CN103068150A - 一种新型阶梯微波板 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种新型阶梯微波板，所述的阶梯微波板包括内微带线、PTFE半固化片、开槽、分离膜、内层微带线铜层、低TG值半固化片、上层PTFE材料基板、下层PTFE材料基板和插件孔；所述的低TG值半固化片、分离膜、上层PTFE材料基板、PTFE半固化片、内微带线、下层PTFE材料基板从上到下依次设置，所述的内层微带线铜层设在内微带线和PTFE半固化片之间，所述的开槽位于上层PTFE材料基板上，所述的插件孔位于开槽内的内微带线上。与现有技术相比，本发明具有制作流程简单、成本低、性能高等优点。
Description
技术领域
本发明涉及一种微波板，尤其是涉及一种新型阶梯微波板。
背景技术
目前微波阶梯板加工方法通常选用Low flow PrePreg压合，但由于电气性能和特殊使用环境要求，大部分微波阶梯板不能选用Low flow PrePreg。而相反需要流胶量大的PrePreg压合。在加工上通常根据固化片的溢胶量将PP加大开槽尺寸或者使用专门的阻胶垫，工艺流程复杂，并受压合条件、内层残铜率、压合排板方式等诸多因素影响，导致溢胶时大时小。合格率不高，严重影响产品外观与性能。
发明内容
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种制作流程简单、成本低、性能高的新型阶梯微波板。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：
一种新型阶梯微波板，其特征在于，所述的阶梯微波板包括内微带线、PTFE半固化片、开槽、分离膜、内层微带线铜层、低TG值半固化片、上层PTFE材料基板、下层PTFE材料基板和插件孔；所述的低TG值半固化片、分离膜、上层PTFE材料基板、PTFE半固化片、内微带线、下层PTFE材料基板从上到下依次设置，所述的内层微带线铜层设在内微带线和PTFE半固化片之间，所述的开槽位于上层PTFE材料基板上，所述的插件孔位于开槽内的内微带线上；
通过两种不同TG值半固化片在压合升温过程中有先后流动原理，所述的低TG值半固化片在低温下开始流动，而需要粘结PTFE材料半固化片在高温下才开始流动，为此低TG值半固化片会提前流胶到开槽内，并在PTFE材料半固化片开始流动时低TG值半固化片已开始固化，由此来阻止PTFE材料半固化片流胶到开槽内，提高产品性能稳定性。
所述的分离膜与低TG值半固化片不粘结，起到分离作用，并在压合时吸真空会贴紧槽壁，压合结束后取下。
所述的低TG值半固化片为FR-4半固化片。
所述的低温为70～90℃。
所述的低温为80℃。
所述的高温为120～140℃。
所述的高温为130℃。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
1、流程简单：不需要计算PTFE材料的半固化片流胶量，不存在溢胶等外观问题，提高产品品质。
2、节约时间：由于工艺流程简单，合格率高，缩短生产周期。
3、节约成本：不需要专门铣阻胶片，可使用最便宜的FR-4半固化片即可操作。
4、提高性能：不需要加大半固化片的开槽尺寸，不会影响到微波板的使用性能。大大提升产品可靠性。
附图说明
图1为本发明的俯视结构示意图；
图2为本发明压合前主视层叠结构示意图；
图3为本发明压合后层叠结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。
如图1和图2所示，本发明包括内微带线2、PTFE半固化片4、开槽5、分离膜6、内层微带线铜层7、低TG值半固化片8、PTFE材料基板9，10、插件孔11；从上到下，低TG值半固化片8、分离膜6、PTFE材料基板9、PTFE半固化片4、内微带线2和PTFE材料基板10按顺序叠加，内微带线2、PTFE半固化片4之间有内层微带线铜层7，分离膜6与低TG值半固化片8不粘结，起到分离作用，压合时的开槽5位于PTFE材料基板9上，插件孔11位于槽内微带线上。
本发明利用两种不同TG值(Glass transition temperature)在压合升温过程中有先后流动现象，低TG值半固化片8在80℃开始流动，而需要粘结PTFE材料半固化片4在130℃才开始流动。为此低TG值半固化片8会提前流胶到开槽5内，并在PTFE材料半固化片4开始流动时低TG值半固化片8已开始固化，如图3所示，压合后低胶填满槽12被低TG值半固化片8的流胶填满，由此来阻止PTFE材料半固化片4流胶到开槽5内，提高产品性能稳定性，分离膜13在压合时吸真空会贴紧槽壁，压合结束后取下。
Claims (7)
1.一种新型阶梯微波板，其特征在于，所述的阶梯微波板包括内微带线、PTFE半固化片、开槽、分离膜、内层微带线铜层、低TG值半固化片、上层PTFE材料基板、下层PTFE材料基板和插件孔；所述的低TG值半固化片、分离膜、上层PTFE材料基板、PTFE半固化片、内微带线、下层PTFE材料基板从上到下依次设置，所述的内层微带线铜层设在内微带线和PTFE半固化片之间，所述的开槽位于上层PTFE材料基板上，所述的插件孔位于开槽内的内微带线上；
所述的低TG值半固化片在低温下开始流动，所述的PTFE材料半固化片在高温下开始流动，低TG值半固化片提前流胶到开槽内，并在PTFE材料半固化片开始流动时低TG值半固化片已开始固化，由此来阻止PTFE材料半固化片流胶到开槽内，提高产品性能稳定性。
2.根据权利要求1所述的一种新型阶梯微波板，其特征在于，所述的分离膜与低TG值半固化片不粘结，起到分离作用，并在压合时吸真空会贴紧槽壁，压合结束后取下。
3.根据权利要求1所述的一种新型阶梯微波板，其特征在于，所述的低TG值半固化片为FR-4半固化片。
4.根据权利要求1所述的一种新型阶梯微波板，其特征在于，所述的低温为70～90℃。
5.根据权利要求4所述的一种新型阶梯微波板，其特征在于，所述的低温为80℃。
6.根据权利要求1所述的一种新型阶梯微波板，其特征在于，所述的高温为120～140℃。
7.根据权利要求6所述的一种新型阶梯微波板，其特征在于，所述的高温为130℃。
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