CN103021683B - 提高化成箔比容的铝凝胶反析方法 - Google Patents
提高化成箔比容的铝凝胶反析方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103021683B CN103021683B CN201210562212.XA CN201210562212A CN103021683B CN 103021683 B CN103021683 B CN 103021683B CN 201210562212 A CN201210562212 A CN 201210562212A CN 103021683 B CN103021683 B CN 103021683B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- alumina gel
- specific volume
- forming liquid
- waste acid
- foil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Abstract
一种提高化成箔比容的铝凝胶反析方法，是将腐蚀箔放在460~580℃的高温中焙烧10~30min，取出，以0.05~0.10A/cm2在化成液中形成10~30min，重复形成1~3次，得到含铝凝胶的化成液；将腐蚀箔放在含有铝凝胶的化成液中按照常规三段化成方法进行化成，化成箔比容提高1～15％。
Description
技术领域
本发明属于电子材料制造技术领域，具体涉及一种提高化成箔比容的铝凝胶反析方法。
背景技术
高容量、小体积是当今铝电解电容器发展趋势，根据平行板电容器静电容量公式，在电极间距和介电常数已经确定的情况下，要想提高比容就只有提高电极的实际表面积，而电极的实际表面积是由腐蚀发孔决定的，但是仍然存在一个问题就是腐蚀发孔不一定非常均匀，而且在箔的表面和孔洞里面都有很大部分过腐蚀，导致铝箔变薄、孔洞畸形甚至有一些串孔，这些在一定程度上都限制了比容的提高，因而在化成方面如果能让铝凝胶在电场作用力下反析于箔面，就能在一定程度上修补这些缺陷，相应地提高比容。
发明内容
本发明提供一种提高化成箔比容的铝凝胶反析方法，它能够修复铝箔在腐蚀生产过程中由于过腐蚀而造成的表面腐蚀过量、串孔、孔洞不均等问题，增加铝箔的表面积，达到提高比容的目的，通过铝凝胶反析法能够提高化成箔比容1～15％。
本发明通过以下技术方案达到上述目的：一种提高化成箔比容的铝凝胶反析方法，包括如下步骤：
1、腐蚀箔预处理，将腐蚀箔用纯水清洗干净放在460~580℃的高温中焙烧10~30min，取出冷却密封保存备用；
2、含有铝凝胶的化成液的制备，将预处理后的腐蚀箔以0.05~0.10A/cm2在化成液中形成10~30min，重复形成1~3次，此时该化成液为澄清状或为悬浊状，pH值为4~8之间，其中铝凝胶主要含有［AlO2]-、[Al(OH)4]-、［Al6(OH)14(OH)7]2-离子；
3、将预处理后的腐蚀箔放在含有铝凝胶的化成液中按照常规三段化成方法进行化成。
本发明的突出优点在于：
在化成过程中，铝凝胶反析于箔面，从而修复铝箔在腐蚀生产过程中由于过腐蚀而造成的表面腐蚀过量、串孔、孔洞不均等问题，增加铝箔的表面积，达到提高比容的目的，通过铝凝胶反析法能够提高化成箔比容1～15％。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明的技术方案进一步详细描述。
实施例1
215Vf化成，具体步骤如下：
第一步：将腐蚀箔用纯水清洗干净放在460℃的高温中焙烧10min，取出冷却密封保存备用；
第二步：将第一步处理好的腐蚀箔以0.05A/cm2在化成液中形成10min，此时该化成液为澄清状，pH值为4~5之间；
第三步：将第一步处理好的腐蚀箔在第二步制备好的化成液中按照常规三段化成方法进行化成。
通过以上步骤化成后化成箔比容提高15%。
实施例2
335Vf化成，具体步骤如下：
第一步：将腐蚀箔用纯水清洗干净放在500℃的高温中焙烧20min，取出冷却密封保存备用；
第二步：将第一步处理好的腐蚀箔以0.08A/cm2在化成液中形成20min，重复2次，此时该化成液为澄清状，pH值为5~6之间；
第三步：将第一步处理好的腐蚀箔在第二步制备好的化成液中按照常规三段化成方法进行化成。
通过以上步骤化成后化成箔比容提高8%。
实施例3
520Vf化成，具体步骤如下：
第一步：将腐蚀箔用纯水清洗干净放在580℃的高温中焙烧30min，取出冷却密封保存备用；
第二步：将第一步处理好的腐蚀箔以0.10A/cm2在化成液中形成30min，重复3次，此时该化成液为悬浊状，pH值为7~8之间；
第三步：将第一步处理好的腐蚀箔在第二步制备好的化成液中按照常规三段化成方法进行化成。
通过以上步骤化成后化成箔比容提高5％。
上述所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明，本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改、补充或类似替代，但并不会偏离本发明的精神或者所附权利要求书所定义的范围。
Claims (1)
1.一种提高化成箔比容的铝凝胶反析方法，其特征在于，包括如下步骤：
第一步：将腐蚀箔用纯水清洗干净放在460~580℃的高温中焙烧10~30min，取出冷却密封保存备用，
第二步：将第一步处理好的腐蚀箔以0.05~0.10A/cm2在化成液中形成10~30min，此时该化成液为澄清状，pH值为4~5之间，其中铝凝胶主要含有［AlO2]-、[Al(OH)4]-、［Al6(OH)14(OH)7]3-离子，
第三步：将第一步处理好的腐蚀箔在第二步制备好的化成液中按照三段化成方法进行化成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210562212.XA CN103021683B (zh) | 2012-12-21 | 2012-12-21 | 提高化成箔比容的铝凝胶反析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210562212.XA CN103021683B (zh) | 2012-12-21 | 2012-12-21 | 提高化成箔比容的铝凝胶反析方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103021683A CN103021683A (zh) | 2013-04-03 |
| CN103021683B true CN103021683B (zh) | 2016-03-30 |
Family
ID=47970176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210562212.XA Active CN103021683B (zh) | 2012-12-21 | 2012-12-21 | 提高化成箔比容的铝凝胶反析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103021683B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101425395A (zh) * | 2008-07-29 | 2009-05-06 | 东莞市东阳光电容器有限公司 | 一种铝电解电容器用低压高介电化成箔的制造方法 |
| CN102212861A (zh) * | 2011-04-21 | 2011-10-12 | 日丰（清远）电子有限公司 | 电容器阳极铝箔化成电解液和化成方法 |
-
2012
- 2012-12-21 CN CN201210562212.XA patent/CN103021683B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101425395A (zh) * | 2008-07-29 | 2009-05-06 | 东莞市东阳光电容器有限公司 | 一种铝电解电容器用低压高介电化成箔的制造方法 |
| CN102212861A (zh) * | 2011-04-21 | 2011-10-12 | 日丰（清远）电子有限公司 | 电容器阳极铝箔化成电解液和化成方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 预热处理和纳米氧化铝膜对低压铝箔化成比电容的影响;陈义庆等;《金属热处理》;20050930;第30卷(第9期);第42-44页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103021683A (zh) | 2013-04-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101425390B (zh) | 一种中高压阳极铝箔的腐蚀方法 | |
| CN102465309A (zh) | 一种石墨烯制备方法 | |
| CN1873865B (zh) | 提高铝电解电容器用电极箔比容的制造方法 | |
| CN105420803A (zh) | 中高压阳极铝箔超声波辅助腐蚀的方法 | |
| CN105513803A (zh) | 一种高温电容器用低压电极箔制造方法 | |
| CN102800483B (zh) | 降低低压化成箔漏电流的化成处理方法 | |
| CN102360955B (zh) | 一种采用电化学沉积法提高铝电极箔比容的方法 | |
| CN102983008A (zh) | 铝电解电容器用超高压阳极箔腐蚀方法 | |
| CN104841691B (zh) | 一种重金属镍污染土壤的修复方法 | |
| TW200620355A (en) | Solid electrolytic capacitor element, solid electrolytic capacitor and production method thereof | |
| CN105788866A (zh) | 一种电化学腐蚀与化学腐蚀相结合的中高压电极箔制造方法 | |
| CN102251267B (zh) | 一种NiO多孔薄膜的制备方法 | |
| KR20140136218A (ko) | 미 에칭부를 갖는 고출력용 이차전지 및 전기이중층용 고순도 집전체의 표면코팅방법 | |
| Ban et al. | Effect of chemical plating Zn on DC-etching behavior of Al foil in HCl–H2SO4 | |
| CN103258649A (zh) | 提高低压化成箔耐水性的化成处理方法 | |
| CN104480520B (zh) | 一种电化学腐蚀生产高纯度负极箔的制造方法 | |
| CN103021683B (zh) | 提高化成箔比容的铝凝胶反析方法 | |
| CN103646787B (zh) | 一种高比容高折曲电极箔腐蚀制造方法 | |
| KR20140136220A (ko) | 교류전해에칭을 이용한 고출력용 이차전지 및 전기이중층 집전체의 표면코팅방법 | |
| CN104630871B (zh) | 一种低压硬质高比容铝电极箔的腐蚀工艺方法 | |
| CN103556168A (zh) | 一种二氧化钒纳米多孔状薄膜及其制备方法 | |
| CN103258648B (zh) | 降低中高压化成箔幅宽收缩的化成处理方法 | |
| KR20110000236A (ko) | 교류전해에칭을 이용한 고출력용 이차전지 및 전기이중층 집전체의 제조방법 | |
| CN102061508A (zh) | 一种中高压电极箔腐蚀扩面方法 | |
| CN103280328B (zh) | 电解电容器阳极箔制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220802 Address after: 834034 no.18-032, Industrial Avenue, huyanghe Industrial Park, Xinjiang Uygur Autonomous Region Patentee after: Xinjiang guangtou Guidong Electronic Technology Co.,Ltd. Address before: 542800 No. 39, Jiangbei East Road, Hezhou, the Guangxi Zhuang Autonomous Region Patentee before: GUANGXI HEZHOU GUIDONG ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. |