JP2007127646A - 位置測定装置に使用する基板支持装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板の位置をレーザー干渉計で求める際の再現性を改善すること。
【解決手段】基板支持装置41は、レーザー干渉計システム29と、可動なステージ構造物42と、可動なステージ構造物に固定され、レーザー干渉計システムのレーザービームを反射するステージミラー43と、を備える。ここで、測定上重要な要素が、空間的に固定することで関連付けられており、基板支持装置41のステージミラー43から基板までの要素の組み合わせとして用意される。この要素は、基板の弾性係数との差分が15%以内となる弾性係数を有する材料によりつくられたものである。
【選択図】図5

Description

本発明は、基板支持装置によって支持された基板の位置を、レーザー干渉計システムを使用することにより求める位置測定装置で使用する基板支持装置に関する。なお、この基板支持装置は、可動なステージ構造物と、このステージ構造物に固定的に関連付けられ、レーザー干渉計システムのレーザービームを反射するステージミラーを備える。
ウェハとマスクの構造を測定する測定装置が、ウェハとマスクの製造に使用されているが、詳細は、カロラ・ブレーシング教授による、タイトル「マスク作成のためのパターン位置測定方法」に記載されている。これは、1998年3月31日ジェノバにて開催の、半導体教育プログラム会議に向けて発行されたものである。この文書は、本出願人のライカLMS_IPRO座標測定装置の基礎となるものである。この測定装置の機能と構造の詳細は、上述の文献と現在市販されている装置(現行ではライカLMS_IPRO3)にて、明白に参照することができる。
こうした測定装置において、本発明を好ましく使用することができ、後にこうした測定装置を第1に参照して説明する。ただし、その適用は通常のものから逸脱するものではない。そこで、この測定装置について、後述の図1を参照して説明する。既存の測定装置1は、構造31と、マスクやウェハなどのサンプル上におけるこの構造の座標30を測定する。
集積化がますます進むウェハ上に配置された半導体チップの製造で、個々の構造31の構造幅は、ますます小さくなっている。その結果、構造31の端および配置を測定し、構造幅を測定する測定検査システムとして使用される、座標測定装置の仕様に対する要求は、ますます厳しくなってきている。光サンプリング技術が依然としてこうした測定装置に使用されているものの、要求される測定精度(現在数ナノメーターの範囲)は、使用される光波長(近紫外線のスペクトル幅)で達成できる解像度よりもはるかに下である。光測定装置を使用する利点は、実質的に構造が複雑ではなく、X線や電子ビームのサンプリングなど様々なサンプリングをするシステムに比べて、操作しやすいということがある。
この測定装置1の実際の測定システムは、振動を減衰させる花崗岩ブロック23の上に配置されている。マスクまたはウェハは、自動操作システムによって、測定ステージ26に配置される。この測定ステージ26は、空気軸受27、28によって花崗岩ブロック23の表面で支持される。測定ステージ26は、モーター駆動であり、2次元方向(X/Y)に移動可能である。対応する駆動要素は図示しない。レーザー干渉計システム29は、測定ステージ26の位置を追跡するのに使用される。
測定対象となる構造の照射および撮影は、高解像度顕微鏡の光学系により、入射光や出射光を近紫外線のスペクトル範囲内にすることによりなされる。CCDカメラは、検出部34として動作する。測定信号は、測定窓内に位置するCCD検出アレイのピクセルから得られる。測定された構造の強度プロファイルは、画像処理により測定信号から得られる。この画像処理では、たとえば構造の端位置または互いに交差する2つの構造が交差する点を求める。通常、こうした構造の要素配置は、基板(マスクまたはウェハ)上の参照点または光学軸20を基準として求められる。以上に加え、測定ステージ26の位置を干渉計で測定することにより、構造31の座標が求められる。露出に用いられるウェハまたはマスク上の構造では、ごく小さな耐性しか認められない。したがって、こうした構造を検査するためには、大幅に高い測定精度(現在は数ナノメートルのオーダー)が求められる。こうした構造の位置を求める装置および方法は、特許文献1に開示されている。上述の位置決定の詳細については、この文献からはっきりと参照することができる。
図1で説明した測定装置1の例では、測定ステージ26はフレームとして形成されるので、サンプル30は下からの透過光により照射することができる。サンプル30の上には照射および撮影装置2があり、光軸20に沿って配置されている。(オート)フォーカスは、光軸20のZ方向に沿って行うことができる。照射および撮影装置2は、光線分割モジュール32、上述の検出器34、アライメント装置33、複数の照射装置35(たとえば、オートフォーカス、全体照射、実際のサンプルの照射などに用いる)により構成される。Z軸に沿って移動可能なレンズは21に示す。
また、透過光照射手段は、高さ調整可能な集光装置17および光源7を有し、花崗岩ブロック23に差し込まれる。そこで光は、拡大化された結合光学系3を介して受信される。結合光学系3は、可能な限り多くの吸い込み口を有する。このようにして可能な限り多くの光が、光源7から受信される。このように受信された光は、結合光学系3で結合されて、光ファイバの束などの光ガイド4へと出力される。放出光学系5は、好ましくは色収差補正レンズによって形成され、光ガイド4によって放出された光を平行化する。
要求されるナノメーターレベルの精度を達成するために、可能な限り環境からの干渉による影響を最小化することが必要である。この影響には、外気の変化や振動などがある。このために、測定装置を空調管理室内に収容することができる。この空調管理室は、内部の気温と湿度を高い精度で(温度差で0.01度、湿度差で1%)制御するものである。上述のように、振動をなくすために測定装置1を、振動緩衝材24、25とともに花崗岩ブロック23で支持しておく。
構造位置の決定精度は、X/Yステージの位置を求めるのに用いられるレーザー干渉計システムの安定度および精度に、大いに左右される。干渉計のレーザービームは、測定装置の外気を伝播するので、波長は外気の屈折率に依存することになる。屈折率は、気温、湿度および気圧の変化にしたがって変化する。空調管理室内で温度および湿度を制御しているにもかかわらず、波長の残留振動は、要求される測定精度に対して強すぎてしまう。したがってエタロン(etalon:2枚の反射鏡を向かい合わせた高分解能干渉計)を補償に使用することにより、外気の屈折率の変化に起因する変化を測定する。このようなエタロンでは、測定光線は固定のメートル距離をカバーしているので、対応する測定光路長の変化は、外気の測定屈折率の変化によってのみ引き起こされる。このようにして、屈折率の変化の影響を、エタロン測定によって大きく補償することができる。なおエタロン測定は、波長の現在値を継続的に求め、干渉計による測定に反映させることにより行う。
さらに精度を上げるために、レーザー波長の線を分割することもできる。また、位置の移動を計算するにあたり、さらに補間アルゴリズムを使用することもできる。
上述の測定装置の精度を説明するにあたり、座標の測定平均値について標準偏差を求め、3倍化したもの(3σ)を通常は用いる。測定値の正規分布では、統計的に測定値の99%が、平均値について3σの範囲内に収まる。再現性の指標は、XY方向の格子点を測定することにより作成することができる。ここで、各方向について、すべての点を繰り返し測定した後に、平均値および最大値3σを示すことができる。出願人の測定装置LMS_IPROでは、たとえば4−5nmの再現性(最大値3σ)を、3nmより下にすることができた。
さらなる再現性の改善すなわち測定精度の改善が、上述の測定装置について望まれる。本発明で特に注目しているのはレーザー干渉計であり、測定ステージの座標測定または測定ステージの座標変化の算出に用いられる。なお本発明は、上述の測定装置で説明した干渉計に限定されるものではないが、レーザーによる干渉の計測には一般的に用いることができる。
ドイツ特許公開公報DE10047211A1
したがって、基板支持装置によって保持される基板の位置をレーザー干渉計で求める際の再現性、より一般的には測定精度を改善することが必要である。また、外気の影響から分離することが必要である。
上述の目的を達成するために、請求項1に記載の基板支持装置を提供する。好ましい実施の形態は、対応する従属項および後述の説明から導くことができる。
本発明にかかる基板支持装置では、空間的に関連性をもち、基板支持装置の測定上重要な要素が測定の対象となる。ここで、要素の組み合わせは、ステージミラーから、基板の弾性係数との差分が15%以内である弾性係数をもつ、材料または材料の構造にわたる。
上述の15%の上限は、好ましくは10%にまで減らすことが好ましく、より好ましくは5%である。特に、上述の要素の弾性係数は、実質的に基板の弾性係数と一致することが好ましい。基板の弾性係数に対して要素の弾性係数に偏りがある場合の、その許容範囲は、主に要求される測定精度に左右される。後述するが実際に説明するのは、位置測定中の気圧の変動が測定精度に影響を与える点、こうした気圧の変動を大幅に補償することが、基板支持装置の最重要領域を、実質的に同一となる弾性係数を有する材料で構築することによりなされる点である。
まず、留意すべき点について説明する。上述の基板支持装置のレーザー干渉計システムは、レーザー干渉計システムのレーザービームを反射するステージミラーの変位を追跡する。基板の位置を決定するために、または上述の基板上の位置について座標測定するためには、前提として、基板がステージミラーの場合と同様に移動する。したがって本発明は次の考え方に基づく。すなわち、ステージミラーから基板に至る要素の組み合わせの中で変位を発生させても、ステージミラーの測定位置変位を対応する基板の位置変位に、1:1に移すことができないということである。なお、上述の要素の組み合わせの中でのこうした位置の変位は、空気の気圧の変化が大きな要因となりうることが分かっている。
図2は、最初に説明した出願人のLMS_IPRO座標測定装置の、XおよびY方向の気圧変化と再現性との間の相互依存性を概略的に示す。3つの測定曲線は、2日間を4時間おきの間隔でとるものとして示されている。点の位置は、15x15の格子上でXおよびY方向に等間隔に測定される。曲線の各測定点について、格子は10回測定される。測定曲線100は、Yの再現性を示し、すなわちY方向の3σの最大値を示す。測定曲線200は、Xの再現性を示し、すなわちX方向の3σの最大値を示す。測定曲線300は、気圧変化の測定結果としての、同時に測定されるエタロンの標準偏差を示す。
測定曲線100および200を測定曲線300と比較することにより、再現性3σと気圧の変動の相互依存性が示される。気圧変化により、測定された格子が拡大または縮小し、それにより再現性の低下につながる。この拡大または縮小が、測定値から(測定された格子をソフトウェアベースで比較することにより)計算されるとすると、強い気圧変動に対しても大きく再現性が改善する。再現性は、X方向には1.72nmから2.44nmに改善し、Y方向には1.31nmから1.75nmに改善するので、それぞれ約25%の改善となる。測定結果は、約0.01ppmの格子の拡大・縮小の変化を、気圧変化全体である2mbarとともに示される。この結果、1.4nmの位置(140nmの測定領域の次元で)だけ変化する。
図3(A)および図3(B)において、「エタロン」または「スケール」が、「ループ」に対してプロットされている。「エタロン」は、エタロンの干渉距離測定から0ポイント(ランダムに選択される)に対する差に比例する。「スケール」は、個々の測定格子に最適にマッチする拡大方向変化の計算値に比例する。「ループ」は、15x15の測定格子に沿って進む。図3(A)の定温定湿度下の気圧に比例するエタロン変化を、測定された格子の拡大方向の変化と比較した場合、図3(B)に示されるように、格子変化と気圧との間ではっきりとした相互依存性を見出すことはできないという結果になる。むしろ、格子が拡大する方向で継続的に変動することが、XおよびY方向の両方で観測することができる。しかしながらここで、幅および周波数の変動は、気圧のピーク中に大きく増大する。とくにループの75から110において顕著である。こうしたことから、気圧変化の再現性に対する影響を説明する、さらなる要因を見出す必要がある。このために、測定装置の基板支持装置における構造をより詳細に調査している。
基板支持装置は、通常は可動であり、基板上の所定の測定位置に達することができるステージ構造物を有している。
また、ステージミラーは、レーザー干渉計システムのレーザービームを反射するのに必要とされる。ステージミラーは、たとえばステージ構造物に直接実装することができる。ここで、通常は2つのステージが、相互に垂直となるステージの端にあるので、XおよびY方向のステージの変位を測定することができる。しかしながら、ステージミラーをステージ構造物に接続された独立したミラー本体とすることも可能である。このようなミラー本体は、ゼロデュアー(Zerodur)フレームによるものであり、たとえば、その横側を磨いておいて反射するようにしておく。ミラー本体は、ステージ構造物の上におくか、または後者のほうに機械的に接続しておく。
レーザー干渉計システムは、上述の基板支持装置内で、通常は続いてステージミラーの位置の変位を測定する。すなわちステージ構造物またはミラー本体の変位を測定する。測定された位置の変位は、基板(たとえば、格子、マスクまたはウェハ)上の位置の変位に等しいと仮定する。その結果、基板支持装置の上述の構造では、基板(たとえば上述の格子)のゆがみ、ステージミラーから基板までの距離の変化が、補正メカニズムなしで、直接的に測定装置のエラーバジェット(error budget)へと取り込まれている。現在分かっているところでは、最初に説明した実験結果は、用いられた材料の弾力性によって説明することができる。気圧の変化による使用された材料の長さの変化を予測するためには、使用された材料の弾性係数が分からなければならない。後述のテーブルは、本出願人のLMS_IPROで一般的に使用されている基板支持装置の、測定に関連する材料の弾性係数を示している。
Figure 2007127646
上述の測定値において、2mbar(=200Pa)程度の圧力変化が生じる。このことは、たとえば約0.003ppm(すなわち基板としての6インチマスクで約0.5nm)の拡大・縮小を意味している。これらの値は、約2nmの標準偏差を3倍した場合に無視できないものとなる。したがって本発明では、基板支持装置は、距離測定装置(ステージミラー)から測定基板に至る要素の組み合わせのうち重要な領域が原則として、厳密に一致する弾性係数を有し基板の弾性係数にも厳密に一致する材料により構築される。
この場合、気圧変化によるゆがみは、単純にスケールを変化させる。本発明によれば、気圧のゆがみにより単純にスケールがドリフトしていたところを、距離ユニットを気圧(すなわち干渉測定の場合のレーザー波長に対する値の気圧)の機能として変化させることにより、気圧の影響を補償することができる。この補償は、たとえばソフトウェア側で実行することができる。
本発明にかかる基板支持装置の「測定上重要な」要素は、空間的に固定することで関連付けられており、長さの変化が測定に関連する要素である。たとえば、ステージミラーが、基板支持部(たとえばキャリアやフレーム)で基板を運ぶステージ構造物上に実装される場合、測定上重要な要素(測定要部)は、ステージミラー、ステージ構造物、基板支持部である。しかしながら、基板支持部で基板を運ぶ独立したミラー本体を用意する場合、測定上重要な要素は、ミラー本体と基板支持部である。この場合、基板は直接ミラー本体におくか後者によって運ばれる場合、測定上重要な要素としてただ1つ残るものは、ミラー本体だけとなる。この点をさらに拡大して説明した場合、この技術をよく知る者であれば、異なる構造の基板支持装置についても測定上重要な要素を特定することができる。
本発明の基板支持装置によれば、ミラー本体が、上方または下方の表面上に、ステージ構造物と、基板/基板支持部とのうち両方または一方のための支持点を備えることが好ましい。こうした基板支持装置は、ドイツ特許公報DE19858428C2、から知ることができる。このように構成することの利点は、ステージ構造物、ミラー本体、および基板と対象または対象単体のための支持部、は支持点に触れるだけとなり、基板の重さが、互いの先に配置された支持点とともに、ステージ構造物上に直接垂直方向に支持される。このような効果が、接続要素(接続棒またはボルト)が垂直にミラー本体に延びて、接続要素の各両端が、ミラー本体の上方および下方表面にある上記支持点を形成するという点において高まる。この場合、基板または基板支持部は、接続要素の先端に直接おかれることとなり、ミラー本体に触れたり圧力を与えたりすることなくステージ構造物に直接指示されることになる。実際に、鉄(鉄のボルト)による接続要素をミラー本体につけることが有用であることが分かっている。この構成の詳細と利点は、上記の特許出願から知ることができる。
異なる弾性係数の要素をもつ基板支持装置の上述の構成では、測定精度に更なる悪影響が効果として発生することが分かっている。この効果は、図4を参照して説明される。この図では次のものを概略的に示す。すなわち、ステージ構造物42、この上に配置されるミラー本体43、その上に配置される基板45(たとえばマスクなど)、をもつ基板支持装置41である。また、基板支持部44(たとえばマスクフレームなど)である。ここで好ましくは、3つの接続要素46(ここでは接続ロッド)が備えられ、ミラー本体43を垂直方向に通っていく。気圧の変化は基本的に、基板支持装置に対して球対称の効果を与える。適切な補償手段(自動焦点など)が備えられていることから、多くの測定装置では、垂直方向(z)の変化は重要ではない。
他のゆがみも、干渉計システムのレーザー軸の方向に影響を与え、ミラー本体43と基板45との間(二重矢印で示す)の距離を変化させる。これらの効果は、上述のとおり示している。他に発生する効果としては、「レバー効果」というものがあり、二重線の矢印で示している。気圧が大きくなると、ミラー本体43(ゼロデュアー)が、ステージ構造物42と比較して大きくゆがむことになる。すなわち、2つの要素が互いに分かれることとなる。このように2つに分かれることにより、接続要素46にレバーのような増幅効果を与えることになる。ここで発生した力により、基板45と基板支持部44を圧縮することができる。同様に、基板(マスク)45は、基板支持部(マスクフレーム)44よりも強く歪められることになる。力を大きくして大きく歪めることにより、支持点のそれぞれの静摩擦力を超えることになり、基板支持部44に対する基板45の変位につながり、ミラー本体43に対する基板支持部44の変位につながり、ステージ構造物42に対するミラー本体43の変位につながることになる。
これらの効果は、図4の基板支持装置の上述の要素の弾性係数を、互いに同調させることにより、すなわち可能な限り一致させることにより、回避することができる。上述の作用を減らす他の方法としては、平面を、ステージ構造物42、ミラー本体43、基板支持部44によって対応させて形成させることによるものがある。支持点は、3つの接続要素46によって作成して構成しなければならない。その結果、個々の要素には互いに圧力がかからないようになる。
本発明にかかる基板支持装置の測定上重要な要素の弾性係数の差を最小限にするためには、少なくとも1つの要素を、素材を薄い板にしたものか、素材をかたまりにしたものにすることが好ましい。こうした様々な材料の素材では、薄板またはかたまりに含まれる材料のゆがみにより、適切に選んだ材料どうしで互いに大きく分かれるようにすることができる。この利点として、材料選択の自由度が大きいということがある。対象の材料は、所望の値をとる弾性係数を有しなければならない。材料の量の比率は、所望のセットポイント値に対する弾性係数の差分から得られる。
上述のように、この基板支持装置は、レーザー干渉計システムを用いて基板の位置を求める位置測定装置に特に適用することができる。位置測定装置は、マスクまたはウェハなどの基板の構造を測定し、こうした構造の座標を求めるような座標測定装置とすることができる。こうした位置測定装置の例として、本出願人のLMS_IPRO座標測定装置があるが、すでに十分説明したとおりである。
こうした位置測定装置では、エタロンを用いて測定精度を上げることが可能である。ここでは上述のように、エタロンにより参照距離をレーザー干渉計システムに与える。エタロン(通常の長さ)が、基板の弾性係数との差分が15%未満の弾性係数を有する材料でできている場合、すなわち、エタロンの弾性係数が、基板支持装置の測定上重要な要素の弾性係数と実質的に一致する場合、測定対象となる基板、または測定上重要となる要素について、通常となる長さを変化させる。この場合、測定対象の気圧への依存性は、自動的に正確に補償されるので、続いての(ソフトウェア側の)スケールドリフトの補償は省略することができる。したがってこの実施の形態は、本発明の位置測定装置に適用することが好まれる。
図1による座標測定装置は、冒頭の部分ですでに十分説明した。さらに補足すると、本発明の基板支持装置を、この座標測定装置、またはより一般的には位置測定装置に用いることが好まれる。図2から図4は、本発明の説明上すでに十分説明している。
図5は、本発明にかかる基板支持装置実施の形態を示す。ここで、測定上重要な要素は、調査対象となる基板45(ここではマスク)の弾性係数とは、10%程度の差分で異なる弾性係数をもつ材料の構造からつくられる。同一の要素は、図4の参照番号と同じもので示す。図5はさらに、レーザー干渉計システム29とエタロン47の配置を概略的に示す。レーザーガン50は、レーザービーム52を出力する。このレーザービーム52は、ビームスプリッタ51によってレーザー干渉計システム29に向けられている。レーザービームは、図5の両矢印として示しているが、明瞭化のため、すべての両矢印を参照番号52としては示していない。一方でレーザー干渉計システム29は、参照レーザービームを、通常はレンズ21のレンズホルダー48に接している参照ミラー49に送信する。レーザー干渉計システム29はさらに、測定ビームを、ミラー本体43の対応する位置に送る。このように配置することにより、ミラー本体43の参照ミラー49に対する変位を、レーザー干渉により測定することができる。レーザー干渉計システム29はさらに、エタロン47によって形成された参照測定距離を同時に測定することができる。
気圧が増加した場合、要素にゆがみが生じる。Z方向のゆがみは、位置補償装置の自動焦点手段によって通常は補償することができる。一方でXおよびY方向のゆがみは、位置測定装置のエラーバジェット(error budget)に直接反映される。図5に示された基板支持装置41の測定上重要な要素は、基板支持装置41の側にあるミラー本体43と、もう一方の側にある基板支持部44(マスクフレーム)と基板45(マスク)自体である。本発明によると、これらの要素は、実質的に同一の弾性係数をもつ材料または材料構造によるものなので、XおよびY方向にゆがむことで、気圧の変動を伴って、物体の次元(二重線矢印で示す)に比例した要素が減少または増加するという結果になる。
したがって、こうした増加・減少は、補償することができる(たとえば補正計算によって)スケールのドリフトに対応する。レーザー干渉計によるミラー本体43の位置測定では、レーザー波長の値を対応して変更することにより、この補償を実行することができる。特に、このタイプの補償は、エタロン42を通常の長さで使用することにより、正確かつ自動的に実行することができる。このとき、弾性係数は、基板支持装置41の上述の重要な要素の弾性係数と実質的に一致する。この場合、基本的かつ通常の長さは気圧とともに変化し、その結果、測定によって変わっていた気圧は、自動的かつ正確に補償される。
基板支持装置をもつ座標測定装置の構造を概略的に示す。 座標測定装置の時間に対するX、Y再現性の測定結果と、基板支持装置の気圧変化に対する測定結果としての値をとるエタロンの関連する標準偏差を示す。 気圧変化(図3(A))に対する測定としての、図2にしたがった測定のための、関連したエタロンの変化、およびXおよびY方向(図3(B))の各サイズ変更を示す。 気圧変動の作用を説明するために、本技術による基板支持装置を示す。 本発明にかかる基板支持装置の実施形態を示す。
符号の説明
1 測定装置
2 照射および撮影装置
3 結合光学系
4 光ガイド
7 光源
17 集光装置
20 光学軸
21 レンズ
23 花崗岩ブロック
26 測定ステージ
27、28 空気軸受
29 レーザー干渉計システム
30 座標
31 構造
32 光線分割モジュール
33 アライメント装置
34 検出部
35 照射装置
41 基板支持装置
42 ステージ構造物
43 ミラー本体
45 基板
44 基板支持部
46 接続要素
47 エタロン
48 レンズホルダー
49 参照ミラー
50 レーザーガン
52 レーザービーム

Claims (10)

  1. 基板の位置を求める位置測定装置によって基板を保持する基板支持装置であって、
    レーザー干渉計システムと、
    可動なステージ構造物と、
    前記可動なステージ構造物に固定され、前記レーザー干渉計システムのレーザービームを反射するステージミラーと、を備え、
    前記基板支持装置の側にあるステージミラー、基板支持部、基板、エタロンのうちいずれか1つまたは全部である測定要部を、空間的に相互に関連させるとともに、前記基板の弾性係数との差分が15%以内となる弾性係数を有する材料によりつくられたものとすることを特徴とする基板支持装置。
  2. 前記ステージミラーは、前記ステージ構造物上に配置されることを特徴とする請求項1に記載の基板支持装置。
  3. 前記ステージミラーは、前記ステージ構造物上に接続される独立したミラー本体とすることを特徴とする請求項1に記載の基板支持装置。
  4. 前記ミラー本体は、前記基板または基板支持部のための支持点を上部に有することを特徴とする請求項3に記載の基板支持装置。
  5. 前記ミラー本体は、前記ステージ構造物のための支持点を下部に有することを特徴とする請求項3に記載の基板支持装置。
  6. 複数の接続要素は、前記ミラー本体を垂直に通り、前記接続要素の端部は、前記支持点であることを特徴とする請求項4に記載の基板支持装置。
  7. 前記ステージ構造物は、前記ミラー本体の弾性係数との差分が15%以内となる弾性係数を有する材料によりつくられたものであることを特徴とする請求項1に記載の基板支持装置。
  8. 前記基板支持装置の前記測定要部のうち少なくとも1つは、薄板であることを特徴とする請求項1に記載の基板支持装置。
  9. 前記基板支持装置の前記測定要部のうち少なくとも1つは、混合材料であることを特徴とする請求項1に記載の基板支持装置。
  10. 前記弾性係数の差分は10%以内であることを特徴とする請求項1に記載の基板支持装置。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8582113B2 (en) 2007-02-13 2013-11-12 Kla-Tencor Mie Gmbh Device for determining the position of at least one structure on an object, use of an illumination apparatus with the device and use of protective gas with the device
DE102007049133A1 (de) * 2007-02-13 2008-08-21 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung zur Bestimmung der Position mindestens einer Struktur auf einem Objekt, Verwendung einer Beleuchtungseinrichtung für die Vorrichtung und Verwendung von Schutzgas für die Vorrichtung
DE102007034942A1 (de) * 2007-04-05 2008-10-16 Carl Zeiss Sms Gmbh Vorrichtung zur Vermessung von Substraten
US20090066970A1 (en) * 2007-05-21 2009-03-12 Muetec Automatisierte Mikroskopie Und Messtechnik Gmbh Arrangement and method for improving the measurement accuracy in the nm range for optical systems
DE102007036850B4 (de) * 2007-08-06 2010-04-08 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zur Korrektur von Nichtlinearitäten der Interferometer einer Koordinaten-Messmaschine
DE102007043803A1 (de) * 2007-09-13 2009-04-09 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Einrichtung und Verfahren zur Bestimmung der räumlichen Lage bewegter Elemente einer Koordinaten-Messmaschine
DE102007049318B3 (de) * 2007-10-15 2009-05-07 Carl Zeiss Sms Gmbh Meßsystem und Meßverfahren
DE102008015631A1 (de) * 2008-03-20 2009-09-24 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung von Masken für die Photolithographie
DE102008030153B4 (de) 2008-06-27 2018-08-23 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zum Bestimmen von Positionen von Strukturen auf einem Substrat mit einer Koordinaten-Messmaschine und Koordinaten-Messmaschine
DE102009019773B4 (de) 2009-04-30 2022-03-03 Friedrich-Schiller-Universität Jena Verfahren zur Verbesserung der Positioniergenauigkeit von mittels Gaslagerelementen geführten Tischen und Verwendung von Luftlagerelementen mit Dichtsystemen für in Umgebungsatmosphäre geführte Tischsysteme
CN106773553B (zh) * 2017-03-06 2018-11-30 重庆京东方光电科技有限公司 承载装置和曝光设备
DE102017115367A1 (de) * 2017-07-10 2019-01-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Erfassung und Kompensation von Umgebungseinflüssen in einem Messmikroskop

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5042040A (en) * 1990-03-30 1991-08-20 At&T Bell Laboratories Amplitude noise reduction for optically pumped modelocked lasers
TW245772B (ja) * 1992-05-19 1995-04-21 Akzo Nv
US20030179354A1 (en) * 1996-03-22 2003-09-25 Nikon Corporation Mask-holding apparatus for a light exposure apparatus and related scanning-exposure method
US6012697A (en) * 1996-04-12 2000-01-11 Nikon Corporation Stage and supporting mechanism for supporting movable mirror on stage
DE19858428C2 (de) * 1998-12-17 2002-09-12 Leica Microsystems Koordinaten-Messanordnung
JP2000286189A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Nikon Corp 露光装置および露光方法ならびにデバイス製造方法
DE19948797C2 (de) * 1999-10-11 2001-11-08 Leica Microsystems Substrathalter und Verwendung des Substrathalters in einem hochgenauen Messgerät
US6426790B1 (en) * 2000-02-28 2002-07-30 Nikon Corporation Stage apparatus and holder, and scanning exposure apparatus and exposure apparatus
DE10047211B4 (de) * 2000-09-23 2007-03-22 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Positionsbestimmung einer Kante eines Strukturelementes auf einem Substrat
US7050147B2 (en) * 2004-07-08 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Method of adjusting a height of protrusions on a support surface of a support table, a lithographic projection apparatus, and a support table for supporting an article in a lithographic apparatus

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