CN103021907A - 微波处理装置和被处理体的处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明是在微波处理装置中对被处理体进行均匀的处理的微波处理装置和处理方法。微波处理装置（1）包括：收容晶片（W）的处理容器（2）；微波导入装置（3），其具有生成用于处理晶片（W）的微波的至少一个磁控管（31），并将微波导入处理容器（2）中；和控制微波导入装置（3）的控制部（8）。控制部（8）在用于处理晶片（W）的状态持续的期间，使微波的频率变化。

Description

微波处理装置和被处理体的处理方法
技术领域
本发明涉及将微波导入处理容器进行规定的处理的微波处理装置和使用微波处理装置的被处理体的处理方法。
背景技术
在半导体器件的制造过程中，对作为被处理基板的半导体晶片实施成膜处理、蚀刻处理、氧化扩散处理、改良处理、退火处理等的各种热处理。通常，这种热处理是通过使用具备加热用的灯或加热器的基板处理装置对半导体晶片加热而进行的。
然而，近年来，作为对半导体晶片实施热处理的装置，已知有使用微波来代替灯或加热器的装置。例如，在专利文献1中记载有使用微波能量进行硬化、退火（anneal）、膜形成的热处理系统。此外，在专利文献2中记载有通过对在表面形成有成膜材料层的半导体晶片照射电磁波（微波）加热成膜材料来形成薄膜的热处理装置。在这种微波处理装置中，特别能够抑制杂质的扩散并形成浅的活性层，能够修复晶格缺陷。
在微波处理装置中，微波的输出（功率）由被供给到用于生成微波的微波源的电压或电流决定。在专利文献3中记载有电波（微波）输出大小由磁控管的阳极电流大小决定的技术。在专利文献4中记载有通过改变被施加于磁控管的端帽（电极）的电位对微波的输出进行操作的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2009-516375号公报
专利文献2：日本特开2010-129790号公报
专利文献3：日本特开平4-160791号公报
专利文献4：日本特开平10-241585号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，被导入到处理容器的微波，在处理容器内形成驻波。在用于处理处理晶片的状态持续的期间，如果驻波的波腹和波节的位置固定，则产生加热不均匀等，可能无法对晶片W进行均匀的处理。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够对被处理体进行均匀的处理的微波处理装置和使用该微波处理装置的被处理体的处理方法。
用于解决课题的方案
本发明的微波处理装置，其特征在于，包括：
收容被处理体的处理容器；
微波导入装置，其具有生成用于处理上述被处理体的微波的至少1个微波源，将微波导入处理容器；和
控制微波导入装置的控制部，
控制部在用于处理被处理体的状态持续的期间，使微波的频率变化。
本发明的被处理体的处理方法，是使用微波处理装置处理被处理体的处理方法，该微波处理装置包括：收容被处理体的处理容器；和微波导入装置，具有生成用于处理被处理体的微波的至少1个微波源，将微波导入处理容器，该处理方法的特征在于：
本发明的被处理体的处理方法，在用于处理被处理体的状态持续的期间，使微波的频率变化。
在本发明的微波处理装置和被处理体的处理方法中，通过改变微波的频率，使处理容器内的驻波的状态变化。
在本发明的微波处理装置和被处理体的处理方法中，也可以在用于处理被处理体的状态下，生成微波的状态和不生成微波的状态交替反复多次。在这种情况下，本发明的控制部既可以在生成1次的微波的状态的期间，使微波的频率变化，也可以按（在）生成微波的每个状态，使微波的频率变化。同样，本发明的被处理体的处理方法，既可以在生成1次的微波的状态的期间，使微波的频率变化，也可以按生成微波的每个状态，使微波的频率变化。
此外，在本发明的微波处理装置和被处理体的处理方法中，微波源也可以通过被施加规定的电压而生成微波。这种情况下，本发明中的控制部，也可以通过改变施加于微波源的电压，使微波的频率变化。同样，本发明的被处理体的处理方法，也可以通过改变施加于微波源的电压，使微波的频率变化。
此外，在本发明的微波处理装置和被处理体的处理方法中，微波导入装置包括：生成微波的多个微波源；和将在多个微波源中生成的微波传送到处理容器的多个传送通路。这种情况下，微波导入装置能够将多个微波同时导入处理容器。
此外，在本发明的微波处理装置和被处理体的处理方法中，微波用于照射被处理体来处理被处理体。
在本发明的微波处理装置和被处理体的处理方法中，如上所述，在用于处理被处理体的状态持续的期间，通过改变微波的频率，能够使处理容器内的驻波的状态变化。由此，根据本发明，能够对被处理体进行均匀的处理。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的微波处理装置的概略结构的截面图。
图2是表示本发明的一实施方式的微波导入装置的高电压电源部的概略结构的说明图。
图3是表示本发明的一实施方式的微波导入装置的高电压电源部的电路结构的一例的电路图。
图4是表示图1所示的处理容器的顶部的上表面的俯视图。
图5是表示图1所示的控制部的结构的说明图。
图6是示意性表示在使微波的频率变化的第一方式下用于生成脉冲状的微波的电压波形的说明图。
图7是示意性表示在使微波的频率变化的第二方式下用于生成微波的电压波形的说明图。
附图标记说明
1    微波处理装置
2    处理容器
3    微波导入装置
4    支承装置
5    气体供给装置
6    排气装置
8    控制部
30   微波单元
31   磁控管
32   导波管
33   透过窗
34   循环器
35   检测器
36   调谐器
37   假负载（dummy load）
40   高电压电源部
41   AC-DC转换电路
42   开关电路
43   开关控制器
44   升压变压器
45   整流电路
81   工艺控制器
82   用户接口
83   存储部
W   半导体晶片
具体实施方式
（微波处理装置）
下面，参照附图详细说明本发明的实施方式。首先，参照图1，说明本发明的一实施方式的微波处理装置的概略结构。图1是本实施方式的微波处理装置的概略结构的截面图。本实施方式的微波处理装置1，是伴随连续的多个动作对例如半导体器件制造用的半导体晶片（以下简称为“晶片”）W照射微波，实施成膜处理、改良处理、退火处理等规定的处理的装置。
微波处理装置1包括：收容作为被处理体的晶片W的处理容器2；将微波导入处理容器2内的微波导入装置3；在处理容器2内支承晶片W的支承装置4；向处理容器2内供给气体的气体供给装置5；对处理容器2内进行减压排气的排气装置6；和对上述微波处理装置1的各结构部进行控制的控制部8。此外，作为向处理容器2内供给气体的单元，也可以使用不包含在微波处理装置1的结构中的外部气体供给装置来代替气体供给装置5。
（处理容器）
处理容器2例如呈大致圆筒形状。处理容器2由金属材料形成。作为形成处理容器2的材料，例如使用铝、铝合金、不锈钢等。此外，处理容器2不限于圆筒形形状，例如也可以呈角筒形状。微波导入装置3设置于处理容器2的上部，作为将电磁波（微波）导入处理容器2内的微波导入单元发挥功能。微波导入装置3的结构将在后文中说明。
处理容器2包括：板状的顶部11和底部13；连结顶部11和底部13的侧壁部12；设置成上下贯通顶部11的多个微波导入端口11a；设置于侧壁部12的搬入搬出口12a；和设置于底部13的排气口13a。搬入搬出口12a用于在处理容器2和与处理容器2相邻的未图示的搬送室之间进行晶片W的搬入搬出。在处理容器2与未图示的搬送室之间设置有闸阀G。闸阀G具有开闭搬入搬出口12a的功能，能够在关闭状态下气密地密封处理容器2，并且能够在打开状态下在处理容器2与未图示的搬送室之间移送晶片W。
（支承装置）
支承装置4包括：配置于处理容器2内的板状且中空的升降板15；从升降板15的上表面向上方延伸的管状的多个支承销14；和从升降板15的下表面贯通底部13并延伸到处理容器2的外部的管状的轴16。轴16在处理容器2的外部固定有未图示的致动器。
多个支承销14用于在处理容器2内与晶片W抵接而支持晶片W。多个支承销14配置为其上端部排列在晶片W的周向上。此外，多个支承销14、升降板15和轴16构成为能够通过未图示的致动器而使得晶片W上下改变位置。
此外，多个支承销14、升降板15和轴16构成为能够通过排气装置6而使得晶片W吸附于多个支承销14。具体而言，多个支承销14和轴16分别具有与升降板15的内部空间连通的管状的形状。此外，在多个支承销14的上端部形成有用于吸引晶片W的背面的吸附孔。
多个支承销14和升降板15由电介质材料形成。作为形成多个支承销14和升降板15的材料，例如能够使用石英、陶瓷等。
（排气机构）
微波处理装置1还包括：连接排气口13a和排气装置6的排气管17；连接轴16和排气管17的排气管18；在排气管17的中途设置的压力调整阀19；和在排气管18的中途设置的开闭阀20和压力计21。排气管18以与轴16的内部空间连通的方式，与轴16直接或间接地连接。压力调整阀19设置在排气口13a与排气管17、18的连接点之间。
排气装置6具有干泵等真空泵。通过使排气装置6的真空泵动作，对处理容器2的内部空间进行减压排气。此时，通过使开闭阀20成为打开状态，吸引晶片W的背面，能够使晶片W吸附并固定于多个支承销14。
（气体导入机构）
微波处理装置1还包括：在处理容器2内配置有晶片W的预定的位置的下方配置的喷淋头部22；配置在喷淋头部22与侧壁部12之间的环状的整流板23；连接喷淋头部22和气体供给装置5的配管24；和与气体供给装置5连接，将处理气体导入处理容器2内的多个配管25。
喷淋头部22是在对晶片W实施温度比较低的处理的情况下，用于通过冷却气体来冷却晶片W的部件。喷淋头部22包括：与配管24连通的气体通路22a；和与气体通路22a连通，向晶片W喷出冷却气体的多个气体喷出孔22b。在图1所示的例子中，多个气体喷出孔22b形成于喷淋头部22的上表面侧。喷淋头部22由介电常数小的电介质材料形成。作为喷淋头部22的材料，例如能够使用石英、陶瓷等。此外，喷淋头部22并非微波处理装置1中的必要结构要素，也可以不设置。
整流板23具有以上下贯通整流板23的方式设置的多个整流孔23a。整流板23是用于在处理容器2内对配置有晶片W的预定的区域的气氛进行整流并使其向排气口13a流动的部件。
气体供给装置5，能够供给例如N2、Ar、He、Ne、O2、H2等气体作为处理气体或冷却气体。此外，在微波处理装置1中进行成膜处理的情况下，气体供给装置5向处理容器2内供给成膜原料气体。
虽然未图示，但微波处理装置1还包括：在配管24、25的中途设置的质量流量控制器和开闭阀。被供给到喷淋头部22和处理容器2内的气体的种类、这些气体的流量等，由质量流量控制器和开闭阀控制。
（温度测量部）
微波处理装置1还包括：测定晶片W的表面温度的多个放射温度计26；与多个放射温度计26连接的温度测量部27。此外，在图1中，除了测定晶片W的中央部的表面温度的放射温度计26之外，省略了多个放射温度计26的图示。多个放射温度计26以其上端部与晶片W的背面接近的方式，从底部13向配置有晶片W的预定的位置延伸。
（微波搅拌机构）
微波处理装置1还包括：在处理容器2内配置有晶片W的预定的位置的上方配置的、由多个叶片构成的搅拌风扇91；设置于处理容器2的外部的旋转电动机93；和贯通顶部11且连接搅拌风扇91与旋转电机93的旋转轴92。搅拌风扇91是用于通过旋转对被导入处理容器2内的微波进行反射和搅拌的部件。搅拌风扇91的叶片的数量例如为4个。搅拌风扇91由介质损耗角正切（tanδ）小的电介质材料形成，以使得与搅拌风扇91碰撞的微波不会转换成热而被吸收。作为形成搅拌风扇91的材料，例如能够使用包含金属、锆钛酸铅（PZT）等的复合陶瓷、石英、蓝宝石等。此外，搅拌风扇91的配置不限于图1所示的例子。搅拌风扇91例如也可以在处理容器2内配置有晶片W的预定的位置的下方配置。
（控制部）
微波处理装置1的各结构部分别与控制部8连接，由控制部8控制。控制部8典型为计算机。图5是表示图1所示的控制部8的结构的说明图。在图5所示的例子中，控制部8包括：具备CPU（中央运算处理装置）的工艺控制器81；和与该工艺控制器81连接的用户接口82和存储部83。
工艺控制器81是在微波处理装置1中对例如与温度、压力、气体流量、微波输出等的处理条件相关的各结构部（例如微波导入装置3、支承装置4、气体供给装置5、排气装置6、温度测量部27等）进行总体控制的控制单元。
用户接口82包括工序管理者为了管理微波处理装置1而进行命令的输入操作等的键盘和触摸板、将微波处理装置1的工作状况可视化地进行显示的显示器等。
在存储部83中存储用于通过工艺控制器81的控制来实现由微波处理装置1执行的各种处理的控制程序（软件）、记录有处理条件数据等的处理方案等。工艺控制器81根据来自用户接口82的指示等，根据需要从存储部83调出并执行任意的控制程序和处理方案。由此，在工艺控制器81的控制下，在微波处理装置1的处理容器2内进行所期望的处理。
上述控制程序和处理方案例如能够利用存储在CD-ROM、硬盘、软盘、闪存、DVD、蓝光盘等计算机能够读取的存储介质中的状态的程序。此外，上述处理方案也能够从其它装置例如通过专用线路随时发送以在线利用。
（微波导入装置）
接着，参照图1～图4，详细说明微波导入装置3的结构。图2是表示微波导入装置3的高电压电源部的概略结构的说明图。图3是表示微波导入装置3的高电压电源部的电路结构的一例的电路图。图4是表示图1所示的处理容器2的顶部11的上表面的俯视图。
如上所述，微波导入装置3设置于处理容器2的上部，作为将电磁波（微波）导入处理容器2内的微波导入单元发挥功能。如图1所示，微波导入装置3包括：将微波导入处理容器2的多个微波单元30；和与多个微波单元30连接的高电压电源部40。
（微波单元）
在本实施方式中，多个微波单元30的结构全部相同。各微波单元30包括：生成用于处理晶片W的微波的磁控管31；将在磁控管31中生成的微波传送到处理容器2的导波管32；和以封闭微波导入端口11a的方式固定于顶部11的透过窗33。磁控管31与本发明中的微波源对应，导波管32与本发明中的传送通路对应。
如图4所示，在本实施方式中，处理容器2包括在顶部11沿周向等间隔地配置的4个微波导入端口11a。此外，在本实施方式中，微波单元30的数量为4个。以下，在互相区分表示4个微波单元30的各磁控管31的情况下，标注附图标记31A、31B、31C、31D进行表示。图4中的上侧的微波导入端口11a例如将由磁控管31A生成的微波导入处理容器2。图4中的下侧的微波导入端口11a例如将由磁控管31B生成的微波导入处理容器2。图4中的左侧的微波导入端口11a例如将由磁控管31C生成的微波导入处理容器2。图4中的右侧的微波导入端口11a例如将由磁控管31D生成的微波导入处理容器2。
磁控管31包括被施加有由高电压电源部40供给的高电压的阳极和阴极。此外，作为磁控管31，能够使用能够发出各种频率的微波的磁控管。由磁控管31生成的微波按被处理体的每个处理选择最佳的频率，例如在退火处理中，优选2.45GHz、5.8GHz等频率较高的微波，特别优选5.8GHz的微波。
导波管32具有截面为矩形且环状的角筒状的形状，从处理容器2的顶部11的上表面向上方延伸。磁控管31连接于导波管32的上端部的附近。导波管32的下端部与透过窗33的上表面连接。在磁控管31生成的微波通过导波管32和透过窗33被导入处理容器2内。
透过窗33由电介质材料形成。作为透过窗33的材料，例如能够使用石英、陶瓷等。
微波单元30还包括：在导波管32的中途设置的循环器34、检测器35和调谐器36；和与循环器34连接的假负载37。循环器34、检测器35和调谐器36从导波管32的上端部侧起依次设置。循环器34和假负载37构成将来自处理容器2的反射波分离的隔离器。即，循环器34将来自处理容器2的反射波导向假负载37，假负载37将由循环器34引导的反射波转换为热。
检测器35用于检测导波管32中的来自处理容器2的反射波。检测器35例如由阻抗监测器、具体而言检测导波管32中的驻波的电场的驻波监测器构成。驻波监测器例如能够由突出到导波管32的内部空间的3根销构成。通过由驻波监测器检测驻波的电场的位置、相位和强度，能够检测来自处理容器2的反射波。此外，检测器35也可以由能够检测行波和反射波的方向性耦合器（结合器）构成。
调谐器36具有对磁控管31与处理容器2之间的阻抗进行匹配的功能。由调谐器36进行的阻抗匹配是基于检测器35的反射波的检测结果进行的。调谐器36例如能够由导体板构成，该导体板设置成能够出入导波管32的内部空间。在这种情况下，通过控制导体板向导波管32的内部空间的突出量，能够调整反射波的电能，调整磁控管31与处理容器2之间的阻抗。
（高电压电源部）
高电压电源部40对磁控管31供给用于生成微波的高电压。如图2所示，高电压电源部40包括：与商用电源连接的AC-DC转换电路41；与AC-DC转换电路41连接的开关电路42；控制开关电路42的动作的开关控制器43；与开关电路42连接的升压变压器44；和与升压变压器44连接的整流电路45。磁控管31通过整流电路45与升压变压器44连接。
AC-DC转换电路41是对来自商用电源的交流（例如三相200V的交流）进行整流转换成规定波形的直流的电路。开关电路42是控制由AC-DC转换电路41转换的直流的导通·断开的电路。开关控制器43具备例如CPU或FPGA（Programmable Gate Array：可编程门阵列），生成用于控制开关电路42的PWM（Pulse Width Modulation：脉冲宽度调制）信号。在开关电路42中，通过开关控制器43进行PWM控制，生成脉冲状电压波形。升压变压器44将从开关电路42输出的电压波形升压为规定的大小。整流电路45是对被升压变压器44升压后的电压进行整流并供给到磁控管31的电路。
下面，参照图3，对微波导入装置3具备四个微波单元30（磁控管31）时的高电压电源部40的结构的一例进行说明。在该例子中，高电压电源部40包括1个AC-DC转换电路41、2个开关电路42A、42B、1个开关控制器43、2个升压变压器44A、44B和2个整流电路45A、45B。
AC-DC转换电路41包括：与商用电源连接的整流电路51；与整流电路51连接的平滑电路52；与开关电路42连接的平滑电路54；设置在平滑电路52与平滑电路54之间的用于改善功率因数的功率FET53。整流电路51具有2个输出端。平滑电路52由在与整流电路51的2个输出端连接的2个配线61、62之间设置的电容器构成。功率器FET53设置在配线61的中途。平滑电路54由在配线61的中途设置的线圈和在配线61、62之间设置的电容器构成。
开关电路42A是控制由AC-DC转换电路41转换的直流的导通·断开，并且生成脉冲状电压波形而对升压变压器44A输出正向电流和负向电流的电路。开关电路42A具有构成全桥电路（也称为H桥）的4个开关晶体管55A、56A、57A、58A。开关晶体管55A、56A串联连接，设置在与配线61连接的配线63a和与配线62连接的配线64a之间。开关晶体管57A、58A串联连接，设置在配线63a、64a之间。开关电路42A还具有分别与开关晶体管55A～58A并联连接的谐振电容器。
同样，开关电路42B是控制由AC-DC转换电路41转换的直流的导通·断开，并且生成脉冲状电压波形而对升压变压器44B输出正向电流和负向电流的电路。开关电路42B具有构成全桥电路的4个开关晶体管55B、56B、57B、58B。开关晶体管55B、56B串联连接，设置在与配线61连接的配线63b和与配线62连接的配线64b之间。开关晶体管57B、58B串联连接，设置在配线63b、64b之间。开关电路42B还具有分别与开关晶体管55B～58B并联连接的谐振电容器。
作为开关晶体管55A～58A、55B～58B，从效率的观点出发能够使用电场效应型晶体管（FET）。作为用于开关晶体管55A～58A、55B～58B的FET，优选MOSFET，特别优选功率MOSFET。此外，也可以使用耐压比MOSFET高且适用于高功率的IGBT（绝缘栅型双极晶体管）代替MOSFET。
升压变压器44A具有2个输入端和2个输出端。升压变压器44A的2个输入端中的一个输入端连接在开关晶体管55A、56A之间，另一个输入端连接在开关晶体管57A、58A之间。同样，升压变压器44B具有2个输入端和2个输出端。升压变压器44B的2个输入端中的一个输入端连接在开关晶体管55B、56B之间，另一个输入端连接在开关晶体管57B、58B之间。
整流电路45A由与升压变压器44A的2个输出端中的一个输出端连接的2个二极管和与2个输出端中的另一个输出端连接的2个二极管构成。磁控管31A经由分别与升压变压器44A的2个输出端连接的2个二极管，与升压变压器44A连接。磁控管31B经由分别与升压变压器44A的2个输出端连接的其它2个二极管，与升压变压器44A连接。整流电路45A的4个二极管构成为从升压变压器44A向磁控管31A的电流方向与从升压变压器44A向磁控管31A的电流方向为相反方向。
同样，整流电路45B由与升压变压器44B的2个输出端中的一个输出端连接的2个二极管和与2个输出端中的另一个输出端连接的2个二极管构成。磁控管31C经由分别与升压变压器44B的2个输出端连接的2个二极管，与升压变压器44B连接。磁控管31D经由分别与升压变压器44B的2个输出端连接的其它2个二极管，与升压变压器44B连接。整流电路45B的4个二极管构成为从升压变压器44B向磁控管31C的电流方向与从升压变压器44B向磁控管31D的电流方向为相反方向。
（处理步骤）
接着，以对晶片W实施退火处理的情况为例，说明微波处理装置1的处理步骤。首先，例如从用户接口82向工艺控制器81输入指令，以使得在微波处理装置1中进行退火处理。接着，工艺控制器81接收该指令，读出存储在存储部83或计算机能够读取的存储介质中的处理方案。接着，从工艺控制器81向微波处理装置1的各端部件（例如微波导入装置3、支承装置4、气体供给装置5、排气装置6等）发送控制信号，以使得根据基于处理方案的条件来执行退火处理。
接着，使闸阀G为打开状态，利用未图示的搬送装置将晶片W通过闸阀G和搬入搬出口12a搬入处理容器2内。晶片W载置在支承销14上。接着，使闸阀G为关闭状态，通过排气装置6将处理容器2内减压排气。此时，使开闭阀20为打开状态，吸引晶片W的背面，使晶片W吸附并固定于支承销14。接着，通过气体供给装置5将规定流量的处理气体和冷却气体导入。通过调整排气量和气体供给量，将处理容器2的内部空间调整为规定的压力。
接着，从高电压电源部40对磁控管31施加电压来生成微波。在磁控管31中生成的微波在导波管32中传播，接着，透过透过窗33，被导入处理容器2内的晶片W的上方空间。在本实施方式中，在多个磁控管31中同时生成多个微波，将多个微波同时导入处理容器2。此外，在多个磁控管31中同时生成多个微波的方法，将在后文中详细说明。
导入到处理容器2中的多个微波照射到晶片W的表面，通过进行焦耳加热、磁性加热、感应加热等电磁波加热，迅速加热晶片W。其结果，对晶片W实施退火处理。
当从工艺控制器81向微波处理装置1的各端部件发送使等离子体处理结束的控制信号时，停止生成微波，并且停止供给处理气体和冷却气体，结束对晶片W的退火处理。接着，使闸阀G为打开状态，通过未图示的搬送装置，搬出晶片W。
（微波的生成方法）
接着，参照图3，详细说明在多个磁控管31中同时生成多个微波的方法。在开关电路42A、42B中，通过开关控制器43进行PWM控制，生成脉冲状电压波形。即，对开关晶体管55A～58A、55B～58B输入作为分别从开关控制器43控制的栅极驱动信号的PWM信号。开关电路42A、42B合成上述信号而生成脉冲状电压波形。该脉冲状电压波形例如能够以将由开关控制器43产生的PWM信号与由磁控管31产生的微波的输出波形（后述）相对应的图表的方式存储在控制部8的存储部83中。在该图表中对应地规定有：磁控管31中的微波的输出波形、用于生成微波的上述脉冲状电压波形和用于在开关电路42A、42B中生成该电压波形的PWM信号。并且，基于例如来自用户接口82的指示，开关控制器43与作为上位的控制部的工艺控制器81协动，从存储在存储部83中的图表发送PWM信号，以获得与作为目的的微波的输出波形对应的脉冲状电压波形。
当对开关晶体管55A、58A输入栅极驱动信号时，生成从升压变压器44A观看时为正向（电压增加的方向）的电压波形，并且电流向依次经由开关晶体管55A、升压变压器44A、开关晶体管58A的方向（正向）流动。由此，在升压变压器44A的次级侧（输出端侧），向经由磁控管31A的方向产生电流。此外，升压变压器44A升压以使得升压变压器44A的次级侧（输出端侧）的电压成为规定的大小。这样，对磁控管31A供给用于生成微波的高电压，在磁控管31A中生成微波。
当对开关晶体管56A、57A输入栅极驱动信号时，生成从升压变压器44A观看时为负向（电压减少的方向）的电压波形，并且电流向依次经由开关晶体管57A、升压变压器44A、开关晶体管56A的方向（负向）流动。由此，在升压变压器44A的次级侧，向经由磁控管31B的方向产生电流。此外，升压变压器44A升压以使得升压变压器44A的次级侧的电压成为规定的大小。这样，对磁控管31B供给用于生成微波的高电压，在磁控管31B中生成微波。
当对开关晶体管55B、58B输入栅极驱动信号时，生成从升压变压器44B观看时为正向的电压波形，并且电流向依次经由开关晶体管55B、升压变压器44B、开关晶体管58B的方向（正向）流动。由此，在升压变压器44B的次级侧，向经由磁控管31C的方向产生电流。此外，升压变压器44B升压以使得升压变压器44B的次级侧的电压成为规定的大小。这样，对磁控管31C供给用于生成微波的高电压，在磁控管31C中生成微波。
当对开关晶体管56B、57B输入栅极驱动信号时，生成从升压变压器44B观看时为负向的电压波形，并且电流向依次经由开关晶体管57B、升压变压器44B、开关晶体管56B的方向（负向）流动。由此，在升压变压器44B的次级侧，向经由磁控管31D的方向产生电流。此外，升压变压器44B升压以使得升压变压器44B的次级侧的电压成为规定的大小。这样，对磁控管31D供给用于生成微波的高电压，在磁控管31D中生成微波。
在本实施方式中，开关控制器43控制开关电路42A、42B，使得在磁控管31A～31D中生成脉冲状的微波。特别是，在本实施方式中，为了生成脉冲状的微波，开关控制器43对开关电路42A、42B发送多个PWM信号。由此，在开关电路42A、42B中，生成多个脉冲状电压波形。多个脉冲状电压波形与微波的输出和频率的关系，将在后文中详细说明。
此外，开关控制器43控制开关电路42A、42B（开关晶体管55A、58A、55B、58B），使得在磁控管31A、31C中生成微波的状态和不生成微波的状态交替反复多次。此外，开关控制器43控制开关电路42A、42B（开关晶体管56A、57A、56B、57B），使得在磁控管31A、31C中同时生成微波，并且在磁控管31B、31D中生成微波的状态和不生成微波的状态交替反复多次。在各磁控管31A～31D中每一次生成微波的状态的时间例如是20毫秒。这样，在磁控管31A～31D中同时生成2个微波，2个微波被同时导入处理容器2。另外，开关控制器43由控制部8的工艺控制器81控制。
然而，被导入到处理容器2的微波，在处理容器2内形成驻波。在用于处理晶片W的状态持续的期间，如果驻波的波腹和波节的位置固定，则产生加热不均匀等，可能无法对晶片W进行均匀的处理。与此相对，在本实施方式中，在用于处理晶片W的状态持续的期间，通过改变微波的频率，使处理容器2内的驻波的状态发生变化。以下，参照图6和图7对此详细说明。
一般而言，已知当微波的输出（功率）变化时，微波的中心频率变化。具体而言，随着微波的输出变大，微波的中心频率也变高。微波的输出能够由施加于磁控管31的电压的大小控制。因此，通过控制施加于磁控管31的电压的大小，能够使微波的频率变化。例如在生成5.8GHz的微波的磁控管31的情况下，通过改变施加于磁控管31的电压的大小，能够使微波的频率在5.8GHz±193MHz的范围内变化。施加于磁控管31的电压的大小，能够由在开关电路42中生成的上述脉冲状电压波形的电压的大小控制。
在本实施方式中，在用于处理晶片W的状态持续的期间，通过改变被供给到磁控管31的电压的大小，使微波的频率变化。由此，使处理容器2内的驻波的状态、更具体而言使驻波的波腹和波节的位置发生变化。作为使微波的频率变化的方式，例如在生成1次的微波的状态的期间即1个脉冲期间，存在使微波的频率变化的第一方式和按每个生成微波的状态即按每个脉冲使微波的频率变化的第二方式。
图6是示意性表示用于生成脉冲状的微波的电压波形的说明图。在图6中，（a1）、（a2）表示在1个脉冲内微波的输出固定的情况下的例子。（b1）、（b2）表示在1个脉冲内微波的输出增加的情况下的例子。（c1）、（c2）表示在1个脉冲内微波的输出减少的情况下的例子。（d1）、（d2）表示在1个脉冲内微波的输出增加然后减少的情况下的例子。在图6中，（a1）、（b1）、（c1）、（d1）表示升压变压器44的初级侧（输入端侧）的电压波形、即在开关电路42A、42B中生成的多个脉冲状的电压波形。此外，（a2）、（b2）、（c2）、（d2）表示升压变压器44的次级侧（输出端侧）的电压波形、即施加于磁控管31的电压波形。微波的输出与升压变压器44的次级侧的电压波形同样变化。
如上所述，在本实施方式中，为了生成脉冲状的微波，开关控制器43对开关电路42A、42B发送多个PWM信号。由此，在开关电路42A、42B中，生成多个脉冲状的电压波形。图6的（a1）、（b1）、（c1）、（d1）表示这样生成的多个脉冲状的电压波形。当该脉冲状的电压波形的频率比升压变压器44的通过频率域高时，升压变压器44作为滤波器发挥功能。其结果，在升压变压器44的次级侧生成1个脉冲状的电压波形。图6的（a2）、（b2）、（c2）、（d2）表示这样生成的电压波形。在磁控管31中基于上述次级侧的1个脉冲状的电压波形，生成外脉冲状的微波。
此外，为了在次级侧生成1个脉冲状的电压波形所需要的初级侧的电压波形的脉冲数量，即为了生成1个脉冲状的微波所需要的PWM信号的数量例如是100个。
然而，微波的输出依赖于次级侧的电压波形的电压大小，次级侧的电压波形的电压大小依赖于初级侧的电压波形的每个脉冲的电压的大小。如图6（a1）、（a2）所示，当初级侧的电压波形的每个脉冲的电压的大小固定时，在次级侧的电压波形中，1个脉冲内的电压的大小固定。与此相对，当如图6（b1）、（c1）、（d1）所示那样使初级侧的电压波形的每个脉冲的电压的大小每次稍稍变化时，如图6（b2）、（c2）、（d2）所示，在次级侧的电压波形中，在1个脉冲内电压的大小发生变化。在第一方式中，通过如图6（b1）、（c1）、（d1）所示那样改变初级侧的电压波形的每个脉冲的电压的大小，并且改变次级侧的电压波形中在1个脉冲内的电压的大小，能够在1个脉冲期间使微波的频率变化。另外，如图6（a2）所示那样，在次级侧的电压波形在1个脉冲内为固定大小的情况下，未必需要如图6（a1）所示的多个脉冲状的电压，例如能够通过单一的矩形电压波形得到。
图7是示意性表示在第二实施方式中用于生成微波的电压波形的说明图。此外，在图7中，作为用于生成微波的电压波形，与图6（a2）、（b2）、（c2）、（d2）同样，表示升压变压器44的次级侧的电压波形。另外，与第一实施方式同样，微波的输出与升压变压器44的次级侧的电压波形同样变化。在图7所示的例子中，按每个生成微波的状态即每个脉冲改变电压波形的电压大小。在图7中，朝向纸面从左侧起表示第一脉冲、第二脉冲、第三脉冲和第四脉冲。在1个脉冲内看时，与图6（a2）所示的例子同样，电压波形的电压大小固定，但是通过按第一～第四脉冲的每个脉冲改变电压波形的电压大小，能够使微波的输出和频率按脉冲任意变化。
此外，在图7所示的例子中，第一脉冲和第四脉冲的电压波形的电压大小相同，第二脉冲与第一脉冲相比其电压波形的电压大小较小，第三脉冲与第二脉冲相比其电压波形的电压大小较小。在这种情况下，例如以第一脉冲至第三脉冲为一个单位，通过反复输出多个单位，也能够实现以多个脉冲单位使微波的输出和频率每次稍稍变化的控制。
如上所述，用于生成以脉冲状生成的微波的电压波形（升压变压器44的次级侧的电压波形）的控制能够包括以下两种情况：在1个脉冲内使电压波形的电压大小变化和在脉冲间使电压波形的电压大小变化。并且，微波的频率的控制也能够包括以下两种情况：在1个脉冲内使频率变化和在脉冲间使频率变化。
此外，作为使微波的频率变化的方式，不限于图6所示的第一方式和图7所示的第二方式。例如，作为使微波的频率变化的方式，也可以组合第一方式和第二方式。另外，也可以按每个磁控管31独立地使微波的频率变化，也可以在磁控管31之间联合使微波的频率变化。
接着，说明本实施方式的微波处理装置1和使用微波处理装置1的晶片W的处理方法的效果。在本实施方式中，如上所述，在用于处理晶片W的状态持续的期间，使微波的频率变化。特别是，在本实施方式中，通过控制施加于磁控管31的电压的大小，使微波的频率积极地变化。由此，根据本实施方式，能够使处理容器2内的驻波的状态，具体而言使驻波的波腹和波节的位置变化。结果，根据本实施方式，能够对晶片W进行均匀的处理。
此外，在本实施方式中，微波处理装置1包括搅拌风扇91，该搅拌风扇91用于对通过旋转被导入到处理容器2内的微波进行反射和搅拌。根据本实施方式，通过一并使用搅拌风扇91，能够更有效地使处理容器2内的驻波的状态变化。
此外，在本实施方式中，微波导入装置3具有多个磁控管31和多个导波管32。因此，在本实施方式中，在用于处理晶片W的状态持续的期间，能够使生成微波的磁控管31变化。由此，根据本实施方式，能够更有效地使处理容器2内的驻波的状态变化。
此外，在本实施方式中，微波导入装置3能够将多个微波同时导入处理容器2中。当同时将多个微波同时导入处理容器2中时，存在在基于各微波的驻波之外还形成基于多个微波的驻波的情况。根据本实施方式，通过使至少1个微波的频率变化，能够使基于多个微波的驻波的状态变化。结果，根据本实施方式，即使在将多个微波同时导入处理容器2中的情况下，也能够对晶片W进行均匀的处理。此外，通过使同时被导入处理容器2的多个微波的频率互不相同，能够防止形成基于多个微波的驻波。
下面，说明本实施方式的其它效果。在本实施方式中，微波导入装置3具有多个磁控管31和多个导波管32，能够将多个微波同时导入处理容器2。根据本实施方式，即使在各磁控管31的输出对晶片W而言不足够的情况下，通过将多个微波同时导入处理容器2，也能够对晶片W进行处理。
此外，在本实施方式中，微波通过照射晶片W来处理晶片W。由此，根据本实施方式，与等离子体处理相比，能够对晶片W进行温度较低的加热处理。
另外，本发明不限于上述实施方式，能够进行各种变更。例如，本发明的微波处理装置不限于以半导体晶片为被处理体的情况，例如也能够适用于以太阳能电池的基板和平板显示器用基板为被处理体的微波处理装置。
此外，在本实施方式中，对磁控管31A、31B与升压变压器44A连接，磁控管31C、31D与升压变压器44B连接的例子进行了说明，但是磁控管31A～31D也可以分别与其它升压变压器连接。在这种情况下，能够任意变更同时生成微波的磁控管31A～31D的组合。
此外，微波单元30的数量（磁控管31的数量）和同时被导入处理容器2的微波的数量不限于在实施方式中说明过的数量。

Claims (14)

1.一种微波处理装置，其特征在于，包括：
收容被处理体的处理容器；
微波导入装置，其具有生成用于处理所述被处理体的微波的至少1个微波源，将所述微波导入所述处理容器；和
控制所述微波导入装置的控制部，
所述控制部在用于处理所述被处理体的状态持续的期间，使所述微波的频率变化。
2.如权利要求1所述的微波处理装置，其特征在于：
在用于处理所述被处理体的状态下，生成所述微波的状态和不生成所述微波的状态交替反复多次，
所述控制部在生成1次的所述微波的状态的期间，使所述微波的频率变化。
3.如权利要求1所述的微波处理装置，其特征在于：
在用于处理所述被处理体的状态下，生成所述微波的状态和不生成所述微波的状态交替反复多次，
所述控制部按生成所述微波的每个状态，使所述微波的频率变化。
4.如权利要求1～3中任一项所述的微波处理装置，其特征在于：
所述微波源通过被施加规定的电压而生成所述微波，
所述控制部通过改变施加于所述微波源的电压，使所述微波的频率变化。
5.如权利要求1～3中任一项所述的微波处理装置，其特征在于：
所述微波导入装置包括：生成所述微波的多个微波源；和将在所述多个微波源中生成的所述微波传送到所述处理容器的多个传送通路。
6.如权利要求5所述的微波处理装置，其特征在于：
所述微波导入装置能够将多个所述微波同时导入所述处理容器。
7.如权利要求1～3中任一项所述的微波处理装置，其特征在于：
所述微波用于对所述被处理体进行照射来处理所述被处理体。
8.一种处理方法，是使用微波处理装置处理被处理体的处理方法，该微波处理装置包括：收容所述被处理体的处理容器；和微波导入装置，具有生成用于处理所述被处理体的微波的至少1个微波源，将所述微波导入所述处理容器，所述处理方法的特征在于：
在用于处理所述被处理体的状态持续的期间，使所述微波的频率变化。
9.如权利要求8所述的处理方法，其特征在于：
在用于处理所述被处理体的状态下，生成所述微波的状态和不生成所述微波的状态交替反复多次，
在生成1次的所述微波的状态的期间，使所述微波的频率变化。
10.如权利要求8所述的处理方法，其特征在于：
在用于处理所述被处理体的状态下，生成所述微波的状态和不生成所述微波的状态交替反复多次，
按生成所述微波的每个状态，使所述微波的频率变化。
11.如权利要求8～10中任一项所述的微波处理方法，其特征在于：
所述微波源通过被施加规定的电压而生成所述微波，
通过改变施加于所述微波源的电压，使所述微波的频率变化。
12.如权利要求8～10中任一项所述的处理方法，其特征在于：
所述微波导入装置包括：生成所述微波的多个微波源；和将在所述多个微波源中生成的所述微波传送到所述处理容器的多个传送通路。
13.如权利要求12所述的处理方法，其特征在于：
所述微波导入装置能够将多个所述微波同时导入所述处理容器。
14.如权利要求8～10中任一项所述的处理方法，其特征在于：
所述微波用于对所述被处理体进行照射来处理所述被处理体。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104795322A (zh) * 2014-01-17 2015-07-22 台湾积体电路制造股份有限公司 微波辐射退火的系统和方法
CN105185733A (zh) * 2015-08-26 2015-12-23 上海海事大学 一种微波退火装置
CN107275207A (zh) * 2016-04-07 2017-10-20 Cm科技21株式会社 微波氢化热处理方法
CN108172493A (zh) * 2016-12-07 2018-06-15 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8590173B1 (en) * 2010-03-15 2013-11-26 Tobi D. Mengle System for filter drying using microwave energy
GB201213402D0 (en) * 2012-07-27 2012-09-12 E2V Tech Uk Ltd High frequency energy generator systems
WO2014039194A1 (en) * 2012-09-07 2014-03-13 Applied Materials, Inc. Integrated processing of porous dielectric, polymer-coated substrates and epoxy within a multi-chamber vacuum system confirmation
JP5657059B2 (ja) * 2013-06-18 2015-01-21 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波加熱処理装置および処理方法
US10978955B2 (en) 2014-02-28 2021-04-13 Eagle Harbor Technologies, Inc. Nanosecond pulser bias compensation
US10020800B2 (en) 2013-11-14 2018-07-10 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage nanosecond pulser with variable pulse width and pulse repetition frequency
US10892140B2 (en) 2018-07-27 2021-01-12 Eagle Harbor Technologies, Inc. Nanosecond pulser bias compensation
US11539352B2 (en) 2013-11-14 2022-12-27 Eagle Harbor Technologies, Inc. Transformer resonant converter
EP4210223A1 (en) 2013-11-14 2023-07-12 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage nanosecond pulser
US10483089B2 (en) 2014-02-28 2019-11-19 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage resistive output stage circuit
WO2015139464A1 (zh) * 2014-03-20 2015-09-24 广东美的厨房电器制造有限公司 微波炉的半导体微波发生器连接结构、微波炉的半导体微波发生器输入输出连接结构和微波炉
JP6643034B2 (ja) 2015-10-09 2020-02-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10692742B2 (en) 2015-11-05 2020-06-23 Industrial Technology Research Institute Operating method of microwave heating device and microwave annealing process using the same
US11104502B2 (en) * 2016-03-01 2021-08-31 Jeffrey S. Melcher Multi-function compact appliance and methods for a food or item in a container with a container storage technology
US11430635B2 (en) 2018-07-27 2022-08-30 Eagle Harbor Technologies, Inc. Precise plasma control system
US11004660B2 (en) 2018-11-30 2021-05-11 Eagle Harbor Technologies, Inc. Variable output impedance RF generator
WO2018148182A1 (en) 2017-02-07 2018-08-16 Eagle Harbor Technologies, Inc. Transformer resonant converter
US10790118B2 (en) * 2017-03-16 2020-09-29 Mks Instruments, Inc. Microwave applicator with solid-state generator power source
KR102208429B1 (ko) 2017-08-25 2021-01-29 이글 하버 테크놀로지스, 인코포레이티드 나노초 펄스를 이용한 임의의 파형 발생
US10747968B2 (en) 2017-11-22 2020-08-18 Jeffrey S. Melcher Wireless device and selective user control and management of a wireless device and data
US11302518B2 (en) 2018-07-27 2022-04-12 Eagle Harbor Technologies, Inc. Efficient energy recovery in a nanosecond pulser circuit
US11532457B2 (en) 2018-07-27 2022-12-20 Eagle Harbor Technologies, Inc. Precise plasma control system
US11222767B2 (en) 2018-07-27 2022-01-11 Eagle Harbor Technologies, Inc. Nanosecond pulser bias compensation
US10607814B2 (en) * 2018-08-10 2020-03-31 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage switch with isolated power
CN112805920A (zh) 2018-08-10 2021-05-14 鹰港科技有限公司 用于rf等离子体反应器的等离子体鞘控制
US10796887B2 (en) 2019-01-08 2020-10-06 Eagle Harbor Technologies, Inc. Efficient nanosecond pulser with source and sink capability for plasma control applications
TWI778449B (zh) 2019-11-15 2022-09-21 美商鷹港科技股份有限公司 高電壓脈衝電路
CN114930488A (zh) 2019-12-24 2022-08-19 鹰港科技有限公司 用于等离子体系统的纳秒脉冲发生器rf隔离
US11963287B2 (en) 2020-09-24 2024-04-16 6K Inc. Systems, devices, and methods for starting plasma
AU2021371051A1 (en) 2020-10-30 2023-03-30 6K Inc. Systems and methods for synthesis of spheroidized metal powders
AU2022246797A1 (en) 2021-03-31 2023-10-05 6K Inc. Systems and methods for additive manufacturing of metal nitride ceramics
US12040162B2 (en) * 2022-06-09 2024-07-16 6K Inc. Plasma apparatus and methods for processing feed material utilizing an upstream swirl module and composite gas flows
US12094688B2 (en) 2022-08-25 2024-09-17 6K Inc. Plasma apparatus and methods for processing feed material utilizing a powder ingress preventor (PIP)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04160791A (ja) * 1990-10-23 1992-06-04 Toshiba Corp 高周波加熱調理装置
CN1518398A (zh) * 2003-01-27 2004-08-04 Lg������ʽ���� 频率可变型变频微波炉及其控制方法
CN101416276A (zh) * 2005-11-11 2009-04-22 Dsg科技公司 热处理系统、部件和方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6351081A (ja) * 1986-08-20 1988-03-04 松下電器産業株式会社 インバ−タ電子レンジの出力制御装置
JPH08171986A (ja) * 1994-12-19 1996-07-02 Hitachi Ltd マイクロ波加熱装置
JP3333421B2 (ja) 1997-02-28 2002-10-15 シャープ株式会社 平板型マグネトロン
JP2004335361A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波加熱装置及びその制御方法
CN103384422B (zh) * 2006-02-21 2016-11-09 高知有限公司 电磁加热
JP5064924B2 (ja) * 2006-08-08 2012-10-31 パナソニック株式会社 マイクロ波処理装置
JP2008060016A (ja) * 2006-09-04 2008-03-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロ波利用装置
JP2010129790A (ja) 2008-11-27 2010-06-10 Tokyo Electron Ltd 成膜方法
JP5110145B2 (ja) * 2010-10-12 2012-12-26 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法及び電子部品

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04160791A (ja) * 1990-10-23 1992-06-04 Toshiba Corp 高周波加熱調理装置
CN1518398A (zh) * 2003-01-27 2004-08-04 Lg������ʽ���� 频率可变型变频微波炉及其控制方法
CN101416276A (zh) * 2005-11-11 2009-04-22 Dsg科技公司 热处理系统、部件和方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104795322A (zh) * 2014-01-17 2015-07-22 台湾积体电路制造股份有限公司 微波辐射退火的系统和方法
CN105185733A (zh) * 2015-08-26 2015-12-23 上海海事大学 一种微波退火装置
CN107275207A (zh) * 2016-04-07 2017-10-20 Cm科技21株式会社 微波氢化热处理方法
CN108172493A (zh) * 2016-12-07 2018-06-15 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
US10832891B2 (en) 2016-12-07 2020-11-10 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
TWI766907B (zh) * 2016-12-07 2022-06-11 日商東京威力科創股份有限公司 電漿處理裝置及電漿處理方法

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