CN103028836A - 增强基板与半导体芯片间打线接合的方法及焊接控制系统 - Google Patents

增强基板与半导体芯片间打线接合的方法及焊接控制系统 Download PDF

Info

Publication number
CN103028836A
CN103028836A CN2011103267985A CN201110326798A CN103028836A CN 103028836 A CN103028836 A CN 103028836A CN 2011103267985 A CN2011103267985 A CN 2011103267985A CN 201110326798 A CN201110326798 A CN 201110326798A CN 103028836 A CN103028836 A CN 103028836A
Authority
CN
China
Prior art keywords
drill bit
weld pad
solder sphere
control system
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011103267985A
Other languages
English (en)
Inventor
罗世儒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lextar Electronics Corp
Original Assignee
Lextar Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lextar Electronics Corp filed Critical Lextar Electronics Corp
Publication of CN103028836A publication Critical patent/CN103028836A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4845—Details of ball bonds
    • H01L2224/48451—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Abstract

本发明公开一种增强基板与半导体芯片间打线接合的方法及焊接控制系统，该方法包括下列步骤。提供一基板，在基板上形成至少一第一焊垫。提供一半导体芯片于基板上，半导体芯片具有至少一第二焊垫。分别形成一第一、第二焊接球于第一焊垫及第二焊垫上。打一焊线于第一、第二焊接球之间。对第一焊接球与第一焊垫间的接合界面进行摩擦搅拌焊接，以强化第一焊接球与第一焊垫的接合。

Description

增强基板与半导体芯片间打线接合的方法及焊接控制系统
技术领域
本发明涉及一种接合方法及控制系统，且特别是涉及一种增强基板与半导体芯片间打线接合的方法及焊接控制系统。 
背景技术
半导体芯片必须依照设计与外界的电路连接，才可正常发挥应有的功能。目前用于半导体构装的技术，大概有以下数种，分别为「打线接合」、「卷带式自动接合」、「覆晶接合」等技术。打线接合是最早也为目前应用最广的技术，此技术首先将半导体芯片固定于基板上，再以细金属线将芯片上的电路和基板上的接垫相连接。然而，打线端部形成的焊接球容易受到外力拉扯，而发生脱球或断线等无法弥补的缺陷，因而近年来打线接合技术正受到其他新兴技术的挑战，其市场占有率也逐渐在减少当中。 
因此，如何增强接垫与焊接球间的接合强度，减少脱球或断线的风险，为业界亟待解决的关键因素之一。 
发明内容
本发明的目的在于提供一种增强基板与半导体芯片间打线接合的方法及焊接控制系统，以加强打线接合强度。 
根据本发明的一方面，提出一种增强基板与半导体芯片间打线接合的方法，包括下列步骤。提供一基板，在基板上形成至少一第一焊垫。提供一半导体芯片于基板上，半导体芯片具有至少一第二焊垫。分别形成一第一、第二焊接球于第一焊垫及第二焊垫上。打一焊线于第一、第二焊接球之间。对第一焊接球与第一焊垫间的接合界面进行摩擦搅拌焊接(Friction Stir Welding)，以强化第一焊接球与第一焊垫的接合。 
根据本发明的另一方面，提出一种焊接控制系统，用于加强一基板与一半导体芯片之间的打线接合。焊接控制系统包括一工作平台、一打线装置、 一摩擦搅拌装置以及一控制装置。工作平台用以承载基板，其中基板上包括至少一第一焊垫以及一包括有至少一第二焊垫的半导体芯片。打线装置可在第一焊垫及第二焊垫上分别形成一第一、第二焊接球，并在第一、第二焊接球间形成一焊线。摩擦搅拌装置包括一钻头、一马达以及一机械手臂。钻头用以摩擦旋转搅拌第一焊接球与第一焊垫间的接合界面。马达耦接钻头，用以控制钻头转速。机械手臂耦接钻头，用以调整钻头的三维位置。控制装置耦接工作平台、马达与机械手臂，其中控制装置用以控制工作平台的位置，马达根据控制装置决定钻头转速，机械手臂根据控制装置决定钻头的位置。 
为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下： 
附图说明
图1A～图1D分别为本发明一实施例的增强基板与半导体芯片间打线接合的方法的流程示意图； 
图2为钻头相对于接合界面的尺寸及倾斜角度的示意图； 
图3为本发明一实施例的焊接控制系统的配置示意图。 
主要元件符号说明 
100：基板 
102：第一焊垫 
110：半导体芯片 
112：第二焊垫 
B1：第一焊接球 
B2：第二焊接球 
120：焊线 
130：接合界面 
θ：倾斜角度 
D1、D2：外径 
H1、H2：高度 
200：焊接控制系统 
210：工作平台 
220：打线装置 
230：摩擦搅拌装置 
232：钻头 
234：马达 
236：机械手臂 
240：控制装置 
250：电脑 
260：摄像装置 
270：压力感测器 
280：温度感测器 
具体实施方式
本实施例的增强基板与半导体芯片间打线接合的方法及焊接控制系统，是利用摩擦搅拌装置的钻头摩擦焊接球与焊垫间的接合界面，使该接合界面受到挤压及搅拌，进而强化焊接球与焊垫的接合。此外，摩擦搅拌装置的马达以及机械手臂分别耦接钻头，用以控制钻头的转速以及调整钻头的三维位置，且通过控制装置分别耦接马达以及机械手臂，根据控制装置决定钻头的转速以及钻头的位置。 
以下是提出各种实施例进行详细说明，实施例仅用以作为范例说明，并非用以限缩本发明欲保护的范围。 
请参照图1A～图1D，其分别绘示依照本发明一实施例的增强基板与半导体芯片间打线接合的方法的流程示意图。首先，提供一基板100，在基板100上形成至少一第一焊垫102。在图1A中，第一焊垫102的数量例如为二。接着，提供一半导体芯片110于基板100上，半导体芯片110具有至少一第二焊垫112。在图1B中，第二焊垫112的数量例如为二。接着，在图1C中，分别形成一第一焊接球B1及一第二焊接球B2于第一焊垫102及第二焊垫112上，并打一焊线120于第一焊接球B1、第二焊接球B2之间。之后，在图1D中，对第一焊接球B1与第一焊垫102间的接合界面130进行摩擦搅拌焊接(Friction Stir Welding，FSW)，以强化第一焊接球B1与第一焊垫102的接合。同样地，也可选择性对第二焊接球B2与第二焊垫112间的接合界面130进行摩擦搅拌焊接(Friction Stir Welding)，以强化第二焊接球B2与 第二焊垫112的接合。 
在图1D中，摩擦搅拌焊接方式是通过一摩擦搅拌装置230的一钻头232，倾斜插入第一焊垫102与第一焊接球B1间的接合界面130，并摩擦旋转搅拌位在接合界面130处的部分第一焊接球B1与第一焊垫102的表面。在本实施例中，钻头232倾斜的角度以及转速是可控制的。举例来说，钻头232相对于该接合界面130的倾斜角度θ例如介于10～80度之间，较佳地，介于30～60度之间。此外，钻头232的转速范围例如为每分钟20～8000转之间，较佳地，为每分钟200～2000转之间。 
在一实施例中，第一焊垫102的材质可与第一焊接球B1的材质相同或不相同。举例来说，第一焊垫102与第二焊垫112可为铝垫或铜垫，而第一焊接球B1的材质可选用镍、金、铜、锡、铅或其组合。同样，第二焊接球B2可选用与第一焊接球B1相同的材质。在图1C中，当焊线120为金线或铝线时，第一焊接球B1与第二焊接球B2则为以热熔的金线或铝线结成一球团后所形成的金属球，且焊线120连接于第一焊接球B1与第二焊接球B2之间。此外，半导体芯片110例如为一发光二极管芯片，可经由焊线120所输入的电能而发光。 
请参照图2，其绘示钻头相对于接合界面的尺寸及倾斜角度的示意图。在一实施例中，钻头232的材质包括钨钢或碳钢。钻头232的外径D1小于第一焊接球B1的外径D2。举例来说，钻头232的外径D1约为10～15微米，而第一焊接球B1的外径D1约30～50微米。此外，第一焊接球B1的高度H1约15～20微米，而接合界面130处的高度H2约为5～10微米。钻头232可倾斜插入第一焊垫102与第一焊接球B1间的接合界面130，并以摩擦旋转搅拌产生的热，促使搅拌区产生动态再结晶(dynamic recystallization)的效应，以使第一焊垫102的部分表面受到钻头232的挤压与搅拌而于接合界面130处与第一焊接球B1的部分表面接合而产生金属化合物。由于金属化合物的管芯微细化，有助于提升其机械性质，进而强化第一焊接球B1与第一焊垫102的接合。 
此外，当钻头232进行摩擦旋转搅拌时，钻头232可通过机械手臂236的带动而移动至预定的位置，并通过马达234控制钻头232的转速，使得钻头232可一面进行搅拌，一面沿着第一焊垫102与第一焊接球B1的接合界面130做圆周运动或半圆周运动。详细的焊接控制系统200如图3所示。 
请同时参照图1A～图1D及图3，其中图3绘示依照本发明一实施例的焊接控制系统的配置示意图。焊接控制系统200包括一工作平台210、一打线装置220、一摩擦搅拌装置230、一控制装置240、电脑250、摄像装置260、压力感测器270、温度感测器280。工作平台210用以承载基板100。在图1B中，基板100上包括至少一第一焊垫102以及一包括有至少一第二焊垫112的半导体芯片110。在图1C中，打线装置220可在第一焊垫102及第二焊垫112上分别形成一第一焊接球B1与一第二焊接球B2，并在第一焊接球B1与第二焊接球B2间形成一焊线120。摩擦搅拌装置230包括一钻头232、一马达234以及一机械手臂236。在图1D中，钻头232用以摩擦旋转搅拌第一焊接球B1与第一焊垫102间的接合界面130，以强化第一焊接球B1与第一焊垫102的接合。同样地，第二焊接球B2与第二焊垫112间的接合界面130也可进行摩擦搅拌焊接，以强化第二焊接球B2与第二焊垫112的接合 
在图3中，马达234耦接钻头232，用以控制钻头232转速。机械手臂236耦接钻头232，用以调整钻头232的三维位置。因此，钻头232倾斜的角度以及转速是可控制的，并可沿着接合接面做圆周运动或半圆周运动。举例来说，钻头232相对于接合界面130的倾斜角度θ例如介于10～80度之间，较佳地，介于30～60度之间。此外，钻头232的转速范围例如为每分钟20～8000转之间，较佳地，为每分钟200～2000转之间。 
再者，控制装置240耦接工作平台210、马达234与机械手臂236，其中控制装置240用以控制工作平台210的位置。马达234可根据控制装置240决定钻头232转速。机械手臂236可根据控制装置240决定钻头232的位置。因此，控制装置240可通过改变工作平台210于X轴、Y轴及/或Z轴方向上的位置，以调整钻头232于基板100上的工作位置。 
此外，操作人员可通过电脑250输入工作参数，并经由电脑250耦接控制装置240，通过控制装置240自动化管理摩擦搅拌装置230及打线装置220，以决定打线焊接的工作参数。较佳地，控制装置240还可耦接一摄像装置260，摄像装置260位在工作平台210上方，用以撷取钻头232与打线的位置影像，以精确地控制钻头232与打线的位置。 
此外，控制装置240还可耦接一压力感测器270，用以感测接合界面130处受到钻头232摩擦旋转搅拌时的所承受的作用压力。较佳地，压力感测器 270例如位于钻头232上端，当作用压力大于一预设的临界压力时，焊接控制系统200可发出一控制信号给摩擦搅拌装置230，降低钻头232转速或移动钻头232位置以离开接合界面130处。另外，控制装置240还可耦接一温度感测器280，用以感测接合界面130处在钻头232进行摩擦旋转搅拌时，产生软化变形的温度。温度感测器280例如为红外线温度感测器280，当侦测到温度大于一预设的临界温度时，焊接控制系统200可发出一控制信号给摩擦搅拌装置230，降低钻头232转速，或移动钻头232位置以离开接合界面130处。 
综上所述，虽然结合以上较佳实施例揭露了本发明，然而其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围应以所附的权利要求所界定的为准。 

Claims (20)

1.一种增强基板与半导体芯片间的打线接合的方法：
提供一基板，在该基板上形成至少一第一焊垫；
提供一半导体芯片于该基板上，该半导体芯片具有至少一第二焊垫；
分别形成一第一、第二焊接球于该第一焊垫及该第二焊垫上；
打一焊线于该第一、第二焊接球之间；以及
对该第一焊接球与该第一焊垫间的接合界面进行摩擦搅拌焊接(FrictionStir Welding)，以强化该第一焊接球与该第一焊垫的接合。
2.如权利要求1所述的方法，其中该摩擦搅拌焊接方式是通过一摩擦搅拌装置的一钻头，倾斜插入该第一焊垫与该第一焊接球间的接合界面，并摩擦旋转搅拌位在该接合界面处的部分该第一焊接球与该第一焊垫表面。
3.如权利要求2所述的方法，其中该钻头相对于该接合界面的倾斜角度介于10～80度之间。
4.如权利要求2所述的方法，其中该钻头的转速范围为每分钟20～8000转之间。
5.如权利要求2所述的方法，其中该钻头的材质包括钨钢或碳钢。
6.如权利要求2所述的方法，其中该钻头的外径小于该第一焊接球的外径。
7.如权利要求1所述的方法，其中该第一、第二焊接球的材质选自由镍、金、铜、锡、铅或其组合所组成的群组。
8.如权利要求1所述的方法，其中该第一焊垫、第二焊垫的材质为金属。
9.如权利要求1所述的方法，其中该钻头沿着该第一焊垫与该第一焊接球的接合界面做圆周运动或半圆周运动。
10.如权利要求1所述的方法，其中该半导体芯片是一发光二极管芯片。
11.一种焊接控制系统，用于加强一基板与一半导体芯片之间的打线接合，该系统包括：
工作平台，用以承载该基板，其中该基板上包括至少一第一焊垫以及一包括有至少一第二焊垫的半导体芯片；
打线装置，可在该第一焊垫及该第二焊垫上分别形成一第一、第二焊接球，并在该第一、第二焊接球间形成一焊线；
摩擦搅拌装置，包括：
钻头，用以摩擦旋转搅拌该第一焊接球与该第一焊垫间的接合界面；
马达，耦接该钻头，用以控制该钻头转速；以及
机械手臂，耦接该钻头，用以调整该钻头的三维位置；以及
控制装置，其耦接该工作平台、该马达与该机械手臂，其中该控制装置用以控制该工作平台的位置，该马达根据该控制装置决定该钻头转速，该机械手臂根据该控制装置决定该钻头的位置。
12.如权利要求11所述的焊接控制系统，还包括一摄像装置，耦接该控制装置，该摄像装置位于该工作平台上方，用以撷取该钻头与打线的位置影像。
13.如权利要求11的焊接控制系统，还包括一压力感测器，耦接该控制装置，用以感测该接合界面处受到该钻头摩擦旋转搅拌时的所承受的作用压力。
14.如权利要求13的焊接控制系统，其中该压力感测器位在该钻头上端。
15.如权利要求11的焊接控制系统，还包括一温度感测器，耦接该控制装置，用以感测该接合界面处在该钻头进行摩擦旋转搅拌时，产生软化变形的温度。
16.如权利要求15的焊接控制系统，其中该温度感测器是一红外线温度感测器。
17.如权利要求11的焊接控制系统，其中该半导体芯片是一发光二极管芯片。
18.如权利要求11的焊接控制系统，还包括一电脑，耦接该控制装置。
19.如权利要求13的焊接控制系统，其中当该作用压力大于一预设的临界压力时，该控制系统可发出一控制信号给该摩擦搅拌装置，降低该钻头转速或移动该钻头位置以离开该接合界面处。
20.如权利要求15的焊接控制系统，其中当该温度大于一预设的临界温度时，该控制系统可发出一控制信号给该摩擦搅拌装置，降低该钻头转速，或移动该钻头位置以离开该接合界面处。
CN2011103267985A 2011-10-04 2011-10-25 增强基板与半导体芯片间打线接合的方法及焊接控制系统 Pending CN103028836A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW100135973 2011-10-04
TW100135973A TW201316423A (zh) 2011-10-04 2011-10-04 增強基板與半導體晶片間打線接合的方法及焊接控制系統

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103028836A true CN103028836A (zh) 2013-04-10

Family

ID=48016513

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011103267985A Pending CN103028836A (zh) 2011-10-04 2011-10-25 增强基板与半导体芯片间打线接合的方法及焊接控制系统

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN103028836A (zh)
TW (1) TW201316423A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105514074A (zh) * 2015-12-01 2016-04-20 上海伊诺尔信息技术有限公司 智能卡芯片封装结构及其制造方法
CN115070196A (zh) * 2022-08-08 2022-09-20 南昌航空大学 一种导电铜排与多股铜线焊接接头及搅拌摩擦焊接方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI572059B (zh) * 2013-10-30 2017-02-21 光寶光電（常州）有限公司 發光二極體裝置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1642391A (zh) * 2004-01-18 2005-07-20 敦南科技股份有限公司 电路板封装的焊线方法
JP2007288095A (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置およびその製造に用いるスポット摩擦攪拌接合装置
JP2008085149A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置およびその配線接合方法，摩擦攪拌接合装置
CN101290913A (zh) * 2007-04-17 2008-10-22 晶元光电股份有限公司 具有复合材料载体的电子元件组件
EP1988569A2 (de) * 2007-04-26 2008-11-05 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Herstellen eines Anschlusskontaktes an einem Halbleiterbauelement für die Leistungselektronik und elektronisches Bauteil mit einem auf diese Weise an einem Halbleiterbauelement hergestellten Anschlusskontakt

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1642391A (zh) * 2004-01-18 2005-07-20 敦南科技股份有限公司 电路板封装的焊线方法
JP2007288095A (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置およびその製造に用いるスポット摩擦攪拌接合装置
JP2008085149A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置およびその配線接合方法，摩擦攪拌接合装置
CN101290913A (zh) * 2007-04-17 2008-10-22 晶元光电股份有限公司 具有复合材料载体的电子元件组件
EP1988569A2 (de) * 2007-04-26 2008-11-05 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Herstellen eines Anschlusskontaktes an einem Halbleiterbauelement für die Leistungselektronik und elektronisches Bauteil mit einem auf diese Weise an einem Halbleiterbauelement hergestellten Anschlusskontakt

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105514074A (zh) * 2015-12-01 2016-04-20 上海伊诺尔信息技术有限公司 智能卡芯片封装结构及其制造方法
CN105514074B (zh) * 2015-12-01 2018-07-03 上海伊诺尔信息技术有限公司 智能卡芯片封装结构及其制造方法
CN115070196A (zh) * 2022-08-08 2022-09-20 南昌航空大学 一种导电铜排与多股铜线焊接接头及搅拌摩擦焊接方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201316423A (zh) 2013-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103295991A (zh) 用于使半导体组合件中的焊料凸块自对准的双焊料半导体芯片、装置以及双焊料方法
US7886956B2 (en) Bonding apparatus and bonding stage height adjustment method for the bonding apparatus
US6207549B1 (en) Method of forming a ball bond using a bonding capillary
CN102272907B (zh) 形成倒装芯片互连的原位熔化和回流处理及其系统
JP4752586B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN104835768B (zh) 一种智能卡芯片搬运装置
CN103028836A (zh) 增强基板与半导体芯片间打线接合的方法及焊接控制系统
JP6382338B2 (ja) Ｅｍｉｂチップの相互接続
KR20150064704A (ko) 반도체 소자의 본딩에 관한 평행도를 결정하고 조정하기 위한 시스템과 방법
CN101774077A (zh) 数控旋转型三维超声波金丝球焊机
CN102187444B (zh) 导电凸部、引线环及导电凸部、引线环的形成方法
US6786392B2 (en) Wire bonding device and wire bonding method
KR20120053310A (ko) 플립칩 장착 방법 및 플립칩 장착기
CN101261948B (zh) 焊接装置的压焊球检测装置及焊接部的压焊球检测方法
JP5607694B2 (ja) 自重を用いる半田ボール実装装置、これを含む半田ボール実装システム、及びこれを用いる半田ボール実装方法
US20170179065A1 (en) Electrical interconnections for semiconductor devices and methods for forming the same
US8149276B2 (en) Pressure-bonded ball diameter detecting apparatus and pressure-bonded ball diameter detecting method
JP4537974B2 (ja) 部品実装機
Hatanaka Packaging processes using flip chip bonder and future directions of technology development
CN201645037U (zh) 一种超声波金丝球焊机
JP2001237271A (ja) 半導体チップ実装基板及びその製造方法並びにその製造装置
KR101171985B1 (ko) 비전 시스템을 구비한 피씨비용 디스펜서
JP2009212258A (ja) 半導体装置の製造方法
CN102856281A (zh) 半导体封装件及其制造方法
CN101431059A (zh) 打线结构及方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C05 Deemed withdrawal (patent law before 1993)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130410