CN102955369A - 光刻设备、衬底台和器件制造方法 - Google Patents

光刻设备、衬底台和器件制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102955369A
CN102955369A CN2011104183811A CN201110418381A CN102955369A CN 102955369 A CN102955369 A CN 102955369A CN 2011104183811 A CN2011104183811 A CN 2011104183811A CN 201110418381 A CN201110418381 A CN 201110418381A CN 102955369 A CN102955369 A CN 102955369A
Authority
CN
China
Prior art keywords
radiation
waveguide
transformation
substrate table
wave length
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011104183811A
Other languages
English (en)
Inventor
V·普洛斯因特索夫
J·M·范本特恩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of CN102955369A publication Critical patent/CN102955369A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
    • G03F9/7015—Reference, i.e. alignment of original or workpiece with respect to a reference not on the original or workpiece
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明涉及一种光刻设备、衬底台和用于制造器件的方法。一种具有传感器的衬底台包括：设置有对辐射不透明的材料层的材料块体。所述材料层具有配置成允许辐射透过的至少一个窗口。所述传感器包括位于所述窗口处的波长转换材料；和波导，所述波导定位成接收由波长转换材料发出的辐射。所述波导嵌入在所述材料块体中并配置成引导由波长转换材料发出的辐射穿过所述材料块体并将其朝向探测器引导。

Description

光刻设备、衬底台和器件制造方法
技术领域
本发明涉及一种光刻设备、一种衬底台和一种用于制造器件的方法。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。
光刻术被广泛地认为是在IC及其它器件和/或结构的制造过程中的关键步骤中的一个。然而，随着使用光刻术制成的特征尺寸变小，光刻术正在成为能够制造微IC或其它器件和/或结构的更关键的因素。
图案印刷的极限的理论估计可以由如式(1)所示的分辨率的瑞利准则给出：
CD = k 1 * λ NA - - - ( 1 )
其中λ是所使用的辐射波长，NA是用于印刷图案的投影系统的数值孔径，k1是依赖于过程的调整因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。根据式(1)可知，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种途径实现：通过缩短曝光波长λ，通过增加数值孔径NA，或通过减小k1的值。
为了缩短曝光波长以减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长范围在5-20nm内的电磁辐射，例如波长范围在13-14nm内，或例如波长范围在5-10nm内，例如6.7nm或6.8nm。可能的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。
EUV辐射可以使用等离子体产生。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光以及用于包含等离子体的源收集器模块。等离子体可以例如通过在燃料(例如合适的材料(例如锡)的颗粒或合适的气体或蒸气(如Xe气体或Li蒸气)流)处引导激光束来形成。所形成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，所述辐射使用辐射收集器来收集。辐射收集器可以是被镜像的正入射辐射收集器，所述正入射辐射收集器接收辐射和将辐射聚焦成束。源收集器模块可以包括布置成提供真空环境以支持等离子体的封闭结构或腔。这种辐射系统通常被称为激光产生等离子体(LPP)源。
期望确保投影到衬底上的图案与已经位于衬底上的图案对准。这可以通过使用对准设备将掩模与保持衬底的衬底台对准来实现，由此允许掩模相对于衬底的对准被确定。为了将掩模与衬底台对准，衬底台可以设置有传感器。
通常，用于将掩模与衬底台对准的传感器检测EUV辐射和通过在不同位置处的衍射光栅形成空间中的强度分布来测量光强。衍射光栅由多个开口(窗口)构成。在这些开口下方，光电探测器可以被定位成检测透射通过一些开口或所有开口(完整的光栅)的光。
对准传感器板通常需要被移动，因为传感器光栅的空间图像采样方案的分辨率受限于光栅尺寸(其尺寸需要被保持得尽可能小，以优化使用在光掩模上的空间)。另外，当前可得的光电探测器相当大，阻碍了多个探测器用于彼此靠近的多个光栅。为了精确地测量光强，传感器光栅于是应当在空间中移动，并应当以高精度控制。传感器移动需要时间、精细控制系统、机器资源和移动周期上的稳定性。
另外，来自光电探测器的电信号通常是弱的且可能易于拾取电磁噪声。因此，在光电二极管和预放大器之间的电信号线优选被保持为短的，并因此预放大器通常置于光电探测器附近。预放大器生成热量，该热量可以导致对准传感器光栅的变形，最后导致所对准的位置的计算误差。另外，光电探测器和电子装置形成笨重结构(其也妨碍小型化和多个探测器的使用)，并需要在传感器内部的特别对准。
期望提供一种光刻设备，其设置有具有克服上述缺陷中的一个或更多个缺陷的传感器的衬底台。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供一种具有传感器的衬底台，所述传感器包括设置有对辐射不透明的材料层的材料块体，所述材料层具有配置成允许辐射透过的至少一个窗口，所述传感器还包括位于所述窗口处的波长转换材料和定位成接收由波长转换材料发出的辐射的波导，所述波导嵌入在所述材料块体中，并配置成引导由波长转换材料发出的辐射穿过所述材料块体并将其朝向探测器引导。
所述材料块体可以是半导体芯片或电介质块体。
所述波导可以具有小于30微米的高度和/或宽度。
所述探测器可以设置在衬底台中。
所述探测器可以设置在所述半导体芯片中，或可以设置成毗邻半导体芯片。
所述探测器可以是多个探测器中的一个。
所述窗口可以是多个窗口中的一个。
一组窗口可以沿着第一方向延伸，至少一些窗口可以在第二方向上具有不同的位置，所述第二方向横向(即垂直)于所述第一方向。
至少一些窗口可以设置在不同的高度处。
每个窗口可以设置有单件波长转换材料。
所述波导可以是多个波导中的一个。
每个窗口可以与不同的波导相关联。
至少一些波导可以延伸至半导体芯片中的不同深度。
至少一些波导可以彼此在横向上间隔开。
可以在波导中设置掺杂剂，所述掺杂剂配置用于放大由波长转换材料发出的辐射，可以布置光泵(optical pump)以将辐射直接地泵送至波导中，该泵送的辐射具有配置成激发掺杂剂的波长。
所述波长转换材料可以配置成在EUV辐射入射到波长转换材料上时发出波长在500-2000nm的波长范围内的辐射。
所述不透明的材料层可以对于EUV辐射不透明。所述不透明的材料层可以对于波长范围在500-2000nm内的辐射不透明。
根据本发明的一个方面，提供一种光刻设备，包括：照射系统，配置成调节辐射束；支撑件，构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面中赋予辐射束以形成图案化的辐射束；根据前述本发明的各个方面中的任一方面的衬底台，所述衬底台构造成保持衬底；和投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。
根据本发明的一个方面，提供了一种器件制造方法，所述方法包括：使用本发明的光刻设备来制造器件，其中所述方法包括：使用传感器测量EUV辐射束的光学性质和使用传感器测量衬底台和掩模的对准。
根据本发明的一个方面，提供一种光刻设备，所述光刻设备包括：照射系统，配置成调节辐射束；支撑件，构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面中赋予辐射束以形成图案化的辐射束；带有传感器的衬底台，所述传感器包括设置有对于辐射不透明的材料层的材料块体、波长转换材料和波导，所述材料层具有至少一个窗口，所述窗口配置成允许辐射透射，所述波长转换材料设置在所述窗口处，所述波导定位成接收由波长转换材料发出的辐射，所述波导嵌入在材料块体中，并配置成引导由波长转换材料发出的辐射穿过所述材料块体并将其朝向探测器引导，所述衬底台构造成保持衬底；和投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。
根据本发明的一个方面，提供一种器件制造方法，所述方法包括：使用光刻设备，所述光刻设备包括：照射系统，配置成调节辐射束；支撑件，构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面中赋予辐射束以形成图案化的辐射束；带有传感器的衬底台，所述传感器包括设置有对于辐射不透明的材料层的材料块体、波长转换材料和波导，所述材料层具有至少一个窗口，所述窗口配置成允许辐射透射，在所述窗口处设置所述波长转换材料，所述波导定位成接收由波长转换材料发出的辐射，所述波导嵌入在材料块体中，并配置成引导由波长转换材料发出的辐射穿过所述材料块体并将其朝向探测器引导，所述衬底台构造成保持衬底；和投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，所述方法还包括使用传感器测量EUV辐射束的光学性质和使用传感器测量衬底台和图案形成装置的对准。
根据本发明的一个方面，提供了一种器件制造方法，所述方法包括：以图案形成装置对EUV辐射束进行图案化；借助投影系统将图案化的辐射束投影到由衬底台支撑的衬底上；借助衬底台中的传感器测量EUV辐射束的光学性质，所述传感器包括设置有对于辐射不透明的材料层的材料块体、波长转换材料和波导，所述材料层具有至少一个窗口，所述窗口配置成允许辐射透射，在所述窗口处设置所述波长转换材料，所述波导定位成接收由波长转换材料发出的辐射，所述波导嵌入在材料块体中，并配置成引导由波长转换材料发出的辐射穿过所述材料块体并将其朝向探测器引导；和借助传感器测量衬底台和图案形成装置的对准。
附图说明
下面仅通过示例的方式，参考示意性附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的参考标记表示相应的部件，在附图中：
图1示出根据本发明一实施例的光刻设备；
图2是图1的设备的更详细的视图；
图3是根据本发明的一实施例的光刻设备的传感器和衬底台的示意图；
图4是图3的传感器的示意图；
图5是传感器的一实施例的示意图；
图6是根据本发明的一实施例的传感器的一部分的示意图；和
图7是根据本发明的替代实施例的传感器的一部分的示意图。
具体实施方式
图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的包括源收集器模块SO的光刻设备100。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，EUV辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模或掩模板)MA，并与配置用于精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如折射式投影系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式来保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。
术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置MA可以是透射式的或反射式的。图案形成装置MA的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
投影系统，同照射系统一样，可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用真空之类的其他因素所适合的。可以期望对于EUV辐射使用真空，因为其它气体可以吸收太多的辐射。因此可以借助于真空壁和真空泵将真空环境设置于整个辐射束路径。
如这里所示的，所述设备是反射型的(例如，采用反射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。
参照图1，所述照射器IL接收来自于辐射源收集模块SO的极紫外(EUV)辐射束。产生EUV光的方法包括，但不必限于，将材料转换成具有含有EUV范围中的一条或更多条发射谱线的至少一种元素(例如氙、锂或锡)的等离子体状态。在一种这样的方法中，经常提及激光产生等离子体(“LPP”)，所需的等离子体可以通过以激光束辐照燃料(例如具有所需的谱线发射元素的材料的液滴、流或簇)而产生。源收集模块SO可以是EUV辐射系统的一部分，所述EUV辐射系统包括激光器(图1中未示出)，用于提供用于激发燃料的激光束。所形成的等离子体发出输出辐射，例如EUV辐射，其使用辐射收集器收集，所述辐射收集器设置在源收集器模块中。所述激光器和源收集器模块可以是分立的实体，例如当CO2激光器用于提供用于燃料激发的激光束时。
在这种情况下，激光器不被考虑成构成光刻设备的一部分，辐射束借助于束传递系统从激光器传到源收集器模块，所述束传递系统包括例如合适的引导反射镜和/或扩束器。在其它情况下，所述源可以是源收集模块的组成部分(例如当所述源是放电等离子体EUV生成器(经常被称为DPP源)时)。
照射器IL可以包括配置用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如琢面化的场和光瞳反射镜装置。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经从图案形成装置(例如，掩模)MA反射之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器PS2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器PS1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。
所示的设备可以用于以下模式中的至少一种中：
1.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后，将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。
2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。
3.在另一种模式中，将保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
图2更详细地示出设备100，其包括源收集器模块SO、照射系统IL和投影系统PS。源收集器模块SO被构造和布置成使得真空环境可以保持在源收集器模块SO的封闭结构220中。在一实施例中，EUV发射等离子体210可以通过以从光源LA(例如激光器)发出的激光束205辐照燃料(例如具有由燃料源200提供的所需的谱线发射元素的材料的液滴、流或簇)。在一实施例中，EUV辐射发射等离子体210可以由放电产生等离子体源形成。EUV辐射可以由气体或蒸气(例如Xe气、Li蒸气或Sn蒸气)产生，在所述气体或蒸气中形成非常热的等离子体210以发出在电磁谱的EUV范围中的辐射。非常热的等离子体210通过例如导致至少部分离子化的等离子体的放电而形成。Xe、Li、Sn蒸气或任何其它合适的气体或蒸气的例如10Pa的分压对于辐射的有效生成可能是需要的。在一实施例中，被激发的锡(Sn)的等离子体被提供以产生EUV辐射。
源收集器模块SO可以包括辐射收集器CO，所述辐射收集器CO可以是所谓的正入射辐射收集器。由辐射收集器CO反射的辐射被聚焦在虚拟源点IF处。虚拟源点IF通常被称为中间焦点，所述源收集器模块布置成使得中间焦点IF位于封闭结构220中的开口221处或开口221附近。虚拟源点IF是辐射发射等离子体210的图像。
随后，辐射穿过照射系统IL，所述照射系统IL可以包括琢面化场反射镜装置22和琢面化光瞳反射镜装置24，所述琢面化场反射镜装置22和琢面化光瞳反射镜装置24布置成在图案形成装置MA处提供辐射束21的期望的角度分布以及在图案形成装置MA处提供辐射强度的期望的均匀性。当辐射束21在由支撑结构MT所保持的图案形成装置MA处被反射时，形成图案化辐射束26，且由投影系统PS通过反射元件28、30将图案化的辐射束26成像到由衬底台WT所保持的衬底W上。
通常在照射光学单元IL和投影系统PS中可以存在比所示出的元件更多的元件。光栅光谱滤波片可以可选地设置，这依赖于光刻设备的类型。进而，可以存在比图中示出的反射镜更多的反射镜，例如在投影系统PS中可以存在除如图2所示的反射元件之外的1-6个附加的反射元件。
衬底台WT设置有根据本发明一实施例的对准传感器AS。
图3示意性地示出对应于如图1和2所示的衬底台的衬底台WT。对准传感器AS设置在衬底台WT中。对准传感器AS包括光栅1，光栅1由一系列线示意性表示。尽管在图3中示出仅仅三根线，但是光栅1可以包括任何合适数量的线。光栅1例如可以是用于对准的衍射光栅(即对准光栅)。对准传感器AS形成在材料块体中，在该实施例中，所述材料块体是半导体芯片2(例如由硅或一些其它合适的半导体形成)。在图3中在衬底台WT下方以放大视图示出半导体芯片2的一部分。
如从该放大视图可见，对准传感器AS包括波长转换材料4和波导5。波导嵌入在半导体芯片2中并配置成接收和引导由波长转换材料4发出的辐射。波导5包括芯6和覆层7，所述覆层7包围所述芯。芯6的折射率高于覆层7。折射率的这种差异足够大以使得由波长转换材料4发出的辐射基本上由波导所限制，从而辐射被沿着波导5引导。波长转换材料例如可以是当EUV辐射入射到其上时发出红外或可见辐射的材料。波长转换材料例如可以发射在500-2000nm范围中的辐射。
以放大视图示出对准光栅1的一部分。对准光栅包括对于EUV辐射不透明的材料层8，所述材料层设置有窗口9。不透明的材料8例如可以是铝，或可以是任何其它合适的材料。不透明的材料8阻挡EUV辐射，而EUV辐射可以通过窗口9。不透明的材料8和窗口9因此形成对准光栅的一部分。
图3还示意性地示出半导体芯片2沿着线A的剖视图。如图所示，波导5具有矩形的横截面(虽然其可以具有任何其它合适的横截面形状)。芯6的高度hc(和宽度)可以是由波长转换材料4发出的辐射波长的量级，或可以比其更大。在该情况下，辐射波长是当辐射处于芯6中的辐射波长，在芯6中的辐射波长远小于空气中的辐射波长。芯6的厚度(和宽度)可以小于由该转换材料发出的辐射波长。然而，如果其明显小，则这可以在辐射沿着波导行进时产生辐射的明显损失。通常，芯6越小，则在辐射传播时(尤其是在波导的拐角处或弯曲部)从波导损失的辐射越多。芯6越小，在芯内部的辐射越少，在芯外部的辐射越多。处在芯6外部的辐射将处在覆层7的内部。然而，如果覆层不足够厚，则辐射将从覆层泄漏至半导体芯片2中，由此减小能够由探测器探测到的辐射量。相反，如果芯越大，则在芯中保留的辐射越多，能够由探测器探测的辐射越多。另外，越大的芯可以收集越多的来自波长转换材料4的辐射。
覆层7的厚度tc1可以是由波长转换材料4发出的辐射波长的量级，或可以比其更大。在该情况下，辐射波长是当辐射处于覆层7中时的辐射波长，在覆层7中的辐射波长远小于空气中的辐射波长。尽管覆层7可以具有对应于由波长转换材料4发出的辐射的波长的厚度，但是覆层可以比这更厚。提供较厚的覆层可以减小当辐射沿着波导6行进时所损失的辐射量，因为较少的辐射从覆层泄漏至半导体芯片2中。
波导5的高度hw可以是由波长转换材料4发出的辐射的波长的三倍或更多倍。波导5的宽度可以类似地是由波长转换材料4发出的辐射的波长的三倍或更多倍。
波长转换材料4可以例如发出红外或可见辐射。芯的高度因此可以例如小于10微米，小于5微米，小于2微米或小于1微米。芯的宽度可以例如小于10微米，小于5微米，小于2微米或小于1微米。覆层的厚度可以例如小于10微米，小于5微米，小于2微米或小于1微米。波导的高度和/或宽度因此可以小于30微米，小于15微米，小于6微米或小于3微米。
不透明的材料8可以例如是Al、Cu、TiN或任何其他合适的材料(例如金属)。不透明的材料可以例如被设置为约100nm厚的层，或具有一些其它合适厚度的层。
波导芯6可以由Si、SiO2、SiC、Si3N4、InGaAsP或任何其他合适的材料(例如，诸如由第III-V族和/或第II-VI族元素和/或第IV族元素形成的半导体等任何合适的半导体材料)形成。波导覆层7可以由SiO2、Si3N4、SiC、InGaAsP或任何其他合适的材料(例如，诸如由第III-V族和/或第II-VI族元素和/或第IV族元素形成的半导体等任何合适的半导体材料)形成。波导覆层7可以由与半导体芯片2相同的材料构成。在使用InGaAsP的情况下，其可以设置在InP块体或GaAs块体中(例如半导体芯片2可以由InP或GaAs形成)。在使用Si、SiC或Si3N4的情况下，其可以设置在Si或SiO2块体(例如半导体芯片2可以由Si形成)中。替代地，半导体芯片可以由CdTe形成。半导体芯片2可以由任何合适的半导体材料形成(例如由第III-V族和/或第II-VI族元素或由第IV族元素(例如Ge)形成的半导体)。用于形成半导体芯片2的半导体材料可以具有与用于形成覆层7和芯6的材料的晶格(lattice)相匹配的晶格。用于形成半导体芯片2的半导体材料可以具有尺寸足够接近覆层7和芯6的晶格尺寸的晶格，以使得在材料界面处产生的应力不会造成波导5被错误的形成。
在使用InGaAsP的情况下，其光学性质(包括折射率)和机械性质可以通过改变组成材料的相对浓度来调节。对于In(x)Ga(1-x)As(y)P(1-y)，x和y的值可以在0到1之间变化以改变相对浓度和调节光学和机械性质。类似地，其它材料的光学性质可以通过改变组成材料的相对浓度来调节。
如上所述，芯6的折射率nc大于覆层7的折射率nc1，即nc＞nc1。
在选择哪种材料用于形成芯6和覆层7时可以对由波长转换材料4生成的辐射的波长进行考虑(例如，可以选择在该波长处基本上透射的材料)。
波长转换材料4例如可以是闪烁材料(例如YAG:Ce)或任何其它合适的闪烁材料。闪烁材料可以例如是P43。P43是通过使用Td激活Gd2O2S宿主材料(host material)而形成的磷光体。
波长转换材料4可以是半导体。EUV辐射光子具有大约90eV的能量，并因此提供足够的能量以激发半导体材料中的电子。如果半导体材料具有直接带隙，则光子将在这些电子弛豫至基态时被发出。合适的直接带隙半导体是来自于第III-V组和第II-VI组的半导体。可能期望波长转换材料发出波长在500-2000nm范围中的辐射，这是因为相对低损失的波导可以被构造以引导在该波长范围内的辐射。该波长范围对应于0.6-2.4eV范围的光子能量。具有落入该范围的带隙的半导体材料可以用作波长转换材料。具有在该范围中的带隙的半导体材料包括GaAs(带隙约1.4eV)、AlGaAs(带隙约1.42-2.16eV)、InGaAs(带隙约0.36-1.43eV)和InGaAsP(带隙约0.9-1.3eV)。可以使用其它半导体材料。波长转换材料4的性质可以通过改变组成材料的相对浓度来调节。
制造半导体芯片2，包括波导5，可以借助本领域的常用光刻技术或其它公知技术来实现。图案可以被曝光到抗蚀剂上，被处理和蚀刻，以便形成波导和对准光栅，并可以用于形成波长转换材料。光刻技术例如可以使用Si和可以在Si上生长的材料。然而，材料(例如GaAs和AlGaAs)的晶格尺寸不同于Si，并因此可以不将这些材料生长到Si(或相关材料)上。因此，波长转换材料4可以通过将该材料粘到半导体芯片2上而不是将其生长而被提供。例如，一旦波导5已经形成，则波长转换材料4(例如InGaAs或AlGaAs)可以被粘到波导的顶部，波长转换材料设置为横跨半导体芯片(可以横跨多个半导体芯片)延伸的层。在可替代的方法中，波长转换材料可以使用范德华键合而被键合至半导体芯片2。也可以将来自第III-V族的半导体粘合或键合到Si芯片或晶片上。在将波长转换材料4粘合或键合到波导上之后，光刻图案化和蚀刻可以用于去除不希望的波长转换材料，以使得波长转换材料仅仅保持在期望的一个或更多个位置中(例如如图3所示)。然后，可以使用常规光刻技术将附加的半导体芯片材料和覆层材料设置在半导体芯片上。在此之后，可以使用常规的光刻技术来形成对准光栅1。
半导体芯片2可以是都一起形成在半导体晶片(也被称为衬底)上的多个半导体芯片中的一个。
覆层7可以由单一材料构成或可以由材料的组合构成。不同的材料可以用于在芯6的不同侧上形成覆层7。例如，用于在芯6上方形成覆层7的材料可以不同于用于在芯下方形成覆层的材料和/或可以不同于用于在芯的左和/或右侧上形成覆层的材料。
芯6可以由不同的材料制成。例如，半导体的交替层可以用于形成芯6。在一实施例中，InGaAsP和InP的交替层可以用于形成芯6。可以完成这一过程以提供具有期望的折射率的芯6。
图3仅仅示出一个窗口9和一个波导5。图4是对准传感器AS的剖视图，其放大程度小于图3并因此可以示出更多的窗口和波导。五个波导15a-e在半导体芯片2中都在竖直方向上依次排列(beneath one another)(即它们基本上在竖直方向上排列)。波导15a-e都设置在不同的深度处，以使得它们在z方向上被隔离。这允许波导通到半导体芯片2的一端而不彼此相交。波导15a-e中的每一个可以具有如图3所示的结构(即，由覆层包围的芯)。然而，该结构从图4中省略以简化表示。波导15a-e配置成沿着x方向引导辐射。在图4中示出间断14，该间断表示波导15a-e可以明显地长于如图4中所示的情况。波导15a-e可以例如延伸超过1cm，可以延伸超过2cm，或可以延伸超过3cm。
波导15a-e最初从波长转换材料4向下延伸，然后在最终水平延伸之前沿对角线方向延伸。波导15a-e的向下延伸部具有不同的长度，而波导的对角线方向延伸部也具有不同的长度。这允许波导15a-e的水平延伸部设置在不同的深度处。
当辐射从波导的向下延伸部通到对角线方向延伸部时，可能损失一些辐射。类似地，当辐射从波导的对角线方向延伸部通到水平延伸部时，可能损失一些辐射。假定在探测器处接收到足够的辐射以允许辐射以期望的信噪比被探测，则这将不会影响对准传感器的性能。即使在波导中出现显著的辐射损失(例如达80％的辐射损失)，也可以有效地使用对准传感器。
如果波导中的辐射损失能够对对准传感器的性能具有明显的效应，则波导可以配置成使得辐射损失小于期望的量。这可以例如通过确保在波导的不同部分之间所成的角度不超过预定的值来实现。可以通过提供具有曲线部的波导而不是具有拐角的波导而实现。
如果从波长转换材料发出的辐射量足够高，则波导的对角方向部分可以被省去。替代地，波导例如可以包括90°拐角。在该拐角处可能损失一些辐射，但是可以保持足够的辐射以允许对准传感器被有效地使用。
探测器16a-e设置在每个波导15a-e的端部处，每个探测器配置成探测已经沿着该波导行进的辐射。探测器例如可以位于半导体芯片2中。可替代地，探测器可以毗邻半导体芯片2设置(如图所示)，半导体芯片2例如保持在衬底17中。探测器16a-e例如可以是光电二极管。探测器16a-e可以例如设置成两维阵列。探测器16a-e可以例如是CCD阵列。来自探测器16a-e的输出信号被通到处理电子装置(未示出)。
如上所述，不透明的材料8设置在半导体芯片2的顶部上。所述不透明的材料设置有一系列窗口9。窗口9周期地间隔，并因此在不透明的材料8中形成光栅1。在每个窗口9下方设置一片波长转换材料4。每片波长转换材料4由半导体芯片2的半导体材料隔开。半导体芯片2可以由对于EUV辐射不透明且也对于由波长转换材料4所发出的辐射不透明的材料制成。半导体芯片材料可以由此防止在波长转换材料片之间出现串扰。附加地或替代地，金属或对于由波长转换材料发出的辐射不透明的一些其它材料可以设置在波导之间，从而防止在它们之间出现串扰。金属可以例如设置在覆层7的外边界处。金属例如可以是厚度小于0.5微米的金属层。
在对准过程中，EUV辐射入射到对准传感器AS上。入射到不透明的材料8上的EUV辐射被阻挡。然而，落到窗口9上的EUV辐射穿过窗口并入射到波长转换材料4上。波长转换材料4发出波长比EUV辐射的波长更长的辐射(例如发出可见辐射或红外辐射)。该辐射沿着波导15a-e引导，并行进至探测器16a-e。由探测器接收到的辐射可以用于获得在掩模MA和衬底台WT之间的对准(见图2)。
图5示意性地示出本发明的一实施例。图5以部分剖视图示意性地示出从上方观察的对准传感器的一部分。探测器从图5省去。然而，探测器可以例如以上述方式设置。对准传感器包括不透明的材料8设置所在的半导体芯片2。不透明的材料8设置有一系列窗口9，所述窗口具有周期间隔，以使得它们形成光栅1。一系列波导25a-e沿着x方向延伸。每个波导25a-e连接至不同的窗口9，并配置成沿着x方向引导辐射。尽管图5中没有示出，波长转换材料位于每个窗口9处，但是波长转换材料配置成接收EUV辐射并发出具有更长波长的辐射(例如，可见或红外辐射)。
如图5所示，每个波导25a-e在y方向上间隔开，由此允许辐射由波导引导而在它们之间没有出现串扰。由于波导在y方向上被间隔开，所以它们不需要被竖直地间隔开(例如沿z方向)，当然它们也可以沿该方向被间隔开。波导25a-e可以例如都在同一深度处沿着半导体芯片2通过(当然它们也可以具有不同的深度)。探测器(未示出)可以例如位于波导25a-e的与窗口9相对的端部。
在本发明的实施例中(未示出)，一些波导可以在z方向上间隔开和在y方向上间隔开。波导可以具有任何合适的形式。尽管在附图中波导的延伸至探测器的部分在x方向上延伸，但是波导可以在y方向上延伸，或在其它任何方向上延伸(例如基本上横向于(即垂直于)光刻设备的光轴)。虽然在附图中波导的延伸至探测器的部分相互平行，但是波导可以是不平行的。一些波导可以沿着相反的方向，基本上相反的方向或不同的方向延伸。在这种情况下，探测器相应地可以设置在不同的位置处，以接收已经由波导引导的辐射。探测器可以例如位于半导体芯片2的不同侧上。
可以为每个窗口设置独立的波导。可替代地，波导可以配置成接收来自多于一个窗口的辐射(在由波长转换材料进行波长转换之后)。可以为所有窗口设置一个波导。类似地，可以为所有窗口设置单件波长转换材料。
当期望将图案形成装置MA与衬底台WT对准(见图1和图2)时，可以使用例如对准传感器AS。这可以通过将EUV辐射引导穿过设置在图案形成装置MA上的光栅来实现，以使得光栅图像形成在衬底台WT附近(这被称为掩模光栅图像)。衬底台WT可以被定位成使得对准光栅AS与掩模光栅图像交叠。测量衬底台WT相对于掩模光栅图像的位置，由此允许实现在图案形成装置MA和衬底台之间的对准。
落到对准光栅1的不透明的材料8上的掩模光栅图像的EUV辐射不被透过并因此不被探测器16a-e所探测。落到窗口9(即对准光栅1的透射性部分)上的EUV辐射入射到波长转换材料4上。于是，该EUV辐射使得辐射由波长转换材料4发出，该辐射沿着波导15a-e、25a-e行进至探测器。由探测器探测到的辐射量依赖于掩模光栅图像相对于对准传感器光栅1的对准。如果光栅图像和对准传感器光栅1都具有相同的周期，则当掩模光栅图像的亮部与对准光栅的窗口9对准时可以在探测器上观察到最大信号。当掩模光栅图像的亮部与对准光栅1的不透明的材料8对准时将观察到最小信号。当掩模光栅图像的亮部与对准传感器光栅1的窗口9部分交叠时可以观察到中间信号。
在一种对准方法中，衬底台WT横向于z方向移动(例如沿着x方向移动)，以使得对准光栅移动穿过掩模光栅图像。由探测器所探测的辐射强度在该移动过程中被监测，且强度的变化被用于确定对准光栅1相对于掩模光栅图像的位置。这允许衬底台WT的位置相对于图案形成装置的位置来确定，由此允许图案形成装置和衬底台对准。粗对准可能已经被执行以便确保光栅1的位置处在实现衬底台WT和图案形成装置MA的相对位置的正确确定所需要的捕捉范围内。该粗对准可以例如使用周期更长的另一对准光栅来执行，或可以使用一些另外的对准系统来执行。
在一实施例中，来自探测器16a-e的输出信号都可以被加在一起，以使得处理器(未示出)处理单个辐射强度值。可替代地，单个探测器可以用于探测由波导15a-e、25a-e而不是多个探测器传递的辐射。这两种途径中的任一种都可以允许光刻设备的对准以与常规的光刻设备中的实现方式相同的方式来执行(其中单个光电二极管直接位于衬底台对准光栅下面)。
在一实施例中，来自探测器16a-e的输出信号可以由处理器独立地处理。在这被实现的情况下，处理器设置有比仅仅使用单个辐射强度值的情况更多的信息。这可以允许处理器以与常规方式不同的方式测量对准。例如，从每个波导探测到的不同的强度可以用于确定在将衬底台移动通过比现有技术的系统中的扫描移动更小的扫描移动时的衬底台WT和图案形成装置MA的相对位置。
在来自探测器16a-e的输出信号由处理器独立地处理的一实施例中，对准可以被测量而不使用衬底台WT(或图案形成装置MA)的扫描移动而被测量。衬底台WT(相对于图案形成装置MA)的对准位置可以通过比较来自探测器16a-e的输出信号来确定，以观察哪一探测器具有最高的输出信号。具有最高的输出信号的探测器可以被考虑成表示从图案形成装置MA投影的图案的中心点，且该信息可以用于实现衬底台WT和图案形成装置的对准。
当在不使用衬底台WT(或图案形成装置MA)的扫描移动的情况下确定对准时可能使用的本发明的一实施例如图6中示意性地示出。图6示出从上方观察到的对准传感器的一部分。设置对EUV辐射不透明的材料层108，所述材料层具有两组窗口109、110。在每个窗口中设置波长转换材料4。波导(未示出)从每个窗口以与上述其它实施例相同的方式通到探测器(也未示出)。波导可以具有如上结合其他实施例所述的性质。
窗口109、110沿x方向交错布置。即，给定组窗口109、110的每个窗口在x方向上相对于相邻的窗口偏移。X方向偏移量可以彼此相等或可以不同。X方向的偏移量对于每组窗口109、110是相同的，或可以是不同的。
两个对准光栅线40a、40b的图像也如图6所示。所述图像由已经穿过图案形成装置MA(见图2)中的光栅的开口的EUV辐射所形成，所述开口由投影系统PS成像到材料层108上。如图所示，图像40a、40b与所述窗口组109、110部分地交叠。
参照第一图像40a可知，图像不与所述窗口组的第一窗口109a和第二窗口109b交叠。所述图像与所述窗口组的第三窗口109c和第四窗口109d部分地交叠，并完全叠置在窗口组的第五窗口109e和第六窗口109f上。检测由位于窗口中的波长转换材料4发出的辐射的探测器因此输出可以用于确定图像40a在x方向上的位置的信号。从窗口组的前两个窗口109a、b将接收不到辐射或接收到很少的辐射。从第三窗口109c将接收到少量的辐射，从第四窗口109d将接收到大量的辐射。从第五和第六窗口109e、f将接收到更大量的辐射。光刻设备的处理器因此可以确定图像40a的左边缘的位置，并可以由此确定图像的位置。
参考第二图像40b可见，图像以与窗口组110不同的方式交叠。再者，由连接至窗口的探测器所探测的辐射强度允许图像40b的位置被确定。
窗口组109、110允许图案形成装置MA对准标记的线的图像40a、40b的位置在没有衬底台WT的扫描移动的情况下被确定。这允许衬底台WT相对于图案形成装置MA的对准在没有执行衬底台的扫描移动的情况下被确定。
虽然，图6中仅示出两组窗口109、110，但是可以使用任何合适数量的窗口组。类似地，虽然每组窗口109、110包括六个窗口，但是一组窗口可以包括任何合适数量的窗口。虽然每个窗口被描述成具有独立的波导和探测器，但是可以将多于一个的窗口与给定的波导相关联。探测器可以接收来自多于一个窗口的辐射。
在窗口组109、110的x方向位置上的差别可以确定衬底台WT相对于图案形成装置MA的对准所确定的精度。将窗口以较小的间隔交错布置可以提供对准测量的较高的精度，以较大的间距的交错布置可能提供对准测量的较低的精度。
在y方向上延伸的窗口组可以设置成用于允许衬底台WT相对于图案形成装置MA在y方向上对准。
图7示意性地示出从上方观察的根据本发明的另一替代实施例的对准传感器AS的一部分。三个对准光栅201a-c形成在对于EUV辐射不透明的材料层208中。光栅201a-c包括窗口209，每个窗口设置有波长转换材料4。
图7的右侧示意性地以剖视图示出第一光栅201a的一些窗口、第二光栅201b的一些窗口和第三光栅201c的一些窗口。在每一情况下，波长转换材料4设置在窗口中，且波导215穿过半导体材料2通到探测器(未示出)。
在第一光栅201a中，窗口设置在半导体材料的表面处或接近半导体材料的表面。在第二光栅201b中，窗口设置在半导体材料中的凹陷中。因为窗口设置在凹陷中，所以它们在z方向上具有比第一光栅201a的窗口更低的位置。在第三光栅201c中，窗口设置在半导体材料上方，对EUV不透明的材料层208已经在该位置中设置为较厚的层，以便允许窗口相对于半导体材料升高。第三光栅201c的窗口在z方向上比第一窗口组201a更高。光栅201a-c的窗口设置在不同的高度处。
如图所示，在每种情况下，波长转换材料4位于窗口的上表面处或邻近窗口的上表面。
如图7所示的实施例允许对准传感器AS相对于投影系统PS的图像焦平面的位置被确定。在图7中，示出了设置在图案形成装置MA中的对准标记线的图像240a、240b。所述图像示出为具有锐利的边缘。然而，在实际中，图像的边缘的锐利度将依赖于在z方向上相对于投影系统的图像焦平面的位置。将半导体材料2的上表面位于投影系统的图像焦平面中的情况作为示例，对准光栅线图像240a、240b将在第一对准光栅201a附近具有锐利的边缘，因为第一对准光栅位于投影系统的图像焦平面中或接近投影系统的图像焦平面。第二对准光栅201b处在投影系统的图像焦平面下面。因此，对准光栅图像240a、240b将具有扩散的边缘，入射到第二对准光栅201b的窗口上的辐射强度将被减小。类似地，第三对准光栅201c将位于图像焦平面的上方，并因此对准光栅图像240a、240b的边缘将是扩散的且入射到第三对准光栅的窗口上的辐射的强度将被减小。
连接至探测器(未示出)的处理器将基于在探测器处接收到的辐射强度来确定图像焦平面对应于第一对准光栅201a的在z方向上的位置(或其离该平面比离第二或第三对准光栅201b、201c的平面更近)，所述探测器接收由波长转换材料4发出的辐射。因此，对准传感器AS允许衬底台WT相对于投影系统PS的图像焦平面的位置在不进行衬底台在z方向上的扫描移动的情况下被确定。
虽然图3示出在三个不同的z方向高度处的对准光栅，但是可以设置任何合适数量的对准光栅。对准光栅可以设置在高度的任何合适的组合处。衬底台WT的z方向位置的可以被确定的精度可以依赖于在对准光栅201a-c之间的z方向间隔。
虽然图7示出了三个对准光栅201a-c，但是可以提供任何数量的对准光栅。对于给定的对准光栅的z方向间隔，增加对准光栅的数量将增加投影系统PS的焦平面的位置可以被确定所在的捕捉范围。
对准光栅的z方向间隔将确定投影系统的焦平面的位置可以被确定所具有的精度。减小z方向的间隔将增加该精度，且增加z方向的间隔将减小该精度。
除去获得关于衬底台WT在z方向上的位置的信息之外，在图7中示出的对准传感器AS还可以用于确定衬底台WT相对于图案形成装置MA的x方向的对准。
以上结合图3-5所示的实施例所描述的特征也可以应用于图6和7中所示的实施例。本发明的任何实施例的特征确实将彼此组合。
波长转换材料4可以具有基本上与对EUV不透明的材料8的上表面共面的上表面。波长转换材料4可以设置在相对于对EUV不透明的材料8的任何合适的高度处。
在对准在不使用衬底台的扫描移动的情况下进行测量的一实施例中，对准传感器光栅的周期可以与掩模光栅图像的周期不同。在该情况下，对准传感器光栅的每个窗口将具有与掩模光栅图像稍稍不同的交叠。这允许比对准传感器光栅具有与掩模光栅图像相同的周期的情况收集更多的关于对准传感器和掩模光栅图像的相对位置的信息。
在不需要衬底台WT的扫描移动来将衬底台与图案形成装置MA对准的情况下，对准可以更快地进行，由此允许光刻设备的生产率增加。
在本发明的实施例中，波导可以嵌入到半导体材料中(例如在半导体芯片中)。波导可以被考虑成一体地形成在半导体材料(例如，半导体芯片)中。波长转换材料和对准光栅也可以被考虑成与半导体材料一体地形成。在这种情况下，术语“一体地形成”可以被考虑成意味着波导、波长转换材料、对准光栅和半导体材料(例如半导体芯片)形成固体块体。该结构可能是有优势的，因为本发明的实施例的对准传感器与例如包括连接在一起的分立设置的对准光栅、波长转换材料、光纤和探测器的对准传感器相比是鲁棒性的。对准传感器可以比包括分立设置的部件的对准传感器更稳定，这是因为所述部件更容易相互移动。对准传感器也可以具有比包括分立设置的部件的对准传感器更长的寿命，这是由于所述分立设置的部件更容易彼此脱离。
在为衍射光栅的每个窗口提供分立的波导的实施例中，衍射光栅可以具有任何期望的长度。如果单个波导用于收集由衍射光栅透射的所有辐射，则这将限制衍射光栅的长度，因为波导的性质可以限制波导的横截面面积。
当分立的波导和分立的探测器用于衍射光栅的每一窗口时，处理器能够获得大量的信息。因此，对准传感器可以用于测量图案形成装置MA和衬底台WT的除相对位置之外的性质(即传感器不仅仅是对准传感器)。例如，EUV辐射束的性质可以由传感器测量。这些性质可以包括EUV辐射束的强度的空间和/或时间变化、辐射束的像差、辐射束的焦平面的位置等。所述性质可以通过以下方式来进行测量：使用图案形成装置MA将合适的孔或图案定位在EUV辐射束中，然后测量由传感器的不同探测器所接收的辐射，例如作为对准传感器和/或图案形成装置MA的位置的函数。
在常规的对准传感器中，探测器位于对准光栅的下面且紧邻对准光栅。探测器探测由对准光栅透射的辐射并且透射电信号。探测器可以是显著的热源，且该热量可以给对准测量引入误差。对准传感器可以例如位于衬底台WT的边缘处，且来自探测器的热量可能使得衬底台的边缘扭曲。如果干涉仪用于测量衬底台WT的位置，则衬底台的边缘的这种扭曲可以给衬底台的所测量的位置引入误差。
本发明的实施例可以避免该缺陷，因为探测器位于离开对准光栅的位置(和可以位于离开衬底台WT的边缘的位置处)处。所述探测器可以例如位于离对准光栅足够远的位置处，以使得由探测器发出的热量不到达对准光栅，或者足够远使得到达探测器的热量不具有对对准测量的明显影响。例如，探测器可以位于离对准光栅足够远的位置处，以使得由探测器发出的热量不会造成在对准光栅和保持在衬底台WT上的衬底之间的衬底台的机械变形。另外，探测器可以例如位于离衬底台WT的边缘足够远的位置处，以使得由探测器发出的热量不会到达衬底台的相邻的边缘，或者足够远使得热量不造成在对准标记与衬底台的相邻的边缘之间的明显变形。
探测器可以例如设置在与冷却设备(例如主动冷却设备，如使用水循环的设备)相邻的位置处。
在一实施例中，探测器不设置在波导的端部处。替代地，可以设置附加的波导，所述附加的波导设置成接收已经沿着波导行进的辐射并且引导该辐射。探测器可以设置在附加波导的远端处。所述附加的波导可以例如是光纤，或可以形成在半导体材料中。附加的波导可以例如用于将辐射传送至衬底台WT中的离开对准传感器AS的位置(例如处于离开半导体芯片的位置)。这可以降低不期望的热效应影响对准测量的可能性。附加的波导可以例如将辐射传送至离开衬底台WT的位置。这可以例如通过作为来自衬底台的缆线通过的光纤来完成。然而，信号也可以经由“开放空间”传送，例如通过使用晶片平台WS上的LED和真空容器壁上的光电二极管将辐射从晶片平台WS传送至真空容器壁上的探测器。
可以使用发出不同的辐射波长的波长转换材料4。例如，参照图4，与每个波导15a-e相关联的波长转换材料可以发出不同的波长。在这种情况下，可以将行进至波导15a-e的端部处的辐射多路复用至单个附加的波导(例如光纤)中。被多路复用的辐射可以沿着附加的波导行进，然后在附加的波导的相反端处被解复用并且被检测。所述解复用例如可以包括配置成将辐射以波长依赖的方式朝向不同的探测器引导的一个或更多个光栅。
在一实施例中，波长转换材料可以发出宽带辐射，而不是不同波长转换材料4发出不同辐射波长。滤光器可以设置在波导中，每个波导设置有不同的滤光器，所述不同的滤光器配置成为每个波导选择不同的辐射波长。所述滤光器可以例如是布拉格光栅。基于多路复用的波长可以以上述方式与该实施例一起使用。
在一实施例中，时分多路复用可以用于替代基于波长的多路复用。这可以通过将不同的延迟应用于由不同的波长转换材料4发出的辐射脉冲来实现。所述光刻设备生成脉冲式的EUV辐射，并因此，由波长转换材料发出的辐射将自然地被脉冲化，所有脉冲同时生成。所述脉冲可以通过提供具有不同长度的波导或通过提供设置成将由波长转换材料4发出的辐射的传播延迟的光子晶体来在时间上间隔开。由波长转换材料4发出的辐射的脉冲因此可以设置成串行地到达探测器处，由此允许探测器独立地探测所述脉冲。
在本发明所示的实施例中，示出沿着x方向延伸的对准光栅。可以提供沿着y方向延伸的对准光栅。可以提供沿着垂直方向延伸的一对对准光栅。
在一实施例中，对准光栅可以包括窗口的两维阵列。所述窗口可以形成为矩形形状(例如包括棋盘型构造的一组方形)。在这种情况下，同一对准光栅可以用于获得在两个垂直方向(例如x方向和y方向)上的对准。不同的波导可以从对准光栅的每一窗口延伸。波导中的至少一些可以延伸至不同的深度，以便允许波导远离对准光栅移动而不相互交叉。所述探测器可以例如设置成阵列。所述探测器可以例如包括CCD阵列。
在一实施例中，所探测到的辐射可以由处理器转换成数字信号。在衬底台WT上的辐射发射器(例如LED)可以布置成发射经过调制的表示数字信号的辐射。位于离开衬底台的位置处的探测器(例如照相机)可以用于探测由辐射发射器发射的数字信号。由探测器探测到的信号然后可以行进至控制器、处理器或构成光刻设备的一部分的其它电子装置。
波导可以包括可以用于放大沿着波导行进的辐射的掺杂剂。所述掺杂剂例如可以是YAG:Ce中的Ce，或任何其他合适的材料。掺杂剂的光泵送可以例如使用LED或具有足够短以将掺杂剂激发至激发状态的波长(所述波长通常比从波长转换材料发出并沿着波导行进的辐射波长更短)的其它光源来提供。光泵送可以通过使用包括在衬底台中的光源或通过使用不包含在衬底台中的光源来实现(例如通过经由光纤将用于泵送的光传送至所需的位置)。掺杂剂可以设置在波导中，如果辐射损失被期望成很高以使得将在探测器处观察到不期望的低信噪比。合适的非线性晶体材料也可以用于放大波导中的辐射，例如没有用于光学参数放大的反对称性的非线性晶体材料。合适的非线性晶体材料的示例例如是铌酸锂(LiNbO3)、钽酸锂(LiTaO3)、铌酸钾(KNbO3)、磷酸钛氧钾(KTP，KTiOPO4)、KTA(KTiOAsO4)、磷酸二氢钾(KDP，KH2PO4)、RTP(RbTiOPO4)、RTA(RbTiAsPO4)、磷化锗锌(ZGP，ZnGeP2)，硫化镓银和硒化镓银(AgGaS2和AgGaSe2)、硒化镓(GaSe)和硒化镉(CdSe)。
半导体芯片2可以包括可以在光刻设备的操作过程中有用的其它部件。例如，半导体芯片2可以包括对准光栅(或其它对准标记)，其可以用于测量衬底W相对于衬底台WT的对准。对准光栅可以例如使用铝或一些其他合适的遮蔽材料形成。对准光栅可以与光学传感器、波导或其它部件不连接。
锆层(未示出)可以设置在窗口9、109、209之上(且可选地也设置在不透明的材料8之上)。锆将入射到其上的EUV辐射的大多数透过，但阻挡可能由源收集器模块SO发出的其它波长(例如，红外、可见、深紫外)。锆因此可以帮助减少或消除非EUV辐射对于使用传感器AS进行的测量的影响。锆层可以例如是大约100nm厚，或可以具有任何其它合适的厚度。锆层可以覆盖有用于防止氧化的保护层。所述保护层可以例如是TiN(例如大约10nm厚)，或可以是任何其它合适的材料。不同的材料可以用于替代锆来阻挡非EUV辐射而允许EUV辐射透射。
在本发明所示出的实施例中，窗口9是开放空间。然而，窗口9可以包括允许至少一些EUV辐射透射的材料(即，使得EUV辐射穿过材料行进至波长转换材料4)。窗口9可以例如由SiO2形成或可以由任何其它合适的材料形成。
波长转环材料可以设置在窗口9、109、209中而不是设置在窗口下面。波长转换材料可以部分地设置在窗口9、109、209中且部分地设置在窗口下面。波长转换材料4可以设置在窗口上方，或部分地设置在窗口上方。在这种情况下，由波长转换材料发出的一些辐射可以由不透明的材料8阻挡。通常，所述波长转换材料可以被描述成位于窗口处，这意味着波长转换材料可以位于窗口顶部、窗口中和/或窗口下面。
如上所述，波导可以被考虑成嵌入到半导体材料(例如半导体芯片2)中。波导可以考虑成设置在形成在半导体材料(例如半导体芯片2)中的导路中。波导和半导体芯片2可以被考虑成形成实体块体(即，没有空气存在于波导和半导体芯片之间的边界处)。
尽管在所示的实施例中窗口9、109、209形成光栅，但是所述窗口可以布置成形成任何期望的图案。术语“窗口”不意味着窗口由不透明的材料8整体地包围。不透明的材料可以从窗口9、109、209的一侧或更多侧省去。
虽然在本发明的实施例中波导5、15已经被示出在波长转换材料4下面，但是在其它实施例中，一个或更多个波导可以位于某些其它位置。例如，波导可以位于波导转换材料件的一侧。
波导与波长转换材料接触是不重要的。例如，可以在波长转换材料和波导之间设置间隙。所述间隙可以填充有提供在波长转换材料和波导之间的折射率匹配程度的材料。
术语“半导体芯片”可以被解释为半导体件(例如半导体块)。本发明的实施例的半导体波导设置在半导体件中。
半导体芯片是嵌入的波导可以设置于其中的材料块。在替代的示例中，材料块可以是电介质，例如玻璃、石英或一些其它合适的电介质。嵌入的波导可以通过沿着波导的期望路径局部地改变电介质的折射率而形成在电介质块体中。这可以例如通过使用激光脉冲来局部地改变折射率而在玻璃块体中实现。
术语“波导”可以被考虑成意味着引导辐射的结构。波导可以包括由以比相邻的材料更高的折射率的材料形成的中心部分，例如以使得在中心部分和相邻材料之间的边界处出现全反射。相邻的材料可以例如是包围中心部分(其可以是波导的芯)的覆层。可替代地，波导可以包括由金属包围的中心部分。所述金属可以用于限制由波长转换材料发出的辐射，以使得所述辐射沿着波导被引导(所述中心部分用作导向器)。由金属包围的中心部分可以例如是空气或可以是半导体(例如SiO2)。
在一实施例中，波导可以包括嵌入在半导体芯片(或其它材料块)中的光子晶体，所述光子晶体用作波导。
笛卡尔坐标已经在描述本发明的实施例时被使用，因为这是表达信息的方便的方式。笛卡尔坐标不应当被用于表示本发明或本发明的部件必须具有特殊的方向。
在材料被描述为“不透明”的情况下，这不一定意味着绝对没有辐射穿过。少量的辐射可以穿过所述材料，但是这比穿过设计成透射所述辐射的材料(例如波导芯材料)的辐射量明显要小。
虽然本发明的所述的实施例涉及EUV辐射的测量，但是本发明的实施例可以用于测量其它波长的辐射。例如，本发明的实施例可以用于测量DUV辐射(例如以由DUV光刻设备所使用的波长)。
虽然在本文中详述了光刻设备用在IC(集成电路)的器件制造中，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以在制造具有微米尺度、甚至纳米尺度的特征的部件方面有其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
在允许的情况下，术语“透镜”可以表示不同类型的光学部件中的任何一种或组合，包括折射式的、反射式的、磁性式的、电磁式的和静电式的光学部件。
这里使用的术语“EUV辐射”可以被考虑成包括具有在5-20nm范围内的波长的电磁辐射，例如具有在13-14nm范围内的波长的电磁辐射或例如具有在5-10nm范围内的波长(例如6.7nm或6.8nm)的电磁辐射。
尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。例如，本发明可以采用包含用于描述一种如上面公开的方法的一个或更多的机器可读指令序列的计算机程序的形式，或具有存储其中的这样的计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。以上描述旨在进行说明，而不是限制性的。因而，本领域普通技术人员可以理解，在不背离所附权利要求的保护范围的情况下可以对所描述的本发明进行修改。
本领域技术人员应当理解，本发明还包含以下方面的技术方案：
1.一种具有传感器的衬底台，所述传感器包括：
设置有对辐射不透明的材料层的材料块体，所述对辐射不透明的材料层具有配置成允许辐射透射的至少一个窗口；
位于所述窗口处的波长转换材料；和
定位成接收由波长转换材料发出的辐射的波导，所述波导嵌入在所述材料块体中，并配置成引导由波长转换材料发出的辐射穿过所述材料块体并将其朝向探测器引导。
2.根据方面1所述的衬底台，其中所述材料块体是半导体芯片或电介质块体。
3.根据方面1所述的衬底台，其中所述波导是多个波导中的一个，其中至少一些波导延伸至半导体芯片中的不同深度。
4.根据方面1所述的衬底台，其中所述对辐射不透明的材料层对于EUV辐射不透明和/或对于500-2000nm波长范围内的辐射不透明。
5.一种器件制造方法，所述方法包括：
使用光刻设备，所述光刻设备包括：照射系统，配置成调节辐射束；支撑件，构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面中赋予辐射束以形成图案化的辐射束；带有传感器的衬底台，所述传感器包括设置有对于辐射不透明的材料层的材料块体、波长转换材料和波导，所述材料层具有至少一个窗口，所述窗口配置成允许辐射透射，所述波长转换材料设置在所述窗口处，所述波导定位成接收由波长转换材料发出的辐射，所述波导嵌入在材料块体中，并配置成引导由波长转换材料发出的辐射穿过所述材料块体并将其朝向探测器引导，所述衬底台构造成保持衬底；和投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；所述方法还包括：
使用所述传感器测量EUV辐射束的光学性质；和
使用所述传感器测量衬底台和图案形成装置的对准。

Claims (15)

1.一种具有传感器的衬底台，所述传感器包括：
设置有对辐射不透明的材料层的材料块体，所述对辐射不透明的材料层具有配置成允许辐射透射的至少一个窗口；
位于所述窗口处的波长转换材料；和
波导，所述波导定位成接收由波长转换材料发出的辐射，所述波导嵌入在所述材料块体中，并配置成引导由波长转换材料发出的辐射穿过所述材料块体并将其朝向探测器引导。
2.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述对辐射不透明的材料层和所述窗口形成衍射光栅的一部分。
3.根据权利要求1或2所述的衬底台，其中所述窗口是多个窗口中的一个。
4.根据权利要求3所述的衬底台，其中一组窗口沿着第一方向延伸，其中至少一些窗口在第二方向上具有不同的位置，所述第二方向横向于所述第一方向。
5.根据权利要求3或4所述的衬底台，其中至少一些窗口设置在不同的高度处。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的衬底台，其中每个窗口设置有单件波长转换材料。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的衬底台，其中所述波导是多个波导中的一个。
8.根据权利要求3至7中任一项所述的衬底台，其中每个窗口与不同的波导相关联。
9.根据权利要求3至8中任一项所述的衬底台，其中
a)位于所述多个窗口中的一个或更多个窗口处的波长转换材料，和/或
b)设置在一个或更多个波导中的滤光器
配置成从500-2000nm波长范围中选择一个或更多个不同的辐射波长。
10.根据权利要求3至9中任一项所述的衬底台，其中所述探测器是多个探测器中的一个。
11.根据权利要求10所述的衬底台，其中来自所述多个探测器的输出信号由处理器独立地处理。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的衬底台，其中配置成放大由波长转换材料发出的辐射的掺杂剂或非线性晶体材料设置在所述波导中，且其中光泵布置成直接地将辐射泵送至所述光导中，所述泵送的辐射具有配置成用于激发掺杂剂或用于放大非线性晶体材料中的信号的波长。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的衬底台，其中所述波长转换材料配置成在EUV辐射入射到波长转换材料上时发出波长在500-2000nm的波长范围内的辐射。
14.一种光刻设备，包括：
照射系统，配置成调节辐射束；
支撑件，构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面中赋予辐射束以形成图案化的辐射束；
带有传感器的衬底台，所述传感器包括
设置有对辐射不透明的材料层的材料块体，所述对辐射不透明的材料层具有配置成允许辐射透射的至少一个窗口，
位于所述窗口处的波长转换材料，和
波导，所述波导定位成接收由波长转换材料发出的辐射，所述波导嵌入在材料块体中并配置成引导由波长转换材料发出的辐射穿过所述材料块体并将其朝向探测器引导，
所述衬底台构造成保持衬底；和
投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。
15.一种器件制造方法，所述方法包括：
以图案形成装置对EUV辐射束进行图案化；
借助投影系统将图案化的辐射束投影到由衬底台支撑的衬底上；
借助衬底台中的传感器测量EUV辐射束的光学性质，所述传感器包括设置有对于辐射不透明的材料层的材料块体、波长转换材料和波导，所述对辐射不透明的材料层具有至少一个窗口，所述窗口配置成允许辐射透射，所述波长转换材料设置在所述窗口处，所述波导定位成接收由波长转换材料发出的辐射，所述波导嵌入在材料块体中并配置成引导由波长转换材料发出的辐射穿过所述材料块体并将其朝向探测器引导；和
借助传感器测量衬底台和图案形成装置的对准。
CN2011104183811A 2011-08-24 2011-12-14 光刻设备、衬底台和器件制造方法 Pending CN102955369A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161526943P 2011-08-24 2011-08-24
US61/526,943 2011-08-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102955369A true CN102955369A (zh) 2013-03-06

Family

ID=47743283

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011104183811A Pending CN102955369A (zh) 2011-08-24 2011-12-14 光刻设备、衬底台和器件制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20130050674A1 (zh)
JP (1) JP2013046048A (zh)
KR (1) KR20130023016A (zh)
CN (1) CN102955369A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109416466A (zh) * 2016-07-11 2019-03-01 三菱电机株式会社 光线路、光扫描器、光合波分波器、波长监视器、光合波分波器模块和波长监视器模块
CN111989560A (zh) * 2017-12-15 2020-11-24 ams有限公司 使用波导的倏逝波的粒子密度传感器

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6118030B2 (ja) * 2011-04-05 2017-04-19 キヤノン株式会社 測定装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP6314423B2 (ja) * 2013-10-25 2018-04-25 凸版印刷株式会社 反射型マスク
NL2015100A (en) * 2014-07-30 2016-07-07 Asml Netherlands Bv Alignment sensor and lithographic apparatus background.
DE102016205893A1 (de) * 2016-04-08 2017-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor zum Einsatz in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
NL2018639A (en) * 2016-04-26 2017-11-01 Asml Netherlands Bv Measurement system, calibration method, lithographic apparatus and positioner
DE102018202096A1 (de) 2018-02-12 2019-08-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Bildsensor für eine positionssensorvorrichtung, positionssensorvorrichtung mit einem bildsensor, lithographieanlage mit einer positionssensorvorrichtung und verfahren zum betreiben eines bildsensors
CN111936937A (zh) * 2018-04-11 2020-11-13 Asml荷兰有限公司 水平传感器和光刻设备
KR20210134904A (ko) 2019-03-12 2021-11-11 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 투영 시스템 내의 수차를 예측하기 위한 방법 및 장치
JP2022539500A (ja) * 2019-06-24 2022-09-12 マジック リープ， インコーポレイテッド ポリマーのパターン化ディスクスタックの製造

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6151102A (en) * 1996-04-09 2000-11-21 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6522386B1 (en) * 1997-07-24 2003-02-18 Nikon Corporation Exposure apparatus having projection optical system with aberration correction element
CN1868032A (zh) * 2003-09-29 2006-11-22 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法以及器件制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0645228A (ja) * 1992-07-23 1994-02-18 Nikon Corp 投影露光装置
JPH10284415A (ja) * 1997-04-10 1998-10-23 Nikon Corp 結像位置検出装置及び半導体デバイスの製造方法
JPH11260709A (ja) * 1998-03-10 1999-09-24 Nikon Corp 露光装置および該露光装置に用いられるマスク
JP2001044098A (ja) * 1999-07-26 2001-02-16 Nikon Corp 露光装置、その露光装置における位置検出方法
JP4532927B2 (ja) * 2003-02-14 2010-08-25 キヤノン株式会社 露光装置
KR101289918B1 (ko) * 2003-09-29 2013-07-25 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
JP2005197445A (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Nikon Corp 検出装置、露光装置及び露光方法
JP4873242B2 (ja) * 2004-06-22 2012-02-08 株式会社ニコン ベストフォーカス検出方法及び露光方法、並びに露光装置
JP2008192987A (ja) * 2007-02-07 2008-08-21 Nikon Corp センサ、露光装置、デバイスの製造方法、及びセンサの製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6151102A (en) * 1996-04-09 2000-11-21 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6522386B1 (en) * 1997-07-24 2003-02-18 Nikon Corporation Exposure apparatus having projection optical system with aberration correction element
CN1868032A (zh) * 2003-09-29 2006-11-22 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法以及器件制造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109416466A (zh) * 2016-07-11 2019-03-01 三菱电机株式会社 光线路、光扫描器、光合波分波器、波长监视器、光合波分波器模块和波长监视器模块
CN109416466B (zh) * 2016-07-11 2020-11-06 三菱电机株式会社 光线路、光扫描器、光合波分波器、波长监视器、光合波分波器模块和波长监视器模块
CN111989560A (zh) * 2017-12-15 2020-11-24 ams有限公司 使用波导的倏逝波的粒子密度传感器
CN111989560B (zh) * 2017-12-15 2024-01-09 ams有限公司 使用波导的倏逝波的粒子密度传感器

Also Published As

Publication number Publication date
US20130050674A1 (en) 2013-02-28
KR20130023016A (ko) 2013-03-07
JP2013046048A (ja) 2013-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102955369A (zh) 光刻设备、衬底台和器件制造方法
CN101226340B (zh) 散射仪、测量设备和聚焦分析方法
KR101269298B1 (ko) 면 위치 검출 장치, 노광 장치 및 노광 방법
TWI597908B (zh) 一種１９３奈米雷射及使用一種１９３奈米雷射之檢測系統
KR100616589B1 (ko) 진공형 리소그래피 장치에 사용하는 간섭계형 정렬 시스템
CN101305259B (zh) 面位置检测装置、曝光装置以及元件制造方法
CN102623545A (zh) 辐射检测器及其制造方法和包含辐射检测器的光刻设备
CN110291464A (zh) 用于预测测量方法的性能的方法和设备、测量方法和设备
CN102132214A (zh) 光谱纯度滤光片和光刻设备
JP2007127646A (ja) 位置測定装置に使用する基板支持装置
TW201732223A (zh) 形貌量測系統
CN106462080B (zh) 用于补偿曝光过程中的曝光误差的方法
US9243896B2 (en) Two axis encoder head assembly
CN103917920A (zh) 光刻设备和方法
CN103365103A (zh) 一种调焦调平装置及调焦调平方法
KR101919102B1 (ko) Ｅｕｖ 빔 생성 장치
JP7064391B2 (ja) 光学的な位置測定装置のための走査プレート
TW202236026A (zh) 基於高諧波產生之度量衡裝置及相關方法
TW200411325A (en) Lithographic apparatus, and device manufacturing method.
TW201906262A (zh) 光學度量衡的方法和裝置
CN104204951A (zh) 光刻设备、传感器以及方法
JP2007043019A (ja) 半導体評価装置および半導体処理装置
US10942461B2 (en) Alignment measurement system
KR20090093898A (ko) 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
CN116670577A (zh) 基于高次谐波产生的量测设备及相关方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
AD01 Patent right deemed abandoned

Effective date of abandoning: 20170822

AD01 Patent right deemed abandoned