CN103044445A - 非对称二苯并二噻吩并噻吩化合物 - Google Patents

非对称二苯并二噻吩并噻吩化合物 Download PDF

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Abstract

本发明涉及非对称二苯并二噻吩并噻吩化合物。具体而言，本文公开了一种式（I）的不对称半导体化合物，其中R1和R2如说明书所述。该化合物可用于电子器件（例如薄膜晶体管）的半导体层。包括该化合物的器件显示出高的迁移率和优异的稳定性。
Figure DDA00002261915600011

Description

非对称二苯并二噻吩并噻吩化合物
技术领域
本公开涉及可提供高的电性能、可溶、并且是空气稳定的半导体化合物。这种化合物可用于薄膜晶体管(TFT)和/或其他包括半导体层的电子器件。本文还公开了制备这种化合物和使用它们的方法。
背景技术
TFT通常由衬底上的以下物质组成：导电栅电极、源电极和漏电极、分隔所述栅电极与源电极和漏电极的电绝缘栅介电层和与所述栅介电层接触并桥接源电极和漏电极的半导体层。其性能可由整个晶体管的场效应迁移率(也称为载流子迁移率)和通电/断电比来确定。希望得到高迁移率和高通电/断电比。
有机薄膜晶体管(OTFT)可用于一些应用，例如射频识别(RFID)标签和显示器(例如标识牌、阅读器和液晶显示器)的底板切换电路，其中高切换速度和/或高密度不是必要的。其还具有吸引人的机械性能，例如外形小巧、轻质和柔性。
有机薄膜晶体管可以通过使用低成本的基于溶液的图案化和沉积技术制作，例如旋涂法、溶液浇铸法、浸涂法、刻版/丝网印刷法、苯胺印刷法、凹版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法、微接触印刷法等。为了能够在制作薄膜晶体管电路时使用这些基于溶液的方法，需要可溶液加工的材料。然而，通过溶液加工形成的有机或聚合物半导体具有溶解度有限、空气敏感性、尤其是低的场效应迁移率的倾向。希望开发能克服这些挑战的新的化合物。
发明内容
在多个实施方案中公开了可用于电子器件的半导体化合物。这些化合物为非对称或不对称的二苯并二噻吩并噻吩或二萘并二噻吩并噻吩。
在一些实施方案中公开了一种具有式(I)结构的半导体化合物：
Figure BDA00002261915400021
其中R1和R2各自独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基(CN)和卤素；m为R1侧链的数目并且为0至6的整数；n为R2侧链的数目并且为0至6的整数；并且p和q独立地为0或1。
在更具体的实施方案中，所述半导体化合物可以具有式(II)结构：
其中R1和R2各自独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基(CN)和卤素；m为R1侧链的数目并且为0至4的整数；n为R2侧链的数目并且为0至4的整数；当p和q均为0时获得式(II)结构。该化合物也可以称作二苯并[d，d’]二噻吩并[2，3-b：2’，3’-b’]噻吩。
在某些实施方案中，R1和R2相同。在其他实施方案中，R1和R2独立地为烷基。
在另外的实施方案中，m和n相同。具体而言，m和n可以均为1。
所述半导体化合物可以具有式(III)结构：
其中R3和R4独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基(CN)和卤素。
在具体的实施方案中，R3和R4相同并且选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基和取代杂芳基。
在一些实施方案中还公开了一种半导体组合物，其包括聚合物粘合剂，和式(I)的半导体化合物：
Figure BDA00002261915400031
其中R1和R2各自独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基(CN)和卤素；m为R1侧链的数目并且为0至6的整数；n为R2侧链的数目并且为0至6的整数；并且p和q独立地为0或1。
所述聚合物粘合剂可以为基于苯乙烯的聚合物，或为基于芳胺的聚合物，或为选自本文进一步讨论的聚合物的聚合物粘合剂。
半导体化合物与聚合物粘合剂的重量比可为5∶1至约2∶3。
还公开了一种包括半导体层的电子器件，该半导体层包括式(I)的半导体化合物：
其中R1和R2独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基(CN)和卤素；m为R1侧链的数目并且为0至6的整数；n为R2侧链的数目并且为0至6的整数；并且p和q独立地为0或1。
所述半导体层还可以包括聚合物粘合剂。
本公开还提供以下优选实施方案：
1.一种具有式(I)结构的半导体化合物：
Figure BDA00002261915400041
其中R1和R2各自独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基(CN)和卤素；m为R1侧链的数目并且为0至6的整数；n为R2侧链的数目并且为0至6的整数；并且p和q独立地为0或1。
2.实施方案1的半导体化合物，其中该半导体化合物具有式(II)结构：
Figure BDA00002261915400042
其中m和n独立地为0至4的整数。
3.实施方案1的半导体化合物，其中R1和R2独立地为烷基。
4.实施方案1的半导体化合物，其中m和n为1。
5.实施方案1的半导体化合物，其中该半导体化合物具有式(III)结构：
Figure BDA00002261915400043
其中R3和R4独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基(CN)和卤素。
6.实施方案5的半导体化合物，其中R3和R4相同并且选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基和取代杂芳基。
7.一种半导体组合物，其包括：
聚合物粘合剂；和
式(I)的半导体化合物：
Figure BDA00002261915400051
其中R1和R2各自独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基(CN)和卤素；m为R1侧链的数目并且为0至6的整数；n为R2侧链的数目并且为0至6的整数；并且p和q独立地为0或1。
8.实施方案7的半导体组合物，其中该半导体化合物具有式(II)结构：
Figure BDA00002261915400052
其中m和n独立地为0至4的整数。
9.实施方案7的半导体组合物，其中m和n为1。
10.实施方案7的半导体组合物，其中该半导体组合物具有式(III)结构：
Figure BDA00002261915400061
其中R3和R4独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基(CN)和卤素。
11.实施方案10的半导体组合物，其中R3和R4相同并且选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基和取代杂芳基。
12.实施方案7的半导体组合物，其中聚合物粘合剂选自：氟代聚芳醚、聚(对亚二甲苯)、聚(乙烯基甲苯)、聚(α-甲基苯乙烯)、聚(α-乙烯基萘)、聚乙烯、聚丙烯、聚异戊二烯、聚(四氟乙烯)、聚(氯三氟乙烯)、聚(2-甲基-1，3-丁二烯)、聚(环己基甲基丙烯酸酯)、聚(氯苯乙烯)、聚(4-甲基苯乙烯)、聚(乙烯基环己烷)、聚亚苯基、聚对苯基亚乙烯基、聚(亚芳醚)、聚异丁烯、聚(2，6-二甲基-1，4-亚苯基醚)、聚[1，1-(2-甲基丙烷)二-(4-苯基)碳酸酯]、聚(α-α-α’-α’-四氟对亚二甲苯)、氟化聚酰亚胺、聚(乙烯/四氟乙烯)、聚(乙烯/氯三氟乙烯)、氟化乙烯/丙烯共聚物、聚(苯乙烯-共-α-甲基苯乙烯)、聚(苯乙烯/丁二烯)、聚(苯乙烯/2，4-二甲基苯乙烯)、CYTOP、聚(丙烯-共-1-丁烯)、聚(苯乙烯-共-乙烯基甲苯)、聚(苯乙烯-嵌段-丁二烯-嵌段-苯乙烯)、聚(苯乙烯-嵌段-异戊二烯-嵌段-苯乙烯)、萜烯树脂、聚(N-乙烯基咔唑)、聚咔唑和聚三芳基胺。
13.实施方案7的半导体组合物，其中聚合物粘合剂为基于苯乙烯的聚合物或基于芳基胺的聚合物。
14.实施方案7的半导体组合物，其中半导体化合物与聚合物粘合剂的重量比为5∶1至约2∶3。
15.一种电子器件，其包括半导体层，该半导体层包括式(I)的半导体化合物：
Figure BDA00002261915400071
其中R1和R2各自独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基(CN)和卤素；m为R1侧链的数目并且为0至6的整数；n为R2侧链的数目并且为0至6的整数；并且p和q独立地为0或1。
16.实施方案15的电子器件，其中半导体化合物具有式(II)结构：
Figure BDA00002261915400072
其中m和n独立地为0至4的整数。
17.实施方案15的电子器件，其中该电子器件具有式(III)结构：
Figure BDA00002261915400073
其中R3和R4独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基(CN)和卤素。
18.实施方案17的电子器件，其中R3和R4相同并且选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基和取代杂芳基。
19.实施方案15的电子器件，其中半导体层还包括聚合物粘合剂。
20.实施方案19的电子器件，其中聚合物粘合剂选自：氟代聚芳醚、聚(对亚二甲苯)、聚(乙烯基甲苯)、聚(α-甲基苯乙烯)、聚(α-乙烯基萘)、聚乙烯、聚丙烯、聚异戊二烯、聚(四氟乙烯)、聚(氯三氟乙烯)、聚(2-甲基-1，3-丁二烯)、聚(环己基甲基丙烯酸酯)、聚(氯苯乙烯)、聚(4-甲基苯乙烯)、聚(乙烯基环己烷)、聚亚苯基、聚对苯基亚乙烯基、聚(亚芳醚)、聚异丁烯、聚(2，6-二甲基-1，4-亚苯基醚)、聚[1，1-(2-甲基丙烷)二-(4-苯基)碳酸酯]、聚(α-α-α’-α’-四氟对亚二甲苯)、氟化聚酰亚胺、聚(乙烯/四氟乙烯)、聚(乙烯/氯三氟乙烯)、氟化乙烯/丙烯共聚物、聚(苯乙烯-共-α-甲基苯乙烯)、聚(苯乙烯/丁二烯)、聚(苯乙烯/2，4-二甲基苯乙烯)、CYTOP、聚(丙烯-共-1-丁烯)、聚(苯乙烯-共-乙烯基甲苯)、聚(苯乙烯-嵌段-丁二烯-嵌段-苯乙烯)、聚(苯乙烯-嵌段-异戊二烯-嵌段-苯乙烯)、萜烯树脂、聚(N-乙烯基咔唑)、聚咔唑和聚三芳基胺。
下面更具体地公开本文的这些和其他的非限制性特征。
附图说明
本专利或申请文件包括至少一幅彩色附图。提出请求并且支付必要费用后可以由官方提供具有彩色附图的本专利或专利申请公开的副本。
以下为附图简要说明，用于解释本文公开的示例性实施方案而非对其进行限制。
图1为本公开TFT的第一个实施方案的示意图。
图2为本公开TFT的第二个实施方案的示意图。
图3为本公开TFT的第三个实施方案的示意图。
图4为本公开TFT的第四个实施方案的示意图。
图5示出了使用分子模型技术计算的二烷基取代的二苯并二噻吩并噻吩的平衡几何形状和晶体结构的彩色模型。
图6示出了使用分子模型技术计算的二烷基取代的二萘并二噻吩并噻吩的平衡几何形状和晶体结构的彩色模型。
具体实施方式
通过参考附图，可更彻底地理解本文公开的组件、方法和装置。这些图只是基于方便并容易地说明本文公开的内容而作的图示，因此并非意欲给出所述器件或其组件的相对大小和尺寸和/或限定或限制示例性实施方案的范围。
虽然为了清楚的目的在以下说明书中使用了特定的术语，但这些术语仅意在指明在附图中为了示例说明而选的实施方案的具体结构，而非限定或限制本发明的范围。在附图和以下的说明书中，应理解为相似的数字标记表示相似功能的组件。
连同数量使用的修饰语“约”包括所述数值在内并具有上下文中所指的含义(例如，其至少包括与具体数量的测量相关的误差程度)。当修饰语“约”用于范围的上下文时，还应看作其公开了由两个端点的绝对数值限定的范围。例如，范围“约2至约10”还公开了范围“2至10”。
本文所用的术语“包括”要求述及的组件存在，并允许其他组件存在。术语“包括”应解释为包含术语“由...组成”，后者只允许述及的组件和可能由制备该组件所产生的任意杂质存在。
术语“室温”指的是20℃至25℃范围的温度。
本公开涉及本文公开的半导体化合物。还公开了包括该半导体化合物的组合物。包括该半导体化合物的半导体层在空气中非常稳定并且具有高的迁移率。这些半导体化合物可以用于电子器件，例如薄膜晶体管(TFT)。
图1示例说明了本公开的底-栅底接触式(bottom-gatebottom-contact)TFT构造。TFT10包括衬底20和与之接触的栅电极30以及栅介电层40。这里描绘的栅电极30在衬底20内的凹陷中，但该栅电极也可位于衬底的上方。重要的是所述栅介电层40将栅电极30与源电极50、漏电极60和半导体层70分隔开。所述半导体层70漫过源电极50和漏电极60并位于其之间。该半导体在源电极50和漏电极60之间具有一段沟道长度80。
图2示例说明了本发明的另一个底-栅顶接触式(bottom-gatetop-contact)TFT构造。TFT10包括衬底20和与之接触的栅电极30以及栅介电层40。半导体层70置于该栅介电层40的上方并将其与源电极50和漏电极60分隔开。
图3示例说明了本发明的底-栅底接触式(bottom-gatebottom-contact)TFT构造。TFT10包括衬底20，其也作为栅电极并与栅介电层40接触。源电极50、漏电极60和半导体层70置于该栅介电层40的上方。
图4示例说明了本发明的顶-栅顶接触式(top-gate top-contact)TFT构造。TFT10包括衬底20和与之接触的源电极50、漏电极60和半导体层70。所述半导体层70漫过源电极50和漏电极60并位于其之间。栅介电层40在半导体层70的上方。栅电极30在栅介电层40的上方且不与半导体层70接触。
在更具体的实施方案中，本公开的半导体化合物具有式(I)结构：
Figure BDA00002261915400101
其中R1和R2各自独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基(CN)和卤素；m为R1侧链的数目并且为0至6的整数；n为R2侧链的数目并且为0至6的整数；p和q独立地为0或1。p值和q值决定所述化合物是包括苯环还是包括萘环。式(I)化合物为二芳基[d，d’]二噻吩并[2，3-b；2’，3’-b’]噻吩，并且在本文中也可以称为“DADTT”。
在更具体的实施方案中，本公开的半导体化合物具有式(II)结构：
Figure BDA00002261915400102
其中R1和R2各自独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基(CN)和卤素；m为R1侧链的数目并且为0至4的整数；n为R2侧链的数目并且为0至4的整数；式(II)化合物为二苯并[d，d’]二噻吩并[2，3-b：2’，3’-b’]噻吩，并且在本文中也可以称为“DBDTT”。
术语“烷基”指的是这样的完全由碳原子和氢原子组成的基团，其是完全饱和的并且具有式-CnH2n+1。烷基基团可以为直链的、支链的或环状的。
术语“烯基”指的是这样的完全由碳原子和氢原子组成的基团，其包含至少一个不是芳基或杂芳基结构一部分的碳碳双键。烯基基团可以是直链的、支链的或环状的。
术语“炔基”指的是这样的完全由碳原子和氢原子组成的基团，其含有至少一个碳碳三键。炔基基团可以是直链的、支链的或环状的。
术语“芳基”指的是完全由碳原子和氢原子组成的芳族基团。当连同碳原子的个数范围描述芳基时，不应将其解释为包括被取代的芳族基团。例如，短语“含有6至10个碳原子的芳基”应该被解释为只是指苯基(6个碳原子)或萘基(10个碳原子)，而不应该被解释为包括甲基苯基(7个碳原子)。
术语“杂芳基”指的是由碳原子、氢原子和一个或多个杂原子组成的芳族基团。所述碳原子和杂原子存在于所述基团的环状环或骨架中。所述杂原子选自O、S和N。示例性杂芳基基团包括噻吩基和吡啶基。
术语“烷氧基”指的是连接至氧原子的烷基基团，即-O-CnH2n+1。
术语“烷硫基”指的是连接至硫原子的烷基基团，即-S-CnH2n+1。
术语“被取代的”指的是所述基团中的至少一个氢原子被另一个官能团取代，所述官能团如卤素、-CN、-NO2、-COOH和-SO3H。示例性的被取代的烷基基团为全卤代烷基基团，其中烷基基团中的一个或多个氢原子被卤素原子(如氟、氯、溴和碘)替代。除了上述的官能团之外，芳基基团或杂芳基基团也可以被烷基或烷氧基或烷硫基取代。示例性的被取代的芳基包括甲基苯基和甲氧基苯基。示例性的被取代的杂芳基基团包括十二烷基噻吩基。
通常，烷基基团、烷氧基基团和烷硫基基团各自独立地包括1至30个碳原子，包括约4至约16个碳原子。类似地，芳基基团独立地包括6至30个碳原子。杂芳基基团独立地包括4至30个碳原子。在具体的实施方案中，芳基和杂芳基基团被具有约3至约16个碳原子的烷基基团取代。
在一些实施方案中，所述半导体化合物具有大于2.3eV的高的带隙。该较大的带隙通常指的是与基于并五苯的半导体相比，所述半导体化合物在空气中具有更好的稳定性。所述半导体化合物具有结晶或液晶结构。
在式(I)和式(II)的某些具体的实施方案中，R1和R2为相同的侧链，m＝1、并且n＝1。在其他具体的实施方案中，R1和R2为烷基。在式(I)的具体的实施方案中，p和q相同(即均为0或均为1)。
在更具体的实施方案中，所述半导体化合物具有式(III)结构：
Figure BDA00002261915400121
其中R3和R4独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基(CN)和卤素。此处，存在两个R侧链，其位于2位和7位。
在某些具体的实施方案中，R3和R4相同并且选自烷基、烯基、炔基、和芳基。在其他的实施方案中，R3和R4相同并且选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基和取代杂芳基。
可以使用本领域已知的多种方法来制备本文所述的半导体化合物。例如，路线1示出了第一种方法。这种方法以市售可得的3-溴代苯并噻吩1为原料，其可以与烷基锂试剂进行锂-卤素交换反应，然后与无水氯化锌进行金属转移反应。然后该锌阴离子2可区域选择性地在更活泼的2位上与2，3-二溴代苯并噻吩3进行Negishi交叉偶联反应。然后该中间体4可用烷基锂试剂转化为二价阴离子并用亲电硫源例如二苯磺酰硫醚终止以形成DADTT核5的第三个噻吩环。
Figure BDA00002261915400131
路线1
路线2示出了将烷基取代基加成至DADTT核，其在此处作为DBDTT核5示出。首先，DBDTT核5在三氯化铝存在下与取代的酰基氯反应以形成二酮基DBDTT6。然后，该二酮基DBDTT6在氢氧化钾的二乙二醇溶液存在下通过使用肼的改动的Wolff-Kishner还原而脱氧。这样形成二烷基DBDTT7。可以使用多于一种的酰基氯以获得具有两个或更多个不同R侧链的化合物。
Figure BDA00002261915400132
路线2
可以通过用溴首先溴化DBDTT核5而加成芳基取代基。然后中间体溴化化合物8可以使用标准钯催化的交叉偶联技术而丙烯酸酯化。路线3使用Suzuki-Miyaura偶合作为代表性的示例，与硼络合物9反应以形成二芳基DBDTT10。可以使用不仅是硼络合物以获得具有两个或更多个不同芳基侧链的化合物。
Figure BDA00002261915400141
路线3
所述半导体化合物本身具有差的成膜性，这归咎于其结晶或液晶的性质。因此，半导体层通常由包括所述半导体化合物和聚合物粘合剂的半导体组合物形成，所述聚合物粘合剂可以实现均匀成膜，显著提高器件性能。聚合物粘合剂可以被认为是形成了半导体化合物分散于其中的基体。
可以使用任何合适的聚合物作为半导体组合物的聚合物粘合剂。在某些实施方案中，聚合物为非晶态聚合物。非晶态聚合物可具有低于半导体化合物的熔点温度的玻璃化转变温度。在其他实施方案中，非晶态聚合物具有高于半导体化合物的熔点温度的玻璃化转变温度。在一些实施方案中，聚合物在室温下在60Hz测得的介电常数小于4.5，优选小于3.5，包括小于3.0。在一些实施方案中，聚合物选自仅含有C、H、F、Cl或N原子的聚合物。在某些实施方案中，聚合物为弱极性聚合物，例如碳氢聚合物或不含任何极性基团的碳氟聚合物。例如，聚苯乙烯是非晶态聚合物并且介电常数为约2.6。一系列其他弱极性聚合物包括但不限于以下：氟代聚芳醚、聚(对亚二甲苯)、聚(乙烯基甲苯)、聚(α-甲基苯乙烯)、聚(α-乙烯基萘)、聚乙烯、聚丙烯、聚异戊二烯、聚(四氟乙烯)、聚(氯三氟乙烯)、聚(2-甲基-1，3-丁二烯)、聚(环己基甲基丙烯酸酯)、聚(氯苯乙烯)、聚(4-甲基苯乙烯)、聚(乙烯基环己烷)、聚亚苯基、聚对苯基亚乙烯基、聚(亚芳醚)、聚异丁烯、聚(2，6-二甲基-1，4-亚苯醚)、聚[1，1-(2-甲基丙烷)二-(4-苯基)碳酸盐]、聚(α-α-α’-α’-四氟对亚二甲苯)、氟化聚酰亚胺、聚(乙烯/四氟乙烯)、聚(乙烯/氯三氟乙烯)、氟化乙烯/丙烯共聚物、聚(苯乙烯-共-α-甲基苯乙烯)、聚(苯乙烯/丁二烯)、聚(苯乙烯/2，4-二甲基苯乙烯)、CYTOP、聚(丙烯-共-1-丁烯)、聚(苯乙烯-共-乙烯基甲苯)、聚(苯乙烯-嵌段-丁二烯-嵌段-苯乙烯)、聚(苯乙烯-嵌段-异戊二烯-嵌段-苯乙烯)、萜烯树脂、聚(N-乙烯基咔唑)、聚咔唑、聚三芳基胺等。
在特定的实施方案中，聚合物粘合剂为基于苯乙烯的聚合物。基于苯乙烯的聚合物包括衍生自式(a)苯乙烯单体的重复单元：
Figure BDA00002261915400151
其中Rg、Rh、Rj和Rk独立地选自氢、卤素和C1-C20烷基；n为0至5的整数。该苯乙烯单体可以为苯乙烯(Rg、Rh和Rj全为氢，n＝0)、α-甲基苯乙烯(Rg为甲基，Rh和Rj为氢，n＝0)、或4-甲基苯乙烯(Rg、Rh和Rj全为氢，n＝1，Rk为4位上的甲基)。术语“基于苯乙烯的聚合物”旨在既包括均聚物又包括共聚物。术语“共聚物”旨在包括无规和嵌段共聚物。
在其他特定的实施方案中，聚合物粘合剂为基于芳基胺的聚合物。基于芳基胺的聚合物具有衍生自具有式(b)、式(c)或式(d)结构的单体的重复单元：
Figure BDA00002261915400161
其中Rm、Rn、Rp、Rq和Rr独立地选自氢、卤素、C1-C20烷基和芳基；p’和q’独立地为0至5的整数；并且Rw选自C1-C20烷基、芳基和取代芳基。术语“基于芳基胺的”聚合物旨在包括聚(N-乙烯基咔唑)、聚咔唑和基于三芳基胺的聚合物。
在具体的实施方案中，基于苯乙烯的聚合物和基于芳基胺的聚合物包括苯乙烯、聚(α-甲基苯乙烯)、聚(4-甲基苯乙烯)、聚(乙烯基甲苯)、聚(α-甲基苯乙烯-共-乙烯基甲苯)、聚(苯乙烯-嵌段-丁二烯-嵌段-苯乙烯)、聚(苯乙烯-嵌段-异戊二烯-嵌段-苯乙烯)、萜烯树脂、聚(苯乙烯-共-2，4-二甲基苯乙烯)、聚(氯代苯乙烯)、聚(苯乙烯-共-α-甲基苯乙烯)、聚(苯乙烯/丁二烯)、聚(N-乙烯基咔唑)、聚咔唑和聚三芳基胺。应注意在所述半导体组合物中可以使用一种或多种聚合物粘合剂。
通常，聚合物粘合剂的重均分子量可为约10,000至约2,000,000，包括约40,000至约1,000,000。在更具体的实施方案中，聚合物粘合剂为基于苯乙烯的聚合物。在特定的实施方案中，基于苯乙烯的聚合物的重均分子量为约40,000至约2,000,000。在某些实施方案中，基于苯乙烯的聚合物的分子量为约100,000至约1,000,000。在一个优选的实施方案中，聚合物粘合剂为重均分子量为约40,000至约2,000,000的聚苯乙烯、聚(α-甲基苯乙烯)或聚(4-甲基苯乙烯)。
式(I)半导体化合物与聚合物粘合剂的重量比可为约99∶1至约1∶3，包括约10∶1至约1∶2、约5∶1至约2∶3、或约3∶2至约3∶4。在某些实施方案中，式(I)半导体化合物与聚合物粘合剂的重量比为约1∶1。
半导体组合物还可包括半导体化合物和聚合物粘合剂可溶于其中的溶剂。在溶液中使用的示例性溶剂可包括氯化溶剂，例如氯苯、氯甲苯、二氯苯、二氯乙烷、氯仿、三氯苯等；醇类和二醇类，例如丙醇、丁醇、己醇、己二醇等；烃或芳族烃，例如己烷、庚烷、甲苯、十氢化萘、二甲苯、乙基苯、四氢化萘、甲基萘、均三甲苯、三甲基苯等；酮类，例如丙酮、甲乙酮等；乙酸酯类，例如乙酸乙酯；吡啶、四氢呋喃等。
半导体化合物和聚合物粘合剂为半导体组合物的约0.05至约20重量％，包括约半导体组合物的约0.1至约10重量％、或半导体组合物的约0.1至约1.0重量％。
在一些实施方案中，包括半导体化合物和聚合物粘合剂的半导体组合物的粘度可以为约1.5厘泊(cps)至约100厘泊(cps)，包括约2至约20cps。使用高分子量的聚合物粘合剂会增加半导体组合物的粘度。从而其在使用溶液沉积技术(例如喷墨印刷法和旋涂法)时将有助于形成均匀半导体层。
因为底-栅TFT通常更便于制备，因此其可能有利的。然而，现有的半导体/聚合物复合体系仅在顶-栅器件中可获得高的迁移率。当使用本公开的半导体组合物时，在如图1-3所示的底-栅器件中也可获得高的迁移率。
使用本领域已知的常规方法在电子器件中可以形成半导体层。在一些实施方案中，使用溶液沉积技术形成半导体层。示例性溶液沉积技术包括旋涂法、刮涂法、棒涂法、浸涂法、丝网印刷法、喷墨印刷法、冲压法、刻版印刷法、丝网印刷法、凹版印刷法、苯胺印刷法等。
半导体组合物沉积后，任选地在升高的温度下对其进行热处理(例如干燥或退火)，所述温度低于半导体组合物中使用的半导体化合物的熔点。根据所使用的半导体化合物，热处理温度可以改变。例如，热处理可以在低于200℃、低于150℃、或低于100℃的温度下进行。通常，半导体层不会经受温度高于半导体化合物熔点的热处理过程。在某些实施方案中，特别是使用式(I)半导体化合物的实施方案中，在由半导体组合物制备半导体层的过程中没有退火步骤。在高于半导体化合物熔点的温度下退火会引起半导体化合物与聚合物粘合剂明显的相分离，并增加半导体化合物的平均晶体大小。从而，电子器件将显示出差的电性能。
在特定的实施方案中，本公开的半导体化合物是结晶的(特别是在室温下)，并且在半导体层中的平均晶体大小为100纳米或更小。在具体的实施方案中，平均晶体大小为50纳米或更小。在更具体的实施方案中，平均晶体大小为35纳米或更小。结晶半导体化合物的晶体大小通常大于5纳米。平均晶体大小可以使用例如X射线衍射、透射式电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等方法测得。平均晶体大小的测定以球形体积直径表示。然而，这不应解释为要求半导体化合物晶体具有特定的形态或形状。
使用半导体组合物形成的半导体层可以为约5纳米至约1000纳米的深度，包括约20至约100纳米的深度。在某些构造中，例如图1所示的构造，半导体层完全覆盖源电极和漏电极。
TFT性能可以通过迁移率测定。迁移率以cm2/V·sec单位测定；希望更高的迁移率。所得的包括本公开半导体化合物的TFT的场效应迁移率可为至少0.1cm2/V·sec，包括至少0.2cm2/V·sec、或至少0.5cm2/V·sec。本公开的TFT的通电/断电比可为至少104，包括至少105、或至少106。
除了半导体层之外，薄膜晶体管通常还包括衬底，任选的栅电极、源电极、漏电极，和介电层。
衬底可以由包括但不限于硅、玻璃板、塑料膜或片的材料组成。对于结构柔性的器件，可优选塑料衬底，例如聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺片等。衬底厚度可为约10微米至超过10毫米，尤其是对于柔性塑料衬底，示例性厚度为约50至约100微米，对于刚性衬底(例如玻璃或硅)，示例性厚度为约0.5至约10毫米。
介电层通常可为无机材料膜、有机聚合物膜、或有机-无机复合膜。适于作为介电层的无机材料的实例包括二氧化硅、氮化硅、氧化铝、钛酸钡、锆钛酸钡等。合适的有机聚合物的实例包括聚酯、聚碳酸酯、聚(乙烯基苯酚)、聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、环氧树脂等。介电层的厚度取决于所使用材料的介电常数并且可以为例如约10纳米至约500纳米。介电层的导电性可为例如小于约10- 12西门子每厘米(S/cm)。使用本领域已知的常规方法形成介电层，包括形成栅电极时所述的那些方法。
在本公开中，介电层可以用表面改性剂进行表面改性。两个半导体层可以直接与该经改性的介电层表面接触。接触可以是完全的或部分的。该表面改性也可以看作是在介电层和半导体层之间形成界面层。在特定的实施方案中，介电层的表面使用式(A)的有机硅烷试剂进行了改性：
(L)t-[SiRm(R’)4-m-t]v
式(A)
其中R为含有1至约20个碳原子的烷基、取代烷基、芳基、或取代芳基，R’为卤素或烷氧基；m为1至4的整数；L为连接原子；t为0或1，并且表示是否存在连接原子；并且v表示在连接原子上的三取代甲硅烷基的数目。(m+t)的总和不能超过4。当t为0时，v自动为1。示例性有机硅烷包括辛基三氯硅烷(OTS-8)(t＝0、R＝辛基、m＝1、R’＝氯、v＝1)、十二烷基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷、六甲基二硅氮烷(HMDS)(L＝NH、t＝1、R＝甲基、m＝3、v＝2)、苯基三氯硅烷、甲基三甲氧基硅烷、苯基甲基二甲氧基硅烷、苯基甲基二氯硅烷、(3-苯基丙基)二甲基氯硅烷、(3-苯基丙基)甲基二氯硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯乙基三氯硅烷等。在具体的实施方案中，R包括苯基。也可以使用其他的表面改性剂，例如聚苯乙烯、聚硅氧烷或聚倍半硅氧烷。
栅电极由导电材料组成。其可以为薄金属膜、导电聚合物膜、由导电油墨或浆料制成的导电膜或者衬底本身(例如重掺杂的硅)。栅电极材料的实例包括但不限于铝、金、银、铬、氧化铟锡、导电聚合物(例如聚苯乙烯磺酸酯掺杂的聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)(PSS-PEDOT))、和包括炭黑/石墨的导电油墨/浆料。可以通过以下方法制备栅电极：真空蒸发法、溅射金属或导电金属氧化物、常规平版印刷和蚀刻法、化学气相沉积法、旋涂法、浇铸法或印刷法、或其他沉积方法。对于金属膜，栅电极厚度范围为例如约10至约200纳米，对于导电聚合物，栅电极厚度范围为约1至约10微米。适于用作源电极和漏电极的常规材料包括栅电极材料的那些，例如铝、金、银、铬、锌、铟、导电金属氧化物(例如氧化锌镓、氧化铟锡、氧化铟锑)、导电聚合物和导电油墨。源电极和漏电极的常规厚度为例如约40纳米至约1微米，包括更具体的厚度为约100至约400纳米。
适于用作源电极和漏电极的常规材料包括栅电极材料的那些，例如金、银、镍、铝、铂、导电聚合物和导电油墨。在具体的实施方案中，电极材料对半导体提供低的接触电阻。常规厚度为例如约40纳米至约1微米，更具体厚度为约100至约400纳米。本公开的OTFT器件包括半导体沟道。半导体沟道宽度可为例如约5微米至约5毫米，具体的沟道宽度为约100微米至约1毫米。半导体沟道长度可为例如约1微米至约1毫米，更具体的沟道长度为约5微米至约100微米。
源电极接地，在对栅电极施加例如约+10伏至约-80伏的电压时，对漏电极施加例如约0伏至约80伏的偏压，以收集通过半导体沟道传输的载流子。可以使用本领域已知的常规方法形成或沉积电极。
如果需要，也可以在TFT顶部沉积隔离层以保护其免于环境条件(例如光、氧和水分等)的干扰，所述环境条件会使电性能降低。该隔离层为本领域已知并且可以仅由聚合物组成。
OTFT的多个组件可在衬底上以任意顺序沉积。然而，栅电极和半导体层通常均应与栅介电层接触。另外，源电极和漏电极均应与半导体层接触。短语“以任意顺序”包括相继形成和同时形成。例如，源电极和漏电极可以同时或相继形成。术语在衬底“上”或“上方”指的是这样的各个层和组件，其将衬底作为衬底顶部上的这些层和组件的底部或支持物。换句话说，所有组件位于衬底上，即使它们并非全部直接与衬底接触。例如，介电层和半导体层均位于衬底上，即使一层比另一层更靠近衬底。得到的TFT具有良好的迁移率和良好的通电/断电比。
以下实施例是为了进一步示例说明本发明的内容。实施例只是示例说明性的而非意欲将本公开制造的器件限制到本文所给出的材料、条件或方法参数。除非另作说明，所有份数均为体积百分比。
实施例
对标记为DBDTT-C5的化合物进行了分子模型研究，该化合物对应于R3和R4为-C5H11时的式(II)。对标记为DNDTT-C5的化合物也进行了分子模型研究，该化合物对应于p和q均为1，并且R1和R2为-C5H11并且位于3位和9位上的式(I)。DNDTT-C5的正式名称为3，10-二戊基-二萘并[d，d’]二噻吩并[2，3-b：2’，3’-b’]噻吩。然后将DBDTT-C5和DNDTT-C5与标记为1-C5的对比化合物比较，该对比化合物在以下示出并且为对称的。所述模型在Materials Studio5.0中使用DMol3包形成，以使用密度泛函方法(PBE)然后在优化的结构上完成单点能量计算(HCTH)来确定平衡几何形状。
表1列出结果。这些结果表明这三种化合物具有相似的电性能并且应当具有相似的电荷传输能力。
表1
DBDTT-C5 DNDTT-C5 1-C5(对比)
HOMO(eV) -4.89 -4.748 -4.95
LUMO(eV) -1.89 -2.379 -2.20
带隙(eV) 3.00 2.37 2.75
然后使用Polymorph模件(COMPASS forcefield)模拟DBDTT-C5和DNDTT-C5的结晶。图5为示出DBDTT-C5的固态结构的彩色模型。图6为示出DNDTT-C5的固态结构的彩色模型。由于π-π堆积，两种分子均堆积排列成行，这有利于空穴传输。特别是硫原子彼此排列成行。烷基链与芳族堆平行排列成行并且在固态时会提供更长的长程有序性。这表明这两种分子可以各自形成应适于有效电荷传输的晶体多晶型物。
应理解，上述所公开的变量和其他的特征和功能或其替代物可结合至多种其它不同的体系或应用中。各种目前无法预见的或未曾预料到的替代方案、修改方案、变化方案或改进方案可随后由本领域技术人员作出，这些也意欲包括在所附权利要求中。

Claims (10)

1.一种具有式（I）结构的半导体化合物：
Figure FDA00002261915300011
式（I）
其中R1和R2各自独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基（CN）和卤素；m为R1侧链的数目并且为0至6的整数；n为R2侧链的数目并且为0至6的整数；并且p和q独立地为0或1。
2.权利要求1的半导体化合物，其中该半导体化合物具有式（II）结构：
Figure FDA00002261915300012
式（II）
其中m和n独立地为0至4的整数。
3.权利要求1的半导体化合物，其中R1和R2独立地为烷基。
4.权利要求1的半导体化合物，其中m和n为1。
5.权利要求1的半导体化合物，其中该半导体化合物具有式（III）结构：
Figure FDA00002261915300013
式（III）
其中R3和R4独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基（CN）和卤素。
6.权利要求5的半导体化合物，其中R3和R4相同并且选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基和取代杂芳基。
7.一种半导体组合物，其包括：
聚合物粘合剂；和
式(I)的半导体化合物：
式(I)
其中R1和R2各自独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基(CN)和卤素；m为R1侧链的数目并且为0至6的整数；n为R2侧链的数目并且为0至6的整数；并且p和q独立地为0或1。
8.权利要求7的半导体组合物，其中该半导体化合物具有式(II)结构：
式(II)
其中m和n独立地为0至4的整数。
9.权利要求7的半导体组合物，其中m和n为1。
10.一种电子器件，其包括半导体层，该半导体层包括式(I)的半导体化合物：
Figure FDA00002261915300031
式(I)
其中R1和R2各自独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基(CN)和卤素；m为R1侧链的数目并且为0至6的整数；n为R2侧链的数目并且为0至6的整数；并且p和q独立地为0或1。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111100142A (zh) * 2019-12-11 2020-05-05 河南大学 非对称直线型七元稠合噻吩同分异构体及其制备方法
CN111217838A (zh) * 2018-11-26 2020-06-02 三星电子株式会社 化合物、有机薄膜、薄膜晶体管和电子设备

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8945425B2 (en) * 2011-04-18 2015-02-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor composition
KR101765977B1 (ko) 2013-04-16 2017-08-07 주식회사 만도 모터 구동 장치
KR102208958B1 (ko) * 2013-10-01 2021-01-28 삼성전자주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
JP2015141912A (ja) * 2014-01-27 2015-08-03 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
JP2016001659A (ja) * 2014-06-11 2016-01-07 株式会社東海理化電機製作所 有機半導体材料
WO2016009890A1 (ja) * 2014-07-18 2016-01-21 富士フイルム株式会社 有機半導体膜形成用組成物、並びに、有機半導体素子及びその製造方法
WO2016031707A1 (ja) * 2014-08-26 2016-03-03 富士フイルム株式会社 有機半導体素子及びその製造方法、並びにトポケミカル重合性有機半導体化合物
CN112533926A (zh) * 2018-08-29 2021-03-19 松下知识产权经营株式会社 稠环噻吩分子、p型半导体膜和电子器件

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1993105A1 (en) * 2007-05-16 2008-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic semiconductor polymer having liquid crystal properties, organic active layer, organic thin film transistor, and electronic device including the same, and methods of fabricating the same
JP2010177641A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Mitsui Chemicals Inc 有機トランジスタ
WO2011004869A1 (ja) * 2009-07-10 2011-01-13 住友化学株式会社 置換ベンゾカルコゲノアセン化合物、該化合物を含有する薄膜及び該薄膜を含有する有機半導体デバイス

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5499422B2 (ja) * 2006-06-28 2014-05-21 コニカミノルタ株式会社 有機半導体材料、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1993105A1 (en) * 2007-05-16 2008-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic semiconductor polymer having liquid crystal properties, organic active layer, organic thin film transistor, and electronic device including the same, and methods of fabricating the same
JP2010177641A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Mitsui Chemicals Inc 有機トランジスタ
WO2011004869A1 (ja) * 2009-07-10 2011-01-13 住友化学株式会社 置換ベンゾカルコゲノアセン化合物、該化合物を含有する薄膜及び該薄膜を含有する有機半導体デバイス

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111217838A (zh) * 2018-11-26 2020-06-02 三星电子株式会社 化合物、有机薄膜、薄膜晶体管和电子设备
CN111217838B (zh) * 2018-11-26 2023-09-19 三星电子株式会社 化合物、有机薄膜、薄膜晶体管和电子设备
CN111100142A (zh) * 2019-12-11 2020-05-05 河南大学 非对称直线型七元稠合噻吩同分异构体及其制备方法

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