜沉积设备，该膜沉积设备包括：室，在该室中形成反应空间；第一基板保持件和第二基板保持件，所述第一基板保持件和所述第二基板保持件构造成在其中容纳基板并且彼此间隔开；沉积源，该沉积源设置在所述第一基板保持件和所述第二基板保持件之间，以向所述基板供应沉积材料；以及固定单元，当所述基板分别容纳在所述第一基板保持件和所述第二基板保持件中时，该固定单元使得所述第一基板保持件和所述第二基板保持件固定在所述室中的预定位置处达预定时间。

根据本发明，提供了一种膜沉积系统，该膜沉积系统包括：多个单元；以及第一处理线路和第二处理线路，所述第一处理线路和所述第二处理线路分别安装在所述多个单元中，其中，所述多个单元中的至少一个单元包括：第一基板保持件，该第一基板保持件形成所述第一处理线路；第二基板保持件，该第二基板保持件形成所述第二处理线路并且与所述第一基板保持件间隔开；以及沉积源，该沉积源设置在所述第一基板保持件和所述第二基板保持件之间，以向所述基板供应沉积材料。

[有利效果]

因此，根据本发明，由于借助安装在处理室中的沉积源在设置于每个处理室中的多个处理线路上连续地执行膜沉积，因此能够实现成本的降低和生产率的提高。

而且，由于在每个处理室中被输送的第一基板保持件和第二基板保持件被固定在所述处理室中的预定位置，因此能够提高布置基板/掩膜的可靠性。

而且，由于当在一个处理线路上对一个基板执行膜沉积时，在另一处理线路上执行相对于另一基板的基板输送和基板/掩膜布置，因此能够减少准备时间，这进一步提高了生产率。

另外，由于基板在水平位置中被输送以防止基板损坏并且在处于竖直地立起状态下的基板上执行膜沉积，因此减少基板掉落，这有利于装置的制造。

附图说明

图1是示出根据一实施方式的膜沉积系统的平面图。

图2是示出包括在图1的膜沉积系统中的膜沉积设备的平面图。

图3是用于说明其中第一基板保持件或第二基板保持件在包括于图1的膜沉积系统中的膜沉积设备中沿一方向行进的过程的图。

图4示出当第一基板保持件或第二基板保持件由图3所示的膜沉积设备中的固定单元固定时的状态。

图5示出当第一基板保持件或第二基板保持件的行进由图3所示的膜沉积设备中的行进控制单元引导时的状态。

图6是用于说明行进控制单元在图3所示的膜沉积设备中操作的过程的图。

图7至图12是用于说明根据一实施方式的膜沉积系统的单元处理的平面图。

具体实施方式

根据本发明，提供了一种膜沉积设备，该膜沉积设备包括：室，在该室中形成反应空间；第一基板保持件和第二基板保持件，所述第一基板保持件和所述第二基板保持件构造成在其中容纳基板并且彼此间隔开；沉积源，该沉积源设置在所述第一基板保持件和所述第二基板保持件之间，以向所述基板供应沉积材料；以及固定单元，当所述基板分别容纳在所述第一基板保持件和所述第二基板保持件中时，该固定单元使得所述第一基板保持件和所述第二基板保持件固定在所述室中的预定位置处预定时间。

根据本发明，提供了一种膜沉积系统，该膜沉积系统包括多个单元、以及第一处理线路和第二处理线路，所述第一处理线路和所述第二处理线路分别安装在所述多个单元中，其中，所述多个单元中的至少一个单元包括：第一基板保持件，该第一基板保持件形成所述第一处理线路；第二基板保持件，该第二基板保持件形成所述第二处理线路并且与所述第一基板保持件间隔开；以及沉积源，该沉积源设置在所述第一基板保持件和所述第二基板保持件之间，以向所述基板供应沉积材料。

[本发明的实施方式]

在下文中参照附图更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施方式。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，因此不应被视为局限于本文所阐述的示例性实施方式。而且，提供这些示例性实施方式使得本公开内容变得完整，并且将向本领域技术人员全面传达本发明的范围。在附图中，层和区域的尺寸和相对尺寸为了清楚起见而可能被放大。附图中相同的附图标记表示相同的元件。

参照图1和图2，该膜沉积系统是基于直列式架构，其中，多个单元200和600在作为前部台架的加载单元110和作为后部台架的卸载单元120之间沿直线排列。这里，每个单元200和600均包括两个处理线路PL1和PL2（在下文中，被称为第一处理线路和第二处理线路）。能够在第一处理线路PL1和第二处理线路PL2上连续地执行单元处理，使得在第一处理线路PL1上执行单元处理时在第二处理线路PL2上进行用于单元处理的准备。

加载单元110用于接收在大气压力下经受预处理的基板G并且将基板G放入处于真空状态下的处理单元中。卸载单元120用于从处理单元263接收经受一系列单元处理的基板G，并且在大气压力下引出基板G以用于后处理。因而，加载单元110和卸载单元120被构造成允许在大气状况和真空状况之间转换。另外，加载单元110和卸载单元120均可以被连接到图中未示出的诸如机器人臂的基板搬运装置和诸如基板盒的基板装载装置。

单元200和600包括多个用于执行单元处理的处理单元（200：210，220，230，240，250，260）和插设在处理单元200之间的多个减振器（600：610，620）。减振器600提供在基板G进入下一处理之前基板G临时停放所在的临时空间。而且，每个处理单元200的一端均连接到第一掩膜容纳单元310，以将第一沉积掩膜M1供应到第一处理线路PL1上。而且，每个处理单元200的另一端均连接到第二掩膜容纳单元320，以将第二沉积掩膜M2供应到第二处理线路PL2上。第一掩膜容纳单元310和第二掩膜容纳单元320分别存储将用于膜沉积的沉积掩膜M1和M2或者将取代沉积掩膜M1和M2的额外沉积掩膜。然而，第一掩膜容纳单元310和第二掩膜容纳单元320可以是与每个处理单元200连接的单个共享的掩膜容纳单元。另外，用于向沉积源540供应材料的供给器可以连接到单元200和600中的一些单元。

单元200构造成对基板G进行一系列装置处理。例如，当前实施方式构造成在预先形成有空穴的基板G上顺序地堆叠空穴注入层（HIL）、空穴输送层（HTL）、发光材料层（EML）、电子输送层（ETL）、电子注入层（EIL）以及负电极，因此形成有机发光二极管（OLED）。为此，HIL形成单元210、HTL形成单元220、EML形成单元230、ETL形成单元240、EIL形成单元250以及负电极形成单元260沿直线连接。EML形成单元230可以进一步包括蓝色EML形成单元231、绿色EML形成单元232和红色EML形成单元233，以显示自然色，并且负电极形成单元260可以进一步包括多个负电极形成单元261、262和263，以形成呈多层结构的负电极。

包括在具有上述结构的膜沉积系统中的多个装置中的至少一个装置可以是膜沉积设备200，并且在下文中，将参照图2详细地描述膜沉积设备200的结构。

膜沉积设备200包括室100、第一基板保持件520、第二基板保持件530、沉积源540以及固定单元10（参见图3）。

室100可以具有六面体形状。室100中包含用于处理基板G1和G2的反应空间。室100包括沿着第一处理线路对准的第一基板入口511a、第一基板保持件520和第一基板出口512a。室100还包括也沿着第二处理线路对准的第二基板入口511b、第二基板保持件530和第二基板出口512b。第一基板入口511a和第二基板入口511b形成在室100的壁中，并且彼此间隔开。第一基板出口512a和第二基板出口512b形成在室100的与形成第一基板入口511a和第二基板入口511b的室壁相对的另一壁中，并且第一基板出口512a和第二基板出口512b也彼此间隔开。第一基板入口511a和第二基板入口511b以及第一基板出口512a和第二基板出口512b可以是狭缝阀。

第一基板保持件520和第二基板保持件530均包括：支承板521，该支承板用于支承基板G1或G2的背面侧；夹子522，该夹子附接到支承板521以固定基板G1或G2；以及驱动单元（未示出），该驱动单元用于竖直地立起支承板521或者将支承板水平放置。与当前实施方式不同，如果基板G1和G2在其竖直地立起状态下放入单独的处理单元210、22、230、240、250和260中，则可以不需要该驱动单元。

在支承板521内或其下方可以设置温度控制单元523，使得安装在支承板521上的基板G1或G2能够保持在适于处理的温度。温度控制单元523可以是用于冷却基板G1或G2的冷却单元、用于加热基板G1或G2的加热单元、或者它们的组合。当前实施方式通过利用冷却单元将基板G1和G2保持在处理温度而改善了基板G1和G2与沉积在该基板G1和G2的上表面上的沉积材料之间的反应性。

夹子522夹持基板G1和G2的边缘，以在将水平地安装在支承板521上的基板G1和G2竖直地立起时防止该基板G1和G2移动。在当前实施方式中，均具有预定沉积图案的沉积掩膜M1和M2分别形成在基板G1和G2上，以在基板G1和G2上形成薄膜图案。因而，夹子522可以构造成将基板G1和G2以及沉积掩膜M1和M2全部牢固地固定在支承板521上。

第一基板保持件520和第二基板保持件530构造成在其中分别容纳基板G1和G2。而且，第一基板保持件520和第二基板保持件530在同一竖直面上彼此间隔开预定距离，使得当第一基板保持件520和第二基板保持件530中的任何一个基板保持件旋转而处于其水平位置或竖直位置时，该基板保持件既不与另一个基板保持件接触也不彼此影响。

沉积源540设置在第一基板保持件520和第二基板保持件530之间。详细地，沉积源540定位成面向基板G1和G2中的旋转成处于竖直位置以进行沉积处理的那个基板，并且沉积源540用于朝向基板G1或G2的面对表面（即，沉积表面）供应蒸发材料。沉积源540具有图中未示出的用于存储材料的室、用于使材料蒸发的加热单元、以及用于分配蒸发材料的分配器。沉积源540可以是点式沉积源、线式沉积源或面式沉积源。在当前实施方式中，沉积源540是点式沉积源，其中，多个点式沉积源541和542沿直线排列。点式沉积源540借助往复式驱动单元而沿左右方向移动和返回，以将材料均匀地分配在基板G1或G2的表面上。在该基板G1或G2竖直立起时执行将材料分配在基板G1或G2上的过程。为了将基板G1和G2保持处于竖直位置，第一基板保持件520和第二基板保持件530将基板G1和G2支承为与地面垂直。

具体地，沉积源540构造成将其分配方向相对于第一基板保持件520旋转180°，以将材料分配到第二基板保持件530；或者沿相反方向旋转180°，以将材料分配到第一基板保持件520。因而，能够使用单个沉积源540，以用于在单个设备中安装的两条处理线路。

现在，在下文中将参照图1示意性地描述由具有上述结构的膜沉积系统执行的膜沉积处理。

首先，将借助预处理已形成有正电极的基板G在大气压力下放入加载单元110中，并且加载单元110变成真空状态。然后，将基板G顺序地放入处理单元210、220、230、240、250和260中，以沿着被交替地选择的第一处理线路和第二处理线路执行一系列单元处理。换言之，基板G在真空状态下被顺序地放入HIL形成单元210、HTL形成单元220、蓝色IML形成单元231、绿色EML形成单元232以及红色EML形成单元233中。因而，在各基板G的正电极上顺序地形成HIL、HTL和EML。接着，将基板G顺序地放入ETL形成单元240、EIL形成单元250以及负电极形成单元261、262和263中。结果，在各基板G的EML上形成ETL、EIL和多个负电极，从而形成OLED。之后，将所形成的基板G输送到卸载单元120并然后在大气压力下在外部排出。

同时，参照图3和图4，膜沉积设备可包括固定单元10。当容纳有基板G的第一基板保持件520和第二基板保持件530被输送到室中时，第一基板保持件520和第二基板保持件530在室内的预定位置处由固定单元10捕获，并且被固定在该预定位置处预定时间段。该预定位置是容纳在第一基板保持件520和第二基板保持件530中的基板G与掩膜精确对准所在的位置。因而，可以根据制造商的设计而在各基板上形成正确的膜图案。

基板与掩膜之间的精确对准任选地由诸如电荷耦合装置（CCD）、互补式金属氧化物半导体（CMOS）之类的图像拾取装置来执行。在上述的当前实施方式中，由于容纳有基板G的第一基板保持件520和第二基板保持件530在预定位置处由固定单元10稳定地固定，因此实现基板G和掩膜之间的稳定对准。

同时，固定单元10可包括固定部11和升降部12。固定部11捕获升降部12，使得该升降部12通过固定部11插入第一基板保持件520和第二基板保持件530的底部中。升降部12的至少一部分形成为当第一基板保持件520和第二基板保持件530固定在预定位置时插入固定部11中。升降部12可包括液压缸。另选地，升降部12可包括线性马达。

固定部11可以形成为锥形形状。升降部12的末端也可以形成为锥形形状，以被容纳在固定部11中。另选地，固定部11可以形成为柱形形状，并且在该情况下，升降部12的末端可以形成为半球形，以容易被插入固定部11中或从该固定部11抽出。

同时，参照图5和图6，膜沉积设备可进一步包括多个行进控制单元20。这些行进控制单元限制第一基板保持件520和第二基板保持件530沿预定方向的行进。

各行进控制单元20可包括引导部21和驱动部22。这些引导部（均为21）定位成与第一基板保持件520和第二基板保持件530中的每个的两侧相邻，以引导第一基板保持件520和第二基板保持件530的行进。驱动部22使得引导部21靠近或远离第一基板保持件520和第二基板保持件530移动。各驱动22均可以为线性马达。另选地，驱动部22可以是液压缸。

引导部21可以是多个辊，这些辊在第一基板保持件520和第二基板保持件530中的每个的两则处沿着一个边缘布置。当将第一基板保持件520和第二基板保持件530放入到室中以使得在基板上分配沉积材料时，这些辊借助驱动部22移动成靠近于第一基板保持件520和第二基板保持件530。辊之间的间隔的最大值可以被适当地设定，以防止第一基板保持件520和第二基板保持件530过分倾斜而偏离辊。辊之间的间隔的最小值被设定成比第一基板保持件520和第二基板保持件530中的每个的厚度均略窄。

通过借助多个辊来移动第一基板保持件520和第二基板保持件530，能够实现第一基板保持件520和第二基板保持件530的稳定的移动。而且，多个辊用于在将沉积材料沉积在基板G上时稳定地保持第一基板保持件520和第二基板保持件530，由此抵抗相邻元件的振动。因此，能够改善在基板上沉积沉积材料方面的可靠性。

另外，由于在基板G与掩膜对准时第一基板保持件520和第二基板保持件530的上部由行进控制单元20保持，因此能够实现稳定的对准。

同时，可以在第一基板保持件520和第二基板保持件530的底部的下方设置输送辊30。输送辊30布置在每个室（未示出）中。输送辊30用于使第一基板保持件520和第二基板保持件530沿一方向移动。然而，还可以在第一基板保持件520和第二基板保持件530的底部的下方设置输送带而不是该输送辊30。

同时，在膜沉积处理中，各基板G均在垂直于地面的竖直地立起位置中被输送。然而，各基板G还可以在平行于地面的水平位置中被输送。当基板G在平行于地面的水平位置中被输送时，需要将基板G在单独的处理单元210、220、230、240、250和260中水平地立起的处理。以下将参照图7至图12详细地描述该过程。图7至图12是用于说明根据一实施方式的膜沉积系统的单元处理的平面图。

如图7所示，在其水平位置从第一处理线路被输送的第一基板G1通过第一基板入口511a被放入处理单元200中，然后将第一基板G1安装在水平地放置的第一基板保持件520的支承板上。接着，从与处理单元200连接的第一腌膜容纳单元310提供第一沉积掩膜M1，并且将第一沉积掩膜M1放置在第一基板G1上（图8）。然后，如图8所示，第一基板保持件520的夹子522夹持基板G1和第一沉积掩膜M1，然后将第一基板保持件520旋转90°而处于竖直状态。因而，第一基板G的表面面对沉积源540的分配方向。当沉积源540朝向第一基板G1分配蒸发材料时，执行在第一基板G1上沉积膜的第一膜沉积处理。

如图9所示，在将第一基板G1放入处理单元200时或之后，在其水平位置从第二处理线路被输送的第二基板G2通过第二基板入口511b被放入处理单元200中。将第二基板G2安装在水平地放置的第二基板保持件530的支承板上，并且从与处理单元200连接的第二腌膜容纳单元320供应第二沉积掩膜M2（参见图10），然后将第二沉积掩膜M2放置并设置在第二基板G2上。接着，如图10所示，当第二基板保持件530的夹子512夹持第二基板G2和第二沉积掩膜M2时，将第二基板保持件530旋转90°而处于竖直状态。这里，可以在第一膜沉积处理时间段执行沉积/布置第二基板G2和第二沉积掩膜M2的处理，以使准备时间最短并且提高生产率。

接着，如图11所示，当第一膜沉积处理完成时，沉积源540的沉积方向相对于第一基板保持件520旋转180°。因而，沉积源540的分配方向面对第二基板G2的表面，并且当沉积源540在第二基板G2的表面上分配蒸发材料时，执行在第二基板G2上沉积膜的第二膜沉积处理。同时，如图12所示，在执行第二膜沉积处理时，第一基板保持件520返回到其水平状态并且第一沉积膜M1与第一基板G1分离。之后，第一基板G1通过第一基板出口512a被排出，然后被置于下一个单元处理。同时，在第一膜沉积处理和第二膜沉积处理之后与第一基板G1分离的第一沉积掩膜M1以及与第二基板G2分离的第二沉积掩膜M2都停留在对应单元中以用于随后的沉积处理，并且第一沉积掩膜M1和第二沉积掩膜M2当其由于遭受污染、破裂等而必须被更换时被输送到第一掩膜容纳单元310和第二掩膜容纳单元320并且然后被引出。之后，第一沉积掩膜M1和第二沉积掩膜M2通过清洗、修复等被重新使用。然而，第一掩膜容纳单元310和第二掩膜容纳单元320还可以包含将用于更换使用后的沉积掩膜的附加沉积掩膜。

这样，由于根据上述实施方式的膜沉积系统允许设置在单独的处理单元210、220、230、240、250和260中的单个沉积源540在安装于单独的处理单元210、220、230、240、250和260中的多条处理线路PL1和PL2上执行连续的膜沉积处理，因此能够实现成本的降低和生产率的提高。此外，由于当在一条处理线路上对一个基板执行膜沉积时在另一条处理线路上执行另一基板输送和相对于另一基板的基板/掩膜布置，因而能够减少准备时间，这进一步提高了生产率。

以上已描述了多个实施例。然而，应理解的是可以进行各种修改。例如，如果所描述的技术以不同的顺序执行和/或如果在所描述的系统、架构、装置或回路中的部件以不同的方式组合和/或由其它部件或它们的等同物取代或增补，则也可以实现适当的结果。因而，其它实施方式处于下述权利要求的范围内。

[产业应用性]

根据本发明的薄膜沉积设备和薄膜沉积系统用于制造有机发光二极管。

Claims (16)

1.一种膜沉积设备，该膜沉积设备包括：

室，在该室中形成有反应空间；

第一基板保持件和第二基板保持件，所述第一基板保持件和所述第二基板保持件构造成在其内容纳基板并且所述第一基板保持件和所述第二基板保持件彼此间隔开；

沉积源，该沉积源设置在所述第一基板保持件和所述第二基板保持件之间，以向基板供应沉积材料；以及

固定单元，当所述基板分别容纳在所述第一基板保持件和所述第二基板保持件中时，该固定单元使得所述第一基板保持件和所述第二基板保持件固定在所述室中的预定位置处达预定时间。

2.根据权利要求1所述的膜沉积设备，其中，所述第一基板保持件和所述第二基板保持件将所述基板支承为相对于地面垂直。

3.根据权利要求2所述的膜沉积设备，其中，所述固定单元包括：

固定部，该固定部构造成允许从所述第一基板保持件的底部和所述第二基板保持件的底部向上插入；以及

升降部，当所述第一基板保持件和所述第二基板保持件被固定在所述预定位置时，该升降部的至少一部分插入所述固定部中或者从所述固定部抽出。

4.根据权利要求3所述的膜沉积设备，该膜沉积设备还包括行进控制单元，该行进控制单元用于限制所述第一基板保持件和所述第二基板保持件沿一方向的行进。

5.根据权利要求4所述的膜沉积设备，其中，所述行进控制单元包括：

引导部，该引导部定位成与所述第一基板保持件和所述第二基板保持件各自的两侧相邻，以引导所述第一基板保持件和所述第二基板保持件的运动；以及

驱动部，该驱动部使得所述引导部靠近或远离所述第一基板保持件和所述第二基板保持件移动。

6.根据权利要求5所述的膜沉积设备，其中，所述引导部是布置在所述第一基板保持件和所述第二基板保持件各自的两侧的多个辊。

7.根据权利要求2所述的膜沉积设备，其中，所述第一基板保持件和所述第二基板保持件均包括：

支承板，该支承板用于供安装基板以及固定所述基板；以及

夹子，该夹子用于固定安装在所述支承板上的所述基板。

8.根据权利要求2所述的膜沉积设备，其中，所述第一基板保持件和所述第二基板保持件均还包括驱动单元，该驱动单元用于竖直地立起所述支承板或者用于水平地放置所述支承板。

9.根据权利要求1所述的膜沉积设备，其中，所述沉积源能够在所述第一基板保持件和所述第二基板保持件之间旋转。

10.根据权利要求1所述的膜沉积设备，其中，所述沉积源是点式沉积源、线式沉积源以及面式沉积源中的一种。

11.根据权利要求1所述的膜沉积设备，其中，所述室与掩膜室连接，所述掩膜室用于将沉积掩膜分别供应到所述第一基板保持件和所述第二基板保持件或者用新的沉积掩膜来更换所述沉积掩膜。

12.一种膜沉积系统，该膜沉积系统包括：

多个单元；以及

第一处理线路和第二处理线路，所述第一处理线路和所述第二处理线路分别安装在所述多个单元中，

其中，所述多个单元中的至少一个单元包括：

第一基板保持件，该第一基板保持件形成所述第一处理线路；

第二基板保持件，该第二基板保持件形成所述第二处理线路并且与所述第一基板保持件间隔开；以及

沉积源，该沉积源设置在所述第一基板保持件和所述第二基板保持件之间，以向基板供应沉积材料。

13.根据权利要求12所述的膜沉积系统，其中，所述沉积源能够在所述第一基板保持件和所述第二基板保持件之间旋转。

14.根据权利要求12所述的膜沉积系统，其中，所述沉积源是点式沉积源、线式沉积源以及面式沉积源中的一种。

15.根据权利要求12所述的膜沉积系统，其中，所述多个单元包括：

多个处理单元，这些处理单元用于执行单元处理；以及

多个减振器，这些减振器分别被插入所述多个处理单元之间。

16.根据权利要求15所述的膜沉积系统，其中，每个处理单元均连接到掩膜容纳单元，该掩膜容纳单元用于提供新的沉积掩膜或者用新的沉积掩膜来更换所述沉积掩膜。

Images