CN103021841A - 一种去除SixNy残留物的处理方法 - Google Patents

一种去除SixNy残留物的处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种去除SixNy残留物的处理方法，具体步骤如下：（1）将氢氧化钠、H2O2水溶液加热升温；（2）将硅片放入上述溶液中浸泡；（3）水洗；（4）将水中浸泡的硅片慢慢提拉，然后烘干即可。本发明能够处理氢氟酸溶液不能完全去除SixNy膜的异常片，对其进行处理后可重新制绒，工艺简单，无需增加额外的设备，对硅片性能无影响，提高生产线的良率。

Description

一种去除SixNy残留物的处理方法
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池硅片处理方法，具体地说是一种去除硅片上SixNy残留物的处理方法。 
背景技术
随着市场品质要求日益增高，对电池片外观的要求越来越严格。其中在镀膜过程中会形成很多的不良半成品片，例如发红片、彩虹片、色差片、脏片等，这些异常片会造成产线的良率下降以及客户抱怨的增多，所以处理这些不良半成品片在所难免。 
高浓度的氢氟酸对于SixNy膜具有很好的去除作用，但是受清洗时间、溶液浓度、清洁度影响，硅片表面残留物可能不能完全去除，此时就不能重新制绒以免造成污染。 
发明内容
发明目的：是针对现有技术存在的不足，提供一种能够彻底去除硅片上SixNy残留物的处理方法。 
技术方案：为实现上述目的，本发明提供了一种去除SixNy残留物的处理方法，该方法的具体步骤如下： 
（1）将质量百分比为1%-1.2%的氢氧化钠NaOH、体积比3.0%-3.6% H2O2溶液混合，加热升温到63℃-67℃；
（2）将硅片放入上述溶液中浸泡3 min-4min；
（3）将浸泡后的硅片放入在水中浸泡40s-60s；
（4）将水中浸泡的硅片慢慢提拉，硅片慢提拉速度用时间评估，时间为20-40s，然后烘干即可。
本发明利用NaOH与H2O2混合液能将不能完全去除SixNy膜的异常片恢复到制绒前状态，保证此硅片的品质与正常硅片基本一致。 
本发明中所述H2O2的目的是去除有机物，NaOH与Si反应起粗抛作用，去除表面损伤以及表面残留物，并且增强H2O2氧化能力； 
Si+2NaOH+H2O==Na2SiO3+2H2
而氢气不断从溶液中溢出，使反应不断进行，生成溶于水硅酸钠，经过此反应不会对硅片性能有任何影响。
有益效果：本发明所述的去除SixNy残留物的处理方法，具有以下优点： 
本发明能够处理氢氟酸溶液不能完全去除SixNy膜的异常片，对其进行处理后可重新制绒，工艺简单，无需增加额外的设备，对硅片性能无影响，提高生产线的良率。
附图说明
图1为本发明的示意图。 
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。 
  如图1所示的一种去除SixNy残留物的处理方法，具体步骤如下： 
（1）将质量百分比为1.1%的氢氧化钠、体积比为3.3%的H2O2水混合液,加热温度到65℃；
（2）将硅片放入上述溶液中浸泡3 min；
（3）将浸泡后的硅片放入在水中浸泡3.5min；
（4）将水中浸泡的硅片慢慢提拉，50S将硅片从水中完全提拉离水面，然后烘干即可。

Claims (2)

1.一种去除SixNy残留物的处理方法，其特征在于：具体步骤如下：
（1）将质量百分比为1%-1.2%的氢氧化钠NaOH、体积比3.0%-3.6% H2O2溶液混合，加热升温到63℃-67℃；
（2）将硅片放入上述溶液中浸泡3 min-4min；
（3）将浸泡后的硅片放入在水中浸泡40s-60s；
（4）将水中浸泡的硅片慢慢提拉，硅片慢提拉速度用时间评估，时间为20-40s，然后烘干即可。
2.根据权利要求1所述的一种去除SixNy残留物的处理方法，其特征在于：具体步骤如下：
（1）将质量百分比为1.1%的氢氧化钠、体积比为3.3%的H2O2水混合液,加热温度到65℃；
（2）将硅片放入上述溶液中浸泡3 min；
（3）将浸泡后的硅片放入在水中浸泡3.5min；
（4）将水中浸泡的硅片慢慢提拉，50S将硅片从水中完全提拉离水面，然后烘干即可。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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