CN102983172A - GaAs基垂直结构MOS器件及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种GaAs基垂直结构MOS器件及其制作方法,该GaAs基垂直结构MOS器件包括:一N型GaAs衬底层;在该N型GaAs衬底层上形成的N型低掺杂GaAs层;在该N型低掺杂GaAs层上形成的N型低掺杂InGaP层;在该N型掺杂InGaP层上形成的N型掺杂GaAs层;在该N型掺杂GaAs层上形成的P型III-V族半导体沟道层;在该P型III-V族半导体沟道层上形成的高掺杂III-V族半导体欧姆接触层;在该P型III-V族半导体沟道层和欧姆接触层中形成的P型区域;在该N型掺杂InGaP层以上,N型低掺杂GaAs层P型III-V族半导体沟道层和欧姆接触层中形成的栅槽结构,在该栅槽结构中形成的栅介质层;在该栅介质层上形成的栅金属电极;在该欧姆接触层和P型区域上形成的源金属电极;在该N型GaAs衬底背面形成的漏金属电极。
Description
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种GaAs基垂直结构MOS器件及其制作方法。
背景技术
III-V化合物半导体材料相对硅材料而言,具有高载流子迁移率、大的禁带宽度等优点,而且在热学、光学和电磁学等方面都有很好的特性。近年来,由于原子层沉积技术和III-V族MOSFET器件研究工作进展迅速,以IIIV族半导体材料为沟道材料,利用ALD介质作为栅介质的MOSFETs,已实现了良好的电学特性,这为制作不同结构的III-V族半导体表面器件奠定了技术基础。Trench MOS器件是一种功率器件,其相对VDMOS而言,具有更高的开态电流,更低的导通电阻,更快的开关速度。具有广泛的市场前景。目前由于硅材料的本身限制,Trench MOS器件的特性,尤其是在最大工作电压和导通电流的折中上,已经很难获得突破。但是III-V族半导体以其更高的电子迁移率,更有效的选择性腐蚀特性,无论在Trench MOS器件的器件结构,还是器件特性上都将给予极大的改进。需要在III-V族半导体上采用新的器件结构和新的制作流程,以充分发挥III-V族半导体材料的材料特性,提高Trench MOS器件的耐压特性和导通特性,以满足高性能TrenchMOS器件技术的要求。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此,本发明的主要目的是提供一种GaAs基的MOS器件及其制作方法,简化了传统硅基高压MOS晶体管的多次注入工艺,但实现比硅器件更低的导通电阻和更优异的频率特性,满足高压MOS晶体管在开关速度方面的应用需求。
(二)技术方案
为达到上述目的,本发明提供了一种GaAs基垂直结构MOS器件,其特征在于,包括:一N型GaAs衬底层101;在该N型GaAs衬底层101上形成的N型低掺杂GaAs层102;在该N型低掺杂GaAs层102上形成的N型低掺杂InGaP层103;在该N型掺杂InGaP层103上形成的N型掺杂GaAs层104;在该N型掺杂GaAs层104上形成的P型III-V族半导体沟道层105;在该P型III-V族半导体沟道层105上形成的高掺杂III-V族半导体欧姆接触层106;在该P型III-V族半导体沟道层105和欧姆接触层106中形成的P型区域107;在该N型掺杂InGaP层103以上,N型低掺杂GaAs层104P型III-V族半导体沟道层105和欧姆接触层106中形成的栅槽结构,在该栅槽结构中形成的栅介质层108;在该栅介质层108上形成的栅金属电极109;在该欧姆接触层106和P型区域107上形成的源金属电极110;在该N型GaAs衬底101背面形成的漏金属电极111。
为达到上述目的,本发明还提供了一种制作GaAs基垂直结构MOS器件的方法,该方法包括:
步骤1:在N型GaAs衬底层101上形成N型低掺杂GaAs层102;
步骤2:在N型低掺杂GaAs层102上形成N型低掺杂InGaP层103;
步骤3:在N型低掺杂InGaP层103上形成N型掺杂GaAs层104;
步骤4:在N型掺杂GaAs层104上形成P型III-V族半导体沟道层105;
步骤5:在P型III-V族半导体沟道层105上形成高掺杂III-V族半导体欧姆接触层106;
步骤6:在P型III-V族半导体沟道层105和欧姆接触层106中形成P型区域107;
步骤7:在N型掺杂GaAs层104、P型III-V族半导体沟道层105和欧姆接触层106上形成栅槽结构;
步骤8:在栅槽结构中形成栅介质层108;
步骤9:在栅介质层108上形成栅金属电极109;
步骤10:在欧姆接触层106和P型区域107的各一部分上腐蚀掉栅介质后,在裸露出的部分上形成源金属电极110;
步骤11:在N型GaAs衬底101上形成漏金属电极111。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出,本发明具有以下有益效果:
本发明提供的这种GaAs基垂直结构MOS器件及其制作方法,由于采用了多层外延结构设计,尤其是InGaP层的设计,实现了栅槽腐蚀中的选择性腐蚀,从而提高器件制作过程中的一致性和工艺稳定性;通过外延生长的方法实现不同掺杂材料的生长,简化了硅基高压MOS器件的制作流程,由Si基Trench-MOS器件的三次离子注入工艺,减少到本发明中制作工艺的一次离子注入,从而降低了高压MOS器件的流片成本。另外,本发明中的III-V族半导体材料比Si材料具有高的电子迁移率,所以无论是在沟道中,还是在漂移区,电子迁移率都大于传统的硅器件。所以可以减小了器件的导通电阻(导通电阻与载流子迁移率成反比)并提高器件的跨导特性(跨导与载流子迁移率成正比),从而提高了器件的开关速度。所以满足高压MOS晶体管在开关速度方面的应用。
附图说明
图1是依照本发明实施例的GaAs基垂直结构MOS器件的示意图;
图2是依照本发明实施例制作GaAs基垂直结构MOS器件的方法流程图;
图3-1至图3-12是依照本发明实施例制作GaAs基垂直结构MOS器件的工艺流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明进一步详细说明。
本发明提供的这种GaAs基垂直结构MOS器件及其制作方法,利用III-V族半导体材料高的电子迁移率特性,减小了器件的导通电阻;通过InGaP层的设计,实现了栅槽腐蚀中的选择性腐蚀,从而提高器件制作过程中的一致性和工艺稳定性。
如图1所示,图1示出了依照本发明实施例的GaAs基垂直结构MOS器件的示意图,该GaAs基垂直结构MOS器件包括:一N型GaAs衬底层101;在该N型GaAs衬底层101上形成的N型低掺杂GaAs层102;在该N型低掺杂GaAs层102上形成的N型低掺杂InGaP层103;在该N型掺杂InGaP层103上形成的N型掺杂GaAs层104;在该N型掺杂GaAs层104上形成的P型III-V族半导体沟道层105;在该P型III-V族半导体沟道层105上形成的高掺杂III-V族半导体欧姆接触层106;在该P型III-V族半导体沟道层105和欧姆接触层106中形成的P型区域107;在该N型掺杂InGaP层103以上,N型低掺杂GaAs层104P型III-V族半导体沟道层105和欧姆接触层106中形成的栅槽结构,在该栅槽结构中形成的栅介质层108;在该栅介质层108上形成的栅金属电极109;在该欧姆接触层106和P型区域107上形成的源金属电极110;在该N型GaAs衬底101背面形成的漏金属电极111。
其中,所述N型GaAs衬底层101为重掺杂GaAs衬底,易与漏电极金属形成低电阻欧姆接触。所述N型低掺杂GaAs层102,其掺杂浓度在5×1015cm-3到5×1017cm-3,其厚度在1微米到100微米的范围内。所述N型低掺杂InxGa1-xP层103,其厚度在1纳米到100纳米的范围内,其铟(In)组分根据实际需求变化,0<x<1。所述N型掺杂GaAs层104,其掺杂浓度在5×1015cm-3到5×1017cm-3,掺杂类型为N型,其厚度在1纳米到100纳米的范围内,其掺杂浓度根据实际需求变化。所述P型III-V族半导体沟道层105,其掺杂浓度在5×1016cm-3到5×1019cm-3,掺杂类型为P型,其厚度在1纳米到200纳米的范围内;其采用的III-V族半导体薄层材料包括砷化镓(GaAs)与砷化铟(InAs)中的任一种化合物以及它们的多元合金。所述高掺杂III-V族半导体欧姆接触层106,其掺杂浓度在5×1018cm-3到1×1020cm-3,其厚度在10纳米到500纳米的范围内,其采用的III-V族半导体薄层材料包括砷化镓(GaAs)与砷化铟(InAs)中的任一种化合物以及它们的多元合金。所述形成的P型区域107位于源金属电极109与P型III-V族半导体沟道层105之间。所述栅介质层108的介电常数k大于4,该栅介质层108采用的材料包括氧化物、氮化物,以及氧化物、氮化物的任意混合,或者氧化物、氮化物或氮氧化物的多层任意组合。所述栅金属电极109的形状为T型结构,其材料为功函数金属层和低电阻金属的复合金属材料,该T型栅电极两侧覆盖部分欧姆接触层。所述源金属电极110形成于欧姆接触层与P型区域上。所述漏金属电极111形成于N型GaAs衬底101背面。
基于图1所示的GaAs基的MOS器件的示意图,图2示出了依照本发明实施例制作GaAs基的MOS器件的方法流程图,该方法包括以下步骤:
步骤1:在N型GaAs衬底层101上形成N型低掺杂GaAs层102;
步骤2:在N型低掺杂GaAs层102上形成N型低掺杂InGaP层103;
步骤3:在N型低掺杂InGaP层103上形成N型掺杂GaAs层104;
步骤4:在N型掺杂GaAs层104上形成P型III-V族半导体沟道层105;
步骤5:在P型III-V族半导体沟道层105上形成高掺杂III-V族半导体欧姆接触层106;
步骤6:在P型III-V族半导体沟道层105和欧姆接触层106中形成P型区域107;
步骤7:在N型掺杂GaAs层104、P型III-V族半导体沟道层105和欧姆接触层106上形成栅槽结构;
步骤8:在栅槽结构中形成栅介质层108;
步骤9:在栅介质层108上形成栅金属电极109;
步骤10:在欧姆接触层106和P型区域107的各一部分上腐蚀掉栅介质后,在裸露出的部分上形成源金属电极110;
步骤11:在N型GaAs衬底101上形成漏金属电极111。
其中,所述的N型低掺杂GaAs层102和N型掺杂GaAs层104、N型低掺杂InGaP层103、P型III-V族半导体沟道层105、高掺杂III-V族半导体欧姆接触层106是采用分子束外延(MBE)或者金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法来实现。
步骤6是在P型III-V族半导体沟道层105和欧姆接触层106中定向离子注入杂质离子形成P型区域107。
步骤7中所述所述在N型掺杂GaAs层104、P型III-V族半导体沟道层105和欧姆接触层106上形成栅槽结构是采用栅槽腐蚀的方法实现的,该栅槽腐蚀是采用具有选择性腐蚀的腐蚀液对欧姆接触层和P型沟道层进行腐蚀,腐蚀停止在N型低掺杂InGaP层103上,然后对InGaP层进行腐蚀,腐蚀停止在GaAs层102上,从而形成栅槽结构。
步骤8中所述在栅槽结构中形成栅介质层108,是采用物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)或者原子层沉积(ALD)方法来实现的。
步骤9中所述在栅介质层108上形成栅金属电极109,是采用光学光刻、电子束蒸发、溅射的方法以及剥离工艺方法来实现的。
步骤10中所述在欧姆接触层106和P型区域107的各一部分上腐蚀掉栅介质后,在裸露出的部分上形成源金属电极110,是光学光刻、湿法腐蚀的方法裸露出一部分欧姆接触层和P型区域后,在裸露区域上采用电子束蒸发和剥离的方法来实现的。
步骤11中所述在N型GaAs衬底101上形成的漏金属电极111,是光学光刻、电子束蒸发、溅射的方法以及剥离方法来实现的。
基于图1和图2所示的GaAs基的MOS器件及其制作方法,图3-1至图3-9示出了依照本发明实施例的制作GaAs基的MOS器件的工艺流程图,具体包括:
如图3-1所示,选择一N型高掺杂GaAs衬底片101,在该单晶衬底101上外延生长N型低掺杂GaAs层102;
如图3-2所示,在N型低掺杂GaAs层102上外延生长N型低掺杂InGaP层103;
如图3-3所示,在N型低掺杂InGaP层103上外延生长N型掺杂GaAs层104;
如图3-4所示,在N型掺杂GaAs层104上外延生长P型III-V族半导体沟道层105;
如图3-5所示,P型III-V族半导体沟道层105上形成的高掺杂III-V族半导体欧姆接触层106;
如图3-6所示,在P型III-V族半导体沟道层105和欧姆接触层106中形成的P型区域107;
如图3-7所示,在N型掺杂InGaP层104、P型III-V族半导体沟道层105和欧姆接触层106上形成栅槽结构;
如图3-8所示,在栅槽结构上形成栅介质层108;
如图3-9所示,在栅介质层108上形成栅金属电极109;
如图3-10所示,以栅金属为掩模腐蚀掉欧姆接触层106和P型区域107上的栅介质;
如图3-11所示,在欧姆接触层106和P型区域107裸露出的部分上形成的源金属电极110;
如图3-12所示,在N型GaAs衬底101上形成的漏金属电极111。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (17)
1.一种GaAs基垂直结构MOS器件,其特征在于,包括:
一N型GaAs衬底层(101);
在该N型GaAs衬底层(101)上形成的N型低掺杂GaAs层(102);
在该N型低掺杂GaAs层(102)上形成的N型低掺杂InGaP层(103);
在该N型掺杂InGaP层(103)上形成的N型掺杂GaAs层(104);
在该N型掺杂GaAs层(104)上形成的P型III-V族半导体沟道层(105);
在该P型III-V族半导体沟道层(105)上形成的高掺杂III-V族半导体欧姆接触层(106);
在该P型III-V族半导体沟道层(105)和欧姆接触层(106)中形成的P型区域(107);
在该N型掺杂InGaP层(103)以上,N型低掺杂GaAs层(104)P型III-V族半导体沟道层(105)和欧姆接触层(106)中形成的栅槽结构,在该栅槽结构中形成的栅介质层(108);
在该栅介质层(108)上形成的栅金属电极(109);
在该欧姆接触层(106)和P型区域(107)上形成的源金属电极(110);
在该N型GaAs衬底(101)背面形成的漏金属电极(111)。
2.根据权利要求1所述的GaAs基垂直结构MOS器件,其特征在于,所述N型GaAs衬底层(101)为重掺杂GaAs衬底,易与漏电极金属形成低电阻欧姆接触。
3.根据权利要求1所述的GaAs基垂直结构MOS器件,其特征在于,所述N型低掺杂GaAs层(102),其掺杂浓度在5×1015cm-3到5×1017cm-3,其厚度在1微米到100微米的范围内。
4.根据权利要求1所述的GaAs基垂直结构MOS器件,其特征在于,所述N型低掺杂InxGa1-xP层(103),其厚度在1纳米到100纳米的范围内,其铟(In)组分根据实际需求变化,0<x<1。
5.根据权利要求1所述的GaAs基垂直结构MOS器件,其特征在于,所述N型掺杂GaAs层(104),其掺杂浓度在5×1015cm-3到5×1017cm-3,掺杂类型为N型,其厚度在1纳米到100纳米的范围内,其掺杂浓度根据实际需求变化。
6.根据权利要求1所述的GaAs基垂直结构MOS器件,其特征在于,所述P型III-V族半导体沟道层(105),其掺杂浓度在5×1016cm-3到5×1019cm-3,掺杂类型为P型,其厚度在1纳米到200纳米的范围内;其采用的III-V族半导体薄层材料包括砷化镓(GaAs)与砷化铟(InAs)中的任一种化合物以及它们的多元合金。
7.根据权利要求1所述的GaAs基垂直结构MOS器件,其特征在于,所述高掺杂III-V族半导体欧姆接触层(106),其掺杂浓度在5×1018cm-3到1×1020cm-3,其厚度在10纳米到500纳米的范围内,其采用的III-V族半导体薄层材料包括砷化镓(GaAs)与砷化铟(InAs)中的任一种化合物以及它们的多元合金。
8.根据权利要求1所述的GaAs基垂直结构MOS器件,其特征在于,所述形成的P型区域(107)位于源金属电极(109)与P型III-V族半导体沟道层(105)之间。
9.根据权利要求1所述的GaAs基垂直结构MOS器件,其特征在于,所述栅介质层(108)的介电常数k大于4,该栅介质层(108)采用的材料包括氧化物、氮化物,以及氧化物、氮化物的任意混合,或者氧化物、氮化物或氮氧化物的多层任意组合。
10.根据权利要求1所述的GaAs基垂直结构MOS器件,其特征在于,所述栅金属电极(109)的形状为T型结构,其材料为功函数金属层和低电阻金属的复合金属材料,该T型栅电极两侧覆盖部分欧姆接触层。
11.根据权利要求1所述的GaAs基垂直结构MOS器件,其特征在于,所述源金属电极(110)形成于欧姆接触层与P型区域上。
12.根据权利要求1所述的GaAs基垂直结构MOS器件,其特征在于,所述漏金属电极(111)形成于N型GaAs衬底(101)背面。
13.一种制作GaAs基垂直结构MOS器件的方法,以制作权利要求1至12中任一项所述的GaAs基垂直结构MOS器件,该方法包括:
步骤1:在N型GaAs衬底层(101)上形成N型低掺杂GaAs层(102);
步骤2:在N型低掺杂GaAs层(102)上形成N型低掺杂InGaP层(103);
步骤3:在N型低掺杂InGaP层(103)上形成N型掺杂GaAs层(104);
步骤4:在N型掺杂GaAs层(104)上形成P型III-V族半导体沟道层(105);
步骤5:在P型III-V族半导体沟道层(105)上形成高掺杂III-V族半导体欧姆接触层(106);
步骤6:在P型III-V族半导体沟道层(105)和欧姆接触层(106)中形成P型区域(107);
步骤7:在N型掺杂GaAs层(104)、P型III-V族半导体沟道层(105)和欧姆接触层(106)上形成栅槽结构;
步骤8:在栅槽结构中形成栅介质层(108);
步骤9:在栅介质层(108)上形成栅金属电极(109);
步骤10:在欧姆接触层(106)和P型区域(107)的各一部分上腐蚀掉栅介质后,在裸露出的部分上形成源金属电极(110);
步骤11:在N型GaAs衬底(101)上形成漏金属电极(111)。
14.根据权利要求12所述的制作GaAs基垂直结构MOS器件的方法,其特征在于,所述的N型低掺杂GaAs层(102)和N型掺杂GaAs层(104)、N型低掺杂InGaP层(103)、P型III-V族半导体沟道层(105)、高掺杂III-V族半导体欧姆接触层(106)是采用分子束外延(MBE)或者金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法来实现。
15.根据权利要求12所述的制作GaAs基垂直结构MOS器件的方法,其特征在于,步骤6是在P型III-V族半导体沟道层(105)和欧姆接触层(106)中定向离子注入杂质离子形成P型区域(107)。
16.根据权利要求12所述的制作GaAs基垂直结构MOS器件的方法,其特征在于,所述在N型掺杂GaAs层(104)、P型III-V族半导体沟道层(105)和欧姆接触层(106)上形成栅槽结构是采用栅槽腐蚀的方法实现的,该栅槽腐蚀是采用具有选择性腐蚀的腐蚀液对欧姆接触层和P型沟道层进行腐蚀,腐蚀停止在N型低掺杂InGaP层(103)上,然后对InGaP层进行腐蚀,腐蚀停止在GaAs层(102)上,从而形成栅槽结构。
17.根据权利要求12所述的制作GaAs基垂直结构MOS器件的方法,其特征在于,步骤8中所述在栅槽结构中形成栅介质层(108),是采用物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)或者原子层沉积(ALD)方法来实现的。
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