CN102944975A - 一种掩膜板及其制造方法，阵列基板的制造方法 - Google Patents

一种掩膜板及其制造方法，阵列基板的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102944975A
CN102944975A CN2012104184908A CN201210418490A CN102944975A CN 102944975 A CN102944975 A CN 102944975A CN 2012104184908 A CN2012104184908 A CN 2012104184908A CN 201210418490 A CN201210418490 A CN 201210418490A CN 102944975 A CN102944975 A CN 102944975A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist
zone
pattern area
substrate
fan out
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012104184908A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102944975B (zh
Inventor
赵海廷
孙亮
孟春霞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Display Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201210418490.8A priority Critical patent/CN102944975B/zh
Publication of CN102944975A publication Critical patent/CN102944975A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102944975B publication Critical patent/CN102944975B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

本发明实施例提供一种掩膜板及其制造方法，阵列基板的制造方法，涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，能够增加扇出导线区需显影掉的光刻胶的量，降低显影液的浓度，以避免扇出导线区域附近的TFT在刻蚀后丧失开关特性，提高了产品的良品率。本发明的掩膜板，包括基板，设置于基板上的第一图案区及第二图案区，第二图案区包括部分透射区域和全透射区域，当刻蚀扇出导线区的源漏极层时，部分透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，全透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，光刻胶部分保留区域对应于扇出导线，光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。

Description

一种掩膜板及其制造方法,阵列基板的制造方法
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，尤其涉及一种掩膜板及其制造方法，阵列基板的制造方法。
背景技术
随着科技的不断进步，用户对液晶显示设备的需求日益增加，TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)也成为了手机、平板电脑等产品中使用的主流显示器。
在整个TFT-LCD的阵列基板的布局中，像素区的数据线走线较为稀疏，扇出导线区域的扇出导线走线十分稠密。现有的制作扇出导线的工艺中，在刻蚀源漏极层时，是对对应于扇出导线之间的间隔的光刻胶进行全曝光，而对对应于扇出导线的光刻胶不进行曝光，这样在显影时，扇出导线区域显影掉的光刻胶远远少于像素区的显影掉的光刻胶，由于随着显影液与光刻胶的反应，显影液的浓度会逐渐减小，因此扇出导线区域显影液的浓度则会高于像素区显影液的浓度，这会导致扇出导线区域附近的TFT沟道区域对应的光刻胶容易被过显影，光刻胶偏薄或被显影掉，从而导致刻蚀后的TFT丧失开关特性，产品良品率低。
发明内容
本发明的实施例提供一种掩膜板及其制造方法，阵列基板的制造方法，能够增加扇出导线区需显影掉的光刻胶的量，降低显影液的浓度，以避免扇出导线区域附近的TFT在刻蚀后丧失开关特性，提高了产品的良品率。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明提供一种掩膜板，包括基板，设置于基板上的第一图案区及第二图案区，第一图案区对应于阵列基板的像素区，第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区，
所述第二图案区包括部分透射区域和全透射区域，当刻蚀所述扇出导线区的源漏极层时，所述部分透射区域使得涂覆在所述源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，所述全透射区域使得涂覆在所述源漏极层上的所述光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶部分保留区域对应于扇出导线，所述光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。
所述部分透射区域设置有掩膜材料层。
所述掩膜材料层为铬、钼、钛金属氧化物或氮化物层。
所述基板为玻璃基板、石英基板或蓝宝石基板。
本发明还提供一种阵列基板的制造方法，包括：
在衬底上形成源漏极层；
在所述源漏极层上涂覆光刻胶；
使用具有上述任意特征的的掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后与第二图案区的部分透射区域对应的区域形成光刻胶部分保留区域，与第二图案区的全透射区域对应的区域形成光刻胶完全去除区域；
采用刻蚀工艺，刻蚀所述光刻胶完全去除区域对应的所述源漏极层。
本发明还提供一种掩膜板的制造方法，包括在基板的上形成作为第二图案区的部分透射区域的掩膜材料层，其中，所述第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区，所述第二图案区包括所述部分透射区域和全透射区域，所述部分透射区域对应于扇出导线，所述全透射区域对应于扇出导线之间的间隔。
所述在基板的上形成作为第二图案区的部分透射区域的掩膜材料层包括：
采用沉积工艺，在所述基板的第二图案区沉积所述掩膜材料层；
采用涂覆工艺，在所述掩膜材料层上涂覆光刻胶；
采用光刻工艺，显影后去除所述第二图案区的全透射区域的所述光刻胶；
采用刻蚀工艺，刻蚀对应于所述第二图案区的全透射区域的所述掩膜材料层；
通过去胶工艺去除剩余的光刻胶。
所述掩膜材料层为铬、钼、钛金属氧化物或氮化物层。
所述基板为玻璃基板、石英基板或蓝宝石基板。
本发明提供的一种掩膜板及其制造方法，阵列基板的制造方法，掩膜板包括基板，设置于基板上的第一图案区及第二图案区，第一图案区对应于阵列基板的像素区，第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区，其中，第二图案区包括部分透射区域和全透射区域，当刻蚀扇出导线区的源漏极层时，部分透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，全透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，其中，光刻胶部分保留区域对应于扇出导线，光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。通过该方案，由于掩膜板的第二图案区包括半透射区和全透射区，因此在刻蚀扇出导线区的源漏极层时，部分透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，全透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，相对于现有技术形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域而言，增加了扇出导线区需显影掉的光刻胶的量，降低了显影液的浓度，从而避免了扇出导线区域附近的TFT沟道区域由于过显影在刻蚀后丧失开关特性，提高了产品的良品率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的掩膜板的结构示意图；
图2为阵列基板扇出导线区的俯视图；
图3为阵列基板扇出导线区的侧视图；
图4为本发明提供的阵列基板的制造方法流程示意图；
图5为本发明提供的刻蚀源漏极层过程中的扇出导线结构示意图一；
图6为本发明提供的刻蚀源漏极层过程中的扇出导线结构示意图二；
图7为本发明提供的掩膜板的制造方法流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是：本发明实施例的“上”“下”只是参考附图对本发明实施例进行说明，不作为限定用语。
本发明实施例提供的掩膜板1，如图1所示，包括：
基板10，设置于基板10上的第一图案区及第二图案区11，第一图案区对应于阵列基板的像素区，第二图案区11对应于阵列基板的扇出导线区，所述第二图案区11包括部分透射区域110和全透射区域111，当刻蚀所述扇出导线区的源漏极层时，所述部分透射区域110使得涂覆在所述源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，所述全透射区域111使得涂覆在所述源漏极层上的所述光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶部分保留区域对应于扇出导线，所述光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。
进一步地，所述部分透射区域设置有掩膜材料层。
进一步地，所述掩膜材料层可以为半透明的铬、钼、钛金属氧化物或氮化物层，具体地，可以为多氧化铬层，还可以为透明耐热高分子材料、聚合物等。
进一步地，所述基板为玻璃基板、石英基板或蓝宝石基板。
如图2和图3所示，图2为阵列基板扇出导线区的俯视图，图2为阵列基板扇出导线区的侧视图，在图2和图3中，阴影部分为扇出导线，其余部分为扇出导线之间的间隔。
本发明提供的一种掩膜板，包括基板，设置于基板上的第一图案区及第二图案区，第一图案区对应于阵列基板的像素区，第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区，其中，第二图案区包括部分透射区域和全透射区域，当刻蚀扇出导线区的源漏极层时，部分透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，全透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，其中，光刻胶部分保留区域对应于扇出导线，光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。通过该方案，由于掩膜板的第二图案区包括半透射区和全透射区，因此在刻蚀扇出导线区的源漏极层时，部分透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，全透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，相对于现有技术形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域而言，增加了扇出导线区需显影掉的光刻胶的量，降低了显影液的浓度，从而避免了扇出导线区域附近的TFT沟道区域由于过显影在刻蚀后丧失开关特性，提高了产品的良品率。
在制备阵列基板扇出导线的工艺中，当刻蚀扇出导线区源漏极层时，使用本发明实施例提供的掩膜板，该掩模板包括基板，设置于基板上的第一图案区及第二图案区，第一图案区对应于阵列基板的像素区，第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区，第二图案区包括部分透射区域和全透射区域。
示例性的，如图4所示，本发明实施例提供一种阵列基板的制造方法，使用上述实施例所提供的掩膜板，该方法包括：
S101、在衬底上形成源漏极层。
本发明实施例所提供的掩膜板用于刻蚀扇出导线区源漏极层，因此，步骤S101中示例性地提出源漏极层形成在衬底上，在实际生产过程中，源漏极层可以形成在衬底上(具有顶栅结构的薄膜晶体管)，也可以形成在栅绝缘层上(具有底栅结构的薄膜晶体管)，本发明不做限制。
S102、在源漏极层上涂覆光刻胶。
如图5所示，在衬底20上形成源漏极层21后，在源漏极层21上涂覆光刻胶23。
S103、使用掩膜板对光刻胶进行曝光，显影后与第二图案区的部分透射区域对应的区域形成光刻胶部分保留区域，与第二图案区的全透射区域对应的区域形成光刻胶完全去除区域。
如图6所示，使用掩膜板1对光刻胶23进行曝光(即光刻技术)，使用显影液对光刻胶23进行显影，显影后形成光刻胶部分保留区域230和光刻胶完全去除区域231。
需要说明的是，相对于现有技术形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域而言，步骤S103在使用显影液对光刻胶进行显影时，增加了需显影掉的光刻胶的量，进而降低了显影液的浓度。
其中，光刻技术是在一片平整的衬底上构建半导体MOS(Metal-Oxide-Semiconductor，金属-氧化物-半导体)管和电路的基础，这其中包含有很多步骤与流程。如首先要在硅片上涂上一层耐腐蚀的光刻胶，随后让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩膜板照射在衬底上。被照射到的部分(如源极区和漏极区)光刻胶会发生变质，而构筑图案区(如栅极区)的地方不会被照射到，所以光刻胶会仍旧粘连在上面。接下来就是用腐蚀性液体清洗硅片，变质的光刻胶被除去，露出下面的衬底，而栅极区在光刻胶的保护下不会受到影响。
S104、采用刻蚀工艺，刻蚀光刻胶完全去除区域对应的源漏极层。
进而，在采用刻蚀工艺刻蚀光刻胶完全去除区域对应的源漏极层，并去除剩余的光刻胶后，完成了扇出导线的源漏极层的制作。
本发明提供的一种阵列基板的制造方法，包括基板，在衬底上形成源漏极层，并在部分透射区域源漏极层上涂覆光刻胶后，使用上述实施例所提供的掩膜板对部分透射区域光刻胶进行曝光，显影后与第二图案区的部分透射区域对应的区域形成光刻胶部分保留区域，与第二图案区的全透射区域对应的区域形成光刻胶完全去除区域；采用刻蚀工艺，刻蚀部分透射区域光刻胶完全去除区域对应的部分透射区域源漏极层。通过该方案，由于掩膜板的第二图案区包括半透射区和全透射区，因此在刻蚀扇出导线区的源漏极层时，部分透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，全透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，相对于现有技术形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域而言，增加了扇出导线区需显影掉的光刻胶的量，降低了显影液的浓度，从而避免了扇出导线区域附近的TFT沟道区域由于过显影在刻蚀后丧失开关特性，提高了产品的良品率。
本发明实施例提供一种掩膜板的制造方法，包括在基板的上形成作为第二图案区的部分透射区域的掩膜材料层，其中，所述第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区，所述第二图案区包括所述部分透射区域和全透射区域，所述部分透射区域对应于扇出导线，所述全透射区域对应于扇出导线之间的间隔。
示例性的，如图7所示，在基板的上形成作为第二图案区的部分透射区域的掩膜材料层的方法包括：
S201、采用沉积工艺，在基板的第二图案区沉积掩膜材料层。
其中，所述掩膜材料层为铬、钼、钛金属氧化物或氮化物层，具体地，可以为多氧化铬层，还可以为透明耐热高分子材料、聚合物等。
S202、采用涂覆工艺，在掩膜材料层上涂覆光刻胶。
S203、采用光刻工艺，显影后去除第二图案区的全透射区域的光刻胶。
S204、采用刻蚀工艺，刻蚀对应于第二图案区的全透射区域的掩膜材料层。
S205、通过去胶工艺去除剩余的光刻胶。
至此，制成了如图1所示的掩膜板1，包括基板10，设置于基板10上的第一图案区及第二图案区11，第一图案区对应于阵列基板的像素区，第二图案区11对应于阵列基板的扇出导线区，第二图案区11包括部分透射区域110和全透射区域111，当刻蚀扇出导线区的源漏极层时，部分透射区域110使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，全透射区域111使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，其中，光刻胶部分保留区域对应于扇出导线，光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。
本发明提供的一种掩膜板的制造方法，包括在基板的上形成作为第二图案区的部分透射区域的掩膜材料层，其中，第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区，第二图案区包括部分透射区域和全透射区域，部分透射区域对应于扇出导线，全透射区域对应于扇出导线之间的间隔，当刻蚀扇出导线区的源漏极层时，部分透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，全透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，其中，光刻胶部分保留区域对应于扇出导线，光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。通过该方案，由于掩膜板的第二图案区包括半透射区和全透射区，因此在刻蚀扇出导线区的源漏极层时，部分透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，全透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，相对于现有技术形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域而言，增加了扇出导线区需显影掉的光刻胶的量，降低了显影液的浓度，从而避免了扇出导线区域附近的TFT沟道区域由于过显影在刻蚀后丧失开关特性，提高了产品的良品率。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种掩膜板，包括基板，设置于基板上的第一图案区及第二图案区，第一图案区对应于阵列基板的像素区，第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区，其特征在于，
所述第二图案区包括部分透射区域和全透射区域，当刻蚀所述扇出导线区的源漏极层时，所述部分透射区域使得涂覆在所述源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，所述全透射区域使得涂覆在所述源漏极层上的所述光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶部分保留区域对应于扇出导线，所述光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述部分透射区域设置有掩膜材料层。
3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜材料层为铬、钼、钛金属氧化物或氮化物层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述基板为玻璃基板、石英基板或蓝宝石基板。
5.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成源漏极层；
在所述源漏极层上涂覆光刻胶；
使用权利要求1-4任意一项所述的掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后与第二图案区的部分透射区域对应的区域形成光刻胶部分保留区域，与第二图案区的全透射区域对应的区域形成光刻胶完全去除区域；
采用刻蚀工艺，刻蚀所述光刻胶完全去除区域对应的所述源漏极层。
6.一种掩膜板的制造方法，其特征在于，包括在基板的上形成作为第二图案区的部分透射区域的掩膜材料层，其中，所述第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区，所述第二图案区包括所述部分透射区域和全透射区域，所述部分透射区域对应于扇出导线，所述全透射区域对应于扇出导线之间的间隔。
7.根据权利要求6所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述在基板的上形成作为第二图案区的部分透射区域的掩膜材料层包括：
采用沉积工艺，在所述基板的第二图案区沉积所述掩膜材料层；
采用涂覆工艺，在所述掩膜材料层上涂覆光刻胶；
采用光刻工艺，显影后去除所述第二图案区的全透射区域的所述光刻胶；
采用刻蚀工艺，刻蚀对应于所述第二图案区的全透射区域的所述掩膜材料层；
通过去胶工艺去除剩余的光刻胶。
8.根据权利要求6或7所述的掩膜板的制造方法，所述掩膜材料层为铬、钼、钛金属氧化物或氮化物层。
9.根据权利要求6或7所述的掩膜板的制造方法，所述基板为玻璃基板、石英基板或蓝宝石基板。
CN201210418490.8A 2012-10-26 2012-10-26 一种掩膜板及其制造方法，阵列基板的制造方法 Expired - Fee Related CN102944975B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210418490.8A CN102944975B (zh) 2012-10-26 2012-10-26 一种掩膜板及其制造方法，阵列基板的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210418490.8A CN102944975B (zh) 2012-10-26 2012-10-26 一种掩膜板及其制造方法，阵列基板的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102944975A true CN102944975A (zh) 2013-02-27
CN102944975B CN102944975B (zh) 2014-06-11

Family

ID=47727931

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210418490.8A Expired - Fee Related CN102944975B (zh) 2012-10-26 2012-10-26 一种掩膜板及其制造方法，阵列基板的制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102944975B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104252098A (zh) * 2014-09-18 2014-12-31 京东方科技集团股份有限公司 相移掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法
CN106298682A (zh) * 2016-08-30 2017-01-04 武汉华星光电技术有限公司 一种ltps阵列基板的制备方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102944974B (zh) * 2012-10-26 2015-07-15 北京京东方光电科技有限公司 一种掩膜板及阵列基板的制造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1124231A (ja) * 1997-07-01 1999-01-29 Sony Corp ハーフトーン位相シフトマスク、及びその製造方法
US20040048407A1 (en) * 2002-09-10 2004-03-11 Lee Jae Gu Method of fabricating liquid crystal display
US20080261395A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-23 Stefan Blawid Semiconductor Device, Method for Manufacturing Semiconductor Devices and Mask Systems Used in the Manufacturing of Semiconductor Devices
CN101738846A (zh) * 2008-11-17 2010-06-16 北京京东方光电科技有限公司 掩模板及其制备方法
CN102646634A (zh) * 2011-04-29 2012-08-22 京东方科技集团股份有限公司 Tft-lcd阵列基板制造方法
CN102707534A (zh) * 2011-06-09 2012-10-03 京东方科技集团股份有限公司 电子显示装置及其制造方法及电子纸
CN102881571A (zh) * 2012-09-28 2013-01-16 京东方科技集团股份有限公司 有源层离子注入方法及薄膜晶体管有源层离子注入方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1124231A (ja) * 1997-07-01 1999-01-29 Sony Corp ハーフトーン位相シフトマスク、及びその製造方法
US20040048407A1 (en) * 2002-09-10 2004-03-11 Lee Jae Gu Method of fabricating liquid crystal display
US20080261395A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-23 Stefan Blawid Semiconductor Device, Method for Manufacturing Semiconductor Devices and Mask Systems Used in the Manufacturing of Semiconductor Devices
CN101738846A (zh) * 2008-11-17 2010-06-16 北京京东方光电科技有限公司 掩模板及其制备方法
CN102646634A (zh) * 2011-04-29 2012-08-22 京东方科技集团股份有限公司 Tft-lcd阵列基板制造方法
CN102707534A (zh) * 2011-06-09 2012-10-03 京东方科技集团股份有限公司 电子显示装置及其制造方法及电子纸
CN102881571A (zh) * 2012-09-28 2013-01-16 京东方科技集团股份有限公司 有源层离子注入方法及薄膜晶体管有源层离子注入方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104252098A (zh) * 2014-09-18 2014-12-31 京东方科技集团股份有限公司 相移掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法
CN104252098B (zh) * 2014-09-18 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 相移掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法
CN106298682A (zh) * 2016-08-30 2017-01-04 武汉华星光电技术有限公司 一种ltps阵列基板的制备方法
CN106298682B (zh) * 2016-08-30 2019-06-04 武汉华星光电技术有限公司 一种ltps阵列基板的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102944975B (zh) 2014-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101685229B (zh) 液晶显示器阵列基板的制造方法
CN102945854B (zh) 阵列基板及阵列基板上扇出导线的制作方法、显示装置
CN101526707A (zh) Tft-lcd阵列基板结构及其制造方法
CN103700628B (zh) 阵列基板制作方法、阵列基板及显示装置
CN100544004C (zh) 一种tft lcd阵列基板及其制造方法
CN101825816A (zh) Tft-lcd阵列基板及其制造方法
CN102629584B (zh) 一种阵列基板及其制造方法和显示器件
US9274388B2 (en) Array substrate having common electrode driving interface pattern with slits, and manufacturing method thereof, and liquid crystal display
CN104503153A (zh) 一种液晶面板及显示装置
KR101467710B1 (ko) Ｔｆｔ 어레이 기판, 그 제조방법 및 디스플레이 장치
CN102566179A (zh) 液晶显示装置的制造方法
CN102012590A (zh) Ffs型tft-lcd阵列基板及其制造方法
CN102944975B (zh) 一种掩膜板及其制造方法，阵列基板的制造方法
CN101661941A (zh) Tft-lcd阵列基板结构及其制备方法
CN102819138A (zh) 阵列基板及显示装置
CN102651322A (zh) 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示器件
CN104091806A (zh) 一种阵列基板及其制作方法和显示面板
CN102944974B (zh) 一种掩膜板及阵列基板的制造方法
CN101995711B (zh) Tft-lcd阵列基板及其制造方法
CN102629588A (zh) 阵列基板的制造方法
US7445970B2 (en) Method for manufacturing thin film transistor
US20110074663A1 (en) Array substrate and manufacturing method thereof
CN102629583B (zh) 阵列基板制作方法、阵列基板及液晶显示器
CN102723310A (zh) 一种阵列基板的制作方法、阵列基板和液晶显示装置
CN102655116B (zh) 阵列基板的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20140611

Termination date: 20211026