CN103001661A - 天线开关以及通信设备 - Google Patents

Abstract

本公开涉及天线开关以及通信设备。本发明旨在抑制RFIC的规模和功耗的增大。作为天线开关的部件的第一开关切换在第一端子与与天线耦合的第三端子之间传播高频信号的第一状态和中断高频信号的第二状态。第二开关在第二端子与第三端子之间与第一开关无关地切换第一和第二状态。处在第一状态下的第一和第二开关之后调整多个级的任何一级中的高频信号的衰减量。

Description

天线开关以及通信设备

交叉参考相关申请

2011年9月16日提交的日本专利申请2011-203480包括说明书、附图和摘要的公开内容通过引用全文并入本文中。

技术领域

本发明涉及天线开关以及通信设备，更具体地，涉及调整高频信号的功率的技术。

背景技术

像蜂窝式电话那样的通信设备在进行通信设备之间的无线电通信的时候与作为中继设备的基站通信。一个基站的通信范围被称为一个小区。在一个小区中，通信设备依照与基站的距离调整高频信号的发射功率和接收灵敏度。

一般说来，发射功率必须依照与基站的距离在大约-50dBm至30dBm的范围内调整。发射功率的调整通过改变安装在通信设备上的RFIC（射频集成电路）或HPA（高功率放大器）的增益来进行。

另一方面，在调整接收灵敏度的时候，改变RFIC中的LAN（低噪声放大器）的增益，使得来自基站的高频信号的接收功率变成可以解调信号的水平。

专利文献1公开了并行地设置具有不同增益的多个放大器以及依照要满足的发射功率或接收功率交替选择用于放大高频信号的放大器的通信设备。专利文献2公开了以时分方式在高频信号的发射和接收之间切换的天线开关。

相关技术文献

专利文献

专利文献1

日本待审专利公告平9(1997)130275

专利文献2

日本待审专利公告2010-178026

专利文献3

日本待审专利公告平6(1994)252794

发明内容

本发明的发明人发现现有通信设备存在RFIC的规模和功耗大的问题。

具体地说，在调整发射功率的时候，不能通过HPA的增益调整充分降低发射功率。因此，在将发射功率降低到0dBm或更小的情况下，主要进行通过RFIC的增益调整。因此，RFIC需要大约60dB至70dB的宽动态范围，并且这使RFIC的规模和功耗增大。例如，RFIC必须设有抑制局部泄漏的隔离电路、它的控制机构等。

另一方面，在调整接收灵敏度的时候，由于接收功率随与基站的距离而变，所以LAN的增益需要预定的动态范围，并且这使RFIC的规模和功耗增大。例如，有必要在多级中设置放大器，并对每个放大器分别进行控制。

作为一种参考技术，专利文献3公开了当接收功率太高时，打开天线开关的接收端子以衰减接收信号的通信设备。但是，在该通信设备中，不能使RFIC所需的动态范围充分地变窄。实际上，在天线开关的后级上设置了许多级的放大器。

作为本发明的一个实施例的天线开关包括在天线与后级电路之间排他地切换传播高频信号的状态和中断高频信号的状态的第一和第二开关。在传播高频信号的时候，每个开关调整到多个级的任何一级的高频信号的衰减量。

也就是说，在本发明中，通过改变天线开关的通道损失（passageloss），使高频信号衰减。因此，可以使RFIC所需的动态范围变窄。

按照本发明，可以抑制RFIC的规模和功耗增大。

附图说明

图1是示出应用按照本发明第一实施例的天线开关的通信设备的一个配置例子的框图；

图2是示出应用按照本发明第一实施例的天线开关的通信设备的另一个配置例子的框图；

图3是示出按照本发明第一实施例的天线开关的一个配置例子的框图；

图4是示出按照本发明第一实施例的天线开关的一个操作例子的框图；

图5是说明按照本发明第一实施例的天线开关的有用性的示意图；

图6A和图6B是说明按照本发明第一实施例的天线开关的有效性的图；

图7是说明按照本发明第一实施例的天线开关的有效性的框图；

图8A和图8B是说明按照本发明第一实施例的天线开关的有效性的图；

图9是示出按照本发明第二实施例的天线开关的一个配置例子的框图；

图10是示出按照本发明第二实施例的天线开关的一个操作例子的框图；

图11是示出按照本发明第三实施例的天线开关的一个配置例子的框图；

图12是示出按照本发明第三实施例的天线开关的一个操作例子的框图；

图13是示出按照本发明第四实施例的天线开关的一个配置例子的框图；

图14是示出按照本发明第四实施例的天线开关的一个操作例子的框图；

图15是示出按照本发明第五实施例的天线开关的一个配置例子的框图；以及

图16是示出按照本发明第五实施例的天线开关的一个操作例子的框图。

具体实施方式

在下文中,将参考图1-16描述按照本发明的天线开关以及应用天线开关的通信设备的第一至第五实施例。在附图中，相同标号表示相同部件。为了使描述清楚起见，将不对描述作不必要的重复。

第一实施例

如图1所示，第一实施例的通信设备1A作为通信系统，采用像WCDMA（宽带码分多址）那样的FDD（频分双工）方法。通信设备1A含有按照该实施例的天线开关10和发射/接收电路20。

天线开关10包括两个信号端子101和102、耦合天线30的天线端子103、和两个开关201和202。

开关201在在信号端子101与天线端子103之间传播高频信号的状态（下文称为传播状态）与中断高频信号的状态（下文称为中断状态）之间切换。开关202与开关201无关地在信号端子102与天线端子103之间切换传播状态和中断状态。在传播状态下，开关201和202中的每一个在发射/接收电路20的控制下，如下面所述，调整到多个级的任何一级的高频信号的衰减量。在如下描述中，该调整也被叫做SW损失调整。

另一方面，发射/接收电路20包括BB（基带）电路40、RFIC 50、两个HPA 60_1和60_2、和两个双工器70_1和70_2。

BB电路40生成所希望的基带信号，将它输出到RFIC 50，并处理由RFIC 50供应的基带信号。

RFIC 50对由BB电路40供应的基带信号进行像调制和频率转换那样的处理，并将通过处理获得的高频信号输出到HPA 60_1和60_2。具体地说，RFIC 50在使用频带“A”的系统环境下将高频信号输出到HPA 60_1。在这种情况下，RFIC 50或BB电路40预先控制天线开关10，将开关201切换到传播状态，并将开关202切换到中断状态。另一方面，在使用频带“B”的系统环境下，RFIC 50将高频信号输出到HPA 60_2。在这种情况下，RFIC 50或BB电路40预先控制天线开关10，将开关202切换到传播状态，并将开关201切换到中断状态。因此，高频信号经由双工器70_1或70_2和开关201或202从天线30发射出去。RFIC 50或BB电路40除了进行与天线开关10的SW损失调整有关的控制之外，还进行改变HPA 60_1或60_2的增益的控制。

在使用频带“A”的系统环境下，RFIC 50经由天线30、开关201、和双工器70_1接收高频信号。另一方面，在使用频带“B”的系统环境下，RFIC 50经由天线30、开关202、和双工器70_2接收高频信号。RFIC 50对接收的高频信号进行像解调和频率转换那样的处理，并将通过处理获得的基带信号输出到BB电路40。

在发射操作中，在必须将高频信号的发射功率降低到预定水平（例如，-30dBm）或更小的情况下，RFIC 50或BB电路40使天线开关10进行SW损失调整，以使高频信号衰减到所希望的电平。一般说来，要满足的发射功率的数值由基站指示。

这样，可以将来自RFIC 50的输出电平的下限值设置成比要满足的发射功率的下限值高的预定值。因此，可以使发射高频信号时RFIC50所需的动态范围变窄。

另一方面，在接收操作中，RFIC 50或BB电路40依照RFIC 50测量的RSSI（接收信号强度指示符）等使天线开关10进行SW损失调整，以使输入到RFIC 50的高频信号的功率保持在预定水平上。

在RFIC 50中使由LAN（未示出）进行的增益调整是不必要的或不重要的。因此，可以使接收高频信号时RFIC 50所需的动态范围变窄。

天线开关10不仅可以应用于采用FDD方法的通信设备，而且可以应用于像GSM（全球移动通信系统）那样采用TDD（时分双工）方法的通信设备。

在采用TDD方法的情况下，如图2所示配置通信设备。显示在图2中的通信设备1B与显示在图1中的通信设备1A的不同之处在于：发射/接收电路20包括BB电路40、RFIC 50、和一个HPA 60。从RFIC 50输出的高频信号经由HPA 60供应给天线开关10的信号端子101。另一方面，经由天线30接收的高频信号经由天线开关10的信号端子102供应给RFIC 50。

在发射时段中，RFIC 50或BB电路40将天线开关10中的开关201切换到传播状态而将开关202切换到中断状态。另一方面，在接收时段中，RFIC 50或BB电路40将开关202切换到传播状态而将开关201切换到中断状态。这样，以时分方式供应发射信号和接收信号以便在天线开关10中得到SW损失调整。

现在参考图3和4详细描述实现上述操作的天线开关10的具体配置例子和具体操作例子。

如图3所例示，天线开关10中的开关201包括串联块301_1和分流块400_1。

串联块301_1由，例如，源极和漏极路径串联耦合在信号端子101与天线端子103之间的五个FET（场效应晶体管）311a-311e构成。将单独的控制电压V31a-V31e经由栅极电阻从RFIC 50或BB电路40施加于FET 311a-311e。

另一方面，分流块400_1由源极和漏极路径串联耦合在接地点与信号端子101与串联块301_1之间的连接点之间的多个FET构成。将公用控制电压V4_1经由栅极电阻从RFIC 50或BB电路40施加于分流块400_1中的FET。

类似地，天线开关10中的开关202包括串联块301_2和分流块400_2。

串联块301_2由，例如，源极和漏极路径串联耦合在信号端子102与天线端子103之间的五个FET 312a-312e构成。将单独的控制电压V32a-V32e经由栅极电阻从RFIC 50或BB电路40施加于FET312a-312e。

另一方面，分流块400_2由源极和漏极路径串联耦合在接地点与信号端子102与串联块301_2之间的连接点之间的多个FET构成。将公用控制电压V4_2经由栅极电阻从RFIC 50或BB电路40施加于分流块400_2中的FET。

堆叠在串联块和分流块每一个中的FET的数目可以按照施加于端子的最大功率适当确定。

接着，将如图4所示开关201被设置成传播状态而开关202被设置成中断状态的情况用作一个例子来描述与SW损失调整有关的操作。

RFIC 50或BB电路40断开作为串联块301_1的一部分的一些FET。另一方面，RFIC 50或BB电路40通过施加等于或高于阈值电压的控制电压接通(ON)串联块301_1中的其余FET。在图4的例子中，断开三个FET 311a-311c而接通其余两个FET 311d和311e。尽管未例示出，但分流块400-1中的FET和串联块301_2中的FET 312a-312e是断开(OFF)的。

处在接通状态下的FET的源极-漏极路径可以被认为是电阻元件。处在断开状态下的每个FET的源极和漏极经由电容器耦合，可以被认为是电容元件。因此，在一些FET断开而其它FET接通的串联块301_1中，电容元件与电阻元件串联耦合，使得通道损失大于所有FET都接通状态下的通道损失。

因此，可以使高频信号在信号端子101与天线端子103之间衰减。衰减量可以通过改变断开的FET的数目逐步调整。

衰减量的可变范围和变化步长可以通过改变包括在串联块301_1中的FET的特性（例如，通过改变像栅极宽度那样的尺寸）来适当调整。在图4的例子中，通过施加独立的控制电压V31a-V31e，部分断开串联块301_1中的FET。部分断开操作也可以，例如，通过使用具有不同特性的FET和将公用控制电压施加于FET而配置串联块301_1来实现。

RFIC 50或BB电路40通过施加等于或高于阈值电压的控制电压V4_2接通分流块400_2中的FET。通过该操作，即使高频信号经过串联块301_2，高频信号也被发射到接地点。因此，可以抑制高频信号到另一信号端子102的泄漏。

天线开关10的有用性和有效性将参考图5-8依次加以描述。

首先，将采用FDD方法的通信设备1A（参照图1）在基站2形成的小区3中进行通信的情况用作一个例子描述天线开关10的有用性。

作为先决条件，期望降低接近基站的通信设备的发射功率。由于接收功率接近基站时增大，所以期望降低通信设备的接收灵敏度。另一方面，期望增大远离基站的通信设备的发射功率。由于接收功率远离基站时减小，所以期望使通信设备的接收灵敏度变高。换句话说，离基站越近，发射功率和接收功率必须衰减得越多。离基站越远，需要的衰减就越小。

在通信设备1A处在接近基站2的点4上的情况下，通信设备1A确定发射功率必须降低到预定水平或更低，并且使天线开关10进行SW损失调整。此时，天线开关10同时衰减发射功率TX和接收功率RX。

如上所述，通信设备1A依照接收功率使天线开关10进行SW损失调整，以使接收功率保持在预定水平上。在通信设备1A处在远离基站2的点5上的情况下，接收功率低。于是，发射功率TX和接收功率RX的衰减量小。

因此，天线开关10满足先决条件，适合用在FDD方法中。如上所述，在TDD方法中，以时分方式为SW损失调整提供发射信号和接收信号。天线开关10交替衰减发射功率或接收功率。显然，天线开关10也适合用在TDD方法中。

接着，参考图6-8详细描述天线开关10的有效性。

如图6A所示，高频信号的发射功率必须在大约-50dBm到30dBm的宽范围内调整。因此，在一般通信设备中，HPA和RFIC的必要动态范围宽至80dB。如上所述，发射功率不能通过HPA所作的增益调整有效地降低。因此，在将发射功率降低到0dBm或以下的情况下，主要进行通过RFIC的增益调整，以及RFIC需要大约60到70dB的宽动态范围。

另一方面，在该实施例中，如图6B所示，通过天线开关10中的SW损失调整，使HPA和RFIC所需的动态范围大大变窄。因此，有助于RFIC的设置，以及可以减小电路规模。

如果通过RFIC 50将发射功率降低到预定水平或更小，则如图7所示，必须降低施加于RFIC 50中的混合器51的IF（中频）信号的电平，存在发生局部泄漏的可能性。具体地说，RFIC 50中的混合器51混合IF信号和从合成器52输出的局部信号以生成高频信号。IF信号的电平越低，越有可能发生局部泄漏，并需要隔离局部信号。因此，有必要将隔离信号等提供给RFIC 50，致使RFIC 50的规模和功耗增大。

但是，在该实施例中，将发射功率降低到预定水平或更低通过天线开关10中的SW损失调整来实现。因此，没有必要过分隔离RFIC50，从而可以减小RFIC 50的规模和功耗。

并且，如图8A所示，在一般通信设备中，通过LNA中的增益调整来降低高频信号的接收功率Rx。因此，LNA的增益需要具有预定动态范围，致使RFIC 50的规模和功耗增大。具体地说，LNA必须多级设置和分别控制。

另一方面，在该实施例中，如图8B所示，通过天线开关10中的SW损失调整，使接收功率RX保持在预定水平上。因此，通过LNA的增益调整变得不必要，或者使LNA的级数或伴随着LNA级数的控制数减少。因此，有助于RFIC的设置，以及可以减小电路规模和功耗。

众所周知，天线附近的功率损失对通信特性的影响大。但是，在该实施例的天线开关中，包括在现有天线开关中的FET系列也用作改变通道损失的元件。换句话说，该实施例具有不必为通信设备另外新设置可能引起功率损失的元件的优点。因此，该实施例的天线开关对通信特性的影响比例如在天线开关与RFIC之间（在天线开关之后且在HPA或LNA之前的地方）进行阻抗调整的技术小得多。

第二实施例

第二实施例的通信设备可以以与第一实施例相似的方式配置。第二实施例与第一实施例的不同之处在于如图9所示配置天线开关。

具体地说，如图9所示，第二实施例的天线开关10A中的开关201设有串联块300_1取代显示在图3中的串联块301_1。串联块300_1由源极和漏极路径串联耦合在信号端子101与天线端子103之间的多个FET构成。将公用控制电压V3-1经由栅极电阻从RFIC 50或BB电路40施加于串联块300_1中的FET。

开关202设有串联块300_2取代显示在图3中的串联块301_2。串联块300_2由源极和漏极路径串联耦合在信号端子102与天线端子103之间的多个FET构成。将公用控制电压V3-2经由栅极电阻从RFIC 50或BB电路40施加于串联块300_2中的FET。

接着，将如图10所示开关201被设置成传播状态而开关202被设置成中断状态的情况用作一个例子描述与天线开关10A中的SW损失调整有关的操作。

RFIC 50或BB电路40接通串联块300_1中的FET。此时，RFIC50或BB电路40调整控制电压V3_1以便将串联块300_1中的FET的接通电阻值改变成更大值。尽管未示出，但分流块400_1中的FET和串联块300_2中的FET是断开的。以与图4相似的方式接通分流块400_2中的FET，从而抑制高频信号到信号端子102的泄漏。

串联块300_1中的每个FET的通道损失与随着接通电阻值变化简单接通FET的情况相比增大了。换句话说中，整个串联块300_1中的通道损失增大了。可以将串联块300_1配置成将控制电压分别施加于每个FET，并且可以改变作为一部分的FET的接通电阻值。在这种情况下，整个串联块300_1中的通道损失也增大了。例如，当使用显示在图3中的串联块301_1时，可以达到通过断开一部分FET增大通道损失的效果和通过改变接通的其余FET的电阻值增大通道损失的效果两者。

因此，与第一实施例的方式相似，可以在信号端子与天线端子之间衰减高频信号。在该实施例中，还达到了可以使衰减量的调整粒度比第一实施例中的粒度细的效果。例如，在采用WCDMA的通信系统中，需要小步长的功率调整。该实施例的天线开关10A可以灵活地解决这样的系统要求。

第三实施例

第三实施例的通信设备可以以与第一实施例相似的方式配置。第三实施例与第一和第二实施例的不同之处在于如图11所示配置天线开关。

具体地说，如图11所示，第三实施例的天线开关10B中的开关201包括像图9中那样的串联块300_1。开关201设有分流块402_1取代显示在图3和9的每一个中的分流块400_1。例如，分流块402_1由源极和漏极路径串联耦合在接地点与信号端子101与串联块300_1之间的耦合点之间的五个FET 421a-421e构成。将各自控制电压V41a，V41b，V41c，V41d，和V41e经由栅极电阻从RFIC 50或BB电路40分别施加于FET 421a，421b，421c，421d，和421e。

与图9中类似，开关202包括串联块300_2。开关202设有分流块402_2取代显示在图3和9的每一个中的分流块400_2。分流块402_2由，例如，源极和漏极路径串联耦合在接地点与信号端子102与串联块300_2之间的耦合点之间的五个FET 422a-422e构成。将各自控制电压V42a，V42b，V42c，V42d，和V42e经由栅极电阻从RFIC 50或BB电路40分别施加于FET 422a，422b，422c，422d，和422e。

接着，将如图12所示开关201被设置成传播状态而开关202被设置成中断状态的情况用作一个例子描述与天线开关10B中的SW损失调整有关的操作。

RFIC 50或BB电路40接通串联块300_1中的FET。通过该操作，使高频信号在信号端子101与天线端子103之间传播。尽管未示出，但串联块300_2中的FET是断开的。

RFIC 50或BB电路40通过施加等于或高于阈值电压的控制电压接通分流块402_1中的至少一部分FET。在图12的例子中，接通三个FET 421a-421c，而断开其余两个FET 421d和421e。

通过该操作，高频信号被向接地点分流。其结果是，可以衰减输出到信号端子101和天线端子103的高频信号的功率。衰减量可以通过改变接通的FET的数目逐步调整。

并且，RFIC 50或BB电路40接通分流块402_2中的FET，从而抑制高频信号到信号端子102的泄漏。

这样，在该实施例中，与第一和第二实施例的方式相似，可以在信号端子与天线端子之间衰减高频信号。由于分流块中的FET的尺寸一般小于串联块中的FET的尺寸，所以在该实施例中，还达到了可以使衰减量的调整粒度比第一实施例中的粒度细的效果。因此，该实施例的天线开关10B可以以与第二实施例相似的方式灵活地解决系统要求。并且，天线开关10B还具有使像ESD（静电放电）那样的浪涌电压逸出到接地点，使发射/接收电路20不易损坏的优点。

第四实施例

第四实施例的通信设备可以以与第一实施例相似的方式配置。第四实施例与第一至第三实施例的不同之处在于如图13所示配置天线开关。

具体地说，如图13所示，第四实施例的天线开关10C中的开关201包括显示图3中的串联块301_1和显示在图9中的分流块402_1两者。开关202包括显示图3中的串联块301_2和显示在图11中的分流块402_2两者。

接着，将如图14所示开关201被设置成传播状态而开关202被设置成中断状态的情况用作一个例子描述与天线开关10C中的SW损失调整有关的操作。

在这种情况下，与图4的方式类似，断开作为串联块301_1的一部分的FET 311a-311c而接通其余两个FET 311d和311e。因此，串联块301_1中的通道损失与接通所有FET的情况相比更大了。

与图12的方式类似，接通作为分流块402_1的一部分的FET421a-421c，以便将高频信号向接地点分流。其结果是，使输出到信号端子101和天线端子103的高频信号的功率衰减了。并且，接通分流块402_2中的FET，以便抑制高频信号到信号端子102的泄漏。

这样，在该实施例中，可以以更细粒度逐步调整高频信号的衰减量。因此，第四实施例可以达到描述在第一实施例中的效果和描述在第三实施例中的效果。

第五实施例

第五实施例的通信设备可以以与第一实施例相似的方式配置。第五实施例与第一至第四实施例的不同之处在于如图15所示配置天线开关。

具体地说，如图15所示，第五实施例的天线开关10D中的开关201设有串联块501_1取代显示在图3中的串联块301_1。在串联块501_1中，举例来说，每一个由源极和漏极路径串联耦合的五个FET构成的五个FET系列并联耦合在信号端子101与天线端子103之间。将各自控制电压V51a-V51e，V51f...，V51k...，V51p...，和V51u...经由栅极电阻从RFIC 50或BB电路40分别施加于串联块501_1中的FET。

开关202设有串联块501_2取代显示在图3中的串联块301_2。在串联块501_2中，举例来说，每一个由源极和漏极路径串联耦合的五个FET构成的五个FET系列并联耦合在信号端子102与天线端子103之间。将各自控制电压V52a-V52e，V52f...，V52k...，V52p...，和V52u...经由栅极电阻从RFIC 50或BB电路40分别施加于串联块501_2中的FET。

接着，将如图16所示开关201被设置成传播状态而开关202被设置成中断状态的情况用作一个例子描述与天线开关10D中的SW损失调整有关的操作。

RFIC 50或BB电路40断开串联块501_1中作为至少一部分FET系列的一部分的一些FET。另一方面，RFIC 50或BB电路40接通串联块501_1中的其余FET。在图16的例子中，断开12个FET而接通其余13个FET。尽管未示出，但分流块400_1中的FET和串联块501_2中的FET 312a-312e是断开的。因此，接通分流块400_2中的FET，以便抑制高频信号到信号端子102的泄漏。

因此，在该实施例中，可以以与第一实施例类似的方式逐步调整高频信号的衰减量。另外，在该实施例中，可以将改变衰减量的步长设置得比第一实施例中的步长小。变化步长的粒度与并联耦合的FET系列的数目成正比。

显然，本发明不局限于前述实施例，而是可以由本领域的普通技术人员根据对本专利申请的权利要求范围的描述作出各种改变。

Claims (12)

1.一种天线开关，包含：

第一端子；

第二端子；

与天线耦合的第三端子；

第一开关，用于切换使高频信号在第一和第二端子之间传播的第一状态和中断高频信号的第二状态；以及

第二开关，用于在第二和第三端子之间与第一开关无关地切换第一状态和第二状态，

其中处在第一状态下的第一和第二开关中的每一个调整到多个级中的任何一级的高频信号的衰减量。

2.按照权利要求1所述的天线开关，

其中第一和第二开关中的每一个具有第一场效应晶体管（FET）系列，所述第一FET系列包括串联耦合在第一和第二端子中的每一个与第三端子之间的多个FET，并且

其中在第一状态下，断开作为所述多个FET的一部分的一些FET而接通其余的FET，以便传播所述高频信号，并按照断开的FET的数目调整所述衰减量。

3.按照权利要求2所述的天线开关，其中通过改变接通的至少一部分FET的电阻值进一步调整所述衰减量。

4.按照权利要求2或3所述的天线开关，

其中第一和第二开关中的每一个具有第二FET系列，所述第二FET系列包括串联耦合在第一和第二端子的每一个与接地点之间的多个FET，并且

其中在第一状态下，接通作为第二FET系列的至少一部分的FET，以便分流所述高频信号，并按照第二FET系列中接通的FET的数目进一步调整所述衰减量。

5.按照权利要求1所述的天线开关，

其中第一和第二开关中的每一个包括串联耦合在第一和第二端子中的每一个与第三端子之间的多个FET，并且

其中在第一状态下，接通所述多个FET，以便传播高频信号，并通过改变作为所述多个FET的至少一部分的FET的电阻值调整所述衰减量。

6.按照权利要求1所述的天线开关，

其中第一和第二开关中的每一个包括串联耦合在第一和第二端子中的每一个与接地点之间的多个FET，并且

其中在第一状态下，接通作为至少一部分FET的一些FET，以便分流所述高频信号，并按照接通的FET的数目调整所述衰减量。

7.按照权利要求1所述的天线开关，

其中第一和第二开关中的每一个并联地具有多个FET系列，所述多个FET系列中的每一个包括串联耦合在第一和第二端子中的每一个与第三端子之间的多个FET，并且

其中在第一状态下，断开作为所述多个FET的至少一部分的且作为所述FET系列的一部分的FET，接通其余的FET，以便传播所述高频信号，并按照断开的FET的数目调整所述衰减量。

8.按照权利要求1至7中的任何一项所述的天线开关，

其中第一频带被指定成第一开关传播的高频信号的频率，并且

其中与第一频带不同的第二频带被指定成第二开关传播的高频信号的频率。

9.按照权利要求1至7中的任何一项所述的天线开关，

其中第一开关传播经由天线从第一端子发射到第三端子的高频信号，并且

其中第二开关使经由天线接收的高频信号从第三端子传播到第二端子。

10.一种通信设备，包含：

按照权利要求1至9中的任何一项所述的天线开关；以及

发射/接收电路，用于通过控制第一和第二开关中的第一和第二状态的排他切换和衰减量的调整而经由天线发射/接收高频信号。

11.按照权利要求10所述的通信设备，其中所述发射/接收电路将高频信号输出到处在第一状态下的开关中的一个开关，并且在必须将所述高频信号的功率降低到预定水平或更低的情况下，指示所述开关中的所述一个开关调整所述衰减量。

12.按照权利要求10或11所述的通信设备，其中所述发射/接收电路指示处在第一状态下的开关中的一个开关调整所述衰减量，以便供应给电路本身的高频信号的功率变成预定水平。

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