CN102994982B - 等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置。本发明的等离子体增强化学气相沉积电极板装置包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，以及能在所述基板上产生与基板平行的电场的电极块。该装置可以在基板上形成水平的电场，从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和，或在电路图形中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累，避免基板上发生静电释放。该装置还可改变基板上的局部电场，从而改变局部的成膜速度，以提高等离子体增强化学气相沉积控制处理操作的均匀性，在基底的表面上形成薄厚均匀的材料层。

Description

等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置

技术领域

本发明属于等离子体增强化学气相沉积技术领域，具体涉及一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置。

背景技术

随着经济建设的快速发展，微电子技术得到了迅猛的发展，等离子体增强化学气相沉积（简称：PECVD）设备的开发和使用也日益广泛。PECVD设备是利用高频电源辉光放电，产生等离子体化学沉积的设备，由于等离子体的存在，从而降低沉积温度。目前，PECVD设备广泛的用于液晶显示行业、太阳能电池行业、半导体器件及大规模集成电路的制造行业等。

等离子体增强化学气相沉积（PECVD）通常被用来在基板（例如用于平面面板显示器的透明基板或半导体晶片）上沉积材料层。PECVD通常是通过导引前驱物气体或气体混合物进入含有基板的真空腔室来完成，通过施加射频给前驱物气体或者气体混合物使其被能量化（例如激发）成等离子体，这些等离子体可以相互反应或者与基底表面物质反应以便沉积成材料层。

目前，薄膜晶体管液晶显示装置（TFT-LCD）制造工艺的成膜过程中，进行等离子体增强化学气相沉积的基板上由于等离子的不均匀分布，容易发生电荷积累，当电荷积累到一定程度就会在基板上发生静电释放，故其难以控制处理操作的均匀性，在基底的表面上形成过厚或者过薄的材料层。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置。该等离子体增强化学气相沉积电极板装置能够避免基板上发生静电释放，提高沉积材料层的均匀性。

本发明提供一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置，包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括：能在所述基板上产生与基板平行的电场的电极块。

其中，当电极块靠近基板时，只要其具有不同于等离子体增强化学气相沉积电极板的电势，即可在基板上产生与基板平行的电场；因此，电极块应当能被施加与等离子体增强化学气相沉积电极板不同的电势。

优选的是，所述电极块与所述等离子体增强化学气相沉积电极板之间通过绝缘件隔开。

优选的是，所述等离子体增强化学气相沉积电极板上设置有凹槽，所述绝缘件为镶嵌在所述凹槽内的绝缘凹槽，所述电极块设在所述绝缘凹槽内。

优选的是，所述电极块的外表面与所述离子体增强化学气相沉积电极板的外表面齐平。

优选的是，所述绝缘件的材料为传热绝缘材料。

优选的是，所述电极块为多块。

优选的是，多块所述电极块在所述等离子体增强化学气相沉积电极板上均匀排列。

优选的是，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括：位于所述等离子体增强化学气相沉积电极板内的，用于将所述基板顶离或放在等离子体增强化学气相沉积电极板上的移动定位单元；

所述移动定位单元与所述等离子体增强化学气相沉积电极板之间通过绝缘材料隔开；

控制所述移动定位单元的表面电压的移动定位单元电压控制单元，用于使所述移动定位单元在所述基板上产生与所述基板平行的电场。

优选的是，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括控制所述电极块的电压的电极块电压控制单元，用于使所述电极块在所述基板上产生与所述基板平行的电场。

优选的是，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括位于所述等离子体增强化学气相沉积电极板内的、用于加热所述基板的加热单元，和/或位于所述等离子体增强化学气相沉积电极板内的、用于冷却所述基板的冷却单元。

优选的是，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括用于检测所述基板温度的温度检测单元。

本发明还提供一种等离子体增强化学气相沉积方法，所述等离子体增强化学气相沉积过程中使用上述的等离子体增强化学气相沉积电极板装置，且在等离子体增强化学气相沉积过程中，用所述电极块在所述基板上产生与所述基板平行的电场。

优选的是，在等离子体增强化学气相沉积过程中，通过多块所述电极块在所述基板上产生与所述基板平行的电场。

优选的是，在等离子体增强化学气相沉积过程中，通过使所述电极块之间产生不同的电势，和/或所述电极块与所述等离子体增强化学气相沉积电极板之间产生不同电势，在所述基板上产生与所述基板平行的电场。

优选的是，在等离子体增强化学气相沉积过程中，通过使所述移动定位单元之间产生不同的电势，和/或所述移动定位单元与所述等离子体增强化学气相沉积电极板之间产生不同的电势，和/或所述移动定位单元与所述电极块之间产生不同的电势，在所述基板上产生与所述基板平行的电场。

本发明还提供一种等离子体增强化学气相沉积装置，包括上述所述的等离子体增强化学气相沉积电极板装置。

本发明的等离子体增强化学气相沉积电极板装置可以在基板上形成水平的电场，从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和或在电路图形（Pattern）中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累，避免基板上发生静电释放。该装置还可改变基板上的局部电场，从而改变局部的成膜速度，以提高等离子体增强化学气相沉积控制处理操作的均匀性，在基底的表面上形成薄厚均匀的材料层。

附图说明

图1是本发明实施例2中的等离子体增强化学气相沉积电极板装置的局部剖视结构图；

图2是本发明实施例2中的等离子体增强化学气相沉积电极板装置的沿X方向（或Y方向）剖视结构图；

图3是本发明实施例2中的等离子体增强化学气相沉积电极板装置的俯视结构图；

图4是本发明实施例2中的等离子体增强化学气相沉积电极板装置的凹槽立体图；

图5是本发明实施例2中的等离子体增强化学气相沉积电极板装置的局部结构图。

其中1-电极块；2-移动定位单元；3-绝缘凹槽；4-等离子体增强化学气相沉积电极板；5-加热单元/冷却单元；6-温度传感器。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

实施例1

本实施例提供一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置，包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括：能在所述基板上产生与基板平行的电场的电极块。

本发明的等离子体增强化学气相沉积电极板装置可以在基板上形成水平的电场，从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和或在电路图形（Pattern）中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累，避免基板上发生静电释放。该装置还可改变基板上的局部电场，从而改变局部的成膜速度，以提高等离子体增强化学气相沉积控制处理操作的均匀性，在基底的表面上形成薄厚均匀的材料层。

实施例2

如图1至5所示，本实施例提供一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置，包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板4，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括：能在所述基板上产生与基板平行的电场的电极块1。

在薄膜晶体管阵列制造过程的沉膜制造过程中，需要使用等离子体增强化学气相沉积方法在基板上沉积材料层，会在基板表面积聚很多电荷引起静电释放，通过等离子体增强化学气相沉积电极板装置的电极块1可以在基板上形成水平的电场，从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和或在电路图形（Pattern）中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累，避免基板上发生静电释放。

优选的，本实施例的等离子体增强化学气相沉积电极板装置为等离子体增强化学气相沉积装置的下电极板，也就是说该电极板的上表面朝上，与上电极板相对，而待沉积的基板可直接放置在其上。

如图1、图4所示，所述等离子体增强化学气相沉积电极板4上开设有凹槽，电极块1的水平截面优选为矩形，当然其水平截面也可以为圆形、三角形等其它形状。所述电极块1与所述等离子体增强化学气相沉积电极板4之间通过绝缘件隔开，绝缘件为镶嵌在所述凹槽内的绝缘凹槽3，所述电极块1在所述绝缘凹槽3内，绝缘凹槽3使用绝缘材料制成，所述绝缘材料优选为传热绝缘材料。本实施例中，所述绝缘材料具体采用高热导率、高介电常数和高绝缘性的陶瓷材料，从而可以实现电极块1与等离子体增强化学气相沉积电极板间的有效的传热与绝缘、并且各自产生的电场强度互不干扰。

优选的，所述电极块1的外表面与所述离子体增强化学气相沉积电极板4的外表面齐平，从而使电极板装置的外表面成为一个水平面，可与基板充分接触。

优选的，电极块1与绝缘凹槽3间以及绝缘凹槽3与等离子体增强化学气相沉积电极板4上的凹槽间没有空隙，从而实现了无缝贴合，以便于传热。

如图3、图5所示，优选的是，等离子体增强化学气相沉积电极板4上的凹槽的数量为多个，每个凹槽内均设有一个所述绝缘凹槽3，电极块1在绝缘凹槽3内。这样，在等离子体增强化学气相沉积电极板4上的电极块1为多块，且电极块1优选在所述等离子体增强化学气相沉积电极板4上均匀排列。电极块1均匀排布，从而在所述基板上产生的与基板平行的电场也分布均匀；优选的是，电极块1在等离子体增强化学气相沉积电极板4的X方向上均匀排布，且电极块1在等离子体增强化学气相沉积电极板4的Y方向上均匀排布，其中X方向和Y方向均平行于基板表面，且相互垂直。在水平面上，电极块1在X方向和Y方向上均匀分布，可以实现电场方向有规律性的沿着X方向或者Y方向，而且电场可以覆盖整个基板的水平面。

显然，电极块1在产生与基板平行的电场的同时，也会产生垂直于基板的电场。等离子体增强化学气相沉积成膜过程中受诸多因素的影响，会导致基底上成膜的不均匀性。电极块1与基板之间产生的电场，具有与基板平行的方向上的电场分量，同时也具有与基板垂直的方向上的电场分量。电极块1产生与基板垂直的方向的电场，可以实现局部调节等离子体增强化学气相沉积过程中的上下基板间的电压，从而调节基板上不同区域的成膜电压，从而实现基底表面总体成膜均匀一致。

优选的是，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括控制所述电极块1的电压的电极块电压控制单元，用于使所述电极块1在所述基板上产生与所述基板平行的电场。当等离子体增强化学气相沉积电极板4上只有一个电极块1时，电极块电压控制单元只需要控制该电极块1的电压的大小即可（当然该电极块1的电压应当不同于等离子体增强化学气相沉积电极板4的电压）。当等离子体增强化学气相沉积电极板4上有多个电极块1时，电极块电压控制单元可以在各电极块1上施加X方向的扫描电压，扫描电压按照X方向顺序扫描完沿X方向上一行排列的电极块1后，再按照顺序扫描下一行的电极块1（当然，也可对沿X方向上排列的多行电极块1同步进行扫描），直到X方向上所有电极块1都扫描完一遍为止。同理，电极块电压控制单元可再在电极块1上施加Y方向的扫描电压。

优选的是，如图5所示，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括位于所述等离子体增强化学气相沉积电极板4内的、用于加热所述基板的加热单元/冷却单元5的加热单元，和/或位于所述等离子体增强化学气相沉积电极板4内的、用于冷却所述基板的加热单元/冷却单元5的冷却单元。

优选的是，加热单元可为设在等离子体增强化学气相沉积电极板4内的电加热棒等，等离子体增强化学气相沉积电极板4本身由金属制成，金属是很好的传热介质。当等离子体增强化学气相沉积在基板上沉积材料层时，材料层的沉积过程有一定的温度要求，因此需要加热单元加热基板，加热单元加热产生的热量可以通过等离子体增强化学气相沉积电极板4传递到基板。

优选的是，冷却单元可为设在等离子体增强化学气相沉积电极板4内的冷却水管路等。当沉积材料层沉积结束后，或者当沉积材料过程中基板上的温度过高，需要冷却单元对基板进行冷却，冷却产生的低温可以通过等离子体增强化学气相沉积电极板4传递到基板。

优选的是，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括用于检测所述基板温度的温度检测单元，温度检测单元设置在基板上，用于检测基板的温度。

温度检测单元优选为温度传感器6，温度传感器6可以实时检测并显示基板的温度。根据温度传感器6指示的温度，可以控制加热单元/冷却单元5的工作，以实现等离子体增强化学气相沉积中的基板表面温度的均匀性。

如图3所示，优选的是，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括位于所述等离子体增强化学气相沉积电极板内的、用于将所述基板顶离或放在等离子体增强化学气相沉积电极板上的移动定位单元2。

所述移动定位单元2与所述等离子体增强化学气相沉积电极板4之间通过绝缘材料被隔开；所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括控制所述移动定位单元2的表面电压的移动定位单元电压控制单元，用于使所述移动定位单元2在所述基板上产生与所述基板平行的电场。当然，也可以使用电极块电压控制单元使所述移动定位单元2在所述基板上产生与所述基板平行的电场。

移动定位单元2设置在等离子体增强化学气相沉积电极板4内，具体可以采用能在等离子体增强化学气相沉积电极板4内伸缩的支柱（PIN）的形式。当要移动基板时，支柱可从等离子体增强化学气相沉积电极板4中伸出而将基板顶起，从而方便其取放。通过移动定位单元电压控制单元给移动定位单元2施加电压，可在基板上形成水平的电场，从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和或在电路图形（Pattern）中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累，避免基板上发生静电释放。

显然，移动定位单元2与基板之间产生的电场，具有与基板平行的方向上的电场分量，同时也具有与基板垂直的方向上的电场分量。等离子体增强化学气相沉积成膜过程中受诸多因素的影响，会导致基底上成膜的不均匀性。移动定位单元2产生与基板垂直的方向的电场，可以实现局部调节等离子体增强化学气相沉积过程中的电压，从而调节基底上不同区域的成膜电压，从而实现基底表面总体成膜均匀一致。

当然，为了使移动定位单元2能产生电场，其电压应当不同于等离子体增强化学气相沉积电极板4的电压，故移动定位单元2与等离子体增强化学气相沉积电极板4间（或与电极块1间）也应设有绝缘材料。

实施例3

如图1至图5所示，本实施例提供一种等离子体增强化学气相沉积方法，本方法是用实施例2中的等离子增强化学气相沉积电极板装置进行的。

在等离子体增强化学气相沉积过程中，用所述电极块1在所述基板上产生与基板平行的电场。等离子体增强化学气相沉积在基板上沉积材料层时，基板上会聚集一定的电荷，正负电荷之间会形成一定的电场，当电荷积聚过多，会引发静电释放。电极块1在基板上产生与基板平行的电场，等离子体增强化学气相沉积过程在基板上形成的正负电荷会在基板的水平电场的作用下发生定向运动，使得基板上的正负电荷发生中和，减少或避免基板上的电荷积聚，从而避免了基板上的静电释放。

当基板上具有电路图形时，电荷可能移动到电路图形中而发生耗散；因此，本实施例的方法特别适用于带有电路图形的基板（如带有栅极线、数据线的液晶显示用阵列基板）。

优选的，在等离子体增强化学气相沉积过程中，轮流用各所述电极块1在所述基板上产生与基板平行的电场。如图2所示，当等离子体增强化学气相沉积电极板4上有多块电极块1时，通过给电极块1周期性的扫描电压，可以实现基板上局部区域形成水平方向的电场，再通过局部区域水平电场扫描覆盖整个基板。这样当基板局部区域形成水平方向电场时，在该局部区域范围内基板上的正负电荷发生定向移动，有部分正负电荷中和；当通过局部区域水平电场扫描覆盖整个基板，整个基板上的正负电荷都会定向移动，伴随着扫描电压产生的局部区域水平电场的变化不停的发生电荷定向移动与电荷中和，大大减少了基板上发生静电释放的概率。通过电压控制单元周期性地沿着X方向给电极块1施加扫描电压的过程具体可如下，先给A电极块和B电极块外接电压源，从而在A电极块和B电极块周围形成一个电场，其中正号表示A电极块的电势高于等离子体增强化学气相沉积电极板4，负号表示B电极块的电势低于等离子体增强化学气相沉积电极板4（或者说等离子体增强化学气相沉积电极板4的电势在两电极块1的电势之间）；接着断开A电极块和B电极块之间的电压源，给B电极块和C电极块外接电压源，在B电极块和C电极块周围形成一个电场区域；沿着X方向，以此类推，直到该方向上排布的最后一对H电极块和I电极块，该X方向排布的该行电极块扫描完毕。当沿着X方向扫描完成时，相当于给X方向一个沿着X方向的连续的电场，而且此电场扫描过程可以实现X方向上电荷的逐步中和。同理，可继续对下一排沿X方向排布的电极块1在X方向上施加扫描电压（当然，也可对沿X方向上排列的多行电极块1同步进行扫描）；同理，也可继续对沿Y方向排布的电极块1在Y方向上施加扫描电压。当然，具体的扫描电压的施加方式是多样的，在此不再逐一描述。

优选的，在等离子体增强化学气相沉积过程中，通过使所述电极块1之间产生不同的电势，和/或所述电极块1与所述等离子体增强化学气相沉积电极板4之间产生不同电势，在所述基板上产生与所述基板平行的电场。

具体的，等离子体增强化学气相沉积电极板4连接等离子体增强化学气相沉积材料层设备所加电压的一端，两个电极块1之间的电压源可以连接等离子增强化学气相沉积电极板4，使得所述等离子体增强化学气相沉积电极板4的电势在两块电极块1电势之间，这样可以在基板的水平方向上同时产生电极块之间以及电极块1与等离子体增强化学气相沉积电极板4之间的电场。当然，各电极块也可以单独分别连接独立的电压源，使电极块的电压大于或小于基板的电压。

当电极块1之间（和电极块1与等离子体增强化学气相沉积电极板4之间）存在电势差时，在电极块1之间（和电极块1与等离子体增强化学气相沉积电极板4之间）会形成电场，同时在基板中会产生水平方向的电场分量。当电极块1之间（和电极块1与等离子体增强化学气相沉积电极板4之间）存在电势差时，电极块1之间（和电极块1与等离子体增强化学气相沉积电极板4之间）的电场有基板垂直方向的电场分量。因为电极块1产生的电压可以单独调节，所以电极块1产生的垂直于基板方向的电场强度可以单独调节。当等离子体增强化学气相沉积材料层过程中沉积出的材料层不均匀时，可以通过局部调节电极块1的电压的方式来调节基板上局部区域的成膜速率，来调节沉积在整个基板上材料层的均匀性。

优选的是，在等离子体增强化学气相沉积过程中，通过使所述移动定位单元2之间产生不同的电势，和/或所述移动定位单元2与所述等离子体增强化学气相沉积电极板4，和/或所述移动定位单元与所述电极块之间产生不同的电势，在所述基板上产生与所述基板平行的电场。

对移动定位单元2的电压控制方法如同对电极块1的电压控制方法，这里不再一一赘述。在电极块1之间以及移动定位单元2之间施加一定的局部电压，或者在电极块1与移动定位单元2之间施加一个局部电压，均可以形成局部电场，该局部电场具有与基板平行的方向上的电场分量，同时也具有与基板垂直的方向上的电场分量。与基板垂直的方向上的电场分量可以实现对等离子体增强化学气相沉积设备的电压的局部调节，它们共同调节促进局部成膜的均匀性，可以减少移动定位单元对沉膜均匀性的影响；电场水平方向的分量可以实现对基板上的电荷的有效中和。

实施例4

本发明还提供一种等离子体增强化学气相沉积装置，包括上述的等离子体增强化学气相沉积电极板装置。

当然，本实施例的等离子体增强化学气相沉积装置中还应包括其它的常规部件，如真空腔、另一个极板等，由于这些都属于现有技术，因此这里不进行详述。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置，包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括：

能在所述基板上产生与所述基板平行的电场的电极块，所述电极块与所述等离子体增强化学气相沉积电极板之间通过绝缘件隔开；

位于所述等离子体增强化学气相沉积电极板内的，用于将所述基板顶离或放在等离子体增强化学气相沉积电极板上的移动定位单元；所述移动定位单元与所述等离子体增强化学气相沉积电极板之间通过绝缘材料隔开；

控制所述移动定位单元的表面电压的移动定位单元电压控制单元，用于使所述移动定位单元在所述基板上产生与所述基板平行的电场。

2.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积电极板装置，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积电极板上设置有凹槽，所述绝缘件为镶嵌在所述凹槽内的绝缘凹槽，所述电极块设在所述绝缘凹槽内。

3.根据权利要求2所述的等离子体增强化学气相沉积电极板装置，其特征在于，所述电极块的外表面与所述离子体增强化学气相沉积电极板的外表面齐平。

4.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积电极板装置，其特征在于，所述绝缘件的材料为传热绝缘材料。

5.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积电极板装置，其特征在于，所述电极块为多块。

6.根据权利要求5所述的等离子体增强化学气相沉积电极板装置，其特征在于，多块所述电极块在所述等离子体增强化学气相沉积电极板上均匀排列。

7.根据权利要求1～6任意一项所述的等离子体增强化学气相沉积电极板装置，其特征在于，还包括控制所述电极块的电压的电极块电压控制单元，用于使所述电极块在基板上产生与基板平行的电场。

8.一种等离子体增强化学气相沉积方法，其特征在于，在等离子体增强化学气相沉积过程中使用权利要求1～7中任意一项所述的等离子体增强化学气相沉积电极板装置，且

在等离子体增强化学气相沉积过程中，用所述电极块在基板上产生与基板平行的电场。

9.根据权利要求8所述的等离子体增强化学气相沉积方法，其特征在于，在等离子体增强化学气相沉积过程中使用权利要求7所述的等离子体增强化学气相沉积电极板装置，且

在等离子体增强化学气相沉积过程中，通过使所述电极块之间产生不同的电势，和/或所述电极块与所述等离子体增强化学气相沉积电极板之间产生不同电势，在基板上产生与基板平行的电场。

10.根据权利要求8所述的等离子体增强化学气相沉积方法，其特征在于，在等离子体增强化学气相沉积过程中使用权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积电极板装置，且

在等离子体增强化学气相沉积过程中，通过使所述移动定位单元之间产生不同的电势，和/或所述移动定位单元与所述等离子体增强化学气相沉积电极板之间产生不同的电势，和/或所述移动定位单元与所述电极块之间产生不同的电势，在基板上产生与基板平行的电场。

11.一种等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，包括权利要求1～7任意一项所述的等离子体增强化学气相沉积电极板装置。