CN103003725A - 金属箔层叠体、用于搭载led 的基板和光源装置 - Google Patents

金属箔层叠体、用于搭载led 的基板和光源装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103003725A
CN103003725A CN2011800347261A CN201180034726A CN103003725A CN 103003725 A CN103003725 A CN 103003725A CN 2011800347261 A CN2011800347261 A CN 2011800347261A CN 201180034726 A CN201180034726 A CN 201180034726A CN 103003725 A CN103003725 A CN 103003725A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin bed
metal foil
substrate
led
laminated body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011800347261A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103003725B (zh
Inventor
松井纯
寺井智彦
铃木秀次
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Mitsubishi Rayon Co Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Plastics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Plastics Inc filed Critical Mitsubishi Plastics Inc
Publication of CN103003725A publication Critical patent/CN103003725A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103003725B publication Critical patent/CN103003725B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B5/00—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/0808—Mirrors having a single reflecting layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/0816—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers
    • G02B5/085—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers at least one of the reflecting layers comprising metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0162—Silicon containing polymer, e.g. silicone
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
    • H05K3/0061—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/389—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a coupling agent, e.g. silane
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/266—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension of base or substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Abstract

本发明提供耐热性高、在可见光区域反射率高、以及高温热负荷环境下的反射率的下降少、可应对大面积化、与金属的粘接性优异的能用于LED安装用印刷线路基板的金属箔层叠体。该金属箔层叠体的特征在于，是在含有聚有机硅氧烷和无机填充剂的树脂层（A）的至少单面具有金属箔的层叠体，该树脂层（A）与该金属箔的90度剥离强度为0.95kN/m以上，剥离除去该金属箔使树脂层（A）露出时的露出面的波长400～800nm的平均反射率为80%以上，且在260℃热处理10分钟后的波长470nm处的反射率的降低率为5%以下。

Description

金属箔层叠体、用于搭载LED 的基板和光源装置
技术领域
本发明涉及耐热性优异、且具备高反射率特性的金属箔层叠体。例如，能适合用作用于搭载LED的基板等的金属箔层叠体和使用其的用于搭载LED的基板以及光源装置。
背景技术
在印刷线路基板的图案上直接安装元件且经树脂封装的芯片型LED由于有利于小型化、薄型化，所以广泛用于手机的数字键照明、小型液晶显示器的背光灯等电子设备。
近年来，LED的高亮度化技术显著提高，LED更加高亮度化。与此相伴，LED元件本身的发热量增大、对印刷线路基板的热负荷增大，LED元件周边的温度有时超过100℃。另外，在LED搭载基板的制造工序中，发展出封装树脂的热固化处理、无铅（Pb）焊料的采用，用于搭载LED的基板逐渐暴露于高温的热环境下，如有时在回流焊工序中对基板施加260～300℃左右的温度等。
由一直以来使用的热固化系树脂组合物形成的印刷线路基板在这种热负荷的环境下，看到变黄等白色度下降、反射效率差的趋势，作为今后的面向次世代高亮度LED搭载的基板，存在改良的余地。
另一方面，对于陶瓷基板，在耐热性方面优异，但具有硬且脆的性质，所以在像树脂基板一样实现大面积化、薄型化方面存在界限，作为今后的一般照明用途、显示器用途用的基板，存在难以应对的可能性。
对于这种问题，例如专利文献1记载的发明等提出了由有机硅树脂或有机硅橡胶和无机填充材料形成的、正反射率88%以上的、耐热性、耐光性优异的光反射体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:WO2008-23605号公报
发明内容
上述专利文献1等提出的基板，在蚀刻、镀覆加工时，或在再安装部件时，可能铜箔剥离，具有改善的余地。
因此，本发明的课题是提供一种新型金属箔层叠体，其能够应对大面积化和薄型化，在可见光区域反射率高，且在高温热负荷环境下的反射率降低少，而且在蚀刻、镀覆加工时或在再安装部件时不发生剥离，可适合用作LED安装用印刷线路基板。
本发明提出了一种金属箔层叠体，其特征在于，是具有含有聚有机硅氧烷和无机填充剂的树脂层（A）和层叠于该树脂层（A）的至少单面的金属箔（B）的金属箔层叠体，该树脂层（A）与该金属箔（B）的90度剥离强度为0.95kN/m以上，剥离除去该金属箔（B）而使树脂层（A）露出时的露出面的波长400nm～800nm的平均反射率为80%以上，且在260℃将金属箔层叠体热处理10分钟的情况下，处理前后的所述露出面的波长470nm处的反射率的降低率为5%以下。
本发明的金属箔层叠体由于是具有含有聚有机硅氧烷和无机填充剂的树脂层（A）以及金属箔（B）的金属箔层叠体，所以与陶瓷基板等不同，能够应对大面积化和薄型化。
上述专利文献1中记载的金属箔层叠体的有机硅橡胶粘接剂层与金属（铜箔）的剥离强度为0.45～0.88kN/m，在蚀刻、镀覆加工时或在再安装部件时铜箔可能剥离，与此相对，本发明中通过使树脂层（A）与金属箔（B）的90度剥离强度为0.95kN/m以上，从而可有效地防止金属箔（B）的剥离。
另外，由于波长400nm～800nm的平均反射率为80%以上，且能抑制热处理后的反射率的降低率，所以具有在可见光区域反射率高、高温热负荷环境下的反射率下降少的特征。
因此，本发明的金属箔层叠体例如能适合用作安装发光二极管（Light Emitting diode，LED）等的印刷线路基板等。
附图说明
[图1]是表示本发明的LED用搭载用基板的一例和使用其的光源装置的一例以及其制造工序的一例的图，（A）是表示作为该基板的一例的两面覆铜箔基板的一例的图，（B）是表示将其蚀刻和镀金后的状态的一例的图，（C）是表示对其安装LED后的状态的一例的图，（D）是表示使用其而得的光源装置的一例的图。
[图2]是表示本发明的LED用搭载用基板的另一例和使用其的光源装置的一例以及其制造工序的一例的图，（A）是表示作为该基板的一例的氧化铝复合基板的一例的图，（B）是表示将其蚀刻和镀金后的状态的一例的图，（C）是表示对其安装LED后的状态的一例的图，（D）是表示使用其而得的光源装置的一例的图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明，但本发明的范围不限于以下的实施方式。
＜金属箔层叠体＞
本发明的实施方式的一例的金属箔层叠体（以下称为“本层叠体”）是具有含有聚有机硅氧烷和无机填充剂的树脂层（A）和层叠于该树脂层（A）的至少单面的金属箔（B）的白色金属箔层叠体。
由于只要具有树脂层（A）和金属箔（B）即可，所以只要不丧失这些树脂层（A）和金属箔（B）的功能，也可以具有其它层。例如可以具备其它的树脂层或与金属箔的粘接层等。
（树脂层（A））
树脂层（A）是含有聚有机硅氧烷和无机填充材料的层。
[聚有机硅氧烷]
作为用于树脂层（A）的聚有机硅氧烷，可举出能引起交联反应的具有下式（1）记载的硅氧烷骨架的物质，特别优选能利用放射线进行交联的物质。其中，优选分子内具有碳-碳不饱和键（特别是乙烯基）、硅-氢键和氧杂环丁基的聚有机硅氧烷。
Figure BDA00002735002100041
（n是2以上的整数）
其中，式（1）中“R”可举出甲基、乙基等烷基、乙烯基、苯基等烃基、或氟代烷基等卤素取代烃基。具体而言，可举出式（1）中“R”全部为甲基的聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷的甲基的一部份被上述烃基或上述卤素取代烃基的一种或多种取代而成的各种聚有机硅氧烷。
作为用于本层叠体的聚有机硅氧烷，可以单独使用这些聚二甲基硅氧烷或各种聚烷基硅氧烷，或者可以混合二种以上使用。
另外，相对于上述聚有机硅氧烷，优选含有二氧化硅5～30重量%，更优选含有10～20重量%。通过使用以这种范围含有二氧化硅的聚有机硅氧烷，不仅可以提高机械物性，而且可进一步提高与铜箔的密合性。
[无机填充材料]
作为用于树脂层（A）的无机填充材料，例如可举出滑石、云母、云母、玻璃片、氮化硼（BN）、碳酸钙、氢氧化铝、二氧化硅、钛酸盐（钛酸钾等）、硫酸钡、氧化铝、高岭土、粘土、氧化钛、氧化锌、硫化锌、钛酸铅、氧化锆、氧化锑、氧化镁等。这些可以单独使用1种，也可以组合添加2种以上。
为了提高对由聚有机硅氧烷构成的层的分散性，无机填充材料可以使用用有机硅系化合物、多元醇系化合物、胺系化合物、脂肪酸、脂肪酸酯等对无机填充材料的表面进行了表面处理的物质。其中，可优选使用用有机硅系化合物（硅氧烷、硅烷偶联剂等）处理过的物质。
如果考虑光反射性，则优选使用与聚有机硅氧烷的折射率差大的无机填充材料。具体而言，优选使用折射率为1.6以上的碳酸钙、硫酸钡、氧化锌、氧化钛、钛酸盐等，特别优选使用氧化钛。氧化钛与其它无机填充材料相比，可显著提高折射率，可增大与原料树脂的折射率差，所以与使用其它填充材料的情况相比，以少的配合量就能够得到优异的反射性。
配合于树脂层（A）中的氧化钛优选锐钛矿型、金红石型这种晶型的氧化钛，其中，从与原料树脂的折射率差大的观点出发，优选金红石型的氧化钛。
氧化钛的制造方法有氯法和硫酸法，从白色度的点出发，优选使用用氯法制造的氧化钛。
氧化钛优选其表面用非活性无机氧化物进行了覆盖处理。通过用非活性无机氧化物对氧化钛的表面进行覆盖处理，从而可抑制氧化钛的光催化剂活性，可防止膜劣化。作为非活性无机氧化物，优选使用选自二氧化硅、氧化铝、和氧化锆中的至少1种。如果使用这些非活性无机氧化物，则可以在不损失高的反射性的情况下抑制在高温熔融时热塑性树脂的分子量下降、变黄。
为了提高对树脂组合物的分散性，氧化钛的表面优选用选自硅氧烷化合物、硅烷偶联剂等中的至少1种无机化合物或者选自多元醇、聚乙二醇等中的至少1种有机化合物进行了表面处理。特别地从耐热性方面看，优选用硅烷偶联剂处理过，从分散性方面看，优选用硅氧烷化合物处理过。
无机填充材料的粒径优选为0.05μm～15μm，更优选粒径为0.1μm～10μm。微粉状填充剂的粒径只要是0.05μm以上，则可维持对树脂的分散性，能得到均匀的树脂层（A），另外，如果粒径为15μm以下，则形成的空隙变粗，得到高的反射率。
其中，氧化钛的粒径优选为0.1μm～1.0μm，更优选为0.2μm～0.5μm。如果氧化钛的粒径在上述范围，则对树脂组合物的分散性良好，致密地形成与其的界面，可赋予高的反射性。
无机填充材料的含量优选相对于聚有机硅氧烷100质量份为10质量份～400质量份，更优选为20～300质量份，进一步优选为25质量份～200质量份。通过在上述范围内，则可得到良好的反射特性，另外，即使膜厚度变薄也可以得到良好的反射特性。
[添加剂等]
在上述树脂层（A）的构成成分中，在不损害其性质的程度下还可以适当配合其它树脂、无机填充材料以外的各种添加剂，例如热稳定剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、成核剂、着色剂、润滑剂、阻燃剂等。
应予说明，在将树脂层（A）放射线交联时，不需要含有交联剂。但是，如果含有交联剂，则在放射线交联时粘接强度进一步提高，所以设想在5质量%以下、即0～5质量%的范围含有交联剂为宜。
作为交联剂，可举出过氧化物（例如过氧化苯甲酰等）、氢化有机硅氧烷（以铂化合物为催化剂）等。
[树脂层（A）的厚度]
树脂层（A）的厚度优选为3μm～500μm。更优选为10μm～300μm，进一步优选为20μm～100μm。如果是该范围，则可适合用作作为要求薄型的手机用背光灯、液晶显示器用背光灯用的面光源使用的用于搭载LED的基板。
（金属箔（B））
作为金属箔（B），例如可举出由铜、金、银、铝、镍、锡、或它们的合金形成的金属箔。
金属箔（B）的厚度优选为5μm～70μm，特别优选为10μm～40μm。
为了提高粘接效果，金属箔（B）优选使用预先将与膜的接触面（重叠面）化学或机械地粗糙化而成的金属箔。作为经表面粗糙化处理的导体箔的具体例，可举出制造电解铜箔时进行了电化学处理的粗糙化铜箔等。
应予说明，使用铜箔的情况下，在将树脂层（A）放射线交联时，与树脂层（A）接合一侧的金属箔（B）的表面优选用硅烷偶联剂化学处理过。如果使用用硅烷偶联剂化学处理过的铜箔，且将树脂层（A）放射线交联，则可格外地提高树脂层（A）与金属箔（B）的粘接强度。其理由推测是树脂层（A）利用γ射线交联而生成自由基进行交联时，经硅烷偶联剂处理的金属箔与树脂层的粘接面与硅烷偶联剂发生强的相互作用，从而牢固地粘接。另外，推测是树脂层（A）进入金属箔（B）的锚定层，与金属箔（B）的粘接性提高。
作为硅烷偶联剂，可举出具有乙烯基、苯乙烯基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、氨基、脲基、氯丙基、巯基、硫醚基、异氰酸酯基等作为官能团的物质。具体而言，可举出乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、对苯乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-脲基丙基三乙氧基硅烷、3-氯丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、双（三乙氧基甲硅烷基丙基）四硫化物、3-异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷等。没有特别限定，可根据聚有机硅氧烷适当选择，可使用1种以上的硅烷偶联剂。
（90°剥离强度）
作为本层叠体的特征之一，可举出树脂层（A）与金属箔（B）的90度剥离强度为0.95kN/m以上。如果具有该范围的90度剥离强度，则部分除去金属箔（B）的蚀刻加工或镀金、银镀覆加工时或再安装部件时，金属箔从树脂层上剥离的可能性变少，能够适合用作与金属箔（B）的粘接可靠性高的LED安装用印刷线路板。
从这种观点看，更优选树脂层（A）与金属箔（B）的90度剥离强度为1.0kN/m以上，其中，特别优选为1.2kN/m以上。
对于本层叠体，为了提高树脂层（A）与金属箔（B）的90度剥离强度，利用硅烷偶联剂处理金属箔（B）的表面，另一方面利用放射线尤其是γ射线使树脂层（A）交联固化是特别有效的。但是，不限定于这种方法。
（反射率）
作为本层叠体的其它特征之一，可举出剥离除去金属箔（B）而使树脂层（A）露出时的露出面、更具体而言利用蚀刻等将金属箔（B）的一部份或全部剥离除去而使树脂层（A）露出时的露出面的、波长400～800nm的平均反射率为80%以上。
存在波长400～800nm的区域、即可见光区域的反射率越高，搭载的LED的亮度越高的趋势，如果平均反射率在80%以上，则适合用作LED安装用印刷线路板。
从这种观点出发，该平均反射率更优选为90%以上，其中，进一步优选为95%以上。
另外，由于存在与蓝色LED的平均波长（470nm）对应的470nm附近的反射率越高亮度越高的趋势，所以优选470nm处的反射率为80%以上，进一步优选为90%以上，特别优选为95%以上。
对于本层叠体，为了这样地提高反射率，在高透明的聚有机硅氧烷树脂中使用高折射率的无机填充材料（例如氧化钛）即可。但是不限定于这种方法。
（反射率的降低率）
作为本层叠体的另一特征之一，可举出在260℃将金属箔层叠体热处理10分钟前后的波长470nm处的上述露出面（上述的反射率测定时的露出面）的反射率的降低率为5%以下。
制造LED搭载基板时，有导电粘接剂或环氧、有机硅树脂等密封剂的热固化工序（100～200℃、数小时）、焊料焊接工序（无Pb焊料回流焊、峰值温度260℃、数分钟）或引线接合工序等施加高热负荷的状况。另外，在实际的使用环境下，高亮度LED的开发发展，对基板的热负荷存在增高的趋势，LED元件周边温度有时超过100℃。
因此，作为即使在高热负荷环境下也不变色且能够维持高反射率的指标，规定了将金属箔层叠体在260℃热处理10分钟前后的蓝色LED的平均波长（470nm）处的反射率的降低率。
因此，如果上述条件下（260℃、10分钟后）的波长470nm处的反射率的降低率为5%以下，则可以抑制制造工序中的反射率的降低，另外，由于能抑制实际使用时的反射率的降低，所以适合用于LED搭载基板。
从这种观点出发，该反射率的降低率进一步优选为2%以下，特别优选为1%以下。
对于本层叠体，为了这样地抑制高热负荷环境下的反射率的降低，可以选择上述温度域的加热劣化少的聚有机硅氧烷。但是，不限定于这种方法。
（本层叠体的制作方法）
本层叠体可以通过如下方式来制作，即，制备形成树脂层（A）的未固化状态的树脂组合物，将该树脂组合物层叠在金属箔（B）的同时使上述树脂组合物固化来进行制作。此时，使树脂组合物固化的时刻可以是在将树脂组合物层叠于金属箔（B）之前，也可以是层叠之后，优选为层叠之前。
作为形成树脂层（A）的树脂组合物的制备方法，没有特别限制，可以使用公知的方法。例如可举出事先另外制作高浓度含有聚有机硅氧烷的母料，调整浓度混合到使用其的树脂中，用捏炼机或挤出机等进行机械混合的方法；混合聚有机硅氧烷、无机填充剂及其他添加材料，用捏炼机或挤出机等进行机械混合的方法等。
作为将树脂层（A）与金属箔（B）层叠一体化的方法，可采用不介由粘接层的公知的热熔合方法，例如是利用加热、加压的方法，更具体而言，例如是热加压法、热层压辊法、用铸塑辊层叠在所挤出的树脂上的挤出层压法、压延法、或将它们组合的方法。
另外，也可以通过制备形成树脂层（A）的未固化状态的树脂组合物、将该未固化状态的树脂组合物层叠于金属箔（B）、然后使上述树脂组合物固化，从而使树脂层（A）与金属箔（B）粘结而一体化。
作为使形成树脂层（A）的未固化状态的树脂组合物固化的方法，优选利用放射线进行交联。
利用放射线的交联由于是不加热的方法所以适合于本用途。通常进行的基于热交联的固化由于需要例如在100～200℃加热数十分使其一次固化、然后在200～300℃加热数小时使其二次固化，所以在制作金属箔层叠体时，与金属层叠时由于线膨胀系数差，可能金属与由聚有机硅氧烷构成的层剥离、得不到粘接强度、金属层有褶皱等在用作LED安装用印刷线路板时发生不良情况。与此相对，利用放射线的交联由于是不加热的方法，所以不可能发生这种不良情况。
另外，在利用放射线的交联时，由于能够在放射线的照射下进行交联反应，所以可以如加热交联一样不使用交联剂地发生交联反应，所以可避免使用交联剂进行交联时看到的因交联剂导致的颜色变化。另外，由于也能防止交联剂反应所致的副生成物的残留，所以可得到耐热性、耐光性优异的树脂层（A）。
作为用于放射线交联的放射线，可使用电子束、X射线、γ射线等。这些放射线在工业上广泛使用，可容易使用，是能量效率良好的方法。其中，从金属箔的透射性高、吸收损失几乎没有的方面看特别优选γ射线。
通过利用γ射线将层叠了金属箔的树脂层（A）交联，从而可大幅提高树脂层（A）与金属箔（B）的粘接性。其中，如上所述，通过利用硅烷偶联剂事先对金属箔（B）特别是铜箔的表面进行化学处理，从而可以格外地提高树脂层（A）与金属箔（B）的粘接强度。
作为γ射线的照射线量，取决于射线源的种类，但一般优选为10kGy～150kGy。进一步优选为20kGy～100kGy，特别优选为30kGy～60kGy。
在该照射线量的选定中，除聚有机硅氧烷的交联密度以外，优选作为基材使用的塑料膜的耐放射线性也考虑在内。
＜用于搭载LED的基板＞
本层叠体例如可以用作用于搭载LED的基板。例如，可举出使用了本层叠体的两面基板（参照图1（A））、在本层叠体上设置铝板之类的金属放热部的复合基板（参照图2（A））等形式。
由以往的热固化系树脂形成的白色基板由于含有玻璃布，所以在制造工序中产生容易残留空隙（气泡）等问题，难以薄型化，另外，对于陶瓷基板，也由于硬且脆的性质而难以薄型化，但使用本层叠体制作基板时，可以更加薄型化，可适合用作迫切需要薄型化的手机的背光灯用基板。另外，通过层叠树脂层（A），从而可得到高的反射特性。
作为使用本层叠体来制造LED搭载用两面基板的方法，例如在树脂层（A）的正反面利用真空加压、层压、压延法分别层叠铜箔（B）后，照射放射线等使树脂层（A）固化从而制造金属箔层叠体。接着，利用蚀刻或镀覆使铜箔（B）形成布线图案，从而制造LED搭载用两面基板（参照图1（B））。但是，使用了本层叠体的LED搭载用两面基板的制造方法不限定于该方法。
接着，通过在这样制造的基板上安装LED，利用接合引线与布线图案连接，从而可以形成LED搭载基板（参照图1（C））。
另一方面，伴随着LED的高亮度化而更加要求放热性时，通过与铝板（金属放热部）复合化从而可提高放热性（参照图2（A））。
作为与铝板形成的复合基板的构成，可举出在铝板整个面层叠本层叠体的情况。
对于使用的铝，如果考虑与金属箔层叠体的密合性，则优选进行粗糙化或防腐蚀铝处理。
在使用本层叠体制造铝复合基板时，例如，蚀刻本层叠体的金属箔（B）而形成布线图案，实施镀金加工，在与层叠体形成有布线图案的面相反的面通过真空加压层叠铝板，从而制造LED搭载用铝复合基板。但是，LED搭载用铝复合基板的制作方法不限定于该方法。
接着，在这样制作的基板上安装LED，利用接合引线与布线图案连接，从而形成LED搭载基板（参照图2（C））。
＜光源装置＞
可以使用采用了本层叠体的如上所述的用于搭载LED的基板来构成如下的光源装置（以下，称为“本光源装置”）。
作为本光源装置的一例，可举出如下光源装置，其具备上述的使用了本层叠体的用于搭载LED的基板、形成于该基板上的导体电路、和搭载于该基板上的LED，其具备搭载于该基板的LED被树脂封装且该基板与该LED导通的构成（参照图1（D）和图2（D））。
如果是具有这种构成的光源装置，则是如下的光源装置，即通过使用耐热性高、在可见光区域反射率高、以及在高温热负荷环境下的反射率下降少的本发明的LED用搭载基板，从而安装有LED的基板表面即使暴露于高温，也可以抑制反射率的下降。
作为本光源装置的制造方法，例如，可以通过制作用于搭载LED的基板、安装LED、利用接合引线与导体图案连接、用封装树脂封装该LED，从而形成本光源装置（参照图1（D）和图2（D））。
＜技术用语说明＞
一般地“片”是指在JIS的定义上为薄、通常其厚度与长度和宽度相比小且平的产品，一般地“膜”是指与长度和宽度相比厚度极小、最大厚度被任意限定的薄且平的产品，通常以辊的形式供给的材料（日本工业标准JIS K6900）。例如如果说到厚度，狭义上将100μm以上称为片，将小于100μm称为膜。但是，片与膜的边界不明确，在本发明中没有必要文字上区别两者，所以在本发明中，称为“膜”时也包含“片”，称为“片”时也包含“膜”。
在本发明中，表示为“X～Y”（X、Y是任意的数字）时，只要没有特别说明，则包含“X以上Y以下”的意思以及“优选大于X”和“优选小于Y”的意思。
另外，在本发明中，表示为“X以上”（X是任意的数字）时，只要没有特别说明，则包含“优选大于X”的意思，表示为“Y以下”（Y是任意的数字）时，只要没有特别说明，则包含“优选小于Y”的意思。
实施例
以下，通过实施例和比较例进一步详细地说明，但本发明不限定于这些。应予说明，本说明书中所示的对于膜等的各种测定值和评价如下求出。
＜平均反射率＞
在分光光度计（“U-4000”、株式会社日立制作所制）上安装积分球，在波长400nm～800nm以0.5nm间隔测定氧化铝白板的反射率为100%时的反射率。计算所得到的测定值的平均值，将该值作为平均反射率。
此时，利用蚀刻将实施例·比较例中得到的金属箔层叠体（样品）的金属箔（B）的一部份（具体是铜箔）剥离除去而使树脂层（A）露出，测定该露出面的反射率，以下述基准进行评价。
○：平均反射率为80%以上。
×：平均反射率小于80%。
＜加热处理后的反射率＞
将实施例·比较例中得到的金属箔层叠体（样品）放入热风循环式烘炉，在260℃热处理10分钟，而且分别测定热处理前后的波长470nm处的反射率，算出热处理后的反射率相对于热处理前的反射率的降低率（%），以下述基准进行评价。
○：平均反射率的降低率为5%以下。
×：平均反射率的降低率大于5%。
应予说明，反射率的测定与上述平均反射率相同。
＜90度剥离强度＞
将实施例·比较例中得到的金属箔层叠体（样品）根据JIS C6481测定金属箔（铜箔）的90度剥离强度（剥离强度）。
＜金属箔层叠体的外观＞
用以下基准目视评价实施例·比较例中得到的金属箔层叠体（样品）的外观。
○：没有金属的剥离、褶皱，良好。
×：有金属的剥离、褶皱。
＜实施例1＞
用行星式搅拌机将可γ射线交联的含乙烯基聚硅氧烷树脂（Momentive制“TSE2913U”、含有二氧化硅10～20%）60质量份、氧化钛（粒径0.3μm、金红石型、已利用硅氧烷化合物进行了表面处理）40质量份混合而得到树脂组合物（交联剂的含量是0质量%）。使用挤压机将得到的树脂组合物以厚度100μm的树脂片状挤压在PET膜上，而且将厚度18μm的铜箔（已用硅烷偶联剂表面处理）层压在该树脂片上得到单面覆铜层叠体。
接着，剥离所得到的单面覆铜层叠体的PET膜，在此处层压厚度18μm的铜箔（已用硅烷偶联剂表面处理），之后，利用γ射线以50kGy的照射线量使聚硅氧烷树脂固化，得到两面覆铜层叠体（样品）。
＜实施例2＞
在实施例1中，使用可γ射线交联的含乙烯基聚硅氧烷树脂（Momentive制“TSE2571-5U”、含有二氧化硅20～30%），除此以外，以同样的方法制作两面覆铜膜（金属箔层叠体（样品））。
＜实施例3＞
使用实施例1的材料，制造单面覆铜膜，在预先涂布了粘接用底漆（Momentive制“XP81-A6361A，B”）的铝板上层压单面覆铜，之后用γ射线以50kGy的照射线量使聚硅氧烷树脂固化，制作铝基板（金属箔层叠体（样品））。
＜比较例1＞
用行星式搅拌机将聚硅氧烷树脂（Momentive制“TSE2913U”）60质量份、氧化钛（粒径0.3μm、金红石型、已利用硅氧烷化合物进行了表面处理）40质量份混合，得到树脂组合物。使用挤压机在设定温度100℃，将对该树脂组合物100质量份混合0.3质量份热交联剂（TC-8、Momentive制）而得到的树脂组合物以厚度100μm的树脂片状挤压在脱模PET膜上，而且层压厚度18μm的铜箔（已用硅烷偶联剂表面处理），得到单面覆铜层叠体。
接着，剥离上述脱模PET膜，在此处层压厚度18μm的铜箔（已用硅烷偶联剂表面处理），之后，用真空加压器，在170℃15分钟、200℃4小时、3MPa的条件下使聚硅氧烷树脂热固化，得到两面覆铜层叠体（样品）。
＜比较例2＞
用行星式搅拌机将聚硅氧烷树脂（Momentive制“TSE2571-5U”）60质量份、氧化钛（粒径0.3μm、表面处理硅氧烷化合物）40质量份混合，得到树脂组合物。使用挤压机在设定温度100℃，将对该树脂组合物100质量份混合1.5质量份热交联剂（TC-12、Momentive制）而得到的树脂组合物以厚度100μm的树脂片状挤压在脱模PET膜上，而且层压厚度18μm的铜箔（已用硅烷偶联剂表面处理），得到单面覆铜层叠体。
接着，剥离上述脱模PET膜，在此处层压厚度18μm的铜箔（已用硅烷偶联剂表面处理），之后，用真空加压器在125℃15分钟、200℃4小时、3MPa的条件下使聚硅氧烷树脂热固化，得到两面覆铜层叠体（样品）。
[表1]
（考察）
在上述的实施例中，可得到树脂层（A）与该金属箔（B）的90度剥离强度为1.4kN/m以上的金属箔层叠体。将其与本实施例以外的试验及评价一同考虑，认为如果树脂层（A）与金属箔（B）的90度剥离强度为0.95kN/m以上，则在除去一部份金属箔的蚀刻加工或镀金、镀银加工时，在再安装部件时，金属箔从树脂层上剥离的可能性变少，可适合用作与金属箔的粘接可靠性高的LED安装用印刷线路板。
另外，在上述的实施例中，可得到波长400nm～800nm的平均反射率为98%的金属箔层叠体。将其与本实施例以外的试验及评价一同考虑，认为如果该平均反射率在80%以上，则用作LED安装用印刷线路板时，可充分提高搭载的LED的亮度。
另外，关于在260℃热处理10分钟后的反射率的降低率，在上述的实施例中降低率为0%，但考虑本实施例以外的试验和评价时，认为如果反射率的降低率为5%以下，则用作LED安装用印刷线路板时，即使在高热负荷环境下也不变色，可维持高的反射率。

Claims (8)

1.一种金属箔层叠体，其特征在于，具有含有聚有机硅氧烷和无机填充剂的树脂层（A）和层叠于该树脂层（A）的至少单面的金属箔（B），
该树脂层（A）与该金属箔（B）的90度剥离强度为0.95kN/m以上，
剥离除去该金属箔（B）而使树脂层（A）露出时的露出面的波长400nm～800nm的平均反射率为80%以上，且
在260℃将金属箔层叠体热处理10分钟的情况下，处理前后的所述露出面的波长470nm处的反射率的降低率为5%以下。
2.如权利要求1所述的金属箔层叠体，其特征在于，树脂层（A）是利用放射线固化而成的。
3.如权利要求1或2所述的金属箔层叠体，其特征在于，金属箔（B）的层叠于树脂层（A）的一侧的表面是用硅烷偶联剂处理过的。
4.如权利要求1～3中任一项所述的金属箔层叠体，其特征在于，树脂层（A）含有交联剂，所述交联剂在树脂层（A）的全部成分中占0～5质量%。
5.如权利要求1～4中任一项所述的金属箔层叠体，其特征在于，树脂层（A）含有氧化钛作为无机填充材料。
6.如权利要求1～5中任一项所述的金属箔层叠体，其特征在于，树脂层（A）的厚度是3μm～500μm。
7.一种用于搭载LED的基板，具有权利要求1～6中任一项所述的金属箔层叠体。
8.一种光源装置，具备权利要求7所述的用于搭载LED的基板、形成于该基板上的导体电路、和搭载于该基板上的LED，
具备如下结构：搭载于该基板的LED被树脂封装且该基板与该LED导通。
CN201180034726.1A 2010-08-11 2011-07-26 金属箔层叠体、用于搭载led 的基板和光源装置 Active CN103003725B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010180129A JP5684511B2 (ja) 2010-08-11 2010-08-11 金属箔積層体、ｌｅｄ搭載用基板及び光源装置
JP2010-180129 2010-08-11
PCT/JP2011/066917 WO2012020640A1 (ja) 2010-08-11 2011-07-26 金属箔積層体、ｌｅｄ搭載用基板及び光源装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103003725A true CN103003725A (zh) 2013-03-27
CN103003725B CN103003725B (zh) 2015-04-01

Family

ID=45567609

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180034726.1A Active CN103003725B (zh) 2010-08-11 2011-07-26 金属箔层叠体、用于搭载led 的基板和光源装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8710539B2 (zh)
JP (1) JP5684511B2 (zh)
KR (1) KR101496061B1 (zh)
CN (1) CN103003725B (zh)
DE (1) DE112011102680B4 (zh)
TW (1) TWI526301B (zh)
WO (1) WO2012020640A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104749668A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 反射膜及该反射膜的制作方法
CN105980150A (zh) * 2014-02-07 2016-09-28 旭硝子株式会社 玻璃层叠体
CN110291848A (zh) * 2017-03-22 2019-09-27 电化株式会社 电路基板用树脂组合物及使用其的金属基底电路基板

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201313455A (zh) * 2011-09-28 2013-04-01 Ichia Tech Inc 將塑膠機構固著於金屬殼體之方法
US9507054B2 (en) 2012-12-27 2016-11-29 Dow Corning Corporation Composition for forming an article having excellent reflectance and flame retardant properties and article formed therefrom
US9671085B2 (en) 2014-04-22 2017-06-06 Dow Corning Corporation Reflector for an LED light source
EP3143647A4 (en) * 2014-05-15 2017-09-27 3M Innovative Properties Company Flexible circuit on reflective substrate
JP6395048B2 (ja) * 2014-12-24 2018-09-26 日亜化学工業株式会社 パッケージ及び発光装置の製造方法
JP7262621B2 (ja) * 2019-05-23 2023-04-21 シグニファイ ホールディング ビー ヴィ 固体光源用途用の安定したｐｃｂ

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4639285A (en) * 1985-02-13 1987-01-27 Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. Heat-resistant flexible laminate for substrate of printed circuit board and a method for the preparation thereof
JP2004039691A (ja) * 2002-06-28 2004-02-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄ照明装置用の熱伝導配線基板およびそれを用いたｌｅｄ照明装置、並びにそれらの製造方法
TW200700444A (en) * 2005-01-04 2007-01-01 Dow Corning Organosilicon functional boron amine catalyst complexes and curable compositions made therefrom
WO2009020169A1 (ja) * 2007-08-08 2009-02-12 Ishida, Sachio 配線板の製造法および配線板
KR20100076054A (ko) * 2007-11-29 2010-07-05 미쓰비시 쥬시 가부시끼가이샤 금속 적층체, ｌｅｄ 탑재 기판, 및 백색 필름

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100544042C (zh) * 2004-10-13 2009-09-23 松下电器产业株式会社 发光光源及其制造方法以及发光装置
KR100646093B1 (ko) * 2004-12-17 2006-11-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR101171186B1 (ko) * 2005-11-10 2012-08-06 삼성전자주식회사 고휘도 발광 다이오드 및 이를 이용한 액정 표시 장치
TW200821632A (en) 2006-08-23 2008-05-16 Mitsui Chemicals Inc Light reflector and light source having same
TWI302372B (en) * 2006-08-30 2008-10-21 Polytronics Technology Corp Heat dissipation substrate for electronic device
US20110042124A1 (en) * 2007-12-05 2011-02-24 Mitsubishi Plastics, Inc. Multilayer wiring substrate having cavity portion
JP2011014890A (ja) * 2009-06-02 2011-01-20 Mitsubishi Chemicals Corp 金属基板及び光源装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4639285A (en) * 1985-02-13 1987-01-27 Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. Heat-resistant flexible laminate for substrate of printed circuit board and a method for the preparation thereof
JP2004039691A (ja) * 2002-06-28 2004-02-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄ照明装置用の熱伝導配線基板およびそれを用いたｌｅｄ照明装置、並びにそれらの製造方法
TW200700444A (en) * 2005-01-04 2007-01-01 Dow Corning Organosilicon functional boron amine catalyst complexes and curable compositions made therefrom
WO2009020169A1 (ja) * 2007-08-08 2009-02-12 Ishida, Sachio 配線板の製造法および配線板
KR20100076054A (ko) * 2007-11-29 2010-07-05 미쓰비시 쥬시 가부시끼가이샤 금속 적층체, ｌｅｄ 탑재 기판, 및 백색 필름

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104749668A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 反射膜及该反射膜的制作方法
CN105980150A (zh) * 2014-02-07 2016-09-28 旭硝子株式会社 玻璃层叠体
CN105980150B (zh) * 2014-02-07 2018-01-30 旭硝子株式会社 玻璃层叠体
CN110291848A (zh) * 2017-03-22 2019-09-27 电化株式会社 电路基板用树脂组合物及使用其的金属基底电路基板
US11133445B2 (en) 2017-03-22 2021-09-28 Denka Company Limited Resin composition for circuit board, and metal-base circuit board in which same is used
TWI743335B (zh) * 2017-03-22 2021-10-21 日商電化股份有限公司 電路基板用樹脂組成物及使用其之金屬基底電路基板
CN110291848B (zh) * 2017-03-22 2022-09-02 电化株式会社 电路基板用树脂组合物及使用其的金属基底电路基板

Also Published As

Publication number Publication date
DE112011102680B4 (de) 2020-12-24
US20130113013A1 (en) 2013-05-09
KR20130041315A (ko) 2013-04-24
WO2012020640A1 (ja) 2012-02-16
JP2012037829A (ja) 2012-02-23
KR101496061B1 (ko) 2015-03-02
DE112011102680T5 (de) 2013-07-04
TWI526301B (zh) 2016-03-21
CN103003725B (zh) 2015-04-01
JP5684511B2 (ja) 2015-03-11
TW201223749A (en) 2012-06-16
US8710539B2 (en) 2014-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103003725B (zh) 金属箔层叠体、用于搭载led 的基板和光源装置
US20120083056A1 (en) Light emitting diode sealing member and method for producing light emitting diode device
CN103489988A (zh) 封装片、发光二极管装置及其制造方法
CN101673716A (zh) 硅氧积层基板及其制法、硅氧树脂组成物以及led装置
JP6072662B2 (ja) シリコーン樹脂組成物、該組成物を用いた積層板、及び該積層板を有するｌｅｄ装置
JP5670250B2 (ja) Ｌｅｄ基板、発光モジュール、発光モジュールを有する機器、ｌｅｄ基板の製造方法、発光モジュールの製造方法、及び発光モジュールを有する機器の製造方法
JP5385685B2 (ja) カバーレイフィルム、発光素子搭載用基板及び光源装置
CN102473485A (zh) 导电性材料的制造方法、通过该方法得到的导电性材料、包含该导电性材料的电子设备以及发光装置
CN105814702B (zh) 可固化有机硅组合物和光半导体装置
CN102934243A (zh) 光反射性各向异性导电浆料和发光装置
TWI555156B (zh) 元件連接用基板、其製造方法及發光二極體裝置
KR20130090352A (ko) 형광체 함유층과 형광체 비함유층을 갖는 열경화성 실리콘 수지 시트, 이를 사용하는 발광 장치의 제조 방법 및 상기 방법으로 얻어지는 발광 반도체 장치
JP5676785B2 (ja) カバーレイフィルム、発光素子搭載用基板、及び光源装置
JP2013095862A (ja) シリコーンプリプレグ、それを用いたシリコーン樹脂板、シリコーン金属張積層板、シリコーン金属ベース基板及びｌｅｄ実装基板
JP2010263165A (ja) Ｌｅｄ用反射基板及び発光装置
JP5230532B2 (ja) 白色フィルム、金属積層体、ｌｅｄ搭載用基板及び光源装置
CN104875443B (zh) 基板及半导体装置
KR20100114470A (ko) 열압착용 실리콘 고무 시트
CN108698375A (zh) 覆铜层叠板及其制造方法
JP5251949B2 (ja) 基板およびプリント回路板
JP6645911B2 (ja) シリコーン樹脂基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP2010153632A (ja) リード、配線部材、パッケージ部品、樹脂付金属部品及び樹脂封止半導体装置、並びにこれらの製造方法
KR20150080375A (ko) 접착제 조성물, 이를 이용한 접착시트 및 반도체 패키지
JP2012191240A (ja) 基板、プリント回路板及びそれらの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: MITSUBISHI CHEMICAL Corp.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: MITSUBISHI RAYON Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20171017

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: MITSUBISHI RAYON Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: MITSUBISHI PLASTICS, Inc.