CN103080032A - 平面面板显示器用玻璃基板及其制造方法 - Google Patents

平面面板显示器用玻璃基板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103080032A
CN103080032A CN2012800024217A CN201280002421A CN103080032A CN 103080032 A CN103080032 A CN 103080032A CN 2012800024217 A CN2012800024217 A CN 2012800024217A CN 201280002421 A CN201280002421 A CN 201280002421A CN 103080032 A CN103080032 A CN 103080032A
Authority
CN
China
Prior art keywords
glass
glass substrate
mentioned
flat panel
panel display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012800024217A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103080032B (zh
Inventor
小山昭浩
阿美谕
市川学
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Avanstrate Inc
Original Assignee
Avanstrate Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Avanstrate Inc filed Critical Avanstrate Inc
Publication of CN103080032A publication Critical patent/CN103080032A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103080032B publication Critical patent/CN103080032B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
    • C03C3/093—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium containing zinc or zirconium
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133302—Rigid substrates, e.g. inorganic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)

Abstract

本发明的平面面板显示器用玻璃基板由下述玻璃形成，且热收缩率为75ppm以下；以摩尔%表示，上述玻璃含有：55～80%的SiO2、3～20%的Al2O3、3～15%的B2O3、及3～25%的RO(MgO、CaO、SrO及BaO的合计量)，实质上不含As2O3及Sb2O3，且失透温度为1250℃以下。其中，上述所谓热收缩率是指：使用实施升降温速度为10℃/分、于550℃下保持2小时的热处理后的玻璃基板的收缩量，利用下式求出的值。热收缩率(ppm)={热处理后的玻璃基板的收缩量/热处理前的玻璃基板的长度}×106。

Description

平面面板显示器用玻璃基板及其制造方法
【技术领域】
本发明涉及一种平面面板显示器用玻璃基板及其制造方法。
【背景技术】
近年来，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)型液晶显示器及有机电致发光(Electro Luminescence，EL)显示器等薄型且耗电较少的平面面板显示器被广泛用作行动设备等的显示器。对于这些显示器用的基板，通常使用玻璃基板。
TFT中存在非晶硅(a-Si)-TFT与多晶硅(p-Si)-TFT。从可实现超高精细且美丽的画面、可实现显示器的高耐久性、可实现显示器的薄型/轻量化、及可实现低消耗电力化等方面出发，p-Si-TFT优于a-Si-TFT。但是，以往在p-Si-TFT的制造中需要高温处理。因此，制造p-Si-TFT时玻璃基板产生热收缩及热冲击，故无法使用二氧化硅玻璃以外的玻璃。结果，难以于液晶显示器中应用p-Si-TFT。
然而，近年来开发出了降低了热处理温度的低温多晶硅(Low TemperaturePoly-silicon，LTPS)TFT，从而可将p-Si-TFT应用于平面面板显示器。由此，即便为移动设备等小型设备的显示器，也可实现高精细且美丽的画面。
但是，p-Si-TFT的制造中仍需要400～600℃的高温热处理。在以往的显示器用玻璃基板的情况下，大多情况下应变点不充分，容易产生以下问题：由于p-Si-TFT制造时的热处理而产生较大的热收缩，引起像素的间距偏差的问题。进而，近年来越发要求高精细化。因此，为了抑制此种像素的间距偏差，强烈要求减少显示器制造时的玻璃基板的热收缩。以往，已报告有考虑到此种热收缩的问题而开发出的显示器用玻璃基板(专利文献1～3)。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2002-3240号公报
[专利文献2]日本专利特开2004-315354号公报
[专利文献3]日本专利特开2007-302550号公报
【发明内容】
[发明要解决的问题]
此处，玻璃基板的热收缩可通过提高以玻璃化转变点(以下简称为Tg)及应变点代表的低温黏性范围的特性(低温黏性特性)温度来抑制(以下，本说明书中，“低温黏性特性温度”以“Tg及应变点”为代表进行记载)。但是，若仅着眼于提高玻璃的Tg及应变点而进行玻璃组成的改良，则产生玻璃的耐失透性容易恶化的问题。另外，若耐失透性变差，即失透温度变高而液相黏度降低，则制法的自由度也降低。若失透温度变高而液相黏度降低，则例如产生使用溢流下拉法的玻璃基板的制造变困难的问题。
因此，本发明的目的在于提供一种抑制了耐失透性的降低并且减小了热收缩量的平面面板显示器用玻璃基板,即便用于应用p-Si-TFT的显示器,也不产生像素的间距偏差的问题。
[解决问题的技术手段]
本发明的第1形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其由下述玻璃构成，且热收缩率为75ppm以下；
以摩尔%表示，上述玻璃含有：
55～80%的SiO2、
3～20%的Al2O3、
3～15%的B2O3、及
3～25%的RO(MgO、CaO、SrO及BaO的合计量)，
实质上不含As2O3及Sb2O3，且
失透温度为1250℃以下。
其中，上述所谓热收缩率是指：使用实施升降温遮度为10℃/分、于550℃下保持2小时的热处理后的玻璃基板的收缩量，利用下式求出的值，
热收缩率(ppm)
={热处理后的玻璃基板的收缩量/热处理前的玻璃基板的长度}×106
以下的“热收缩率”也同样地定义。
另外，所谓“实质上不含As2O3及Sb2O3”，意指玻璃原料中不添加As2O3及Sb2O3为主成分的原料，As2O3及Sb2O3的含有率分别优选为0.1%以下，更优选为0.05%以下，进而优选为0.01%以下。以下，所谓“实质上不含某成分”含义与上述相同。
本发明的第2形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其由下述玻璃构成的玻璃基板，且于Tg下保持30分钟后，以100℃/分冷却至Tg-100℃，放置冷却至室温后，实施升降温速度为10℃/分、于550℃下保持2小时的热处理后的上述玻璃基板的热收缩率为75ppm以下；
以摩尔%表示，上述玻璃含有：
55～80%的SiO2、
3～20%的Al2O3、
3～15%的B2O3、及
3～25%的RO(MgO、CaO、SrO及BaO的合计量)，
实质上不含As2O3及Sb2O3，且
失透温度为1250℃以下。
另外，本发明还提供一种形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板的制造方法，其包括：
熔融步骤，将以下玻璃原料熔融而生成熔融玻璃，以摩尔%计，上述玻璃原料按成为SiO2为55～80%、Al2O3为3～20%、B2O3为3～15%、RO(MgO、CaO、SrO、BaO的合计量)为3～25%，实质上不含As2O3及Sb2O3，且失透温度为1250℃以下的玻璃的方式调配而成；
成形步骤，将上述熔融玻璃成形为玻璃板；及
缓冷步骤，将上述玻璃板缓冷；并且
上述玻璃板的热收缩率为75ppm以下。
本发明进而还提供一种平面面板显示器用玻璃基板，其由下述玻璃构成，且
热收缩率为75ppm以下；
以摩尔%表示，上述玻璃含有：
55～80%的SiO2、
3～20%的Al2O3、
3～15%的B2O3、及
3～25%的RO(MgO、CaO、SrO及BaO的合计量)，
实质上不含As2O3及Sb2O3，且
失透温度为1250以下。
[发明的效果]
根据本发明，可提供一种具有优异特性的玻璃基板，其不使耐失透性恶化，即便用于应用p-Si-TFT的显示器的情况下，也可抑制由显示器制造时的热处理所致的热收缩而不产生像素的间距偏差问题。
【具体实施方式】
本实施的形态的显示器用玻璃基板由下述玻璃形成，以摩尔%表示，该玻璃含有55～80%的SiO2、3～20%的Al2O3、3～15%的B2O3、及3～25%的RO(MgO、CaO、SrO及BaO的合计量)，且失透温度为1250℃以下。本实施的形态的显示器用玻璃基板具有75ppm以下、优选为60ppm以下的热收缩率。玻璃基板的热收缩率可通过提高玻璃的Tg及应变点来抑制。进而，玻璃基板的热收缩率不仅可通过利用玻璃组成的调整而提高Tg及应变点来减少，还可通过适宜调整玻璃缓冷时的条件而减小。若仅着眼于提高玻璃的Tg及应变点而进行玻璃组成的改良，则存在失透温度上升而耐失透性降低的情况。但是，本实施方式的玻璃基板通过适宜组合玻璃组成的调整与玻璃缓冷时的条件的调整，可实现热收缩率为75ppm以下、优选为60ppm以下。因此，可实现具备75ppm以下、优选为60ppm以下的热收缩率与1250℃以下的失透温度两方面的玻璃基板。
如此，构成本实施方式的玻璃基板的玻璃具有优异特性，可良好地维持耐失透性，并且由平面面板显示器制造时的热处理所致的热收缩得到抑制而不产生像素的间距偏差的问题。进而，通过将失透温度抑制于1250℃以下，还可获得构成本实施方式的玻璃基板的玻璃容易使用下拉法而成形的效果。进而，构成本实施方式的玻璃基板的玻璃实质上不含As2O3及Sb2O3作为玻璃组成，故可降低环境负荷。
另外，构成本实施方式的玻璃基板的玻璃可含有5%以下的ZnO作为可选成分。该情况下，优选为SiO2及Al2O3的以摩尔%表示的含有率满足SiO2+Al2O3≧70%、更优选为SiO2+Al2O3≧75%，并且RO、ZnO及B2O3的以摩尔%表示的含有率满足RO+ZnO+B2O3=7～30%、更优选为7～25%。
如上所述，热收缩率可通过玻璃组成的调整、及玻璃制造时的条件的调整而减小。再者，所谓玻璃制造时的条件，具体而言，是指玻璃缓冷时，自Tg起至Tg-100℃的温度范围内以必要且充分低的速度将玻璃冷却。通过将热收缩率设定为75ppm以下、优选为65ppm以下、更优选为60ppm以下，即便将本实施方式的玻璃基板用于应用p-Si-TFT的显示器、进而该显示器为高精细的情况下，也可充分抑制像素的间距偏差。为了更确实地抑制像素的间距偏差，热收缩率优选为55ppm以下，更优选为50ppm以下，进一步优选为45ppm以下，进而优选为43ppm以下，进而更优选为40ppm以下，进一步更优选为38ppm以下。换言之，热收缩率为0～75ppm，优选为0～65ppm，更优选为0～60ppm，进一步优选为0～55ppm，进而优选为0～50ppm，进而更优选为0～45ppm，进一步更优选为0～43ppm，进而进一步优选为0～40ppm，进而进一步更优选为0～38ppm。再者，若将热收缩率设定为0ppm，则要求极度延长缓冷步骤、或缓冷步骤后实施热收缩减少处理(离线退火)，但生产性降低，成本高涨。若考虑到生产性及成本，则热收缩率例如为3～75ppm，优选为5～75ppm，更优选为5～65ppm，进一步优选为8～55ppm，进而优选为8～50ppm，进而更优选为10～45ppm，进一步更优选为10～43ppm，进而进一步优选为10～40ppm，进而进一步更优选为15～38ppm。
构成本实施方式的玻璃基板的玻璃具有1250℃以下的失透温度。如上所述，通过将失透温度设定为1250℃以下，可获得构成本实施方式的玻璃基板的玻璃容易使用下拉法成形的效果。结果可提高玻璃基板的表面品质，并且可降低玻璃基板的生产成本。另外，若失透温度过高，则容易发生失透而耐失透性降低。因此，构成本实施方式的玻璃基板的玻璃的失透温度优选为设定为1230℃以下、更优选为1220℃以下、进而设为1210℃以下、进而优选为1200℃以下。另一方面，为了实现高应变点或低密度等平面面板显示器用基板的特性，构成玻璃基板的玻璃的失透温度优选为1050℃～1250℃，更优选为1110℃～1250℃，进一步优选为1150℃～1240℃，进而优选为1160℃～1230℃，进而更优选为1170℃～1220℃。
关于构成本实施方式的玻璃基板的玻璃，可将应变点设定为660℃以上。为了更确实地抑制平面面板显示器制造时的热收缩，应变点优选为665℃以上，更优选为675℃以上，进一步优选为680℃以上，进而优选为685℃以上，进而更优选为690℃以上，进一步更优选为695℃以上，进一步优选为700℃以上。
构成本实施方式的玻璃基板的玻璃优选为液相黏度为104.0dPa·s以上，更优选为104.5dPa·s以上。通过将液相黏度设定为104.0dPa·s以上，容易利用浮式法而成形。另外，通过将液相黏度设定为104.5dPa·s以上，成形性进一步提高。因此，通过将液相黏度设定在这样的范围内，构成本实施方式的玻璃基板的玻璃容易使用下拉法(尤其是溢流下拉法)而成形。结果可提高玻璃基板的表面品质，并且可降低玻璃基板的生产成本。液相黏度更优选为104.5～106.0dPa·s，进一步优选为104.5～105.9dPa·s，进而优选为104.6～105.8dPa·s，进而更优选为104.6～105.7dPa·s，进一步更优选为104.7～105.7dPa·s，进而进一步优选为104.8～105.6dPa·s，进而进一步更优选为104.9～105.5dPa·s。
关于构成本实施方式的玻璃基板的玻璃的其它物性，优选的范围如下。
构成本实施方式的玻璃基板的玻璃优选具有良好的熔解性。若熔解性变差，即熔融温度变高，则熔解槽所受的负荷增大，进而，熔解所需要的能量增大故制造成本变高。另外，若熔融温度较高，则将电熔解用于玻璃原料的熔解中的情况下，存在电流于形成熔解槽的耐热砖流动而并非在玻璃中流动，导致熔解槽损坏的情况。再者，玻璃的熔解性可通过黏度为102.5dPa·s时的玻璃温度(熔融温度)进行评价。因此，构成本实施方式的玻璃基板的玻璃的熔融温度优选为1680℃以下。通过将熔融温度设定为1680℃以下，本实施方式的玻璃基板可具有良好的熔解性。但是，若熔融温度过低，则Tg及应变点容易降低。因此，为了实现高Tg及高应变点，优选具有高至某种程度的熔融温度。因此，熔融温度优选为1550～1650℃，更优选为1550～1645℃，进一步优选为1580～1640℃，进而优选为1590～1630℃，进而更优选为1600～1620℃。
构成本实施方式的玻璃基板的玻璃优选在100～300℃的范围内的平均热膨胀系数不足37×10-7K-1，更优选为28×10-7K-1以上、不足36×10-7K-1，进一步优选为30×10-7K-1以上、不足35×10-7K-1，进而优选为31×10-7K-1以上、不足34.5×10-7K-1，进而更优选为32×10-7K-1以上、不足34×10-7K-1。若热膨胀系数过大，则于显示器制造时的热处理步骤中，热冲击或热收缩量增大。另一方面，若热膨胀系数过小，则有难以于显示器制造时与形成于玻璃基板上的金属及有机系接着剂等周边材料的热膨胀系数匹配，导致周边构件剥离的可能。另外，p-Si-TFT制造步骤中，反复进行急热与急冷，对玻璃基板施加的热冲击增大。进而，大型玻璃基板于热处理步骤中容易产生温度差(温度分布)，玻璃基板的破坏概率增大。通过将热膨胀系数设定为上述范围，可降低因热膨胀差而产生的热应力，结果热处理步骤中的玻璃基板的破坏概率减小。再者，从重视与形成于玻璃基板上的金属及有机系接着剂等周边材料的热膨胀系数的匹配的观点出发，构成玻璃基板的玻璃于100～300℃的范围内的平均热膨胀系数优选为不足55×10-7K-1，更优选为不足40×10-7K-1，进一步优选为28×10-7K-1以上、不足40×10-7K-1，进而优选为30×10-7K-1以上、不足39×10-7K-1，进而更优选为32×10-7K-1以上、不足38×10-7K-1，进一步更优选为34×10-7K-1以上、不足38×10-7K-1。
若Tg过低，则耐热性降低，另外，热处理步骤中热收缩增大。因此，本实施方式的玻璃基板的Tg优选为720℃以上，更优选为740℃以上，进一步优选为745℃以上，进而优选为750℃以上，进而更优选为755℃以上，进而进一步更优选为760℃以上。
若密度过高，则存在玻璃基板的轻量化变困难，显示器的轻量化变困难的情况。因此，本实施方式的玻璃基板的密度优选为2.6g/cm3以下，更优选为不足2.5g/cm3，进一步优选为2.45g/cm3以下，进而优选为2.42g/cm3以下，进而更优选为2.4g/cm3以下。尤其是具备p-Si-TFT的平板显示器用玻璃基板或有机EL显示器用玻璃基板，由于需求轻量化，故优选为不足2.5g/cm3，更优选为2.45g/cm3以下，进一步优选为2.42g/cm3以下，进而优选为2.4g/cm3以下。
若玻璃熔液的电阻率过低，则于将电熔解用于玻璃原料的熔解中的情况下，玻璃原料的熔解所需的电流值变得过大。因此，存在设备方面受限的情况。进而，存在产生电极的消耗增多的问题的情况。另一方面，若电阻率过高，则有熔解时电流于形成熔解槽的耐热砖流通而非在玻璃原料中流通，导致熔解槽破损的可能。因此，构成本实施方式的玻璃基板的玻璃于1550℃下的电阻率优选为50～300Ω·cm，更优选为50～250Ω·cm，进一步优选为80～240Ω·cm，进而优选为100～230Ω·cm。
若杨氏模量及比模量(杨氏模量/密度)过低，则显示器制造时由自重导致玻璃基板弯曲，玻璃基板容易破损。尤其是宽度方向为2000mm以上的大型玻璃基板，由弯曲所致的破损的问题变明显。因此，本实施方式的玻璃基板的杨氏模量优选为70GPa以上，更优选为73GPa以上，进一步优选为74GPa以上，进而优选为75GPa以上。另外，本实施方式的玻璃基板的比模量优选为28GPa以上，更优选为29GPa以上，进一步优选为30GPa以上，进而优选为31GPa以上。
其次，对本实施方式的玻璃基板的玻璃成分进行说明。另外，以下摩尔%简称为%。
(SiO2)
SiO2为骨架成分且为必需成分。若SiO2量过少，则存在引起耐酸性降低、Tg及应变点降低、热膨胀系数增加及耐缓冲氢氟酸(Buffered Hydrofluoride acid，BHF)降低的情况。另外，还存在难以实现低密度化的情况。另一方面，若SiO2量过多，则存在熔融温度明显变高，熔解及成形变困难的情况。另外，还存在耐失透性降低的情况。另外，无法充分加快将玻璃薄化的情况的蚀刻速度。因此，SiO2的含有率优选为55～80%，更优选为60～78%，进一步优选为62～78%，进而优选为65～78%，进而更优选为65～75%。再者，为了进一步实现轻量化而含有仅不足3%的SrO+BaO的玻璃基板中，SiO2的含有率进而优选为67～73%，进而更优选为69～72%。进而，为了充分加快将玻璃薄化的情况的蚀刻速度，SiO2的含有率进而优选为62～78%，进而更优选为62～74%，进一步更优选为64～70%。另一方面，于含有3%以上的SrO+BaO的玻璃基板中，SiO2的含有率进而优选为65～73%，进而更优选为66～71%。
(Al2O3)
Al2O3为抑制分相，提高Tg及应变点的必需成分。若Al2O3量过少，则玻璃容易分相。另外，还存在引起由Tg及应变点降低所致的耐热性的降低或热收缩率的增大、杨氏模量降低的情况。另外，无法充分加快玻璃的蚀刻速度。另一方面，若Al2O3量过多，则玻璃的失透温度上升，耐失透性降低，故成形性恶化。因此，Al2O3的含有率优选为3～20%，更优选为5～18%，进一步优选为5～15%。再者，于为了进一步实现轻量化而含有仅不足3%的SrO+BaO的玻璃基板中，Al2O3的含有率进而优选为7～13%，进而更优选为9～12%。进而，为了充分加快将玻璃薄化的情况的蚀刻速度，Al2O3的含有率进而优选为7～15%，进而更优选为9～14%，进一步更优选为10～14%。另一方面，于含有3%以上的SrO+BaO的玻璃基板中，Al2O3的含有率进而优选为8～15%，进而更优选为10～14%。
(B2O3)
B2O3为降低由熔融温度所代表的高温范围内的黏性特性(高温黏性特性)温度，改善熔解性的必需成分(以下，于本说明书中，“高温黏性特性温度”以“熔融温度”为代表进行记载)。若B2O3量过少，则存在引起熔解性降低、耐BHF降低、耐失透性降低及热膨胀系数增加的情况。另外，还存在密度增加而难以实现低密度化的情况。另一方面，若B2O3量过多，则存在引起Tg及应变点的降低、耐酸性降低及杨氏模量降低的情况。另外，由于玻璃熔解时的B2O3的挥发，玻璃的不均质变明显，容易产生条纹。因此，B2O3的含有率优选为3～15%，更优选为3～13%，进一步优选为3～10%。再者，于为了进一步实现轻量化而含有仅不足3%的SrO+BaO的玻璃基板中，B2O3的含有率进而优选为3%以上、不足9.5%，进而更优选为3.5%以上、不足9.2%，进一步更优选为4%以上、不足8.9%，进一步优选为5～8.5%，进一步更优选为6～8%。进而，为了防止失透温度的上升，B2O3的含有率更优选为5～13%，进一步优选为5～12%，进而优选为6～不足10%(6%以上、不足10%)。另一方面，于含有3%以上的SrO+BaO的玻璃基板中，B2O3的含有率进而优选为3～9%，进而更优选为4～8%。
(MgO)
MgO为提高熔解性的成分。另外，由于MgO于碱土金属中为不易使密度增加的成分，故若相对地增加其含有率，则容易实现玻璃的低密度化。于本实施方式的玻璃基板中，MgO并非必需成分。然而，通过含有MgO，可实现熔解性的提高及碎片产生的抑制，所以可含有MgO。但是，若MgO量过多，则存在引起Tg及应变点的降低、耐热性降低、耐酸性降低以及杨氏模量降低的情况。另外，存在由于失透温度升高而耐失透性降低，故难以应用于下拉法的情况。因此，于本实施方式的玻璃基板中，MgO的含有率优选为0～15%，更优选为0～10%。再者，于为了进一步实现轻量化而含有仅不足3%的SrO+BaO的玻璃基板中，MgO的含有率进而优选为0～5%，进而更优选为0～不足2%(0%以上、不足2%)，进一步更优选为0～1.5%，进一步优选为0～1%，进一步更优选为0～0.5%，尤其优选实质上不含MgO。另一方面，于含有3%以上的SrO+BaO的玻璃基板中，MgO的含有率进而优选为1～9%，进而更优选为2～8%。
(CaO)
CaO为在不使玻璃的失透温度急剧上升的情况下提高玻璃的熔解性的有效成分。另外，CaO于碱土金属中为不易使密度增加的成分，故若相对地增加CaO量，则容易实现玻璃的低密度化。若CaO量过少，则容易引起由高温时的黏性上升所致的熔解性降低及耐失透性降低。另一方面，若CaO量过多，则容易引起热膨胀系数的增加。由于这些原因，CaO的含有率优选为0～20%，更优选为0～18%。再者，于为了进一步实现轻量化而含有仅不足3%的SrO+BaO的玻璃基板中，CaO的含有率更优选为3.6～16%，进一步优选为4～16%，进而优选为6～16%，进一步更优选为超过7～16%(超过7%且为16%以下)，进一步优选为8～13%，进一步更优选为9～12%。另一方面，于含有3%以上的SrO+BaO的玻璃基板中，CaO的含有率进而优选为0～10%，进而更优选为0～5%，进一步更优选为0～3%。
(SrO)
SrO为可降低玻璃的失透温度的成分。SrO并非必需成分，但若含有，则可实现耐失透性提高及熔解性提高，故可含有。但是，若SrO量过多，则导致密度上升。因此，欲使密度降低的情况下，优选为实质上不含SrO。因此，本实施方式的玻璃基板中，SrO的含有率优选为0～10%，更优选为0～8%。再者，为了进一步实现轻量化，SrO的含有率优选为不足3%，更优选为2%以下，进一步优选为1%以下，进而优选为0.5%以下，进而更优选为实质上不含SrO。换言之，SrO的含有率优选为0～不足3%(0%以上、不足3%)，更优选为0～2%，进一步优选为0～1%，进而优选为0～0.5%，进而更优选为实质上不含SrO。另一方面，欲使熔解性提高的情况下，SrO的含有率进而优选为1～8%，进而更优选为3～8%。
(BaO)
BaO为提高耐失透性及熔解性的成分。另外，通过含有BaO，热膨胀系数增大并且密度过度增加。因此，本实施方式的玻璃基板中，BaO的含有率优选为0～10%，更优选为0～5%，进一步优选为0～2%，进而优选为0～1%。再者，由于存在环境负荷的问题，故进而更优选为实质上不含BaO。
(Li2O、Na2O)
Li2O及Na2O为提高熔解性的成分，但为增大玻璃的热膨胀系数，于显示器制造中的热处理时使基板破损，或大幅度降低玻璃的Tg及应变点，使耐热性过度降低的成分。因此，本实施方式的玻璃基板中，Li2O及Na2O的含有率优选为0～0.3%，更优选为0～0.2%，进一步优选为0～0.1%，进而优选为实质上不含Li2O及Na2O。
(K2O)
K2O为提高玻璃的碱性度，发挥澄清性的成分。另外，K2O为提高熔解性，进而使玻璃熔液的电阻率降低的成分。因此，K2O虽并非必需成分，但若含有则可实现玻璃熔液的电阻率降低、熔解性及澄清性提高。但是，若K2O量过多，则存在热膨胀系数增大，或应变点及Tg大幅度降低而耐热性过度降低的情况。因此，本实施方式的玻璃基板中，K2O的含有率优选为0～0.8%，更优选为0.01～0.5%，进一步优选为0.1～0.3%。
(ZrO2、TiO2)
ZrO2及TiO2为提高玻璃的化学耐久性、Tg及应变点的成分。ZrO2及TiO2虽并非必需成分，但通过含有这些成分，可实现Tg及应变点的上升、耐酸性提高。但是，若ZrO2量及TiO2量变得过多，则存在因失透温度明显上升而耐失透性及成形性降低的情况。尤其是ZrO2存在以下情况：存在冷却过程中析出ZrO2晶体的情况，其作为夹杂物而引起玻璃的品质恶化。另外，TiO2为使玻璃着色的成分，故对显示器用基板而言不是优选的。由于上述原因，本实施方式的玻璃基板中，ZrO2及TiO2的含有率分别优选为0～5%，更优选为0～3%，进一步优选为0～2%，进而优选为0～1%，进而更优选为不足0.5%。进一步更优选为本实施方式的玻璃基板实质上不含ZrO2及TiO2。
(ZnO)
ZnO为提高耐BHF性及熔解性的成分，故可含有，但并非必需成分。但是，若ZnO量变得过多，则存在引起失透温度上升、Tg及应变点的降低、及密度上升的情况。因此，本实施方式的玻璃基板中，ZnO的含有率优选为5%以下，更优选为3%以下，进一步优选为2%以下，进而优选为1%以下。进而更优选为本实施方式的玻璃基板实质上不含ZnO。换言之，ZnO的含有率优选为0～5%，更优选为0～3%，进一步优选为0～2%，进而优选为0～1%。进而更优选为本实施方式的玻璃基板实质上不含ZnO。
(P2O5)
P2O5为使熔融温度降低而提高熔解性的成分，故可含有，但并非必需成分。但是，若P2O5量过多，则由于玻璃熔解时的P2O5的挥发而玻璃的不均质变明显，容易产生条纹。另外，Tg及应变点降低并且耐酸性明显恶化，或容易产生乳白。因此，本实施方式的玻璃基板中，P2O5的含有率优选为3%以下，更优选为1%以下，进一步优选为0.5%以下。进而优选为本实施方式的玻璃基板实质上不含P2O5。换言之，P2O5的含有率优选为0～3%，更优选为0～1%，进一步优选为0～0.5%。进而优选为本实施方式的玻璃基板实质上不含P2O5。
(La2O3)
还可含有La2O3。但是，若La2O3量变得过多，则失透温度上升并且密度上升。因此，La2O3的含有率优选为0～1%，更优选为0～0.5%，进一步优选为0～0.1%，进而优选为本实施方式的玻璃基板实质上不含La2O3。
(澄清剂)
作为澄清剂，只要为对环境的负荷较小，对玻璃的澄清性优异，则并无特别限制。例如可列举选自Sn、Fe、Ce、Tb、Mo及W的金属氧化物中的至少一种。若澄清剂过少，则泡品质恶化。因此，澄清剂的添加量虽还取决于澄清剂的种类或玻璃的组成，但例如适当的是设定为0.1～1%、优选为0.05～1%、更优选为0.05～0.5%、进一步优选为0.05～0.3%、进而优选在0.05～0.2%的范围。作为澄清剂，SnO2较为适当。但是，SnO2为使玻璃的耐失透性降低的成分。因此，例如于使用SnO2作为澄清剂的情况下，SnO2的含有率优选为0.01～0.3%，更优选为0.03～0.2%，进一步优选为0.05～0.15%。
(Fe2O3)
除了作为澄清剂的作用以外，Fe2O3还是发挥降低玻璃熔液于高温范围内的黏性，降低电阻率的作用的成分。Fe2O3并非必需成分，但对于熔融温度较高而难以熔解的玻璃而言，为了降低熔融温度或电阻率，优选为含有。若Fe2O3量变得过多，则存在玻璃着色而透射率降低的情况。因此，本实施方式的玻璃基板中，Fe2O3的含有率优选为0～0.1%，更优选为0～0.08%，进一步优选为0.001～0.05%，进而优选为0.005～0.03%。此处，对于熔融温度较高的玻璃而言，由于熔解步骤的温度变高，故Fe2O3作为澄清剂的效果容易降低。因此，若单独使用Fe2O3作为澄清剂，则存在澄清性降低，玻璃基板的泡品质恶化的情况，因此优选为与SnO2并用。
(不含的成分)
As2O3及Sb2O3为环境所受的负荷令人担忧的成分。因此，构成本实施方式的玻璃基板的玻璃实质上不含As2O3及Sb2O3作为成分。
(优选为不含的成分)
由于环境负荷的问题，优选为实质上不含PbO及F。
另外，本实施方式的玻璃基板中所含有的成分的复合参数如下。
((SiO2+2Al2O3)/(2B2O3+RO))
记载为MgO+CaO+SrO+BaO=RO的情况下，(SiO2+2Al2O3)/(2B2O3+RO)优选为2.5以上，更优选为2.8以上，进一步优选为超过3.0。通过将(SiO2+2Al2O3)/(2B2O3+RO)设定为这样的范围，可同时实现熔解性的提高与Tg及应变点的上升。或者同时实现耐失透性的提高与Tg及应变点的上升。因此，构成本实施方式的玻璃基板的玻璃容易兼具高Tg及应变点与良好的熔解性或耐失透性。为了更确实地获得该效果，((SiO2+2Al2O3)/(2B2O3+RO)更优选为3.1～4.3，进一步优选为3.3～3.65。进而，为了防止失透温度的上升与实现充分的蚀刻速度，(SiO2+2Al2O3)/(2B2O3+RO)优选为2.5～10，更优选为2.5～5，进一步优选为2.8～5，进而优选为超过3～4，进而更优选为3.1～3.5。
(碱土金属氧化物(RO：MgO+CaO+SrO+BaO))
RO为提高熔解性的成分。若RO量过少，则存在熔解性恶化的情况。但是，若RO量过多，则存在引起Tg及应变点的降低、密度上升、杨氏模量降低及热膨胀系数增加的情况。因此，构成本实施方式的玻璃基板的玻璃中，RO的含有率优选为3～25%，更优选为4～20%。再者，于为了进一步实现轻量化而含有仅不足3%的SrO+BaO的玻璃中，RO的含有率进一步优选为5%以上、不足14%，进而优选为6～14%，进而更优选为8～13%，进一步更优选为9～12%。另一方面，于含有3%以上的SrO+BaO的玻璃中，RO的含有率进而优选为5%以上、不足18%，进而更优选为8～17%。
(CaO/RO)
为了进一步实现轻量化而含有仅不足3%的SrO+BaO的玻璃中，CaO/RO优选为0.5以上，更优选为0.7以上，进一步优选为超过0.85，进而优选为0.88以上，进而更优选为0.90以上，进一步更优选为0.92以上，进一步优选为0.95以上。换言之，CaO/RO优选为0.5～1，更优选为0.7～1，进一步优选为超过0.85～1，进而优选为0.88～1，进而更优选为0.90～1，进而进一步更优选为0.92～1，进而进一步优选为0.95～1。通过将CaO/RO设定在这样的范围，可兼具耐失透性与熔解性。进而，可实现低密度化。另外，相较于含有2种以上碱土金属氧化物作为原料的情况，仅含有CaO的情况下可提高Tg及应变点。再者，于作为碱土金属氧化物而仅含有CaO作为原料的情况下，存在所获得的玻璃中以杂质的形式含有其它碱土金属氧化物的可能。于原料仅含有CaO作为碱土金属氧化物的情况下，所获得的玻璃的CaO/RO的值例如为0.98～1左右。另外，CaO在原料廉价、且容易获取的方面也是优选的成分。
(SiO2-(Al2O3/2))
若SiO2-(Al2O3/2)的值过小，则虽然蚀刻速度提高，但存在耐失透性降低的情况。另一方面，若该值过大，则存在蚀刻速度降低的情况。因此，构成本实施方式的玻璃基板的玻璃中，SiO2-(Al2O3/2)优选为69以下，更优选为60～68，进一步优选为63～67。再者，于显示器制造中对玻璃基板进行薄化般的情况下，为了提高其生产性，要求进一步提高蚀刻速度。于这样的情况下，为了进一步提高蚀刻速度，SiO2-(Al2O3/2)优选为69以下，更优选为50～68，进一步优选为55～65，进而优选为57～63，进而更优选为58～62。
另外，为了生产性良好地进行玻璃基板的蚀刻(薄化)，蚀刻速度优选为50μm/h以上。另一方面，若蚀刻速度过高，则有于面板制作步骤中与化学药品的反应中发生不良状况的可能，因此，构成玻璃基板的玻璃的蚀刻速度优选为160μm/h以下。蚀刻速度优选为60～140μm/h，更优选为70～120μm/h。本发明中，将上述蚀刻速度定义为于以下条件下测定的值。
蚀刻速度(μm/h)以如下的厚度减少量(μm)来表示，即，将玻璃基板于作为HF的比例为1mol/kg、HCl的比例为浓度5mol/kg的混合酸的40℃的蚀刻液中浸渍1小时的情况下，每单位时间(1小时)的玻璃基板的一个表面的厚度减少量(μm)。
(SiO2+2Al2O3)
若SiO2+2Al2O3过少，则Tg及应变点容易降低。另一方面，若SiO2+2Al2O3过多，则耐失透性容易恶化。因此，构成本实施方式的玻璃基板的玻璃中，SiO2+2Al2O3优选为80%以上，更优选为80～100%，进一步优选为85～98%，进而优选为89～97%，进而更优选为90～96%。再者，于为了进一步实现轻量化而含有仅不足3%的SrO+BaO的玻璃中，SiO2+2Al2O3进而优选为91～95%，进而更优选为91～93.5。另一方面，于含有3%以上的SrO+BaO的玻璃中，SiO2+2Al2O3更优选为91～96%。
(Al2O3/SiO2)
若Al2O3/SiO2超过0.35，则耐失透性容易恶化。另一方面，若Al2O3/SiO2成为0.05以下，则无法充分提高Tg及应变点。因此，本实施方式中，Al2O3/SiO2为0.05～0.35，优选为0.07～0.30，进一步优选为0.10～0.25。
(B2O3+P2O5)
若B2O3+P2O5过少，则熔解性容易降低。另一方面，若B2O3+P2O5过多，则由于玻璃熔解时的B2O3+P2O5的挥发而玻璃的不均质变明显，容易产生条纹。进而，Tg及应变点容易降低。因此，构成本实施方式的玻璃基板的玻璃中，B2O3+P2O5优选为3～15%，更优选为3～10%。再者，于为了进一步实现轻量化而含有仅不足3%的SrO+BaO的玻璃中，B2O3+P2O5进一步优选为3%以上、不足9.5%，进而优选为4%以上、不足8.9%，进而更优选为5～8.5%，进一步更优选为6～8%。进而，为了提高耐失透性，更优选为5～13%，进一步优选为5～12%，进而优选为6～不足10%(6%以上、不足10%)。另一方面，于含有3%以上的SrO+BaO的玻璃中，B2O3+P2O5进而优选为3～9%，进而更优选为4～8%。
(CaO/B2O3)
再者，于为了进一步实现轻量化而含有仅不足3%的SrO+BaO的玻璃中，若CaO/B2O3过小，则Tg及应变点容易降低。另一方面，若CaO/B2O3过大，则熔解性容易恶化。因此，本实施方式中，CaO/B2O3优选为0.5以上，更优选为0.7以上，进一步优选为0.9以上，进而优选为超过1.2，进而更优选为超过1.2且为5以下，进一步更优选为超过1.2且为3以下，进而进一步优选为1.3以上且2.5以下，进而进一步更优选为1.3以上且2以下。进而，为了提高熔解性，优选为0.5～5，更优选为0.9～3，进一步优选为超过1且为2.5以下，进而优选为超过1且为2以下，进而更优选为超过1.2且为2以下，进一步更优选为超过1.2且为1.5以下。
(SrO+BaO)
SrO及BaO为可降低玻璃的失透温度的成分。这些成分并非必需成分，但若含有，则可实现耐失透性提高及熔解性提高。但是，若这些成分的量过多，则导致密度上升。因此，难以使密度降低而实现轻量化。另外，还存在热膨胀系数增加的情况。因此，构成本实施方式的玻璃基板的玻璃中，SrO+BaO优选为10%以下。再者，为了进一步实现轻量化，更优选为5%以下，进一步优选为不足3%，进而优选为不足2%。进而更优选为构成本实施方式的玻璃基板的玻璃实质上不含SrO及BaO。换言之，为了进一步实现轻量化，SrO+BaO优选为0～10%，更优选为0～5%，进一步优选为0～不足3%(0%以上、不足3%)，进而优选为0～不足2%(0%以上、不足2%)，进而更优选为0～不足1%(0%以上、不足1%)，进一步更优选为0～不足0.5%(0%以上、不足0.5%)。进一步优选为构成本实施方式的玻璃基板的玻璃实质上不含SrO及BaO。
(RO+ZnO+B2O3)
若RO+ZnO+B2O3过少，则高温范围的黏性升高，澄清性及玻璃的熔解性容易降低。另一方面，若RO+ZnO+B2O3过多，则Tg及应变点容易降低。因此，构成本实施方式的玻璃基板的玻璃中，RO+ZnO+B2O3优选为7～30%，更优选为10～27%。再者，于为了进一步实现轻量化而含有仅不足3%的SrO+BaO的玻璃中，RO+ZnO+B2O3进一步优选为12～22%，进而优选为14～21%，进而更优选为16～20%。进而，为了提高熔解性，RO+ZnO+B2O3进一步优选为12～27%，进而优选为14～25%，进而更优选为17～23%。另一方面，于含有3%以上的SrO+BaO的玻璃中，RO+ZnO+B2O3进一步优选为13～27%，进而优选为15～25%。
(碱金属氧化物(R2O：Li2O+Na2O+K2O))
R2O为提高玻璃的碱性度，使澄清剂的氧化变容易而发挥澄清性的成分。另外，R2O为容易实现玻璃的熔解性提高及电阻率降低的成分，故可含有。R2O虽非为必需成分，但若含有，则可实现电阻率降低、澄清性提高及熔解性提高。但是，若R2O量过多，则还存在Tg及应变点过度降低，进而热膨胀系数增大的情况。因此，构成本实施方式的玻璃基板的玻璃中，R2O优选为0～0.8%，更优选为0.01～0.5%，进一步优选为0.1～0.3%。
(K2O/R2O)
K2O与Li2O及Na2O相比较而分子量较大，故不易自玻璃基板中溶出。因此，含有R2O的情况下，优选为以更高的比率含有K2O。K2O优选为以较Li2O高的比率而含有(满足K2O>Li2O)。K2O优选为以较Na2O高的比率而含有(满足K2O>Na2O)。K2O/R2O优选为0.5以上，更优选为0.6以上，进一步优选为0.7以上，进而优选为0.8以上，进而更优选为0.95以上。换言之，K2O/R2O优选为0.5～1，更优选为0.6～1，进一步优选为0.7～1，进而优选为0.8～1，进而更优选为0.95～1。
构成本实施方式的玻璃基板的玻璃可通过将上述各成分适宜组合而实现，故成分的组合并无限定，作为一例，可列举如下组合：
含有62～74%的SiO2、
3～20%的Al2O3、
3～15%的B2O3、
超过7～16%的CaO、
0～1%的La2O3、及
0～不足1%(0%以上、不足1%)的BaO，
应变点为665℃以上，
且
B2O3、P2O5及CaO的以摩尔%表示的含有率满足B2O3+P2O5=3～15%、及CaO/B2O3>1.2的关系。
或者，作为一例，还可列举如下组合：
含有65～74%的SiO2、
3～20%的Al2O3、
3～不足8.9%(3%以上、不足8.9%)的B2O3、
超过7～16%的CaO、及
0～1%的La2O3，
实质上不含BaO，且
B2O3、P2O5及CaO的以摩尔%表示的含有率满足B2O3+P2O5=3～9.5%、及CaO/B2O3>1.2的关系。
本实施方式的玻璃基板为显示器用基板。本实施方式的玻璃基板具体而言适于形成p-Si-TFT的平面面板显示器用的玻璃基板。另外，本实施方式的玻璃基板适于液晶显示器用玻璃基板及有机EL显示器用玻璃基板。尤其适于p-Si-TFT液晶显示器用玻璃基板及有机EL显示器用玻璃基板。其中，适于要求高精细的移动终端等的显示器用玻璃基板。或者，本实施方式的玻璃基板适于氧化物半导体薄膜平面面板显示器用玻璃基板。更详细而言，本实施方式的玻璃基板适于在基板表面上形成氧化物半导体薄膜、TFT而制造的平面面板显示器中所使用的玻璃基板。
本实施方式的玻璃基板的大小可根据所应用的显示器的尺寸而适宜变更，故并无特别限定。宽度方向的长度例如可为500mm～3500mm，优选为1000mm～3500mm，更优选为2000mm～3500mm。纵方向的长度例如可为500mm～3500mm，优选为1000mm～3500mm，更优选为2000mm～3500mm。使用玻璃基板越大，液晶显示器或有机EL显示器的生产性越提高。
本实施方式的玻璃基板的厚度可根据所应用的显示器的尺寸而适宜变更，故并无特别限定。但是，若玻璃基板过薄，则玻璃基板自身的强度降低。例如容易于液晶显示器制造时产生破损。另一方面，玻璃基板过厚对于要求薄型化的显示器而言不是优选的。另外，若玻璃基板过厚，则玻璃基板的重量增加，故液晶显示器的轻量化变困难。因此，本实施方式的玻璃基板的厚度优选为0.1mm～1.1mm，更优选为0.1mm～0.7mm，进一步优选为0.3～0.7mm，进而优选为0.3～0.5mm。
本实施方式的玻璃基板可通过包括以下步骤的方法制造：熔解步骤，将玻璃原料熔融而生成熔融玻璃；成形步骤，将上述熔融玻璃成形为玻璃板；及缓冷步骤，将上述玻璃板缓冷。再者，上述玻璃板的热收缩率为75ppm以下，优选为60ppm以下。另外，构成上述玻璃基板的玻璃的失透温度为1250℃以下，且以摩尔%计含有55～80%的SiO2、3～20%的Al2O3、3～15%的B2O3、及3～25%的RO(MgO、CaO、SrO、BaO的合计量)作为玻璃组成，实质上不含As2O3及Sb2O3作为玻璃组成。
本实施方式的玻璃基板可使用公知的玻璃基板的制造方法而制造。成形方法可使用公知的方法，优选为使用浮式法或下拉法，更优选使用溢流下拉法。通过下拉法所成形的玻璃基板由于其主表面为经热成形的表面，故具有极高的平滑性。因此，无需成形后的玻璃基板表面的研磨步骤，故可降低制造成本，进而还可提高生产性。进而，使用下拉法所成形的玻璃基板的两主表面具有均匀的组成，故可于进行蚀刻处理时均匀地进行蚀刻。此外，通过使用下拉法成形，可获得具有无微裂缝的表面状态的玻璃基板。结果还可使玻璃基板自身的强度提高。
为了制造热收缩率为75ppm以下、优选为60ppm以下的玻璃基板，较理想的是适宜调整缓冷时的条件。例如，于使用下拉法的情况下，较理想的是以将玻璃板的温度于自Tg起至Tg-100℃的温度范围内维持20～120秒的方式进行缓冷。换言之，于使用下拉法的情况下，较理想的是以于自Tg起至Tg-100的温度范围内以20～120秒冷却的方式，对将玻璃板进行缓冷。若不足20秒，则存在无法充分减少热收缩量的情况。另一方面，若超过120秒，则生产性降低并且玻璃制造装置(缓冷炉)大型化。因此，为了维持成本及生产性并且减小热收缩率，优选为以将玻璃板的温度于自Tg起至Tg-100℃的温度范围内维持20～120秒的方式进行缓冷，更优选维持30～120秒，进一步优选维持50～100秒。换言之，优选以于自Tg起至Tg-100℃的温度范围内以20～120秒冷却的方式对玻璃板进行缓冷，更优选以30～120秒进行冷却，进一步优选以50～100秒进行冷却。或者优选以将玻璃板的中央部的平均冷却速度于自Tg起至Tg-100的温度范围内设定为50～300℃/分的方式进行缓冷。若平均冷却速度超过300℃/分，则存在无法充分减少热收缩量的情况。另一方面，若不足50℃/分，则生产性降低并且玻璃制造装置(缓冷炉)大型化。因此，用以维持成本及生产性并且减少热收缩率的平均冷却速度的优选范围为50～300℃/分，更优选为50～200℃/分，进一步优选为60～120℃/分。另一方面，通过在缓冷步骤后另设置热收缩减少处理(离线退火)步骤，也可减小热收缩率。但是，若与缓冷步骤分开而另设置离线退火步骤，则存在生产性降低，成本高涨的问题。因此，更优选为如上所述那样，在缓冷步骤中实施控制玻璃板的冷却速度的热收缩减少处理(在线退火)，将热收缩率控制于特定范围内。
另外，表示玻璃水分量的β-OH值存在其值越小则Tg及应变点变得越高的倾向。另一方面，存在β-OH值越大则越降低熔融温度的倾向。为了同时实现Tg及应变点的上升与熔解性的提高，β-OH值优选为设定为0.05～0.40mm-1，更优选为0.10～0.35mm-1，进一步优选为0.10～0.30mm-1，进而优选为0.10～0.25mm-1。β-OH值可通过原料的选择进行调整。例如，可通过选择含水量较高的原料(例如氢氧化物原料)，或调整氯化物等使玻璃中的水分量减少的原料的含量，而增减β-OH值。另外，可通过调整玻璃熔解中所使用的气体燃烧加热(氧气燃烧加热)与电气加热(直接通电加热)的比率而调整β-OH值。进而，可通过增加炉内环境中的水分量，或于熔解时对熔融玻璃通入水蒸气泡，而增加β-OH值。再者，玻璃的β-OH值可于玻璃的红外线吸收光谱中通过下述式求出。
β-OH值=(1/X)log10(T1/T2)
X：玻璃厚度(mm)
T1：参考波长2600nm下的透射率(%)
T2：羟基吸收波长2800nm附近的最小透射率(%)
作为由上述披露内容所获得的本实施方式的平面面板显示器用玻璃基板，例如可列举下述第1～第3玻璃基板。另外，作为由上述内容所获得的本实施方式的玻璃基板的制造方法，例如可列举下述第1～第3制造方法。
作为第1平面面板显示器用玻璃基板，可列举以下玻璃基板：其由下述玻璃构成，且
热收缩率为75ppm以下；
以摩尔%表示，上述玻璃含有：
55～80%的SiO2、
3～20%的Al2O3、
3～15%的B2O3、及
3～25%的RO(MgO、CaO、SrO及BaO的合计量)，
实质上不含As2O3及Sb2O3，且
失透温度为1250℃以下。
作为上述第1平面面板显示器用玻璃基板中所含有的玻璃基板的例子，还可列举热收缩率为60ppm以下的玻璃基板。即，还可列举以下玻璃基板：其由下述玻璃构成，
且热收缩率为60ppm以下
以摩尔%表示，上述玻璃含有：
55～80%的SiO2、
3～20%的Al2O3、
3～15%的B2O3、及
3～25%的RO(MgO、CaO、SrO及BaO的合计量)，
实质上不含As2O3及Sb2O3，且
失透温度为1250℃以下。
作为第2平面面板显示器用玻璃基板，可列举以下玻璃基板：其由下述玻璃构成，
以摩尔%表示，该玻璃含有
62～74%的SiO2、
3～20%的Al2O3、
3～15%的B2O3、
超过7～16%的CaO、
0～1%的La2O3、及
0～不足1%的BaO，
B2O3、P2O5及CaO的以摩尔%表示的含有率满足B2O3+P2O5=3～15%、及CaO/B2O3>1.2的关系，
应变点为665以上，且
失透温度为1260以下的玻璃。
作为第3平面面板显示器用玻璃基板，可列举以下玻璃基板：其由下述玻璃构成，
以摩尔%表示，该玻璃含有
65～74%的SiO2、
3～20%的Al2O3、
3～不足8.9%(3%以上、不足8.9%)的B2O3、
超过7～16%的CaO、及
0～1%的La2O3，
实质上不含BaO，
B2O3、P2O5及CaO的以摩尔%表示的含有率满足B2O3+P2O5=3～9.5%、及CaO/B2O3>1.2的关系，且
失透温度为1250℃以下。
上述第1～第3平面面板显示器用玻璃基板适于形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板。尤其是上述第1～第3平面面板显示器用玻璃基板适于形成p-Si-TFT的液晶显示器用玻璃基板。或者，上述第1～第3平面面板显示器用玻璃基板还适于有机EL显示器用玻璃基板。或者，上述第1～第3平面面板显示器用玻璃基板还适于形成氧化物半导体薄膜晶体管的显示器用玻璃基板。
作为平面面板显示器用玻璃基板的第1制造方法，可列举下述制造方法：其包括
熔融步骤，将以下玻璃原料熔融而生成熔融玻璃，以摩尔%计，上述玻璃原料按成为SiO2为55～80%、Al2O3为3～20%、B2O3为3～15%、RO(MgO、CaO、SrO及BaO的合计量)为3～25%，实质上不含As2O3及Sb2O3，且失透温度为1250℃以下的玻璃的方式调配而成；
成形步骤，将上述熔融玻璃成形为玻璃板；及
缓冷步骤，将上述玻璃板缓冷；并且
上述玻璃板的热收缩率为75ppm以下。
作为上述第1制造方法的例，可列举下述制造方法：其包括：
熔融步骤，将以下玻璃原料熔融而生成熔融玻璃，以以摩尔%计，上述玻璃原料按成为SiO2为55～80%、Al2O3为3～20%、B2O3为3～15%、RO(MgO、CaO、SrO及BaO的合计量)为3～25%，实质上不含As2O3及Sb2O3，且失透温度为1250℃以下的玻璃的方式调配而成；
成形步骤，将上述熔融玻璃成形为玻璃板；及
缓冷步骤，将上述玻璃板缓冷；并且
上述玻璃板的热收缩率为60ppm以下。
作为平面面板显示器用玻璃基板的第2制造方法，可列举下述制造方法：其包括
熔融步骤，将以下玻璃原料熔融而生成熔融玻璃，以摩尔%计，上述玻璃原料按成为SiO2为62～74%、Al2O3为3～20%、B2O3为3～15%、CaO为超过7～16%、La2O3为0～1%、BaO为0～不足1%，B2O3、P2O5及CaO的以摩尔%表示的含有率满足B2O3+P2O5=3～15%、及CaO/B2O3>1.2的关系，应变点为665℃以上，且失透温度为1250℃以下的玻璃的方式调配而成；
成形步骤，将上述熔融玻璃成形为玻璃板；及
缓冷步骤，将上述玻璃板缓冷。
作为平面面板显示器用玻璃基板的第3制造方法，可列举下述制造方法：其包括
熔融步骤，将以下玻璃原料熔融而生成熔融玻璃，以摩尔%计，上述玻璃原料按成为SiO2为65～74%、Al2O3为3～20%、B2O3为3～不足8.9%、CaO为超过7～16%、La2O3为0～1%，实质上不含BaO，B2O3、P2O5及CaO的以摩尔%表示的含有率满足B2O3+P2O5=3～9.5%、及CaO/B2O3>1.2的关系，且失透温度为1250℃以下的玻璃的方式调配而成；
成形步骤，将上述熔融玻璃成形为玻璃板；及
缓冷步骤，将上述玻璃板缓冷。
上述平面面板显示器用玻璃基板的第1～第3制造方法中的上述缓冷步骤中，优选为实施控制玻璃板的冷却速度而减小热收缩率的热收缩减少处理。另外，上述缓冷步骤中，更优选为实施以下热收缩减少处理：将玻璃板的中央部的平均冷却速度于自Tg起至Tg-100℃的温度范围内设定为50～300℃/分。
[实施例]
其次，对本发明的玻璃基板列举实施例加以详细说明。需要说明的是，本发明并不限定于下述例。
<第1玻璃基板>
对第1玻璃基板列举实施例加以说明。另外，所谓第1玻璃基板为以下玻璃基板：其由下述玻璃构成，且
热收缩率为75ppm以下；
以摩尔%表示，上述玻璃含有：
55～80%的SiO2、
3～20%的Al2O3、
3～15%的B2O3、及
3～25%的RO(MgO、CaO、SrO及BaO的合计量)，
实质上不含As2O3及Sb2O3，且
失透温度为1250℃以下。
(实施例1-1～1-24及比较例1-1～1-6)
以成为表1-1及1-2所示的玻璃组成的方式，依照下述顺序制作实施例1-1～1-24及比较例1-1～1-6的试样玻璃。对于所获得的试样玻璃及试样玻璃基板，测定失透温度、Tg、100～300℃的范围内的平均热膨胀系数、热收缩率、密度、应变点、熔融温度(黏度为102.5dPa·s时的玻璃温度)、液相黏度及于1550℃下的电阻率。
(试样玻璃的制作)
首先，以成为表1所示的玻璃组成的方式，使用作为通常的玻璃原料的二氧化硅、氧化铝、氧化硼、碳酸钾、碱性碳酸镁、碳酸钙、碳酸锶、二氧化锡及三氧化二铁，调配玻璃原料批料(以下称为批料)。再者，以玻璃计按400g的量进行调配。
将上述所调制的批料于铂坩埚中熔融及澄清。首先，将该坩埚于设定为1575℃的电炉中保持4小时而熔融批料。其次，将该电炉升温至1640℃并保持2小时，由此进行玻璃熔液的澄清。其后，将玻璃熔液于炉外流出至铁板上，进行冷却固化而获得玻璃体。继而，对该玻璃体实施缓冷操作。缓冷操作系通过以下方式进行：将该玻璃体于设定为800℃的其它电炉中保持2小时后，以2小时冷却至740℃，进而以2小时冷却至660℃后，切断该电炉的电源并冷却至室温。将经由该缓冷操作的玻璃体作为试样玻璃。将上述试样玻璃用于不受缓冷条件影响且/或无法以基板状进行测定的特性(失透温度、熔融温度、电阻率、密度、热膨胀系数、Tg及应变点)的测定。
另外，切割上述试样玻璃，实施磨削及研磨加工，制作上下面为镜面的30mm×40mm×0.7mm的试样玻璃基板。将上述试样玻璃基板用于不受缓冷条件影响的β-OH测定。
进而，对上述试样玻璃基板使用通常的玻璃加工技术，制成宽度5mm、长度20mm的长方体，将其于Tg下保持30分钟后，以100℃/分冷却至Tg-100℃，放置冷却至室温，由此制成热收缩测定用试样玻璃基板。
(失透温度的测定方法)
粉碎上述试样玻璃并通过2380μm的筛，获得残留于1000μm的筛上的玻璃粒。将该玻璃粒浸渍于乙醇中，进行超音波清洗后，利用恒温槽进行干燥。对于经干燥的玻璃粒，于宽度12mm、长度200mm、深度10mm的铂舟皿上将上述玻璃粒25g以成为大致固定厚度的方式放入。对于实施例1-1～1-6、1-8～1-24及比较例1-1、1-3～1-5，将该铂舟皿于具有1080～1320℃的温度梯度的电炉内保持5小时，对于实施例1-7、比较例1-2及1-6，将该铂舟皿于具有1140～1380℃的温度梯度的电炉内保持5小时，其后，自炉中取出，利用50倍的光学显微镜观察玻璃内部所产生的失透。将观察到失透的最高温度作为失透温度。
(熔融温度)
上述试样玻璃的熔融温度使用铂球提拉式自动黏度测定装置进行测定。根据上述测定结果，算出黏度102.5dPa·s时的温度，获得熔融温度。
(液相黏度)
根据上述熔融温度的测定结果，算出上述失透温度下的黏性，获得液相黏度。
(电阻率)
对于上述试样玻璃的熔融时的电阻率，使用HP公司制造的4192A LF阻抗分析仪(impedance analyzer)，利用四端子法进行测定。根据上述测定结果，算出1550℃下的电阻率值。
(100～300℃的范围内的平均热膨胀系数及Tg的测定方法)
将上述试样玻璃加工为φ5mm、长度20mm的圆柱状，制成试验片。对该试验片使用示差热膨胀计(Thermo Plus2TMA8310)，测定升温过程中的温度与试验片的伸缩量。将此时的升温速度设定为5℃/分。根据上述温度与试验片的伸缩量的测定结果，测定100～300℃的范围内的平均热膨胀系数及Tg。再者，所谓本申请中的Tg是指对以下试样玻璃测定所得的值：将玻璃体于设定为800℃的其它电炉中保持2小时后，以2小时冷却至740℃，进而以2小时冷却至660℃后，切断该电炉的电源并冷却至室温。
(应变点)
将上述试样玻璃切割并磨削加工为3mm见方、长度55mm的棱柱形状，制成试验片。对该试验片使用横梁弯曲测定装置(东京工业股份有限公司制造)进行测定，依据横梁弯曲法(ASTM C-598)通过计算求出应变点。
(密度)
对上述试样玻璃进行镜面研磨而制作5×30×30mm的板状试样。使用该试样，利用阿基米得法测定玻璃的密度。
(热收缩率)
对于热收缩率，对上述热收缩测定用试样玻璃基板于550℃下实施2小时的热处理，使用热处理后的玻璃基板的收缩量，利用下述式求出。
热收缩率(ppm)
={热处理后的玻璃基板的收缩量/热处理前的玻璃基板的长度}×106
本实施例中，具体而言，利用下述方法进行收缩量的测定。
对上述热收缩用试样玻璃使用示差热膨胀计(理学股份有限公司制造，ThermoflexTMA8140型)，自室温起升温至550℃并保持2小时后，冷却至室温，测定热处理前后的试样玻璃的收缩量。此时的升降温速度系设定为10℃/分。
(蚀刻速度)
将玻璃基板于HF的比例为1mol/kg、HCl的比例为5mol/kg的混合酸的40℃的蚀刻液中浸渍1小时，并测定玻璃基板的一个表面的厚度减少量(μm)。以每单位时间(1小时)的减少量(μm)求出蚀刻速度(μm/h)。
[表1-1]
Figure BDA00002834444000261
[表1-2]
Figure BDA00002834444000271
实施例1-1～1-24所获得的玻璃基板的热收缩率及失透温度还满足本发明的第1玻璃基板的条件。因此，可认为本实施例中获得的玻璃基板为还可用于应用p-Si-TFT的显示器的具备优异特性的玻璃基板。另一方面，比较例1-1～1-6中获得的玻璃的热收缩率或失透温度不满足本发明的第1玻璃基板的条件。进而，关于比较例2的玻璃，熔融温度超过1680℃，无法获得良好的熔解性。如此，比较例1-1～1-6中获得的玻璃基板并不适于应用p-Si-TFT的显示器。
(实施例1-25)
使用具备耐火砖制的熔解槽与铂合金制的澄清槽(调整槽)的连续熔解装置，将以成为实施例1-4所示的组成的方式调配而成的玻璃原料于1560～1640℃下熔解，于1620～1670℃下澄清，并于1440～1530℃下搅拌后，通过溢流下拉法成形为厚度0.7mm的薄板状，于自Tg起至Tg-100℃的温度范围内，以100℃/分的平均速度进行冷却，获得液晶显示器用(或有机EL显示器用)玻璃基板。再者，关于上述记载的各特性，使用所获得的玻璃基板进行测定。再者，关于无法以基板状测定的特性(密度、应变点、膨胀系数及Tg)，依据上述试样制作方法，将上述玻璃基板再熔融而制作试样玻璃，测定特性。
以上述方式所获得的实施例1-25的玻璃基板的熔融温度为1610℃、β-OH值为0.20mm-1，且Tg为754℃、应变点为697℃、热收缩率为51ppm，其它特性与实施例1-4相同。如此，实施例1-25的玻璃基板具有720℃以上的Tg与1680℃以下的熔融温度，实现了高Tg及应变点与良好的熔解性。进而，热收缩率及失透温度也满足本发明的第1玻璃基板的条件。再者，实施例1-25的玻璃基板的β-OH值较实施例1-4大0.1mm-1左右，故若与实施例1-4相比较，则Tg低2～3℃，但可实现充分高的Tg。因此，可认为实施例1-25所获得的玻璃基板为可用于应用p-Si-TFT的显示器的具备优异特性的玻璃基板。
(实施例1-26)
使用以成为实施例1-12所示的玻璃组成的方式调配而成的玻璃原料，与实施例1-25同样地制作玻璃基板，并测定各特性。
以上述方式而获得的实施例1-26的玻璃基板的熔融温度为1585℃、β-OH值为0.21mm-1，且Tg为761℃、应变点为710℃、热收缩率为31ppm，其它特性与实施例1-12相同。如此，实施例1-26的玻璃基板具有720℃以上的Tg与1680℃以下的熔融温度，实现了高Tg及应变点与良好的熔解性。进而，热收缩率及失透温度还满足本发明的第1玻璃基板的条件。再者，实施例1-26的玻璃基板的β-OH值较实施例1-12大0.1mm-1左右，故若与实施例1-12相比较，则Tg低2～3℃，但可实现充分高的Tg。因此，可认为实施例1-26中获得的玻璃基板为可用于应用p-Si-TFT的显示器的具备优异特性的玻璃基板。
<第2玻璃基板>
对第2玻璃基板列举实施例加以说明。再者，所谓第2玻璃基板为以下玻璃基板：其由下述玻璃构成，
以摩尔%表示，该玻璃含有：
62～74%的SiO2、
3～20%的Al2O3、
3～15%的B2O3、
超过7～16%的CaO、
0～1%的La2O3、及
0～不足1%的BaO，
B2O3、P2O5及CaO的以摩尔%表示的含有率满足B2O3+P2O5=3～15%、及CaO/B2O3>1.2的关系，
应变点为665℃以上，且
失透温度为1250℃以下。
利用与第1玻璃基板的实施例及比较例相同的方法，以成为表2所示的玻璃组成的方式制作实施例及比较例的试样玻璃，测定各特性。
[表2]
<第3玻璃基板>
对第3玻璃基板列举实施例加以说明。再者，所谓第3玻璃基板为以下玻璃基板：其由下述玻璃构成，
以摩尔%表示，该玻璃含有
65～74%的SiO2、
3～20%的Al2O3、
3～不足8.9%的B2O3、
超过7～16%的CaO、及
0～1%的La2O3，
实质上不含BaO，
B2O3、P2O5及CaO的以摩尔%表示的含有率满足B2O3+P2O5=3～9.5%、及CaO/B2O3>1.2的关系，且
失透温度为1250℃。
利用与第1玻璃基板的实施例及比较例相同的方法，以成为表3所示的玻璃组成的方式制作实施例及比较例的试样玻璃，测定各特性。
[表3]
Figure BDA00002834444000321
<本发明的实施方式的汇总>
根据上述记载，本发明提供下述技术方案。
本发明的第1技术方案提供一种形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其由下述玻璃构成，且
热收缩率为75ppm以下；
以摩尔%表示，上述玻璃含有：
55～80%的SiO2、
3～20%的Al2O3、
3～15%的B2O3、及
3～25%的RO(MgO、CaO、SrO及BaO的合计量)，
实质上不含As2O3及Sb2O3，且
失透温度为1250℃以下。
其中，上述所谓热收缩率是指：使用实施升降温速度为10℃/分、于550℃下保持2小时的热处理后的玻璃基板的收缩量，利用下式求出的值。
热收缩率(ppm)
={热处理后的玻璃基板的收缩量/热处理前的玻璃基板的长度}×106
于下述本发明的技术方案中，“热收缩率”也为同样地定义。
另外，所谓“实质上不含As2O3及Sb2O3”意指于玻璃原料中不添加As2O3及Sb2O3为主成分的原料，是指As2O3及Sb2O3的含有率分别优选为0.1%以下，更优选为0.05%以下，进一步优选为0.01%以下。下述本发明的技术方案中，所谓“实质上不含某成分”也意指相同内容。
本发明的第2技术方案提供如上述第1技术方案记载的形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其热收缩率为60ppm以下。
本发明的第3技术方案提供一种形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其由下述玻璃构成，
以摩尔%表示，该玻璃含有
62～74%的SiO2、
3～20%的Al2O3、
3～15%的B2O3、
超过7～16%的CaO、
0～1%的La2O3、及
0～不足1%的BaO，
B2O3、P2O5及CaO的以摩尔%表示的含有率满足B2O3+P2O5=3～15%、及CaO/B2O3>1.2的关系，
应变点为665℃以上，且
失透温度为1250℃以下。
本发明的第4技术方案提供一种形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其由下述玻璃构成，
以摩尔%表示，该玻璃含有
65～74%的SiO2、
3～20%的Al2O3、
3～不足8.9%的B2O3、
超过7～16%的CaO、及
0～1%的La2O3，
实质上不含BaO，
B2O3、P2O5及CaO的以摩尔%表示的含有率满足B2O3+P2O5=3～9.5%、及CaO/B2O3>1.2的关系，且
失透温度为1250℃以下。
本发明的第5技术方案提供一种形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其由下述玻璃构成的玻璃基板，且
于Tg下保持30分钟后，以100℃/分冷却至Tg-100℃，放置冷却至室温后，实施升降温速度为10℃/分、于550℃下保持2小时的热处理后的上述玻璃基板的热收缩率为75ppm以下；
以摩尔%表示，上述玻璃含有：
55～80%的SiO2、
3～20%的Al2O3、
3～15%的B2O3、及
3～25%的RO(MgO、CaO、SrO及BaO的合计量)，
实质上不含As2O3及Sb2O3，且
失透温度为1250℃以下。
本发明的第6技术方案提供如上述第1至第5技术方案中任一技术方案记载的形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其中上述玻璃的应变点为680℃以上。
本发明的第7技术方案提供如上述第1至第6技术方案中任一技术方案记载的形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其中于上述玻璃中，SiO2、Al2O3、B2O3及RO的以摩尔%表示的含有率满足
(SiO2+2×Al2O3)/(2×B2O3+RO)>3.0的关系。
本发明的第8技术方案提供如上述第1至第7技术方案中任一技术方案记载的形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其中于上述玻璃中，SiO2及Al2O3的以摩尔%表示的含有率满足
SiO2+2Al2O3≧80%的关系。
本发明的第9技术方案提供如上述第1至第8技术方案中任一技术方案记载的形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其中上述玻璃含有ZnO作为可选成分，
于上述玻璃中，B2O3、RO及ZnO的以摩尔%表示的含有率满足
B2O3+RO+ZnO<20%的关系。
本发明的第10技术方案提供如上述第1至第9技术方案中任一技术方案记载的形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其中上述玻璃的液相黏度为104.5dPa·s以上，可通过利用下拉法将上述玻璃成形而获得。
本发明的第11技术方案提供如上述第1至第10技术方案中任一技术方案记载的形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其为液晶显示器用玻璃基板。
本发明的第12技术方案提供一种形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板的制造方法，其包括：
熔融步骤，将以下玻璃原料熔融而生成熔融玻璃，以摩尔%计，上述玻璃原料按成为SiO2为55～80%、Al2O3为3～20%、B2O3为3～15%、RO(MgO、CaO、SrO、BaO的合计量)为3～25%，实质上不含As2O3及Sb2O3，且失透温度为1250℃以下的玻璃的方式调配而成；
成形步骤，将上述熔融玻璃成形为玻璃板；及
缓冷步骤，将上述玻璃板缓冷；并且
上述玻璃板的热收缩率为75ppm以下。
本发明的第13技术方案提供如上述第12技术方案记载的形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板的制造方法，其中上述玻璃板的热收缩率为60ppm以下。
本发明的第14技术方案提供如上述12或13技术方案记载的形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板的制造方法，其中于上述熔融步骤中，以β-OH成为0.05～0.40mm-1的方式生成熔融玻璃，
于上述缓冷步骤中，于自玻璃化转变点(Tg)起至Tg-100℃的温度范围内，以50～300℃/分的平均速度将上述玻璃板冷却。
本发明的第15技术方案提供一种平面面板显示器用玻璃基板，其由下述玻璃构成，且
热收缩率为75ppm以下；
以摩尔%表示，上述玻璃含有：
55～80%的SiO2、
3～20%的Al2O3、
3～15%的B2O3、及
3～25%的RO(MgO、CaO、SrO及BaO的合计量)，
实质上不含As2O3及Sb2O3，且
失透温度为1250℃以下。
本发明的第16的技术方案提供如上述第15技术方案记载的平面面板显示器用玻璃基板，其热收缩率为60ppm以下。
[产业上的可利用性]
本发明的平面面板显示器用玻璃基板适于使用p-Si的平面面板显示器，尤其适于使用p-Si-TFT的液晶显示器用的玻璃基板及有机EL显示器用的玻璃基板，其中适于要求高精细的移动终端等的显示器用玻璃基板。

Claims (14)

1.一种形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其由下述玻璃构成，且热收缩率为75ppm以下；
以摩尔%表示，上述玻璃含有：
55～80%的SiO2、
3～20%的Al2O3、
3～15%的B2O3、及
3～25%的RO，
所述玻璃实质上不含As2O3及Sb2O3，且失透温度为1250℃以下，
RO为MgO、CaO、SrO、BaO的合计量；
其中，上述所谓热收缩率是指：使用实施升降温速度为10℃/分、于550℃保持2小时的热处理后的玻璃基板的收缩量，利用下式求出的值，
热收缩率(ppm)
={热处理后的玻璃基板的收缩量/热处理前的玻璃基板的长度}×106。
2.如权利要求1所述的形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其热收缩率为60ppm以下。
3.如权利要求1或2所述的形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其中，上述玻璃的应变点为680℃以上。
4.如权利要求1～3任一项所述的形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其中，上述玻璃中，SiO2、Al2O3、B2O3及RO以摩尔%表示的含有率满足
(SiO2+2×Al2O3)/(2×B2O3+RO)>3.0的关系。
5.如权利要求1～4任一项所述的形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其中，上述玻璃中，SiO2及Al2O3以摩尔%表示的含有率满足
SiO2+2Al2O3≧80%的关系。
6.如权利要求1～5任一项所述的形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其中，上述玻璃含有ZnO作为可选成分，
上述玻璃中，B2O3、RO及ZnO以摩尔%表示的含有率满足
B2O3+RO+ZnO<20%的关系。
7.如权利要求1～6任一项所述的形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其中，上述玻璃的液相黏度为104.5dPa·s以上，利用下拉法将上述玻璃成形而获得。
8.如权利要求1～7任一项所述的形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其为液晶显示器用玻璃基板。
9.一种形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板的制造方法，其包括：
熔融步骤，将以下玻璃原料熔融而生成熔融玻璃，以摩尔%计，上述玻璃原料按成为SiO2为55～80%、Al2O3为3～20%、B2O3为3～15%、RO为3～25%，实质上不含As2O3及Sb2O3，且失透温度为1250℃以下的玻璃的方式调配而成，其中，RO为MgO、CaO、SrO及BaO的合计量；
成形步骤，将上述熔融玻璃成形为玻璃板；及
缓冷步骤，将上述玻璃板缓冷；并且
上述玻璃板的热收缩率为75ppm以下；
其中，上述热收缩率是指：使用实施升降温速度为10℃/分、于550℃保持2小时的热处理后的玻璃基板的收缩量，利用下式求出的值，
热收缩率(ppm)
={热处理后的玻璃基板的收缩量/热处理前的玻璃基板的长度}×106。
10.如权利要求9所述的形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板的制造方法，其中，上述玻璃板的热收缩率为60ppm以下。
11.如权利要求9或10所述的形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板的制造方法，其中，上述熔融步骤中，以β-OH成为0.05～0.40mm-1的方式生成熔融玻璃，
上述缓冷步骤中，自玻璃化转变点(Tg)起至Tg-100℃的温度范围内，以50～300℃/分的平均速度将上述玻璃板冷却。
12.一种平面面板显示器用玻璃基板，其由下述玻璃构成，且热收缩率为75ppm以下；
以摩尔%表示，上述玻璃含有：
55～80%的SiO2、
3～20%的Al2O3、
3～15%的B2O3、及
3～25%的RO，
所述玻璃实质上不含As2O3及Sb2O3，且失透温度为1250℃以下，
RO为MgO、CaO、SrO及BaO的合计量；
其中，上述热收缩率是指：使用实施升降温速度为10℃/分、于550℃保持2小时的热处理后的玻璃基板的收缩量，利用下式求出的值，
热收缩率(ppm)
={热处理后的玻璃基板的收缩量/热处理前的玻璃基板的长度}×106。
13.如权利要求12所述的平面面板显示器用玻璃基板，其热收缩率为60ppm以下。
14.一种形成p-Si-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其是由下述玻璃构成的玻璃基板，且于Tg下保持30分钟后，以100℃/分冷却至Tg-100℃，放置冷却至室温后，实施升降温速度为10℃/分、于550℃保持2小时的热处理后的上述玻璃基板的热收缩率为75ppm以下；
以摩尔%表示，上述玻璃含有：
55～80%的SiO2、
3～20%的Al2O3、
3～15%的B2O3、及
3～25%的RO，
所述玻璃实质上不含As2O3及Sb2O3，且失透温度为1250℃以下，
RO为MgO、Cao、SrO及BaO的合计量。
CN201280002421.7A 2011-07-01 2012-06-28 平面面板显示器用玻璃基板及其制造方法 Active CN103080032B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-147759 2011-07-01
JP2011147759 2011-07-01
JP2012-059133 2012-03-15
JP2012059133 2012-03-15
PCT/JP2012/004201 WO2013005402A1 (ja) 2011-07-01 2012-06-28 フラットパネルディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103080032A true CN103080032A (zh) 2013-05-01
CN103080032B CN103080032B (zh) 2016-07-06

Family

ID=47436767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280002421.7A Active CN103080032B (zh) 2011-07-01 2012-06-28 平面面板显示器用玻璃基板及其制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8853113B2 (zh)
JP (2) JPWO2013005402A1 (zh)
KR (1) KR101409707B1 (zh)
CN (1) CN103080032B (zh)
TW (1) TWI570087B (zh)
WO (1) WO2013005402A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107108334A (zh) * 2014-10-31 2017-08-29 康宁股份有限公司 对玻璃进行尺寸稳定的快速蚀刻
CN114222722A (zh) * 2019-07-29 2022-03-22 Ａｇｃ株式会社 支承玻璃基板

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5614171B2 (ja) 2010-08-23 2014-10-29 日本電気硝子株式会社 ガラス板の製造方法
JPWO2013005401A1 (ja) * 2011-07-01 2015-02-23 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 フラットパネルディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法
WO2013005402A1 (ja) * 2011-07-01 2013-01-10 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 フラットパネルディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法
EP2969549A1 (en) 2013-03-14 2016-01-20 Corning Incorporated Methods for fabricating and cutting flexible glass and polymer composite structures and apparatus
US10329193B2 (en) * 2013-05-24 2019-06-25 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Method for producing toughened glass plate
JP2017007870A (ja) * 2013-11-13 2017-01-12 旭硝子株式会社 板ガラスの製造方法
JP6742593B2 (ja) * 2015-01-05 2020-08-19 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板の製造方法及び積層体の製造方法
CN118324411A (zh) * 2018-03-20 2024-07-12 Ａｇｃ株式会社 基板、液晶天线和高频装置
WO2020209270A1 (ja) * 2019-04-12 2020-10-15 Ａｇｃ株式会社 ガラス板及びその製造方法
US11773006B1 (en) 2022-11-10 2023-10-03 Corning Incorporated Glasses for high performance displays

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3465238B2 (ja) * 1993-01-22 2003-11-10 コーニング・インコーポレーテッド 高液相線粘度ガラスおよびそれを用いた基板
CN101370742A (zh) * 2006-01-12 2009-02-18 日本电气硝子株式会社 无碱玻璃基板
WO2009093550A1 (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Nippon Electric Glass Co., Ltd. ガラス基板の製造方法及びガラス基板
CN102030475A (zh) * 2010-10-15 2011-04-27 北京工业大学 用于tft-lcd的环保型无碱铝硼硅酸盐玻璃
US20110143908A1 (en) * 2009-12-16 2011-06-16 Avanstrate Inc. Glass composition, glass substrate for flat panel display using the same, flat panel display, and method for producing glass substrate for flat panel display

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3083586B2 (ja) * 1991-04-26 2000-09-04 旭硝子株式会社 無アルカリガラス
US5116787A (en) * 1991-08-12 1992-05-26 Corning Incorporated High alumina, alkaline earth borosilicate glasses for flat panel displays
US5116788A (en) * 1991-08-12 1992-05-26 Corning Incorporated Alkaline earth aluminoborosilicate glasses for flat panel displays
EP0714862B1 (en) * 1994-11-30 1999-03-31 Asahi Glass Company Ltd. Alkali-free glass and flat panel display
JP4250208B2 (ja) * 1994-11-30 2009-04-08 旭硝子株式会社 ディスプレイ基板用無アルカリガラス及び液晶ディスプレイパネル
US6060168A (en) * 1996-12-17 2000-05-09 Corning Incorporated Glasses for display panels and photovoltaic devices
TW544445B (en) * 1999-06-29 2003-08-01 Hoya Corp Glass substrate and glass composition for use in a liquid crystal panel
DE19939789A1 (de) * 1999-08-21 2001-02-22 Schott Glas Alkalifreie Aluminoborosilicatgläser und deren Verwendungen
DE10000838B4 (de) * 2000-01-12 2005-03-17 Schott Ag Alkalifreies Aluminoborosilicatglas und dessen Verwendungen
JP2002003240A (ja) * 2000-06-19 2002-01-09 Nippon Electric Glass Co Ltd 液晶ディスプレイ用ガラス基板
DE10064804C2 (de) * 2000-12-22 2003-03-20 Schott Glas Alkalifreie Aluminoborosilicatgläser und ihre Verwendung
JP3988456B2 (ja) * 2001-12-21 2007-10-10 日本電気硝子株式会社 ガラス及びディスプレイ用ガラス基板
KR20050109929A (ko) 2003-03-31 2005-11-22 아사히 가라스 가부시키가이샤 무알칼리 유리
JP2004315354A (ja) 2003-03-31 2004-11-11 Asahi Glass Co Ltd 無アルカリガラス
JP4941872B2 (ja) * 2003-09-02 2012-05-30 日本電気硝子株式会社 液晶ディスプレイ用透明無アルカリガラス基板
JP5109225B2 (ja) * 2003-12-26 2012-12-26 旭硝子株式会社 無アルカリガラスおよび液晶ディスプレイパネル
WO2005063642A1 (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Asahi Glass Company, Limited 無アルカリガラス、その製造方法および液晶ディスプレイパネル
JP4737709B2 (ja) * 2004-03-22 2011-08-03 日本電気硝子株式会社 ディスプレイ基板用ガラスの製造方法
JP2008105860A (ja) * 2005-01-31 2008-05-08 Nippon Sheet Glass Co Ltd ガラスの製造方法
CN1268567C (zh) * 2005-02-06 2006-08-09 河南安彩高科股份有限公司 一种无碱金属的玻璃组合物及其制法和应用
DE102005019958B4 (de) * 2005-04-29 2010-02-18 Schott Ag Blitzlicht-Leuchtquelle mit Hüllenglas
US7851394B2 (en) * 2005-06-28 2010-12-14 Corning Incorporated Fining of boroalumino silicate glasses
JP5083707B2 (ja) * 2006-01-12 2012-11-28 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス基板の製造方法
CN103121796B (zh) * 2006-02-10 2017-03-29 康宁股份有限公司 具有高的热稳定性和化学稳定性的玻璃组合物及其制备方法
JP5088670B2 (ja) 2006-04-11 2012-12-05 日本電気硝子株式会社 ディスプレイ用ガラス基板
JP5703535B2 (ja) * 2006-05-23 2015-04-22 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス基板
US7534734B2 (en) * 2006-11-13 2009-05-19 Corning Incorporated Alkali-free glasses containing iron and tin as fining agents
JP5808069B2 (ja) * 2007-02-16 2015-11-10 日本電気硝子株式会社 太陽電池用ガラス基板
JP5435394B2 (ja) 2007-06-08 2014-03-05 日本電気硝子株式会社 強化ガラス基板及びその製造方法
TWI414502B (zh) * 2008-05-13 2013-11-11 Corning Inc 含稀土元素之玻璃材料及基板及含該基板之裝置
RU2010154445A (ru) * 2008-05-30 2012-07-10 Фостер Вилер Энергия Ой (Fi) Способ и система для генерации энергии путем сжигания в чистом кислороде
JP5333984B2 (ja) * 2008-06-27 2013-11-06 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス
JP5757451B2 (ja) * 2009-03-18 2015-07-29 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス
JP5375385B2 (ja) * 2009-07-13 2013-12-25 日本電気硝子株式会社 ガラス基板の製造方法
US8598056B2 (en) * 2010-10-06 2013-12-03 Corning Incorporated Alkali-free glass compositions having high thermal and chemical stability
WO2013005402A1 (ja) * 2011-07-01 2013-01-10 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 フラットパネルディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法
JP6202297B2 (ja) * 2011-12-29 2017-09-27 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3465238B2 (ja) * 1993-01-22 2003-11-10 コーニング・インコーポレーテッド 高液相線粘度ガラスおよびそれを用いた基板
CN101370742A (zh) * 2006-01-12 2009-02-18 日本电气硝子株式会社 无碱玻璃基板
WO2009093550A1 (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Nippon Electric Glass Co., Ltd. ガラス基板の製造方法及びガラス基板
US20110143908A1 (en) * 2009-12-16 2011-06-16 Avanstrate Inc. Glass composition, glass substrate for flat panel display using the same, flat panel display, and method for producing glass substrate for flat panel display
CN102030475A (zh) * 2010-10-15 2011-04-27 北京工业大学 用于tft-lcd的环保型无碱铝硼硅酸盐玻璃

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107108334A (zh) * 2014-10-31 2017-08-29 康宁股份有限公司 对玻璃进行尺寸稳定的快速蚀刻
CN114222722A (zh) * 2019-07-29 2022-03-22 Ａｇｃ株式会社 支承玻璃基板
CN114222722B (zh) * 2019-07-29 2024-02-23 Ａｇｃ株式会社 支承玻璃基板

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130054226A (ko) 2013-05-24
US20140249018A1 (en) 2014-09-04
JP6348100B2 (ja) 2018-06-27
JP2016106067A (ja) 2016-06-16
WO2013005402A1 (ja) 2013-01-10
TW201305081A (zh) 2013-02-01
CN103080032B (zh) 2016-07-06
US8853113B2 (en) 2014-10-07
US20130023400A1 (en) 2013-01-24
JPWO2013005402A1 (ja) 2015-02-23
US9469564B2 (en) 2016-10-18
KR101409707B1 (ko) 2014-06-19
TWI570087B (zh) 2017-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103153893B (zh) 平面面板显示器用玻璃基板及其制造方法
CN103080032A (zh) 平面面板显示器用玻璃基板及其制造方法
JP6420282B2 (ja) フラットパネルディスプレイ用ガラス基板及びその製造方法
JP6375265B2 (ja) フラットパネルディスプレイ用ガラス基板及びその製造方法
JP2013212943A (ja) フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法
JP5753895B2 (ja) フラットパネルディスプレイ用ガラス基板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant