CN102933996A - 低弯曲损耗光纤 - Google Patents

Abstract

一种光纤，包括具有最大折射率Δ百分比Δ₁的中心玻璃芯区域、包围所述芯的具有折射率Δ百分比Δ₂的第一内环形区域、包围所述内环形区域并具有Δ₃的下陷环形区域、以及包围下陷环形区域的具有折射率Δ百分比Δ₄的第三环形区域，其中，Δ_1最大＞Δ₄＞Δ₂＞Δ₃。Δ₄与Δ₂之间的差大于0.01且分布体积|V₃|是至少60％Δμm²。

Description

低弯曲损耗光纤

相关申请的交叉引用

本申请要求2009年9月11日提交的美国临时专利申请第61/241636号以及2010年5月4日提交的题为“Low Bend Loss Optical Fiber”的美国非临时专利申请第12/773358号的权益和优先权，且基于其内容，这些申请的全部内容以参见的方式纳入本文。

背景

本发明涉及光纤，且更具体地涉及具有在1550nm下低弯曲损耗的单模光纤。

对于光纤的家庭应用来说，低弯曲损耗光纤是有吸引力的，因为他们可降低安装成本。为减小弯曲损耗，已经提出具有掺氟环或随机分布的孔的外形设计。但是，获得对弯曲不敏感的光纤并同时符合G.652或其他光纤标准(MFD、光缆截止、色散等)是有挑战性的。

概述

本文揭示了单模光纤，其包括具有最大折射率Δ百分比Δ₁的中心玻璃芯区域、包围所述芯的具有折射率Δ百分比Δ₂的第一内环形区域、包围所述内环形区域并具有Δ₃的下陷环形区域、以及包围下陷环形区域的具有折射率Δ百分比Δ₄的第三环形区域，其中，Δ_1最大＞Δ₄＞Δ₂＞Δ₃。折射率下陷区域包括分布体积V₃，V₃等于：

$2\underset{R_2}{\overset{R_3}{\∫}}\mathrm{\Δ}\left(r\right)\mathrm{rdr};$

某些实施例中，Δ₄与Δ₂之间的差大于0.01且分布体积|V₃|的量级是至少60％Δμm²。所述光纤较佳地呈现小于1260nm的光缆截止，且在缠绕在10mm直径芯棒上时，在1550nm处，呈现小于0.20dB/圈，更佳地小于0.1dB/圈，甚至更佳地小于0.075dB/圈，且最佳地小于0.05dB/圈的弯曲损耗。

某些较佳实施例中，光纤芯折射率分布设计成使得光纤呈现在1300与1324nm之间的零色散波长、在1310nm下在约8.2与9.5微米之间的模场直径、以及小于1260nm的光缆截止。

光纤可包括具有最大折射率Δ百分比Δ₁的中心玻璃芯区域、包围所述芯的具有折射率Δ百分比Δ₂的第一内环形区域、包围所述内环形区域并具有Δ₃的下陷环形区域、以及包围下陷环形区域的具有折射率Δ百分比Δ₄的第三环形区域；所述下陷环形区域具有分布体积V₃，V₃等于：

$2\underset{R_2}{\overset{R_3}{\∫}}\mathrm{\Δ}\left(r\right)\mathrm{rdr};$

其中，所述中心玻璃芯区域包括足够在1310nm下，产生大于8.2微米模场直径的最大折射率Δ百分比Δ₁和半径r₁，且其中，Δ₄与Δ₂之间的差的量级和|V₃|的量级都足够大以产生小于1260nm的22m光缆截止和在缠绕在10mm直径芯棒上时，在1550nm下，小于0.2dB/圈，更佳地小于0.1dB/圈，甚至更佳地小于0.075dB/圈，且最佳地小于0.05dB/圈的弯曲损耗。Δ₄与Δ₂之间的差的量级较佳地大于0.01，更佳地大于0.02，甚至更佳地大于0.05。某些实施例中，Δ₄与Δ₂之间的差大于0.08。较佳地，Δ₄与Δ₂之间的差小于0.1。某些实施例中，Δ₄与Δ₂之间的差较佳地大于0.01而小于0.1。某些实施例中，Δ₄与Δ₂之间的差较佳地大于0.01且小于0.05。下陷环形区域较佳地包括分布体积V₃，使得|V₃|至少为60％Δμm²，更佳地大于约65％Δμm²，且在某些情况中，大于约70％Δμm²或80％Δμm²。某些实施例中，下陷环形区域分布体积V₃，使得|V₃|小于约120％Δμm²，更佳地小于约100％Δμm²。

将在以下详细描述中阐述附加特征和优点，这些特征和优点在某种程度上对于本领域的技术人员来说根据该描述将是显而易见的，或者通过实施包括以下详细描述、权利要求书以及附图的本文所述的实施例可认识到。

应当理解的是，以上一般描述和以下详细描述仅是示例性的，并且它们旨在提供用于理解权利要求书的本质和特性的概观或框架。所包括的附图用于提供进一步理解，且被结合到本说明书中并构成其一部分。这些附图示出一个或多个实施例，与说明书一起，用于解释各实施例的原理和运行。

附图的简要描述

图1示出光纤的一示例性实施例的示例性折射率分布。

详细描述

现在将具体参考当前的优选实施例，其示例在附图中示出。只要有可能，在所有附图中使用相同的附图标记来表示相同或类似的部分。

“折射率分布”是折射率或相对折射率与波导光纤半径之间的关系。

“相对折射率百分比”定义为Δ％＝100x(n_i ²-n_c ²)/2n_i ²，其中n_c是未掺杂氧化硅的平均折射率。如此处所使用地，相对折射率以Δ表示，而且它的值以“％”为单位给出，除非另外指明。在其中一区域的折射率小于未掺杂氧化硅的平均折射率的情况下，相对折射率百分比为负，而且可以称为具有下陷区域或下陷折射率。在其中一区域的折射率大于包层区的平均折射率的情况下，相对折射率百分比为正。此处的“上掺杂剂”被认为是具有相对于纯的未掺杂SiO₂提高折射率的倾向的掺杂剂。此处的“下掺杂剂”被认为是具有相对于纯的未掺杂SiO₂降低折射率的倾向的掺杂剂。上掺杂剂的示例包括GeO₂、Al₂O₃、P₂O₅、TiO₂、Cl、Br。下掺杂剂的示例包括氟和硼。

除非另作说明，以下将“色散现象”称为“色散”，波导光纤的色散是材料色散、波导色散以及模间色散的总和。在单模波导纤维的情况下，模间色散为零。色散斜率是色散相对于波长的变化率。

术语“α分布”或“阿尔法分布”指的是相对折射率分布，以单位为“％”的项

Δ(r)表示，其中r是半径，其遵循以下方程，

Δ(r)＝Δ(r_o)(1-[|r-r_o|/(r₁-r_o)]^α)，

其中r_o是Δ(r)为最大值的点，r₁是Δ(r)％为零的点，以及r在r_i＜r＜r_f范围内，其中Δ如上定义，r_i是α分布的起点，r_f是α分布的终点，以及α是指数且为实数。

使用彼得曼II方法测量模场直径(MFD)，其中2w＝MFD，且w²＝(2∫f²rdr/∫[df/dr]²r dr)，积分上下限为0到∞。

可在规定的测试条件下用引入的衰减来测量波导光纤的抗弯性，例如，通过围绕规定直径的芯棒展开或缠绕光纤，例如通过围绕6mm、10mm或20mm或类似直径的芯棒缠绕一圈(例如“1x10mm直径宏弯曲损耗”或“1x20mm直径宏弯曲损耗”)并测量每圈的衰减增加。

可通过标准的2m光纤截止测试即FOTP-80(EIA-TIA-455-80)来测量实际的光纤截止以获得“光纤截止波长”，也称为“2m光纤截止”或“测量的截止”。执行FOTP-80标准测试以使用受控的弯曲量去除较高阶的模，或将该光纤的光谱响应归一化为多模光纤的光谱响应。

对于成缆截止波长、或本文所使用的“成缆截止”，表示EIA-445光纤测试程序中描述的22m成缆截止测试，该EIA-445光纤测试程序是EIA-TIA光纤标准，即电子工业协会-电信工业协会光纤标准的一部分，更通常地称为FOTP。

图1示出一个示例性光纤10，包括具有最大折射率Δ百分比Δ₁的中心玻璃芯区域1。第一内环形区域2包围中心芯区域1，第一内环形区域2具有折射率Δ百分比Δ₂。下陷环形区域3围绕第一内环形区域2并包括Δ₃。第三环形区域4围绕下陷环形区域3并包括折射率Δ百分比Δ₄。较佳实施例中，Δ₁＞Δ₄＞Δ₂＞Δ₃。图1所示实施例中，区域1、2、3和4彼此紧邻。但是，这不是必须的，而可采用替代地附加的芯或包层区。例如，可采用围绕环形区域4并包括比环形区域4低的Δ折射率百分比Δ₅的外包层区(未示出)。

中心芯区域1包括外半径r₁，外半径r₁定义在从中心芯区域1的折射率的最大斜率经过零Δ线画出的切线的位置。芯区域1较佳地呈现在约0.3至0.5之间、更较佳地在0.32至0.45之间的折射率Δ百分比Δ₁。在某些实施方式中，Δ₁较佳地在0.32至0.40之间。芯半径r₁较佳地在3至5微米之间，更佳地在约3.5至4.5微米之间。中心芯区域1较佳地包括在约10-100之间的α。

图1所示的实施例中，第一环形区域2包围中心芯区域1并包括内半径r₁和外半径r₂，r₁如上所定义，而r₂定义为从环形区域3的内折射率部分的折射率的最大斜率经过零Δ线画出的切线的位置。某些情况中，区域2中的折射率是基本上平的。其他情况中，可以是梯度折射率分布。此外，在其他情况中，可以由于小外形设计或工艺变化而是波动的。某些实施例中，第一环形部分包括氧化硅，其基本未掺杂氟或氧化锗，即，使得该区域基本上没有氟或氧化锗。第一环形区域2包括折射率Δ百分比Δ₂，其使用如下公式计算：

${\mathrm{\Δ}}_2=\underset{r1}{\overset{r2}{\∫}}\mathrm{\Δ}\left(r\right)\mathrm{dr}/(r_2-r_1)$

第一内环形区域较佳地呈现在约4至10微米之间、更佳地在约5至7微米之间的宽度。芯半径r₁与内环形区域2的半径r₂的比率较佳地在约0.35至0.55之间，更佳地在约0.40至0.50之间。

下陷环形区域3包括内半径r₂和外半径r₃，r₃定义成下陷环形区域3与第三环形区域4之间的dΔ(r)/dr(“r”表示半径)、相对折射率差Δ(r)的径向分布的导数最大的点。下陷环形区域3较佳地包括在约-0.3至-1之间，更佳地-0.35至-0.7，且最佳地-0.4至-0.6的Δ百分比。

下陷区域3包括分布体积V₃，V₃等于：

$V_3=2\underset{r2}{\overset{r3}{\∫}}\mathrm{\Δ}\left(r\right)\mathrm{rdr}$

较佳地，|V₃|是至少60％Δμm²，更佳地大于约65％Δμm²，而在某些情况中，大于约70％Δμm²或80％Δμm²。某些情况中，可能想要保持下陷环形区域分布体积V₃，使得|V₃|小于120％Δμm²，更佳地小于100％Δμm²。下陷环形区域3包括折射率Δ百分比Δ₃，由∫Δ(3)dr/(r₃-r₂)在r₂与r₃之间计算得到。折射率下陷环形部分可例如包括含有多个孔的玻璃、或以诸如氟、硼或其混合物之类的下掺杂剂掺杂的玻璃、或以这类下掺杂剂中的一种或多种掺杂的玻璃和附加地包括多个孔的玻璃。在某些实施例中，折射率下陷的环形部分包括掺氟的硅玻璃。在包层包括孔的情况中，某些实施例中，孔可以非周期地位于折射率下陷环形部分内。关于“非周期性设置定位”，表示当对该光纤取截面(诸如垂直于纵轴的截面)时，非周期性设置的孔在光纤的一部分上随机或非周期性地设置(例如，在折射率下陷环形区域内)。沿该光纤的长度的不同点处所取的类似截面将揭示不同的随机分布截面孔洞图案，即各截面将具有不同的孔洞图案，其中孔的分布和孔的大小不精确匹配。即，孔隙或孔是非周期性的，即它们在光纤结构内非周期性地设置。这些孔沿光纤的长度(即平行于纵轴)伸展(延长)，但不会延伸典型传输光纤长度的整个光纤长度。相信孔沿光纤的长度延伸的距离小于20米，更佳地小于10米，甚至更佳地小于5米，且在某些实施例中，小于1米。此处公开的光纤可通过利用预成型固化条件的方法来制造，这能有效地使大量气体被捕获在固化的玻璃坯料中，从而在固化的玻璃光纤预制棒中形成孔。不是设法去掉这些孔，而是使用所得的预制棒来形成其中具有孔的光纤。如此处所使用，当从横切光纤的纵轴的垂直截面观察光纤时，孔洞的直径是端点设置在限定孔洞的氧化硅内表面上的最长线段。

第三环形区域4包括下陷环形区域3并包括折射率Δ百分比Δ₄，折射率Δ百分比Δ₄高于第一环形区域2折射率Δ₂，由此形成一区域，该区域是相对于内环形区域2的“上掺杂”区域4。注意，考虑到折射率上掺杂包括在区域4中，不苛求区域4被上掺杂。实际上，可通过相对于环形区域4下掺杂内环形区域2来在环形区域4中实现相同类型的“上掺杂”效果。第三环形区域的内半径r4定义成较高折射率区域(相比于内环形区域2的折射率)开始的点。某些实施例中，第三环形区域4的较高折射率区域可以在下陷环形区域3结束的点处开始，从而r₃等于r₄。某些实施例中，第三环形区域4(即，具有比第一环形区域2高的折射率的区域)的开始径向点r₄可以与下陷环形区域3的外半径向点r₃间隔开。折射率体积i通过∫Δ(4)dr/∫dr在内半径r₄与第三环形区域4的外半径之间计算得到。环形区域4包括比第一环形区域2高的折射率。较佳地，环形区域4的较高折射率部分(相比于第一内区域2)至少延伸到其中通过光纤传递的光功率大于或等于所传递的光功率的90％的点，更佳地延伸到其中通过光纤传递的光功率大于或等于所传递的光功率的95％的点，且最佳地延伸到其中通过光纤传递的光功率大于或等于所传递的光功率的98％的点。优选实施例中，“上掺杂”第三环形区域至少延伸到其中光纤内大部分光被传递地方的外部的径向点，例如，至少到约30微米的径向点。因此，第三环形区域4的定义成在“上掺杂”第三环形区域4的内半径R₄与30微米径向距离之间计算的体积的体积V_4A是：

$V_{4A}=2\underset{r3}{\overset{r30}{\∫}}{\mathrm{\Δ}}_{(4-2)}\left(r\right)\mathrm{rdr}$

较佳地V_4A大于5，更佳地大于7，且在某些实施例中大于10％Δ-μm²。第三环形区域4的体积V_4A可小于第三环形区域4的体积V_4B，该处使用的体积V_4B从R₃至62.5微米(即，125微米直径光纤的外径)计算得到。某些情形中，体积V_4B可大于80％Δμm²、大于200％Δμm²、或大于300％Δμm²。

第三环形区域4可以与环形区域3间隔开，如图1所示，或替代地，环形区域4可紧邻环形区域3。环形区域4可延伸到光纤的最外半径。某些实施例中，第三环形区域的Δ₄大于0.01百分比。某些实施例中，当相比于内环形区域2的折射率时，第三环形区域的折射率大于0.01百分比。某些实施例中，第三环形区域包括氯(Cl)，氯的量以重量计算大于1000ppm，更佳地大于1500ppm，且最佳地大于2000ppm(0.2％)。

实例

通过以下实例，各实施例将更加清楚。对本领域的技术人员来说很明显，可进行各种更改和改变而不背离本发明的精神和范围。

下表列出具有图1所示的折射率的模型化说明性实例1-18的特征。具体来说，下面阐述的每个实例是中心芯区域1的折射率Δ₁、α₁、以及外半径R₁，内环形区域2折射率Δ₂、外半径R₂和宽度W，第二(下陷)环形区域3的外半径R₃、折射率Δ₃和体积V₃，第三环形区域4的折射率Δ₄、体积V_4A，第三环形区域4的体积V_4B，体积V_4A在第三环形区域4的内半径R₄与30微米的径向距离之间计算，体积V_4B从R₄至62.5微米(即，光纤的外径)计算得到。某些实施例中，R₃等于R₄。R₅是光纤的外半径。还阐述以nm表示的理论截止波长、在1310nm下的模场直径、在1310nm下的有效面积、在1310nm下的色散、在1310nm下的色散斜率、在1310nm下的衰减、在1550nm下的模场直径、在1550nm下的有效面积、在1550nm下的色散、在1550nm下的色散斜率、在1550nm下的衰减、以及在1550nm下的单位为dB/圈的1x10mm直径引入弯曲损耗。表1中，这些性能被模型化。

表1

上面所列的光纤呈现小于1100nm的模型化理论截止波长。所有这些光纤呈现小于1260nm的光缆(22m)截止波长。下面表2的光纤使用OVD制造工艺制造，每个光纤以10m/s从其光纤预制棒抽拉拔并具有施加到其的标准第一和第二聚氨酯丙烯酸脂涂层。然后测试这些性能。

表2

如可从上表1和2以及下表3所看到的，此处实例中说明示例性光纤，该示例性光纤采用具有折射率Δ₁中心玻璃芯棒区域、具有折射率Δ₂的第一内环形区域、具有折射率Δ₃的下陷环形区域以及具有折射率Δ百分比Δ₄的第三环形区域；其中Δ₁＞Δ₄＞Δ₂＞Δ₃，其中，Δ₄与Δ₂之间的差异大于或等于0.01和分布体积的绝对值，|V₃|至少是60％Δμm²。当在10mm直径芯棒上缠绕时，这些光纤呈现小于1260nm的光缆截止(除了比较例26不呈现小于1260nm光缆截止波长外)和小于0.2dB/圈的弯曲损耗。这些光纤还呈现在1310nm下在约8.2与9.5微米之间的模场直径、在1300与1324之间的零色散波长、在1310nm下在约8.2与9.5微米之间的模场直径，在1310nm下的小于0.09ps/nm²/km的色散斜率、以及在缠绕在10mm直径芯棒上时，在1550nm下，小于0.2dB/圈，更佳地小于0.1dB/圈，甚至更佳地小于0.075dB/圈，且最佳地小于0.05dB/圈的弯曲损耗。在1550nm下，当缠绕在15mm直径芯棒上时，这些光纤还呈现小于0.05dB/圈，更佳地小于0.03dB/圈的弯曲损耗；当缠绕在20mm直径芯棒上时，小于0.03dB/圈，更佳地小于0.01dB/圈的弯曲损耗；以及当缠绕在30mm直径芯棒上时，小于0.01dB/圈，更佳地小于0.005dB/圈的弯曲损耗。

下表3阐述的下面实例是模型化的。虽然这些实例没有报告零色散波长，所有情形中，该波长在1300与1324nm之间。

表3

性能	分布36	分布37	分布38
				Δ1(％)	0.38	0.4	0.4

α1	12	12	12
				R1(μm)	4.2	4	4.2
Δ2(％)	0	0	0
				R2(μm)	9.1	8.7	9.1
w(μm)	5.7	6.5	4.8
				R3(μm)	14.9	15.2	13.9
Δ3(％)	-0.45	-0.45	-0.45
				V3(％Δ微米2)	-62	-70	-50
R4(μm)	14.9	15.2	13.9
				Δ4(％)	0.02	0.02	0.02
R5(μm)	62.5	62.5	62.5
				V4a(％Δ微米2)	13.6	13.4	14.1
V4b(％Δ微米2)	73.7	73.5	74.2
				光缆截止(nm)	1259	1255	1258
在1310nm下的MFD(μm)	8.51	8.23	8.38
				在1550nm下的弯曲损耗(dB/10mm直径圈)	0.12	0.06	0.17

实例39

制造一光纤，该光纤呈现图1所示的相同总折射率分布，即，包括具有α+0.36％Δ₁、R₁＝4.5微米的阶梯折射率GeO2掺杂氧化硅芯区域1，由未掺杂氧化硅构成、具有折射率Δ₂＝0、R₂＝10微米的第一内环形区域2，R₃＝13微米、包括在约10微米(半径)处开始的含孔(氪气)0.6重量％氟掺杂氧化硅并具有3微米径向宽度(R₃-R₂)的下陷区域3。第三环形区域4由掺杂有氯(通过在OVD沉积烟炱的固化过程中Cl₂气相掺杂)氧化硅玻璃形成，由此形成具有α+0.02％Δ₄、R₄＝62.5微米的上掺杂外包层区域4，上掺杂体积V_4A从在13微米下的沟槽的外直径到约15％Δμm²的光纤的30微米半径。光纤的SEM截面端面示出由在包层区附近10微米外半径无孔包围的约4.5微米半径GeO₂-SiO₂芯，包层区由包含包层区(约3微米环厚度)的13微米外半径孔围绕，包层区由具有约125微米的外直径的无孔纯氧化硅外包层包围(所有的径向尺寸从光纤的中心测量)。包含孔的环形区域包含6％的区域面积百分比的孔(100％体积的Kr)，在该区域中平均直径为0.17微米，而最小孔直径为0.03微米，最大直径0.45微米，从而导致在光纤截面中有总数约为400的孔。总的光纤孔隙区域百分比(孔的面积除以光纤截面的总面积乘以100)是约0.1％。光纤被从其预制棒以10m/s拉拔并具有施加到其的标准第一和第二聚氨酯丙烯酸脂涂层。该光纤的性能如下：在1550nm下，衰减是0.204dB/km；1250nm的22m截止；1310nm模场直径是8.51微米；对于10mm直径芯棒，1550nm下的弯曲损耗是0.004dB/圈；对于15mm直径芯棒，1550nm下的弯曲损耗是0.004dB/圈；对于20mm直径芯棒，1550nm下的弯曲损耗是0.000dB/圈；对于30mm直径芯棒，1550nm下的弯曲损耗是0.000dB/圈；零色散波长(λ零)是1317nm，在λ零下，色散斜率是0.090ps/nm²/km。光纤的这些性能显示光纤是G.652顺应并具有卓越的弯曲损耗。

实例40(比较例)

类似包括孔的Ex27光纤但无上掺杂包层的光纤被制造并具有在1310nm下8.41微米的MFD，1355nm的22m截止，对于10mm直径芯棒，1550nm下的弯曲损耗是0.015dB/圈；对于15mm直径芯棒，1550nm下的弯曲损耗是0.009dB/圈；对于20mm直径芯棒，1550nm下的弯曲损耗是0.000dB/圈；对于30mm直径芯棒，1550nm下的弯曲损耗是0.000dB/圈；零色散波长(λ零)是1317nm，在λ零下，色散斜率是0.090ps/nm²/km。对于22m截止，该光纤不符合G.652标准。结果示出具有上掺杂(EX 27)的光纤具有105nm低截止，同时保持类似MFD和弯曲性能。

应当理解的是，上述描述仅仅是本发明的示例，而且旨在提供用于理解由所附权利要求限定的光纤的本质和特征的概览。所包括的附图用于提供对较佳实施例的进一步理解，且被结合到本说明书中并构成其一部分。附图示出各特征和实施方式，并与它们的描述一起用于说明原理和操作。对本领域的技术人员显而易见的是，可在不背离所附权利要求书精神和范围的情况下对本文所述的较佳实施例作出各种改型。

Claims (20)

1.一种光纤，包括：

包括具有最大折射率Δ百分比Δ₁的中心玻璃芯区域、包围所述芯的具有折射率Δ百分比Δ₂的第一内环形区域、包围所述内环形区域并具有Δ₃的下陷环形区域、以及包围所述下陷环形区域的具有折射率Δ百分比Δ₄的第三环形区域，其中，Δ_1最大＞Δ₄＞Δ₂＞Δ₃，其中，Δ₄与Δ₂之间的差大于或等于0.01，且分布体积V₃等于：

$V_3=2\underset{r2}{\overset{r3}{\∫}}\mathrm{\Δ}\left(r\right)\mathrm{rdr}$

其中，|V₃|至少是60％Δμm²，且所述光纤呈现小于1260nm的光缆截止。

2.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，当在10mm直径芯棒上缠绕时，所述光纤呈现小于0.2dB/圈的弯曲损耗。

3.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，Δ₄与Δ₂之间的差大于0.05。

4.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，当从环形区域4的内半径到离所述光纤的中心线30微米的径向距离计算时，所述第三环形区域4的体积V₄大于5％Δμm²。

5.如权利要求2所述的光纤，其特征在于，当从环形区域4的内半径到离所述光纤的中心线30微米的径向距离计算时，所述第三环形区域4的体积V₄大于5％Δμm²。

6.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，Δ₄与Δ₂之间的差在约0.01和0.05之间。

7.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，在1300与1324nm之间的波长下，所述光纤呈现零色散。

8.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，在1310nm下，所述光纤呈现在约8.2与9.5之间的模场直径。

9.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤具有至少70％Δμm²的分布体积|V₃|。

10.如权利要求9所述的光纤，其特征在于，当在10mm直径芯棒上时，在1550nm波长下，所述光纤呈现小于0.1dB/圈的弯曲损耗。

11.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，当在10mm直径芯棒上时，在1550nm波长下，所述光纤呈现小于0.1dB/圈的弯曲损耗。

12.如权利要求9所述的光纤，其特征在于，所述光纤呈现小于1260nm的22m光缆截止。

13.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤呈现小于1260nm的22m光缆截止。

14.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述第三环形区域的Δ₄大于0.01％。

15.如权利要求13所述的光纤，其特征在于，所述第三环形区域包括量大于2000ppm的Cl。

16.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述第三环形区域至少延伸到通过光纤传递的光功率大于或等于沿所述光纤传递的光功率的90％的位置。

17.一种光纤，包括具有最大折射率Δ百分比Δ₁的中心玻璃芯区域、包围所述芯的具有折射率Δ百分比Δ₂的第一内环形区域、包围所述内环形区域并具有Δ₃的下陷环形区域、以及包围所述下陷环形区域的具有折射率Δ百分比Δ₄的第三环形区域，所述下陷环形区域具有分布体积V₃，V₃等于：

$V_3=2\underset{r2}{\overset{r3}{\∫}}\mathrm{\Δ}\left(r\right)\mathrm{rdr}$

其中，所述中心玻璃芯区域包括足够产生大于8.2模场直径的最大折射率Δ百分比Δ₁和半径r₁，且Δ₄与Δ₂之间的差的量级和|V₃|的量级都足够大以产生小于1260nm的22m光缆截止以及在10mm直径芯棒上时，在1550nm波长下，小于0.2dB/圈的弯曲损耗。

18.如权利要求17所述的光纤，其特征在于，还包括在10mm直径芯棒上，小于0.1dB/圈的弯曲损耗。

19.如权利要求17所述的光纤，其特征在于，当从环形区域4的内半径到离所述光纤的中心线30微米的径向距离计算时，所述第三环形区域4的体积V₄大于5％Δμm²。

20.如权利要求18所述的光纤，其特征在于，当从环形区域4的内半径到离所述光纤的中心线30微米的径向距离计算时，所述第三环形区域4的体积V₄大于5％Δμm²。

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